JP2017227933A5 - 反射型マスクブランク及びその製造方法、並びに反射型マスク及びその製造方法 - Google Patents

Claims (10)

1. 基板上に、EUV光を反射する多層反射膜およびEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、
   前記吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成され、
   前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
   前記基準マークの形成箇所を含む領域上には前記吸収体膜及び前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする反射型マスクブランク。
2. 前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、
   前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
3. 前記レジスト膜は、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域に形成され、前記基準マークは、前記パターン形成領域の外側に設けられた外周部に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
4. 前記基準マークは、前記多層反射膜を構成する一部の膜を除去することにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
5. 大きさが６インチ角の反射型マスクブランクの周縁部において、外周端から０．５ｍｍ乃至５．０ｍｍの範囲の領域上には前記レジスト膜が形成されていないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板を準備する工程と、前記多層反射膜に欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、前記基準マークを基準として多層反射膜付き基板の欠陥情報を取得する多層反射膜付き基板欠陥情報取得工程と、前記多層反射膜上に吸収体膜を形成する吸収体膜形成工程と、前記吸収体膜上の転写パターンが形成されるパターン形成領域を含む領域と、前記基準マークの形成箇所を含む領域にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記基準マークの形成箇所を含む領域の前記レジスト膜及び前記吸収体膜を除去する除去工程と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
7. 前記基準マークを基準として反射型マスクブランクの欠陥情報を取得する反射型マスクブランク欠陥情報取得工程をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
8. 前記多層反射膜付き基板の欠陥情報、及び／又は前記反射型マスクブランクの欠陥情報と、反射型マスクブランクとを対応させる工程を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
9. 請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして、転写パターンが形成された吸収体膜を有することを特徴とする反射型マスク。
10. 請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用いて、電子線描画及び現像によってレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターンをマスクにして前記吸収体膜をパタ−ニングする工程と、欠陥検査装置による検査工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。