JPH11176728A - フォトマスク製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本来の転写すべきパターン以外の部分で反射
率が部分的に変化することの無い反射型のフォトマスク
の製造方法を提供する。 【解決手段】 マスク基板１上に多層反射膜を形成し、
この製造過程で生じる周囲の領域に比べて反射率の低い
欠陥部Ｄ１，Ｄ２を検出し、その位置を記憶する。その
多層反射膜上に光吸収性の膜を形成し、更にこの上にレ
ジストを塗布して所定のパターンを描画した後、現像及
びエッチングを行うことによって光吸収性のマスクパタ
ーン９ａを形成する。この際に、マスクパターン９ａを
初期の位置から横シフト、又は回転することによって、
多層反射膜上の欠陥部Ｄ１，Ｄ２をマスクパターン９ａ
で覆うようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
又は液晶表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ
技術を用いて製造する際に原版パターンとして使用され
るフォトマスクの製造方法に関し、特に極端紫外（ＥＵ
Ｖ）領域でも更に波長の短い波長５〜２０ｎｍ程度の露
光ビームのもとで使用される反射型のフォトマスクを製
造する場合に使用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路等を製造する
際に、形成すべき回路パターンを例えば４〜５倍程度に
拡大した原版パターンが形成されたフォトマスクを使用
して、このフォトマスクのパターンを縮小投影光学系を
介してウエハ、又はガラスプレート等の被露光基板上に
縮小投影する転写方式が用いられている。このようなフ
ォトマスクのパターンの転写の際に使用されるのが露光
装置であり、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影型露光装置で使用されるフォトマスクは、レチクルと
も呼ばれている。

【０００３】半導体集積回路等においては常に一層の微
細化、及び高速化が要求されているが、これらの要求に
応えるためには、露光装置の解像力を高める必要があ
る。その解像力は、露光光の波長にほぼ比例するため、
従来より露光波長は次第に短波長化されている。即ち、
露光光は水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）からＫｒ
Ｆエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）に代わりつつあ
る。現在は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎ
ｍ）、更にはＦ₂ レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の使用
が検討されている。そして、最近になって、Ｘ線リソグ
ラフィの研究によって、波長が１００ｎｍ程度以下のい
わゆる極端紫外域（ＥＵＶ、又はＸＵＶ）の中でも殆ど
Ｘ線に近い波長１０．３ｎｍの光を用いた露光装置が提
案されている。

【０００４】このような極端紫外域の光となると、もは
や透過性の光学材料はなく、フォトマスクを含めた全て
の光学系を反射系で構成する必要がある。その反射面
も、可視光のように金属の単層コートのみで高反射率が
得られるわけではなく、例えば２種類の元素を交互に数
十層にも形成する多層膜によって初めて実現できるもの
である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の如く、極端紫外
域の光を露光光として使用する露光装置では、多層膜よ
りなる反射面を有する反射型のフォトマスクが使用され
る。しかしながら、そのようなフォトマスクの多層膜に
よる反射面は、その製造過程で欠陥が生じやすく、欠陥
部は他の部分に対して反射率が低下する。この場合、例
えば投影光学系の反射面にできた欠陥であれば、投影像
のコントラストが多少低下する程度で、大きな問題はな
い。これに対して、フォトマスク上の欠陥部は、それが
そのまま投影像としてウエハ等の上に誤転写されてしま
うという不都合がある。このようにフォトの欠陥部が誤
転写された場合には、製造される半導体デバイス等の歩
留りが悪化してしまう。

【０００６】このような事態を避けるためには、製造さ
れたフォトマスクについて欠陥検査を行って、そのよう
な欠陥部を有するフォトマスクを不良品とすることも考
えられるが、これではフォトマスク自体の歩留りが低く
なり、フォトマスクの製造コストが上昇する。本発明は
斯かる点に鑑み、本来の転写すべきパターン以外の部分
で反射率が部分的に変化することの無い反射型のフォト
マスクの製造方法を提供することを第１の目的とする。

