TWI522728B - A mask substrate and its manufacturing method and transfer mask - Google Patents

A mask substrate and its manufacturing method and transfer mask Download PDF

Info

Publication number
TWI522728B
TWI522728B TW100135667A TW100135667A TWI522728B TW I522728 B TWI522728 B TW I522728B TW 100135667 A TW100135667 A TW 100135667A TW 100135667 A TW100135667 A TW 100135667A TW I522728 B TWI522728 B TW I522728B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
light
substrate
mask
pattern
Prior art date
Application number
TW100135667A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201232163A (en
Inventor
Kazuya Sakai
Masahiro Hashimoto
Takeyuki Yamada
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of TW201232163A publication Critical patent/TW201232163A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI522728B publication Critical patent/TWI522728B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

光罩基底及其製造方法與轉印用光罩
本發明係關於一種用於製作於半導體裝置等電子裝置之製造中所使用之光罩(轉印用光罩)的光罩基底及其製造方法與轉印用光罩。
通常，於半導體裝置之製造步驟中，使用光微影法進行微細圖案之形成。又，該微細圖案之形成中通常使用數片稱為光罩(以下，稱為轉印用光罩)之基板。該轉印用光罩通常係於透光性玻璃基板上設置有包含金屬薄膜等之微細圖案者，於該轉印用光罩之製造中亦使用光微影法。
利用光微影法之轉印用光罩之製造中使用於玻璃基板等透光性基板上包含用以形成轉印圖案(光罩圖案)之薄膜(例如遮光膜等)之光罩基底。使用該光罩基底之轉印用光罩之製造係包括如下步驟而進行：對形成於光罩基底上之光阻膜實施所需之圖案描繪之曝光步驟、根據所需之圖案描繪使上述光阻膜顯影而形成光阻圖案之顯影步驟、根據光阻圖案對上述薄膜進行蝕刻之蝕刻步驟、以及將殘存之光阻圖案剝離去除之步驟。於上述顯影步驟中，對形成於光罩基底上之光阻膜實施所需之圖案描繪後供給顯影液，溶解可溶於顯影液之光阻膜之部位，而形成光阻圖案。又，於上述蝕刻步驟中，以該光阻圖案為遮罩，藉由乾式蝕刻或濕式蝕刻，溶解未形成光阻圖案之薄膜露出之部位，藉此使所需之光罩圖案形成於透光性基板上。如此，可製成轉印用光罩。
於對半導體裝置之圖案進行微細化時，除形成於轉印用光罩之光罩圖案之微細化以外，亦需要光微影法中所使用之曝光光源波長之短波長化。作為製造半導體裝置時之曝光光源，近年來自KrF準分子雷射(波長248 nm)至ArF準分子雷射(波長193 nm)、進而至EUV(Extreme Ultraviolet，超紫外線)(波長13.4 nm)推進短波長化。
又，作為轉印用光罩之種類，除先前之於透光性基板上具有包含鉻系材料等之遮光膜圖案之二元光罩以外，亦知有半色調型相移光罩(half-tone phase shifting mask)。該半色調型相移光罩係於透光性基板上包含相移膜之構造者，該相移膜為使實質上無助於曝光之強度之光(例如，相對於曝光波長為1%~30%)穿透而具有特定之相位差者，例如可使用包含矽化鉬化合物之材料等。該半色調型相移光罩係藉由對相移膜進行圖案化之光半穿透部與未形成相移膜之使實質上有助於曝光之強度之光穿透的光穿透部，而使穿透光半穿透部之光之相位相對於穿透光穿透部之光之相位實質上成為反轉之關係，藉此可使通過光半穿透部與光穿透部之邊界部附近並由於繞射現象而相互繞入對方區域之光相互抵消，從而使邊界部之光強度大致為零而提高邊界部之對比度即解像度者。
