JP2012190048A5 - - Google Patents
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- 転写用マスクを作製するために用いられるものであり、透光性基板上に遮光膜を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、
前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが25eV以上25.4eV以下の結合エネルギで最大ピークを有することを特徴としたマスクブランク。 - 前記高酸化層を除いた部分の前記遮光膜は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが21eV以上25eV未満の結合エネルギで最大ピークを有することを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記高酸化層は、アモルファス構造であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。
- 前記高酸化層は、層中の酸素含有量が68at%以上71.4at%以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記高酸化層のTa2O5結合の存在比率は、前記高酸化層を除く前記遮光膜におけるTa2O5結合の存在比率よりも高いことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、透光性基板側から少なくとも遮光層および表面反射防止層が順に積層した構造を有し、
前記高酸化層は、前記表面反射防止層の遮光層側とは反対側の表層に形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。 - 前記表面反射防止層の層中の酸素含有量は、前記高酸化層の層中の酸素含有量よりも少ないことを特徴とする請求項6記載のマスクブランク。
- 前記表面反射防止層の層中の酸素含有量は、50at%以上60at%未満であることを特徴とする請求項7記載のマスクブランク。
- 前記高酸化層のTa2O5結合の存在比率は、前記表面反射防止層におけるTa2O5結合の存在比率よりも高いことを特徴とする請求項6から8のいずれかに記載のマスクブランク。
- 透光性基板上に遮光膜パターンを備える転写用マスクであって、
前記遮光膜パターンは、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜パターンの透光性基板側とは反対側の表層と前記遮光膜パターンの側壁の表層に高酸化層が形成されており、
前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが25eV以上25.4eV以下の結合エネルギで最大ピークを有することを特徴とした転写用マスク。 - 前記高酸化層を除いた部分の前記遮光膜は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが21eV以上25eV未満の結合エネルギで最大ピークを有することを特徴とする請求項10記載の転写用マスク。
- 前記高酸化層は、アモルファス構造であることを特徴とする請求項10または11に記載の転写用マスク。
- 前記高酸化層は、層中の酸素含有量が68at%以上71.4at%以下であることを特徴とする請求項10から12のいずれかに記載の転写用マスク。
- 前記高酸化層のTa2O5結合の存在比率は、前記高酸化層を除く前記遮光膜パターンにおけるTa2O5結合の存在比率よりも高いことを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載の転写用マスク。
- 前記遮光膜パターンは、透光性基板側から少なくとも遮光層および表面反射防止層が順に積層した構造を有することを特徴とする請求項10から14のいずれかに記載の転写用マスク。
- 前記表面反射防止層の層中の酸素含有量は、前記高酸化層の層中の酸素含有量よりも少ないことを特徴とする請求項15記載の転写用マスク。
- 前記表面反射防止層の層中の酸素含有量は、50at%以上60at%未満であることを特徴とする請求項16記載の転写用マスク。
- 前記高酸化層のTa2O5結合の存在比率は、前記表面反射防止層におけるにおけるTa2O5結合の存在比率よりも高いことを特徴とする請求項15から17のいずれかに記載の転写用マスク。
- 透光性基板上に遮光膜パターンを備える転写用マスクの製造方法であって、
前記透光性基板上にタンタルを主な金属成分として含有する材料からなる遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜にエッチングを行って前記遮光膜パターンを形成する工程と、
前記遮光膜パターンに対して温水またはオゾン水による処理を行うことにより前記遮光膜パターンの表層に高酸化層を形成する工程とを有しており、
前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが25eV以上25.4eV以下の結合エネルギで最大ピークを有するものであることを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 透光性基板上に遮光膜パターンを備える転写用マスクの製造方法であって、
前記透光性基板上にタンタルを主な金属成分として含有する材料からなる遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜にエッチングを行って前記遮光膜パターンを形成する工程と、
前記遮光膜パターンに対して酸素を含有する気体中で加熱処理を行うことにより前記遮光膜パターンの表層に高酸化層を形成する工程とを有しており、
前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが25eV以上25.4eV以下の結合エネルギで最大ピークを有するものであることを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 透光性基板上に遮光膜パターンを備える転写用マスクの製造方法であって、
前記透光性基板上にタンタルを主な金属成分として含有する材料からなる遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜にエッチングを行って前記遮光膜パターンを形成する工程と、
前記遮光膜パターンに対して酸素を含有する気体中で紫外線照射処理を行うことにより前記遮光膜パターンの表層に高酸化層を形成する工程とを有しており、
前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが25eV以上25.4eV以下の結合エネルギで最大ピークを有するものであることを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 透光性基板上に遮光膜パターンを備える転写用マスクの製造方法であって、
前記透光性基板上にタンタルを主な金属成分として含有する材料からなる遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜にエッチングを行って前記遮光膜パターンを形成する工程と、
前記遮光膜パターンに対して酸素プラズマによる表面処理を行うことにより前記遮光膜パターンの表層に高酸化層を形成する工程と
を有しており、
前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが25eV以上25.4eV以下の結合エネルギで最大ピークを有するものであることを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 前記高酸化層を除いた部分の前記遮光膜は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが21eV以上25eV未満の結合エネルギで最大ピークを有することを特徴とする請求項19から22のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記高酸化層は、アモルファス構造であることを特徴とする請求項19または23のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記高酸化層は、層中の酸素含有量が68at%以上71.4at%以下であることを特徴とする請求項19から24のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 前記高酸化層のTa2O5結合の存在比率は、前記高酸化層を除く前記遮光膜パターンにおけるTa2O5結合の存在比率よりも高いことを特徴とする請求項19から25のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
- 請求項10から18のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 請求項19から26のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法で作製された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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