【０００７】更に本発明は、極端紫外域の中でも更に波
長が２０ｎｍ程度以下の露光ビームのもとで使用できる
と共に、本来の転写すべきパターン以外の部分で反射率
が部分的に変化することの無い反射型のフォトマスクの
製造方法を提供することを第２の目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による第１のフォ
トマスク製造方法は、マイクロデバイス製造用の露光装
置で使用され、露光ビームを反射する反射部（３ａ）に
囲まれると共にこの反射部よりも反射率が低いデバイス
パターン（９ａ）を有するフォトマスクの製造方法にお
いて、フォトマスク用の基板（１）上のマスクパターン
の形成領域のほぼ全面にその露光ビームの反射層（３）
を形成し、この反射層上で反射率がその周囲よりも低い
欠陥領域（Ｄ１，Ｄ２）を含むようにそのデバイスパタ
ーン（９ａ）を配置するものである。

【０００９】斯かる本発明によれば、反射層（３）とし
てはその露光ビームの波長に合わせた単層膜や多層膜等
が使用され、この反射層（３）の上に例えばその露光ビ
ームの波長域の光を吸収する膜よりなるデバイスパター
ン（９ａ）が形成される。この場合、反射層（３）では
製造過程で欠陥領域（反射率が周囲よりも低い部分）が
生じることがあるため、予めその反射層（３）を形成し
た後に欠陥領域の検査を行って、その欠陥領域の位置を
記憶しておく。そして、吸収性のデバイスパターン（９
ａ）を形成する際に、このデバイスパターンがその欠陥
領域を覆うようにこのデバイスパターンの位置や回転角
等を調整する。これによって、欠陥領域はそのデバイス
パターンの一部となり、デバイスパターン以外の領域で
は部分的に反射率が変化する領域が無くなる。従って、
このフォトマスクを用いて所望のデバイスのパターンを
正確に露光できる。

【００１０】次に、本発明による第２のフォトマスク製
造方法は、２０ｎｍ以下で例えば５ｎｍ程度以上の波長
の露光ビームのもとで使用される反射型のフォトマスク
の製造方法であって、そのフォトマスクの基板（１）の
少なくとも一部にその露光ビームに対する反射率を高め
るために反射膜（３）を形成する第１工程と、その反射
膜の欠陥部（Ｄ１，Ｄ２）を検出し、この検出された欠
陥部の位置を記憶する第２工程と、反射膜（３）上にそ
の第２工程で記憶された欠陥部の位置を含むように、そ
の露光ビームを吸収する材料よりなる所定の転写用のパ
ターン（９ａ）を形成する第３工程と、を含むものであ
る。

【００１１】斯かる本発明によれば、２０ｎｍ以下の波
長の露光ビームに対する反射膜（３）としては、例えば
数十層にも及ぶ多層膜が使用されるため、製造過程にお
いて、例えば周囲に比べて反射率の低い欠陥部（Ｄ１，
Ｄ２）が生じやすい。そこで、この欠陥部の位置を記憶
しておき、反射膜（３）上に吸収性の材料からなる転写
用のパターン（９ａ）を形成する場合に、このパターン
でその欠陥部を覆うことで、このパターン以外の領域に
欠陥部が無くなり、所望のパターンを正確に露光できる
ようになる。

【００１２】この場合、その第３工程において、そのフ
ォトマスクの基板（１）に対してその転写用のパターン
（９ａ）を相対的に回転、又は横シフトさせることによ
ってその転写用のパターンでその第２工程で記憶された
欠陥部（Ｄ１，Ｄ２）の位置を覆うようにしてもよい。
相対的な回転、又は横シフトでは、その転写用のパター
ン自体の形状は変化しないため、そのまま実際の露光に
使用できる。

