WO2004040626A1

WO2004040626A1 - マスク、マスクの製造方法及び露光方法

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Publication number: WO2004040626A1
Application number: PCT/JP2003/013825
Authority: WO
Inventors: Kazuya Ota
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2002-10-30
Filing date: 2003-10-29
Publication date: 2004-05-13
Also published as: AU2003280587A1

Abstract

　パターン転写用マスク１０は、パターン形成前の中間材であるマスクブランクスの全ての欠陥ＤＦに回路パターンＰが重なるように、ＸＹ方向の倍率及び直交度の少なくとも一方をを含む補正を行って作製されている。これにより、欠陥があるマスクブランクスもマスクの製造に使用することができ、コストが低減される。露光時には、投影光学系及びステージ動作の少なくとも一方により、前記補正の逆の補正を行って本来の設計パターンを復元するように露光する。

Description

マスク、マスクの製造方法及び露光方法技術分野

本発明は、半導体集積回路等の製造工程においてリソグラフィに用いられるパターン転写用のマスク、そのマスクの製造方法、及びそのマス明

クを使用した露光方法に関するもの細である。背景技術

近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（ 1 1〜 1 4 n m ) の X線を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている。この技術は、 E U V ( Extreme Ultra Violet) リソグラフィと呼ばれており、従来の波長 1 9 0 n mの光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、 7 0 n m以下の解像力を得られる技術として期待されている。

このような E U V露光装置に使用されるマスク（本明細書、請求の範囲においては、レチクルを含む概念である）は、基板上に反射型多層膜を成膜し、その膜上に吸収層を形成したもので、吸収層に回路パターンがパ夕一ニングされる。基板上に反射型多層膜を成膜した状態であり、未だ吸収層が形成されていないものは、マスクの中間材であり、マスクブランクスと呼ばれる。マスクブランクスにおける反射多層膜の上層付近に欠陥が存在すると、照射される E U V線を反射しなくなり、いわゆる黒欠陥と呼ばれる欠陥となる。また、反射多層膜の中層、下層、または基板上に欠陥が存在すると、反射光の位相が変化し、転写されるパ夕 —ンの線幅変化等を引き起こす。このような欠陥の存在はマスク製造の歩留に影響し、最終的にはコストに直接作用する。このため、このような欠陥によって発生する問題を解消するための研究、開発が行われている。

このような問題を解消するための一つの方法として、例えば、回路パターンをマスクプランクスに形成するときに、欠陥に回路パターンの暗部が重なるように位置合わせを行って、回路パターンをマスクブランクス上に転写する方法が特閧平 7 - 2 4 0 3 6 3号公報に記載されている, この方法においては、マスクブランクス材としてシリコンゥェハを用い、事前にマスクブランクス上の欠陥位置を検出する。そして、回路パ夕一ンの暗部と欠陥位置とが重なるように、回路パターンを、必要に応じて、

Z軸（マスクパターンを描画装置より描画するときの光軸方向）回りに回転させたり、 X— Y— Z直交座標系における X Y方向へシフトさせたり、この両方を行ってマスクブランクス上に描画する。

図 8は、従来の方法による回路パターンの暗部と、マスクプランクスの欠陥位置とを重ねた状態を示す図である。

この図のマスク（レチクル） 1 0，は、複数の欠陥 D Fが存在するマスクプランクス上に、回路パターン: Pが描画されたものである。回路パターン Pは吸収層に縦横のラインが等間隔で直交する格子状パターンである。この回路パターン Pは、上述のように、 X Y方向へシフトさせたり、 Z軸回りに回転させて、欠陥 D Fに位置合わせされている。欠陥 D Fがパターン Pと重なると、欠陥 D Fは吸収層の下に隠れてしまい、転写されるウェハ（感応基板）上には欠陥が転写されなくなる。マスクブランクスの欠陥の数が少ない（ 2、 3個）場合は、回路パターンを X Y 方向へ動かしたり、 Z軸回りに回転させることにより全ての欠陥を回路パターンと重ねることができる。しかし、図に示すように欠陥の数が多くなると、回路パターンに重なるものもあるが（図の実線で囲んだ欠陥）、回路パターンにうまく合わせられないものもある（図の破線で囲んだ欠陥）。このように、マスクブランクスの欠陥の数が多い場合には、これらの全てを回路パターンと重ね合わすことができないので、重ね合わすことができなかった欠陥のために、マスクが不良品となることがある。また、 E U V露光装置に使用されるマスクは正方形であることが S E M Iにより規格化されている。このため、マスクの Z軸回りの回転量は 0 ° 又は 1 8 0 ° を中心として若干量（例えば土 0 . 5 ° 程度）しか許されず、位置合わせの自由度が狭い。従って、この制約のために、特開平 7— 2 4 0 3 6 3号公報に記載される技術を適用できるマスクブランクスが制限されるという問題があった。発明の開示