又，近年來，亦出現有使用包含矽化鉬化合物之材料作為遮光膜之ArF準分子雷射用二元光罩基底等。
於對形成於轉印用光罩之光罩圖案進行微細化時，必需進行光罩基底中之光阻膜之薄膜化、以及作為製造轉印用光罩時之圖案化方法之乾式蝕刻加工。
然而，光阻膜之薄膜化與乾式蝕刻加工會產生如下所示之技術問題。
其一，對光罩基底之光阻膜進行薄膜化時，例如遮光膜之加工時間成為一大限制事項。於使用例如鉻作為遮光膜之材料之情形時，於鉻之乾式蝕刻加工中，蝕刻氣體係使用氯氣與氧氣之混合氣體。於以光阻圖案為遮罩並利用乾式蝕刻對遮光膜進行圖案化時，由於光阻為有機膜，其主成分為碳，故而對於作為乾式蝕刻環境之氧電漿非常脆弱。於利用乾式蝕刻對遮光膜進行圖案化期間，形成於該遮光膜上之光阻圖案必須以充分之膜厚殘存。作為指標之一，為使光罩圖案之剖面形狀良好，必須製成如即便進行適度蝕刻時間(just etching time)之2倍(100%過度蝕刻)左右仍殘存之光阻膜厚。例如，通常作為遮光膜之材料之鉻與光阻膜之蝕刻選擇比為1以下，因此光阻膜之膜厚必需為遮光膜之膜厚之2倍以上之膜厚。因此，為使光阻膜薄膜化，必需縮短遮光膜之加工時間，因此遮光膜之薄膜化成為重要課題。然而，雖說使遮光膜薄膜化，但為確保遮光性仍需要特定之光學密度(通常，於使用光罩之曝光光之波長下為3.0以上)，遮光膜之薄膜化自然存在界限。
因此，作為使光阻膜之膜厚薄膜化之方法，先前揭示有如下方法：於遮光膜上設置由與遮光膜具有蝕刻選擇性之材料形成之蝕刻遮罩膜，首先，以光阻圖案為遮罩，對上述蝕刻遮罩膜進行蝕刻，形成蝕刻遮罩膜圖案，繼而，以該蝕刻遮罩膜圖案為遮罩，對上述遮光膜進行蝕刻而形成遮光膜圖案(例如日本專利特開2006-146152號公報等)。
且說，於光阻膜上形成光阻圖案之情形時，若光阻圖案之線寬變得小於光阻膜厚之1/3，則會產生光阻圖案之崩塌或缺陷等，因此光阻亦必需使膜厚為其以下。於DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)半間距32 nm之世代中，若考慮該等方面，則光阻膜厚必需設為180 nm以下，進而於DRAM半間距22 nm之世代中，光阻膜厚必需設為100 nm以下。然而，如上所述，於對光罩基底之光阻膜進行薄膜化時，即便設置上述蝕刻遮罩膜，例如遮光膜(或蝕刻遮罩膜)之加工時間仍成為一大限制事項，因此難以僅達成光阻膜之薄膜化。
又，若光罩基底之圖案形成用薄膜(例如遮光膜)與光阻之密接性較差，則上述光阻圖案之崩塌或缺陷等問題變得更為顯著。例如，於矽之氮氧化物或於其中含有過渡金屬之材料之情形時，對光阻之密接性低於鉻系材料，即便光阻膜厚相對於所形成之光阻圖案之線寬未達1/3，仍容易產生光阻圖案之崩塌或缺陷。又，近年來，使用解像性較高之化學增幅型光阻作為光阻之情況變多，但於該化學增幅型光阻之情形時，即便為鉻系材料，對光阻之密接性仍不充分。
形成於轉印用光罩之光罩圖案之微細化之要求變得日益嚴格，就實現光罩圖案之進一步之微細化而言，光罩基底中之與光阻之密接性之提高成為重要課題。
因此，本發明係為解決先前之課題而完成者，其目的在於提供一種藉由對用以形成轉印圖案之薄膜進行表面改質而提高對光阻之密接性，從而可抑制所形成之光阻圖案之崩塌或缺陷等之產生的光罩基底及其製造方法與轉印用光罩。
本發明者為解決上述課題而進行銳意研究，結果發現，藉由在包含用以形成轉印圖案之包含含有金屬之材料之薄膜的光罩基底中，於薄膜之表面形成包含含有烴之氧化膜之表面改質層，可不使薄膜之光學特性或表面粗糙度等劣化而提高對光阻之密接性。又，進而亦發現，為不使上述薄膜之光學特性或表面粗糙度等劣化而於薄膜之表面形成含有烴之氧化膜，最佳為進行使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體之混合氣體作用於薄膜之表面之處理。
本發明者係基於以上所闡明之事實，進一步繼續銳意研究，結果完成本發明。
即，為解決上述課題，本發明具有以下構成。
(構成1)
一種光罩基底，其特徵在於：其係於基板上包含用以形成轉印圖案之包含含有金屬之材料之薄膜者，且上述薄膜具有包含含有烴之氧化膜之表面改質層。
(構成2)
如構成1之光罩基底，其中上述薄膜為積層膜，該積層膜之最上層包含含有過渡金屬作為上述金屬之材料。