【００１３】また、その転写用のパターンとして複数種
類のパターン（９ｂ，９ｃ）を用意しておき、それら複
数種類のパターンよりその第２工程で記憶された欠陥部
の位置を覆うパターンを選択し、このように選択された
パターンをその第３工程でその反射膜上に形成するよう
にしてもよい。これによって、１種類の転写用のパター
ンの僅かな回転や横シフトでは対応できない欠陥部をも
覆うことができるようになる。

【００１４】更に、それらの複数種類のパターンでも対
応できない欠陥部を有する基板については、その欠陥部
の位置情報を記録した上でマスク保管部に保管してお
き、別のマスクを製造する際に、このマスクのパターン
でその欠陥部を覆えるものがあったときに、そのマスク
保管部から出して使用するようにしてもよい。また、そ
れら複数種類のパターンは、一例としてマイクロデバイ
スを製造するためのリソグラフィ工程で使用される少な
くとも１台の露光装置によって、そのマイクロデバイス
を形成すべき所定の基板上に重ね合わせて転写されるも
のである。これによって露光工程で順次使用される複数
のフォトマスクをまとめて製造できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明によるフォトマスク
製造方法の実施の形態の一例につき図面を参照して説明
する。本例で製造するフォトマスクは、図５に示すよう
に、所定のマスク基板１上の反射膜上に、転写対象のマ
イクロデバイスのパターンを所定倍率で拡大した光吸収
性のマスクパターン９ａを配置した反射型のマスクであ
る。また、本例のフォトマスクは、例えば極端紫外域
（１００ｎｍ程度以下の波長域）の露光光を用いる露光
装置で、反射型のマスクとして使用して好適なものであ
る。以下では使用される露光波長を一例として１０．３
ｎｍとして、そのフォトマスクの一連の製造工程につき
説明する。

【００１６】［第１工程］まず、図１（ａ）に示すよう
に、平板状のマスク基板１の上面に多層反射膜３を形成
する。マスク基板１の材料としては、半導体ウエハに使
用されているようなシリコン単結晶、可視域から紫外域
までの露光光用のマスクの基板として用いられている石
英ガラス、又はガラスセラミックス（例えばショット社
の商品名「ゼロデュア」が使用できる）のような低膨張
率の材料等が使用できる。

【００１７】多層反射膜３は、一例として、モリブデン
（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とが蒸着、又はスパッタリ
ング等によって交互に数十層に形成されたものであり、
本例では露光波長である１０．３ｎｍの光に対して高い
反射率を有している。ただし、多層反射膜３は、マスク
基板１の上面の全面に亘って形成するのではなく、その
上面の周辺部の４箇所で遮蔽板２１Ａ，２１Ｂ，２１
Ｃ，２１Ｄによって、多層反射膜３の材料を遮蔽してい
る。これらの遮蔽板２１Ａ〜２１Ｄに対応して、図１
（ｂ）に示すように、マスク基板１の上面の多層反射膜
３の周辺部の４箇所に、反射率の低い例えば十字型のキ
ーマーク２Ａ〜２Ｄが形成される。

【００１８】このような多層反射膜３の形成に際して
は、周囲の領域に比べて反射率が低い欠陥部が発生する
ことがある。本例では、マスク基板１上の多層反射膜３
の２箇所で露光波長に対して反射率の低い欠陥部Ｄ１，
Ｄ２が生じているものとする。 ［第２工程］次に、図２に示すような欠陥検査装置を用
いて、図１（ｂ）のマスク基板１上の多層反射膜３の欠
陥部Ｄ１，２の検出を行う。

【００１９】図２の欠陥検査装置において、検査対象の
マスク基板１は、ステージ５上に載置され、ステージ５
は不図示の駆動モータによってベース８上を２次元的に
移動する。ステージ５上に設けられた移動鏡７ｍ、及び
対向して配置されたレーザ干渉計７によって計測される
ステージ５の２次元的な位置情報がコンピュータよりな
る制御系６に供給され、制御系６は、その位置情報に基
づいてステージ５の位置を制御している。