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、欠陥のあるマスクブランクスからマスクを製造する場合の歩留を向上させることができるパターン転写用のマスク、さらには、このようなマスクの製造方法、加えて、このようなマスクを使用した露光方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための第 1の発明は、感応基板上に露光 · 転写される回路パターンが形成されているマスクであって、当該マスクのパ夕 —ン形成前の中間材であるマスクプランクスの欠陥に、前記回路パ夕一ンの喑部が重なるように、形成すべき回路パターンに対して倍率及び直交度の少なくとも一方を含む補正を行った補正パターンが、回路パ夕一ンとして形成されていることを特徴とするマスクである。

本発明においては、感応基板上に露光 ' ·転写すべき回路パターンに対して、倍率、直交度の少なくとも一方を含む補正を加えたパターン（補正パターン）を作成し、補正パターンがマスクブランクスの欠陥に一致するようにして、マスク上には補正パターンを形成する。これにより、マスクブランクスの欠陥が、マスクの欠陥になる可能性を少なくすることができる。よって、欠陥のあるマスクブランクスもマスクに使用することができるようになり、マスクの製造コストが低減される。なお、本手段は、従来の手段である、 Z軸まわりの回転、 X Y方向へのシフトと組み合わせれば、 5つのパラメ一夕を用いて重ね合わせを行うことができるため、さらに、マスクブランクスの欠陥が、マスクの欠陥になる可能性を少なくすることができる。

本発明と、従来技術との技術的思想の違いは、従来技術においては、形成すべきパターンの回転、平行移動を行うだけで、形成すべきパターンそのものの形状を変化させることはなかったのに対し、本発明においては、形成すべきパターンの形状を変化させることを行っている点にある。この形状の変化は、形成すべき本来のパターンと相似な変化でもよいし、相似な変化以外の変化でもよい。

このようなマスクを使用した場合は、従来の露光方法を使用した場合には、補正パターンがウェハ等の感応基板に転写されてしまう。よって、後に述べるように、露光転写を行う際に、設計パターンにかけて補正パターンを製造したのと逆の補正をかけることにより、ウェハ等の感応基板には、設計パターンが露光転写されるようにする。

前記目的を達成するための第 2の発明は、感応基板上に露光 · 転写される回路パターンが形成されているマスクであって、当該マスクのパ夕ーン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に、前記回路パターンの暗部が重なるように、形成すべきパターンに対して一次の座標変換を行った補正パターンが、前記形成すべきパターンと形状の異なる回路パターンとして形成されていることを特徴とするマスクである。本手段においては、変換の計算が容易であると共に、逆変換の計算が容易であり、かつ、露光装置の投影光学系とステージ位置の組み合わせにより、容易に逆変換を行った露光を行うことができる。

ここに、一次の座標変換とは、マスク面を 2次元平面とした場合に、その平面に設けられた 2次元座標系における補正後の位置座標が、補正前の位置座標の一次結合式で表される変換方式をいう。なお、前記 2次元座標系が X— Y直交座標系であれば、一次変換はァフィン変換となるが、座標系は極座標による直交座標系でもよく、さらには、直交座標系でなくても構わない。

