JP2011102968A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法において、
   前記転写用マスクは、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるものであり、
   クロム系薄膜上に、転写パターンを有するレジスト膜を形成する工程と、
   転写パターンを有するレジスト膜をマスクとして、クロム系薄膜に転写パターンを形成する工程と、
   転写パターンを有するクロム系薄膜をマスクとして、パターン形成用薄膜に転写パターンを形成する工程と、
   前記クロム系薄膜をエッチングによって除去する工程と、
   をこの順に行って転写用マスクを作製し、
   作製した転写用マスクに対し、前記パターン形成用薄膜からなる転写パターンのクロム含有量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満になるまで、アルカリ溶液洗浄、温水洗浄、オゾン含有水洗浄のうち１以上の洗浄を行う洗浄工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
2. 前記洗浄工程は、アルカリ溶液洗浄、温水洗浄、およびオゾン含有水洗浄をこの順に行うことを特徴とする請求項１記載の転写用マスクの製造方法。
3. 前記アルカリ溶液は、アンモニアと過酸化水素を含有する水溶液であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
4. 前記パターン形成用薄膜中の遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
5. 前記パターン形成用薄膜は、光学濃度２．５以上を有する遮光膜であり、
   前記クロム系薄膜は、エッチングによって除去する工程で全て除去されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
6. 前記パターン形成用薄膜は、透光性基板側から遮光層および表面反射防止層の少なくとも２層以上の積層構造からなる遮光膜であることを特徴とする請求項５に記載の転写用マスクの製造方法。
7. 前記パターン形成用薄膜は、ＤＲＡＭ ｈｐ４５ｎｍ世代以降の転写パターンを有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
8. 前記パターン形成用薄膜は、ハーフトーン型位相シフト膜であり、
   前記クロム系薄膜とパターン形成用薄膜との積層構造で光学濃度２．５以上を有し、
   前記クロム系薄膜をエッチングによって除去する工程で、転写パターン領域外周の遮光帯領域以外の領域の前記クロム系薄膜は除去されて遮光帯が形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法で作製された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
10. 半導体ウェハ上に形成される回路パターンは、ＤＲＡＭ ｈｐ４５ｎｍ世代以降の回路パターンが含まれていることを特徴とする請求項９に記載の半導体デバイスの製造方法。