【００２０】また、マスク基板１の上方に検出光学系４
が配置され、欠陥部の検査時には、検出光学系４からマ
スク基板１上の多層反射膜３に対して微小なスポット状
に集光されるスポットビームＳＢが照射される。そのス
ポットビームＳＢとしては、本例のフォトマスクが実際
に使用される露光波長と同一波長の光ビームが使用され
る。多層反射膜３からの反射光が検出光学系４内の光電
検出器によって受光され、この光電検出器の検出信号が
制御系６に供給されている。その検出信号は多層反射膜
３の反射率にほぼ比例して変化するため、制御系６では
その検出信号より、そのスポットビームＳＢの照射点で
の多層反射膜３の反射率を検出する。この状態で制御系
６は、ステージ５を介してマスク基板１を２次元的に移
動することによって、スポットビームＳＢで相対的にマ
スク基板１上の多層反射膜３の全面を走査して、反射率
が所定の基準値よりも低い欠陥部を検出すると共に、レ
ーザ干渉計７の計測値よりその欠陥部の位置を検出し
て、内部の記憶部に記憶する。これによって、図１
（ｂ）の欠陥部Ｄ１，Ｄ２の位置が検出される。

【００２１】この際に制御系６は、図１（ｂ）に示すマ
スク基板１上の４箇所のキーマーク２Ａ〜２Ｄの位置を
も検出し、キーマーク２Ａ〜２Ｄに対する欠陥部Ｄ１，
Ｄ２の相対位置を求め、この相対位置を内部の記憶部に
記憶する。また、この欠陥部Ｄ１，Ｄ２の相対位置の情
報は、不図示の製造工程管理用のホストコンピュータに
も供給される。

【００２２】［第３工程］次に、図３（ａ）に示す通
り、マスク基板１の多層反射膜３上に、蒸着、又はスパ
ッタリング等によって更に露光波長の光を吸収する膜９
を形成（成膜）する。ただし、この成膜時に遮蔽板１０
を配置しておき、図３（ｂ）に示すように、マスク基板
１の周辺部のキーマーク２Ａ〜２Ｄが形成されている領
域には、その吸収性の膜９が形成されないようにする。
このようにしてマスク基板１上で吸収性の膜９が形成さ
れた矩形の領域が、マイクロデバイス用のマスクパター
ンが形成できる領域である。

【００２３】なお、本例のフォトマスクの露光波長であ
る１０．３ｎｍを含む約５〜２０ｎｍ程度の波長域の光
に対しては、どのような物質も基本的に強い吸収体であ
るため、吸収性の膜９の材料は任意の材料であってよ
い。ただし、後工程のエッチングの加工性を良好にする
ために、吸収性の膜９として二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂)を
使用するとよい。

【００２４】［第４工程］続いて、図４（ａ）に示すよ
うな描画装置を用いて、図３（ｂ）のマスク基板１上の
吸収性の膜９を所定のマスクパターンに形成する。この
ため、図４（ｂ）に示すように、吸収性の膜９上には感
光膜としてのレジスト１６が塗布されている。

【００２５】図４（ａ）の描画装置において、描画対象
のマスク基板１は、ステージ１１上に載置され、ステー
ジ１１は不図示の駆動モータによってベース１２上を２
次元的に移動する。ステージ１１上に設けられた移動鏡
１３ｍ、及び対向して配置されたレーザ干渉計１３によ
って計測されるステージ１１の２次元的な位置情報がコ
ンピュータよりなる制御系１４に供給され、制御系１４
は、その位置情報に基づいてステージ１１の位置を制御
している。制御系１４には、工程管理用のホストコンピ
ュータより図２に示す欠陥検査装置によって検出されて
いる、図１（ｂ）のマスク基板１上のキーマーク２Ａ〜
２Ｄに対する欠陥部Ｄ１，Ｄ２の相対位置の情報が供給
されている。更に制御系１４には、描画すべきマスクパ
ターンの形状の情報がキーマーク２Ａ〜２Ｄを基準とし
た相対座標として供給されている。