前記目的を達成するための第 3の発明は、前記第 1の発明又は第 2の発明であって、前記補正の情報が、前記マスクに記録されていることを特徴とするものである。

本発明においては、設計パターンを補正パターンに変換した補正情報がマスク自身に記録されているので、当該マスクを使用するとき、その補正情報を読み出し、それに基づいて露光転写を行う際の逆補正をかけることができる。なお、この補正情報は、補正に使用した数式の係数や、逆補正に使用する数式の係数等、任意に選ぶことができる。

前記目的を達成するための第 4の発明は、前記第 3の発明であって、前記補正の情報が、前記マスクのァライメントマークの位置として記録されていることを特徴とするものである。マスクには、形成されたパターンをウェハ等の感応基板の正しい位置に露光転写するために、そのマスクと、ウェハ等の感応基板との位置合わせに使用するァライメントマークが複数設けられている。そして、ァライメントマークを設ける位置も、設計上決められている。本発明においては、このァライメントマークの位置にも、前記補正と同じ補正をかけて、その位置をずらしておく。このようにすると、露光転写時に、実際に形成されたァライメントマ一クの位置と、設計上のァラィメントマークの位置の差を読み取ることにより、設計パターンにどのような補正がかけられたのかを知ることができ、その情報を元に、露光転写の際に逆補正をかけることが可能となる。

前記目的を達成するための第 5の発明は、前記第 3の発明であって、前記補正の情報が、前記マスク上の回路パターン以外の部分以外の領域に記録されていることを特徴とするものである。

マスクには、パターンが形成されていない部分が存在する。よって、この部分に、前記補正の情報を、例えばバーコードの形で記録しておくことにより、露光転写の際にその情報を読み取り、その情報を元に、逆補正をかけることが可能となる。

前記目的を達成するための第 6の発明は、マスクブランクスから、感応基板上に露光 ·転写される回路パターンが形成されたマスクを製造する方法であって、当該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥とその欠陥の位置を検出する工程と、前記マスクブランクス上の欠陥が検出された位置に、前記回路パターンの暗部が位置するように、形成すべき回路パターンに対して倍率及び直交度のうち少なくとも一方を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される回路パ夕 —ンを決定する工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法である, 前記目的を達成するための第 7の発明は、マスクブランクスから、感応基板上に露光 ·転写される回路パターンが形成されたマスクを製造する方法であって、当該マスクのパ夕一ン形成前の中間材であるマスクプランクスの欠陥とその欠陥の位置を検出する工程と、前記マスクブランクス上の欠陥が検出された位置に、前記回路パターンの暗部が位置するように、形成すべきパターンに対して一次の座標変換を含む補正を行つて、前記マスクに実際に形成される、前記形成すべきパターンと形状の異なる回路パターンを決定する工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法である。

前記目的を達成するための第 8の発明は、感応基板上に露光 ·転写すべき回路パターンが形成されるマスクを製造し、当該マスクをエネルギ —線により照明し、前記マスクを反射又は通過した前記エネルギー線を感応基板面上に投影結像させて前記回路パターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、前記マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように、形成すべき回路パターンに対して倍率及び直交度のうち少なくとも一方を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される回路パターンを決定して、前記マスクを作製し、露光時には、投影光学系及びステージ動作の少なくとも一方により、前記補正の逆の補正を行って、本来の設計パターンを復元するように露光することを特徴とする露光方法である。

前記目的を達成するための第 9の発明は、感応基板上に露光写すべき回路パターンが形成されるマスクを製造し、当該マスクをエネルギ —線により照明し、前記マスクを反射又は通過した前記エネルギー線を感応基板面上に投影結像させて前記回路パターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、前記マスクのパターン形成前の中間材であるマスクプランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように、形成すべきパターンに対して一次の座標変換を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される、前記形成すべきパターンと形状の異なる回路パ夕ーンを決定して、前記マスクを作製し、露光時には、投影光学系及びステ一ジ動作の少なくとも一方により、前記補正の逆の補正を行って、本来の設計パターンを復元するように露光することを特徴とする露光方法である。

これら、第 8の発明、第 9の発明によれば、前記第 1の発明から第 5 の発明のようなマスクを使用して、設計パターンを正確にウェハ等の感応基板に転写することができる。

前記課題を解決するための第 1 0の発明は、前記第 8の発明又は第 9 の発明であって、前記回路パターンに対して行った補正の補正量を任意のメディアに記録しておき、露光時には、記憶しておいた前記補正量を読み出して、前記補正の逆の補正を行うことを特徴とするものである。前記課題を解決するための第 1 1の発明は、前記第 8の発明又は第 9 の発明であって、前記回路パターンに対して行った補正の補正量の逆の補正量を任意のメディアに記録しておき、露光時には、記憶しておいた前記逆の補正量を読み出して、前記補正の逆の補正を行うことを特徴とするものである。

これら、第 1 0の発明及び第 1 1の発明においては、それそれ補正量、逆の補正量をメディアに記憶しておき、そのマスクを使用するとき、メディアから読み出して使用するようにしているので、露光時には、正確に逆補正を行って、設計パターンをウェハ等の感応基板に転写することができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の第一の実施の形態であるマスクの製造方法によって製造されたマスクの構造を示す平面図である。図 2は、本発明の第二の実施の形態であるマスクの製造方法によって製造されたマスクの構造を示す平面図である。

図 3は、従来の方法によって製造されたマスクの構造を示す平面図である。

図 4は、本発明の実施の形態である露光装置（E U V露光装置）の構造を模式的に示す図である。

図 5は、レチクルを示す図であり、（A ) は、レチクルの全体を示す平面図、（B )は、レチクルのァライメントマークを拡大して示す平面図である。

図 6は、空間像センサを説明するための図である。

図 7は、フォトディテク夕で検出された光強度信号の一例を示す図でめる。

図 8は、従来の方法により、回路パターンの暗部と欠陥位置とを重ねた状態を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明を実施するための形態のうち最良と思われるものについて、図面を参照しながら説明する。しかし、これらの説明は、あくまでも本発明の一例として示すものであり。本発明の権利範囲を制約するものではない。

図 4は、本発明の実施の形態である露光装置（E U V露光装置）の構造を模式的に示す図である。この E U V露光装置は、光源を含む照明系 I Lを備えている。照明系 I Lから放射された E U V光（一般に、波長 5〜 2 0 n mの光が用いられ、具体的には 1 3 n mや 1 1 n mの波長が用いられる）は、折り返しミラー 1で反射してレチクル 2に照射される。

レチクル 2は、レチクルステージ 3に保持されている。このレチクルステージ 3は、走査方向（Y軸）に 100 nm以上のストロークを持つと共に、レチクル面内の走査方向と直交する方向（X軸）に微小スト口 —クを持ち、光軸方向（Z軸）にも微小ストロークを持っている。 XY 方向の位置は図示しないレーザ干渉計によって高精度にモニタされ、 Z 方向の位置はレチクルフォ一カス送光系 4とレチクルフォーカス受光系からなるレチクルフォーカスセンサでモニタされている。レチクルステ —ジ 3に対向する位置には、後述するレチクルァライメントセンサ PA が配置されている。

レチクル 2で反射した E U V光は、図中下側の光学鏡筒 14内に入射する。この EUV光は、レチクル 2に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル 2には E UV光を反射する多層膜（例えば Mo/S iや Mo/B e) が形成されており、この多層膜の上に吸収層（例えば N iや A1) を設けることによってパターンを形成している。

光学鏡筒 14内に入射した E UV光は、第一ミラ一 6で反射された後、第二ミラー 7、第三ミラ一 8、第四ミラ一 9によって順次反射され、最終的にはウェハ 10に対して垂直に入射する。投影系の縮小倍率は、例えば 1/4や 1/5である。この図では、ミラーは 4枚であるが、開口数 NAをより大きくするためには、ミラーを 6枚あるいは 8枚にすると効果的である。鏡筒 14の近傍には、ァライメント用のウェハァライメントセンサ 15が配置されている ,