【００２６】また、図４（ａ）において、マスク基板１
の上方に描画光学系１５が配置され、描画光学系１５が
電子光学系であれば、制御系１４からの制御信号によっ
て、例えば電子ビームを所定範囲内で２次元的に走査す
ることによって、吸収性の膜９上のレジスト１６に所望
のパターンを描画する。この場合、その所定範囲を超え
る領域にパターンを描画する場合には、ステージ１１を
駆動してマスク基板１をステップ移動する。また、描画
光学系１５の近傍には、反射電子又は蛍光Ｘ線を検出す
るための検出器も配置され、この検出器の検出信号が制
御系１４に供給されている。なお、描画光学系１５とし
ては、レーザビームを走査するレーザ光学系を使用して
もよく、この場合には反射するレーザビームを受光する
検出器が備えられる。

【００２７】描画に際しては、描画光学系１５を用い
て、まずマスク基板１上のキーマーク２Ａ〜Ｄの位置を
検出する。そのため、描画光学系１５が電子光学系であ
れば、ステージ１１を駆動して描画光学系１５の描画領
域に図３（ｂ）のマスク基板１上のキーマーク２Ａ〜２
Ｄの形成領域を順次移動して電子ビームを走査する。そ
して、その近傍の検出器を介して制御系１４では、多層
反射膜３を構成するモリブデン等の重金属からの反射電
子又は蛍光Ｘ線を検出する。この場合、多層反射膜３の
形成されていないキーマーク２Ａ〜２Ｄの部分ではその
検出信号が小さくなることより、そのときのレーザ干渉
計１３の計測値を求めることによって、制御系１４はキ
ーマーク２Ａ〜２Ｄの位置を検出できる。

【００２８】一方、描画光学系１５がレーザ光学系であ
れば、多層反射膜３の部分と、多層反射膜３が形成され
ていないキーマーク２Ａ〜２Ｄの部分との反射率の違い
よりキーマーク２Ａ〜２Ｄの位置が検出できる。これら
のキーマーク２Ａ〜２Ｄの位置検出ができると、制御系
１４は、ホストコンピュータから提供されている情報に
基づいて、図１（ｂ）の欠陥部Ｄ１，Ｄ２の位置を特定
する。そして、制御系１４は、描画すべきマスクパター
ンが欠陥部Ｄ１，Ｄ２を覆うかどうかを確認し、そのマ
スクパターンが欠陥部Ｄ１，Ｄ２を覆う場合にはそのま
ま描画を行う。このようにそのマスクパターンが欠陥部
Ｄ１，Ｄ２を覆うとは、その後の現像、及びエッチング
工程後に欠陥部Ｄ１，Ｄ２の上に吸収性の膜９が残るこ
とを意味する。

【００２９】逆に、そのマスクパターンが欠陥部Ｄ１，
Ｄ２にかからない場合には、キーマーク２Ａ〜２Ｄに対
してそのマスクパターンを２次元的に横シフトしたり、
又は回転したりすることによって、そのマスクパターン
が欠陥部Ｄ１，Ｄ２を覆うようにする。この場合のその
マスクパターンの横シフト量、及び回転角は、工程管理
用のホストコンピュータに供給される。

【００３０】その後、ステージ１１を駆動することによ
って、描画光学系１５の描画領域にマスク基板１上の吸
収性の膜９が形成された領域が移動する。そして、制御
系１４は、描画光学系１５、及びステージ１１を駆動し
て、マスク基板１上の吸収性の膜９上のレジスト１６に
その欠陥部Ｄ１，Ｄ２を覆うマスクパターンを描画す
る。この結果、レジスト１６がポジ型であれば欠陥部Ｄ
１，Ｄ２の上のレジストには電子ビーム等は照射され
ず、レジスト１６がネガ型であれば欠陥部Ｄ１，Ｄ２上
のレジストに電子ビーム等が照射される。その後、レジ
スト１６の現像を行うことによって、描画されたマスク
パターンが凸、又は凹のレジストパターンとしてマスク
基板１上の吸収性の膜９の上に残される。