ウェハ 10は、ウェハステージ 1 1上に載せられている。ウェハステージ 1 1は、光軸と直交する面内（XY平面）を自由に移動することができ、ストロークは例えば 300〜 400 mmである。ウェハステージ 1 1は、光軸方向（Z軸）にも微小ストロークの上下が可能で、 Z方向の位置はゥェハオートフォーカス送光系 12とウェハオートフォーカス受光系 13からなるウェハフォーカスセンサでモニ夕されている。ゥェハステージ 1 1の X Y方向の位置は図示しないレーザ干渉計によって高精度にモニタされている。露光動作において、レチクルステージ 3 とゥェハステージ 1 1は、投影系の縮小倍率と同じ速度比、すなわち、 4 ： 1あるいは 5 ： 1で同期して移動する。ウェハステージ 1 1上には、後述する基準マーク F Mが配置されている。

次に、レチクルァライメントについて説明する。このような露光装置で露光を行う際には、まず、レチクル 2をレチクルケースから取り出し、レチクル搬送系（図示せず）によってレチクルステージ 3まで搬送する。レチクル 2はレチクルステージ 3上に固定されているレチクルホルダ (図示せず）に静電吸着により保持される。そして、レチクルプリアラィメントセンサ Ρ Αによってレチクル 2のブリアライメントが行われる < このとき、レチクルプリアライメントセンサセンサ Ρ Αによって、レチクル 2上のレチクルプリァライメントマ一クが検出され、この結果に基づいて、レチクル 2が所定の位置となるように、レチクルステージ 3の位置が X Y方向及び 0回転（ Z軸まわりの回転）の 3つの自由度に対して修正される。

レチクルプリアライメントセンサ P Aは波長が 2 4 8 n mの紫外光を光源とし、レチクルステージ 3に対向するように露光装置本体に固定されている。なお、図では 1個しか示されていないが、実際には、手前側と奥側の各々 1個ずつ一対配置されている。レチクルプリアライメントセンサ P Aの位置は、前もって何らかの手段により数十 Ai mの位置精度に保たれている。

次に、レチクルァライメントマークについて説明する。図 5 ( A )は、レチクルの全体を示す平面図である、図 5 ( B ) は、レチクルァライメントマークを拡大して示す平面図である。レチクル 1 0の中央には、パターン領域 Rが形成されており、レチクルァライメントマーク A Mはパターン領域 Rの左右の外周に配置されている。レチクルァライメントマーク AMは、レチクル 10の左右で一対とされ、この例では 5対が形成されている。

図 5 (B ) に示すように、各レチクルァライメントマーク AMは、十文字のプリアライメントマーク PM 1と、この十文字ァライメントマ一ク PM 1の一区画に配置されている縦方向に延びる 5本のラインマーク及び横方向に延びる 5本のラインマ一クとからなるファインァライメントマ一ク PM2を有する。各マーク PM 1、 PM2の部分では吸収層が取り除かれて、反射多層膜層が露出している。十文字マーク PM 1の各線の線幅は数百 nm〜数十/ mである。

なお、ァライメントマークの各マークは、反射多層膜層マスクブランクス上に成膜した T aNや C r等の薄膜である。また、多層膜反射鏡の基板に凹凸をつけて形成することもある。

上述のプリアライメントセンサ PAによるプリアライメントは、これらのマークの内、十文字マーク P M 1を用いて行われる。ブリアライメントセンサ P Aの使用波長は 248 nmであり、この十文字マーク P M 1を十分に検出することができる。

ブリアライメント終了後、ファインァライメントを行う。同ァライメントは、ウェハステージ 1 1上に配置された基準マーク FMに形成された空間像センサを用いて、ファインァライメントマーク PM 2を検出することにより行われる。なお、同センサ内の直交する 2本の太い線は、後述するウェハァライメントセンサキャリブレーション用マーク S 2である。

図 6は、空間像センサを説明する図である。空間像センサ S 1は上述のようにウェハステージ 1 0上の基準マーク F Mに形成されており、縦方向に延びる 5本の周期線パターン及び横方向に延びる 5本の周期線パターンとからなる。パターン部は E U V光透過部として形成されている。このパターン S 1 と、上述のフアインァライメントマーク P M 2の線幅の周期は、ウェハ上では同一であり、数十 n m〜数百〃 mである。パ夕一ン部を通過した E U V光の光強度は、パターン部の直下に配置されているフォトディテクタ（図示せず）で検出される。レチクルステージ 3 とゥヱハステージ 1 1を上述のように相対して移動し、この移動に同期してフォトディテク夕からの光強度信号を検出することにより、レチクルステ一ジ 3とウェハステージ 1 1 との相対位置関係を知ることができる。

図 7は、フォトディテク夕で検出された光強度信号の一例を示す図である。図の縦軸,は光強度、図の横軸は走査位置を示す。図に示すように、光強度はある位置から急激に立ち上がり、その後ほぼ滑らかに上昇し、ある位置でピークをもつ。そして、滑らかに下降し、ある位置で急激に立ち下がる。このピークの位置では、空間像センサのパターン部とファインァライメントマークとがほぼ重なっており、この位置が最適位置である。

ファインァライメント終了後、ウェハァライメントセンサ 1 5で、基準マーク F Mに描かれたウェハァライメントセンサキャリブレーション用マーク S 2を計測する。同マーク S 2は、基準マーク F Mに描かれている、直交する 2本の太い線である。これにより、レチクル座標系とゥェハ座標系の関連付けが行われる。

次に、本発明の実施の形態であるマスクの製造方法について説明する。図 1は、本発明の第一の実施の形態であるマスクの方法によって製造されたマスクの構造を示す平面図である。この図のマスク 1 0も、図 8 と同様に、複数の欠陥 D Fが存在するマスクブランクス上に、縦横のラィンが等間隔で直交する格子状の回路パターン Pが描画されたものである。

このようなマスク 1 0を作製するには、まず、マスクブランクス上の欠陥の数と位置を検査装置で検査して確認する。この位置と数は、回路パターン以外の領域（マスク 1 0の四隅）に設けられている欠陥位置基準マーク M Mを基準として管理されている。この基準マーク M Mは、吸収層を成膜しても消えないように、十分に段差をもって形成されている。または、吸収層を成膜した後、マークの部分のみの吸収層を除去したものでもよい。

そして、マスクブランクス上の欠陥 D Fの位置と回路パターン Pの位置とを、回路パターン Pを X Y方向へシフト、 Z軸回りの回転、及び、 X方向へ変倍、 Y方向へ変倍することにより、重ね合わせる。これにより、マスク上の全ての欠陥 D Fをパターン Pに重ね合わせるようにする。なお、マスク上のパターン： Pは X Y方向の倍率を変えているため、この例においては、横長の格子状となっている。

この例のマスク 1 0と図 8のマスクとの違いは、図 8のマスクは回路パターンが設計値通りの倍率で描画されているのに対し、この例のマスク 1 0は、回路パターン Pの横方向（X方向）の倍率及び縦方向（Y方向）の倍率がそれそれ設計値と異なる倍率に設定（補正）されていることである。

以下、この補正について詳細に説明する。本来の回路パターンの設計位置を（D x、 D y ) とすると、実際に描画される位置（R x、 R y ) は、以下の（ 1 ) 式で示される一次座標変換式（ァフィン変換）で表される。

…の

図 8に示す従来例の場合は、パターン Pを、 X Y方向へのシフトと、 Z軸回りの回転のみで補正して、欠陥 D Fと位置合わせしていた。すなわち、パターン Pは回転及びシフトを受けるだけでその形状は変化しない。この場合の実際の描画位置（Rx、 R y ) は、（2) 式で示される座標変換式で表される。ここで、 Δχは X方向へのシフト量、 Ayは Υ方向へのシフト量、 Sは回転角度を示す。

前述のように、マスクの形状は正方形であり、また、露光装置へマスクを装着する際の位置合わせマークの都合により、マスクを 90° 回転させることができない。このため、欠陥と回路パターンの暗部との相対位置合わせに使用可能な角度は、 0 ° または 1 80 ° に対して ±0.5 ° 程度である。それ以上回転させようとすると、露光装置にマスクを装着する際の機械的な制約を超えたり、マスクの平坦度が保証された領域がらパターンがはみ出したりする。