【００３１】［第５工程］その後、そのレジストパター
ンをエッチングマスクとして、マスク基板１上の吸収性
の膜９のエッチングを行う。この際のエッチングストッ
パーは、吸収性の膜９の底面の多層反射膜３である。こ
の結果、描画すべきマスクパターンの領域にのみ吸収性
の膜９が残されて、図５に示す本例のフォトマスクが完
成する。

【００３２】図５において、形成されたフォトマスク
は、マスク基板１の上面にマスクパターン９ａとして、
露光ビームを吸収する吸収性の膜９を配置し、その周囲
の領域３ａを、露光ビームを反射する多層反射膜３とし
たものである。また、マスクパターン９ａは、形成すべ
きマイクロデバイスのパターンを例えば４〜５倍に拡大
したパターンである。この場合、図１（ｂ）の多層反射
膜３中の反射率の低い欠陥部Ｄ１，Ｄ２は、吸収性の膜
９よりなるマスクパターン９ａの底部に収まっているた
め、そのフォトマスクを用いて露光を行った場合に、欠
陥部Ｄ１，Ｄ２の像が誤転写されることがなくなる。従
って、そのフォトマスクを用いて露光装置でウエハ等の
基板上に所望のパターンを転写できる。

【００３３】このように、そのフォトマスクを使用する
場合、そのフォトマスクのアライメントは、例えばマス
クパターン９ａ中に含まれているアライメントマークに
基づいて行われるため、マスクパターン９ａがキーマー
ク２Ａ〜２Ｄに対して位置ずれしていても差し支えな
い。また、キーマーク２Ａ〜２Ｄをアライメントマーク
として使用することも可能であり、この場合には図４
（ａ）の描画装置において設定されたマスクパターンの
横シフト量、及び回転角の情報を使用すればよい。

【００３４】次に、本発明の実施の形態の他の例につ
き、図６及び図７を参照して説明する。上記の実施の形
態では、欠陥部Ｄ１，Ｄ２を覆うようにマスクパターン
９ａの位置を変えていたが、その変位量はあまり大きく
できないことがある。即ち、図６に示すように、マスク
基板１Ａ上の多層反射膜上に欠陥部Ｄ３，Ｄ４があるも
のとして、マスクパターン９ａの補正前の位置を２点鎖
線で示す位置１７であるとすると、この位置１７から所
定角度θだけマスクパターン９ａを回転することによっ
て、マスクパターン９ａで欠陥部Ｄ３，Ｄ４を覆うこと
ができる。しかしながら、その角度θには例えばマスク
パターン９ａがパターン形成領域からはみ出ない範囲と
いう制限があるため、マスクパターン９ａの横シフトや
回転では覆えない欠陥が存在することも有り得る。この
ような場合、本例では複数種類のマスクパターンの中か
ら、欠陥部を覆うことができるパターンを探すものとす
る。

【００３５】図７（ａ），（ｂ）は本例で製造される２
種類のフォトマスクを示し、図７（ａ）のフォトマスク
は、マスク基板１Ｂ上の多層反射膜上に吸収性の膜より
マスクパターン９ｂを形成したものであり、図７（ｂ）
のフォトマスクは、マスク基板１Ｃ上の多層反射膜上に
吸収性の膜よりマスクパターン９ｃを形成したものであ
る。また、これらのマスクパターン９ｂ，９ｃは或るマ
イクロデバイスを製造する場合に、同一の露光装置を用
いて同一の基板上の異なる層に重ねて縮小転写されるパ
ターンでもある。