本実施の形態においては、 XY方向へのシフト、 Z軸回りの回転に加えて、倍率の調整を行っている。この場合の実際の描画位置（Rx、 R y) は、（ 3) 式で示される座標変換式で表される。

ここで、ひ、 ?は X方向、 Y方向への倍率変換に関るパラメ一夕で、 1 ±£である。の値は、例えば 2 X 1 0_ ⁶程度であり、露光装置の倍率調整範囲内である。ひと/?は同一の数値である必要はない。

倍率変換に関るパラメ一夕 _α、 ?等の数値は、磁気ディスクや磁気テ

—プ、 CD—R〇M、紙等のメディアに記録されている。そして、該当するマスクを露光する際には、メディァから呼び出したこれらの数値を用いて、回路パターンを復元する。このとき、 EUV露光装置は走査露光を行うため、走査方向と直交する方向の倍率調整は、投影光学系とレチクルの距離を変えることにより行うことができ、走査方向の倍率調整は、マスクとウェハの走査速度を投影光学系の縮小投影倍率と異ならせることにより行うことができる。具体的には、投影光学系やステージ速度を調整して、 X方向を 1 /ひ倍だけ倍率調整し、 Y方向を 1 Z ?倍だけ倍率調整する。このため、ひと /5は異なる数値でもよい。

また、これらの値の情報を、後述するように、マスクのマスクァライメントマークに持たせてもよい。また、バーコード化して、回路パターン以外の部分に記録してもよい。

図 2は、本発明の第二の実施の形態であるマスクの製造方法によって製造されたマスクの構造を示す平面図である。

この例では、 Χ Υ方向へのシフト、 Ζ軸回りの回転に加えて、スキュ（直交度）の調整を行っている。このような補正を行うことにより、全ての欠陥 D Fをパターン； Ρに重ね合わせることができる可能性がより高くなる。この場合の実際の描画位置（R x R y ) は、（4 ) 式で示される座標変換式で表される。

ここで、は X軸の回転角度、 øは Y軸の回転角度である。と <? ま同一の数値である必要はない。と øが異なれば、変換後の座表軸は直交せず、回路パターンにスキューが発生する。これらの数値もメディアに記録される。

該当するマスクを露光する際には、メディアから呼び出したこれらの数値を用いて、回路パターンを復元する。スキュ一を補正するには、マスクステージとゥェハステージの走査方向を平行からずらすことにより - ウェハに転写されるパターンにスキューを与えることができる。ただし、スキューの量が大きすぎると、走査方向に平行なパターンの線幅が狭まるため、スキューの量には限度がある。スキュー量はとの差で示され、 2 X 1 0 - ⁶ラジアン程度が好ましい。

また、（ 3 ) 式と（ 4 ) 式を統合した（ 5 ) 式で示される座標変換式を用いることにより、欠陥位置と回路パターンとの位置合わせの自由度がさらに向上する。

図 3は、従来の方法によって製造されたマスクの構造を示す平面図である。この例では、図 2 と同じ位置に欠陥 D Fが存在するマスクにおいて、欠陥 D Fの位置とパターン Pの暗部とを、 X Yシフトと Z軸回りの回転のみによって重ね合わせた場合である。この方法によれば、回路パターンに重なるものもあるが（図の実線で囲んだ欠陥）、回路パターンにうまく合わせられないものもある（図の破線で囲んだ欠陥）。

上述のパラメ一夕 ( α、 βヽ Θ、 £等) は、レチクルァライメントマーク自身に持たせることができる。レチクルァライメントマークは通常複数描かれており、それそれの位置を、元々の設計位置からずらして描く。ずれ量は、上述の回路パターンの位置のずれ量と等しく、（ 3 ) 式、 ( 4 ) 式、（ 5 ) 式に従って求められる。

次に、図 2のマスクを用いて露光する際の補正方法について説明する。露光時には、投影光学系やステージを、上述の補正の逆の補正をかけて動作させる。具体的には、マスクの回転、倍率と速度の制御、ステージのスキャン方向の制御などにより行う。

Claims

請求の範囲

1 . 感応基板上に露光 ·転写される回路パターンが形成されているマスクであって、当該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に、前記回路パターンの暗部が重なるように、形成すべき回路パターンに対して倍率及び直交度の少なくとも一方を含む補正を行つた補正パターンが、回路パターンとして形成されていることを特徴とするマスク。

2 . 感応基板上に露光 ·転写される回路パターンが形成されているマスクであって、当該マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に、前記回路パターンの暗部が重なるように、形成すべきパターンに対して一次の座標変換を行った、前記形成すべきパターンと形状の異なる補正パターンが、回路パターンとして形成されていることを特徴とするマスク。

3 . 前記補正の情報が、前記マスクに記録されていることを特徴とする請求の範囲第 1項又は第 2項に記載のマスク。

4 . 前記補正の情報が、前記マスクのァライメントマ一クの位置として記録されていることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載のマスク。

5 . 前記補正の情報が、前記マスク上の回路パターン以外の部分以外の領域に記録されていることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載のマスク。

6 . マスクブランクスから、感応基板上に露光 ·転写される回路パ夕ーンが形成されたマスクを製造する方法であって、当該マスクのパ夕一ン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥とその欠陥の位置を検出する工程と、前記マスクブランクス上の欠陥が検出された位置に、前記回路パターンの暗部が位置するように、形成すべき回路パターンに対して倍率及び直交度のうち少なくとも一方を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される回路パターンを決定する工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法。

7 . マスクブランクスから、感応基板上に露光 ' 転写される回路パ夕 —ンが形成されたマスクを製造する方法であって、当該マスクのパ夕一ン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥とその欠陥の位置を検出する工程と、前記マスクブランクス上の欠陥が検出された位置に、前記回路パターンの暗部が位置するように、形成すべきパターンに対して一次の座標変換を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される、前記形成すべきパターンと形状の異なる回路パターンを決定する工程とを含むことを特徴とするマスクの製造方法。

8 . 感応基板上に露光 ·転写すべき回路パターンが形成されるマスクを製造し、当該マスクをエネルギー線により照明し、前記マスクを反射又は通過した前記エネルギー線を感応基板面上に投影結像させて前記回路パターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、前記マスクのパ夕一ン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パターンの暗部が重なるように、形成すべき回路パターンに対して倍率及び直交度のうち少なくとも一方を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される回路パターンを決定して、前記マスクを作製し、露光時には、投影光学系及びステージ動作の少なくとも一方により、前記補正の逆の補正を行って、本来の設計パターンを復元するように露光することを特徴とする露光方法。

9 . 感応基板上に露光 ·転写すべき回路パターンが形成されるマスクを製造し、当該マスクをエネルギー線により照明し、前記マスクを反射又は通過した前記エネルギー線を感応基板面上に投影結像させて前記回路パターンを前記感応基板上に転写する露光方法であって、前記マスクのパターン形成前の中間材であるマスクブランクスの欠陥に回路パ夕一ンの暗部が重なるように、形成すべきパターンに対して一次の座標変換を含む補正を行って、前記マスクに実際に形成される、前記形成すべきパターンと形状の異なる回路パターンを決定して、前記マスクを作製し、露光時には、投影光学系及びステージ動作の少なくとも一方により、前記補正の逆の補正を行って、本来の設計パターンを復元するように露光することを特徴とする露光方法。

1 0 . 前記回路パターンに対して行った補正の補正量を任意のメディァに記録しておき、露光時には、記憶しておいた前記補正量を読み出して、前記補正の逆の補正を行うことを特徴とする請求の範囲第 8項又は第 9項に記載の露光方法。

1 1 . 前記回路パターンに対して行った補正の補正量の逆の補正量を任意のメディアに記録しておき、露光時には、記憶しておいた前記逆の補正量を読み出して、前記補正の逆の補正を行うことを特徴とする請求の範囲第 8項又は第 9項に記載の露光方法。