【００３６】この場合、本例では、マスク基板１Ｂ上に
多層反射膜を形成した後の検査によって、欠陥部Ｄ５，
Ｄ６が検出された際に、第１のマスクパターン９ｂ、及
び第２のマスクパターン９ｃの何れによってその欠陥部
Ｄ５，Ｄ６を覆うことができるかどうかを確認する。こ
の際に、マスクパターン９ｂ，９ｃを或る程度横シフ
ト、及び回転させてもよい。そして、第１のマスクパタ
ーン９ｂによって欠陥部Ｄ５，Ｄ６が覆えることが分か
ったときに、吸収性の膜よりそのマスクパターン９ｂを
形成する。その後、別のマスク基板１Ｃ上に多層反射膜
を形成した後の検査によって、欠陥部Ｄ７，Ｄ８が検出
された際には、第２のマスクパターン９ｃによって欠陥
部Ｄ７，Ｄ８を覆えることが確認された後に、吸収性の
膜よりそのマスクパターン９ｃを形成する。このよう
に、複数種類のマスクパターンより製造中のマスク基板
上の欠陥部を覆うことができるマスクパターンを探すこ
とによって、１種類のマスクパターンのみでは対応でき
ない欠陥部も覆うことができる。

【００３７】なお、これらのマスクパターンのいずれを
用いても、上記マスク基板上の欠陥をパターン部、即ち
吸収性の膜で覆うことができない場合には、このマスク
を描画装置内又は不図示のマスクストッカー内に保管す
ると共に、マスク基板上の欠陥部Ｄ１，Ｄ２の位置情報
も、例えば磁気テープ等の記憶媒体に記憶させるように
してもよい。

【００３８】そして、上記以外の新たなマスクパターン
の描画時に、この保管されたマスク基板が使用可能であ
るか否かを、マスクパターン形状と、上記マスク基板上
の欠陥部位置情報とより判断し、使用可能であれば、こ
のマスクを上記マスクストッカーより取り出して、描画
を行うとしてもよい。これにより、マスク基板のより一
層の有効利用、歩留まりの向上が達成される。

【００３９】また、例えばマスク基板上の或る欠陥部が
ＤＲＡＭ製造に使用する複数枚のマスクのパターンでは
覆えない場合でも、マイクロプロセッサ又はＡＳＩＣ
（特定用途向けＩＣ）の製造に使用する複数枚のマスク
の１つに適用できる場合もある。なお、本発明は上述の
実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。

【００４０】

【発明の効果】本発明の第１のフォトマスク製造方法に
よれば、反射層の中で反射率がその周囲よりも低い領域
（欠陥部）を含むように低反射率のデバイスパターンを
形成しているため、本来の転写すべきパターン以外の部
分で反射率が部分的に変化することが無い。従って、そ
の反射層に多少の欠陥部があっても、実用上そのフォト
マスクを使用して所望のパターンを正確に転写できるた
め、フォトマスクの歩留りが向上し、フォトマスクを安
価に供給できる利点がある。

【００４１】また、本発明の第２のフォトマスク製造方
法によれば、反射膜中で例えば反射率が周囲よりも低い
欠陥部を含むように吸収性の転写用のパターンが形成さ
れるため、本来の転写すべきパターン以外の部分で反射
率が部分的に変化することが無く、フォトマスクの歩留
りが向上する。更に、２０ｎｍ以下の露光ビームに対す
る反射膜としては、通常は数十層にもなる多層膜が使用
されるが、このような多層膜は製造過程で欠陥部が生じ
やすいため、本発明による歩留りの向上の効果は特に大
きい。

【００４２】また、第３工程において、フォトマスクの
基板に対して転写用のパターンを相対的に回転、又は横
シフトさせることによってその転写用のパターンで第２
工程で記憶された欠陥部の位置を覆う場合には、欠陥部
の位置がその転写用のパターンの初期の位置から或る程
度ずれていても、その欠陥部を覆うことができる。ま
た、転写用のパターンとして複数種類のパターンを用意
しておき、複数種類のパターンより第２工程で記憶され
た欠陥部の位置を覆うパターンを選択し、この選択され
たパターンを第３工程で反射膜上に形成する場合には、
１種類のパターンでは対応できない欠陥部も覆うことが
できるため、フォトマスクの歩留りが更に向上する。

【００４３】また、それら複数種類のパターンは、マイ
クロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程で使用
される少なくとも１台の露光装置によって、そのマイク
ロデバイスを形成すべき所定の基板上に重ね合わせて転
写される場合には、関連するフォトマスクを同じ製造工
程で製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明による実施の形態の一例でマ
スク基板１上に多層反射膜３を形成する工程の説明に供
する側面図、（ｂ）は多層反射膜３が形成されたマスク
基板１を示す平面図である。

【図２】多層反射膜の欠陥部を検出するための欠陥検査
装置を示す構成図である。

【図３】（ａ）は、マスク基板１上の多層反射膜３上に
吸収性の膜９を形成する工程の説明に供する側面図、
（ｂ）は吸収性の膜９が形成されたマスク基板１を示す
平面図である。

【図４】（ａ）は、吸収性の膜上のレジストに所定のパ
ターンを描画する描画装置を示す構成図、（ｂ）はマス
ク基板１を示す拡大断面図である。

【図５】その実施の形態の一例で最終的に製造されるフ
ォトマスクを示す平面図である。

【図６】マスク基板１Ａ上で転写用のマスクパターンを
回転して欠陥部を覆う場合を示す平面図である。

【図７】本発明の実施の形態の他の例で製造される２種
類のフォトマスクを示す平面図である。

【符号の説明】

１，１Ａ〜１Ｃ マスク基板 ２Ａ〜２Ｄ キーマーク ３ 多層反射膜 ４ 検出光学系 Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３〜Ｄ８ 欠陥部 ９ 吸収性の膜 １５ 描画光学系 １６ レジスト ９ａ，９ｂ，９ｃ マスクパターン

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロデバイス製造用の露光装置で使
   用され、露光ビームを反射する反射部に囲まれると共に
   該反射部よりも反射率が低いデバイスパターンを有する
   フォトマスクの製造方法において、 フォトマスク用の基板上のマスクパターンの形成領域の
   ほぼ全面に前記露光ビームの反射層を形成し、該反射層
   上で反射率がその周囲よりも低い欠陥領域を含むように
   前記デバイスパターンを配置することを特徴とするフォ
   トマスク製造方法。
2. 【請求項２】 ２０ｎｍ以下の波長の露光ビームのもと
   で使用される反射型のフォトマスクの製造方法であっ
   て、 前記フォトマスクの基板の少なくとも一部に前記露光ビ
   ームに対する反射率を高めるために反射膜を形成する第
   １工程と、 前記反射膜の欠陥部を検出し、該検出された欠陥部の位
   置を記憶する第２工程と、 前記反射膜上に前記第２工程で記憶された欠陥部の位置
   を含むように、前記露光ビームを吸収する材料よりなる
   所定の転写用のパターンを形成する第３工程と、を含む
   ことを特徴とするフォトマスク製造方法。
3. 【請求項３】 前記第３工程において、 前記フォトマスクの基板に対して前記転写用のパターン
   を相対的に回転、又は横シフトさせることによって前記
   転写用のパターンで前記第２工程で記憶された欠陥部の
   位置を覆うことを特徴とする請求項２記載のフォトマス
   ク製造方法。
4. 【請求項４】 前記転写用のパターンとして複数種類の
   パターンを用意しておき、 前記複数種類のパターンより前記第２工程で記憶された
   欠陥部の位置を覆うパターンを選択し、該選択されたパ
   ターンを前記第３工程で前記反射膜上に形成することを
   特徴とする請求項２記載のフォトマスク製造方法。
5. 【請求項５】 前記複数種類のパターンは、マイクロデ
   バイスを製造するためのリソグラフィ工程で使用される
   少なくとも１台の露光装置によって、前記マイクロデバ
   イスを形成すべき所定の基板上に重ね合わせて転写され
   ることを特徴とする請求項４記載のフォトマスク製造方
   法。