(構成3)
如構成2之光罩基底，其中上述過渡金屬為鉻，上述表面改質層於藉由X射線光電子光譜法(XPS，X-ray photoelectron spectrometry)測定之O(氧)1 s光譜中，當將結合能分離為分別位於532 eV附近之第1峰與位於530 eV附近之第2峰時，第1峰面積相對於第2峰面積之比例為2.0以上。
(構成4)
如構成2之光罩基底，其中上述過渡金屬為鉭。
(構成5)
如構成1至4中任一項之光罩基底，其中上述表面改質層之表面粗糙度(Ra)為0.70 nm以下。
(構成6)
如構成1至5中任一項之光罩基底，其中上述表面改質層之膜厚為3 nm以下之範圍。
(構成7)
如構成1之光罩基底，其中上述薄膜為積層膜，該積層膜之最上層包含含有過渡金屬及矽之材料。
(構成8)
如構成1至6中任一項之光罩基底，其包含形成於上述薄膜上之化學增幅型光阻膜。
(構成9)
如構成8之光罩基底，其中上述化學增幅型光阻膜為負型。
(構成10)
一種轉印用光罩，其特徵在於：其係對構成1至9中任一項之光罩基底中之上述薄膜進行圖案化而形成轉印圖案而成者。
(構成11)
一種光罩基底之製造方法，其包括如下步驟：於基板上成膜用以形成轉印圖案之包含含有金屬之材料的薄膜；以及對上述薄膜實施於上述薄膜之表面形成包含含有烴之氧化膜之表面改質層的處理。
(構成12)
如構成11之光罩基底之製造方法，其中上述處理係使臭氧氣體與不飽和烴氣體作用於上述薄膜。
(構成13)
如構成12之光罩基底之製造方法，其中上述臭氧氣體之濃度為50~100體積%。
(構成14)
如構成12或13之光罩基底之製造方法，其中上述不飽和烴為碳數1~4之低級不飽和烴。
根據本發明之光罩基底，藉由在透光性基板上之用以形成轉印圖案之包含含有金屬之材料的薄膜之表面上具有包含含有烴之氧化膜之表面改質層，可不使薄膜之光學特性、表面粗糙度等劣化而提高對光阻之密接性，因此其結果，可抑制所形成之光阻圖案之崩塌或缺陷等之產生。
又，根據本發明之光罩基底之製造方法，可不使上述用以形成轉印圖案之薄膜之光學特性或表面粗糙度等劣化而於薄膜之表面形成包含含有烴之氧化膜之表面改質層，從而可提高對光阻之密接性。
又，根據本發明之轉印用光罩，藉由使用本發明之光罩基底形成轉印圖案，可獲得以良好之圖案精度形成有例如32 nm半間距之微細圖案之轉印用光罩。
以下，詳細敍述本發明之實施形態。
如上述構成1之發明，本發明係一種光罩基底，其特徵在於：其係於透光性基板上包含用以形成轉印圖案之包含含有金屬之材料之薄膜者，且上述薄膜具有包含含有烴之氧化膜之表面改質層。
圖1係表示本發明之光罩基底之一實施形態之剖面圖。若根據該圖，則本實施形態之光罩基底10成為於透光性基板1上包含用以形成轉印圖案之包含含有金屬之材料之薄膜2之構造。
上述透光性基板1只要為對所使用之曝光波長具有透明性者則無特別限制。於本發明中，可使用石英基板、其他各種玻璃基板(例如鈉鈣玻璃、鋁矽酸鹽玻璃等)，其中石英基板於ArF準分子雷射或波長短於其之區域中透明性較高，因此對本發明而言尤佳。
用以形成轉印圖案之薄膜2為包含含有過渡金屬等金屬之材料之薄膜，包括單層之情形亦包括積層之情形。於積層之情形時，至少最上層(最表面層)為包含含有上述金屬之材料之層。詳細內容其後進行敍述，例如可列舉包含含有鉻、鉭、鎢等過渡金屬單體或其化合物之材料之遮光膜，或設置於遮光膜等上之蝕刻遮罩膜等。又，亦可列舉包含含有過渡金屬矽化物(尤其是矽化鉬)之化合物之材料的光半穿透膜或遮光膜等。
作為於透光性基板1上成膜上述薄膜2之方法，例如可較佳地列舉濺鍍成膜法，但本發明無需限定於濺鍍成膜法。
本發明之光罩基底10於上述薄膜2之表面(或表層部分)具有包含含有烴之氧化膜之表面改質層。該表面改質層為含有烴之氧化膜，於該氧化膜中包含特別多之含有烴之氧化物(以下，稱為有機系氧化物)，因此與包含有機成分之光阻之親和性較高，而可顯著地提高與光阻之密接性。
作為於上述薄膜2之表面(表層部分)形成包含上述有機系氧化物之表面改質層之方法，例如可列舉使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用於薄膜之表面之處理。且說，先前已知有藉由在大氣中或氧含量多於大氣中之環境下對光罩基底進行加熱處理，而於薄膜之表面形成氧化膜，提高耐化學品性等之方法，但於此情形時，亦考慮有可能形成包含環境中之有機污染物等之氧化物。根據本發明者之研究，即便於氧化膜中包含源自環境中之有機污染物之有機成分，亦僅為極少量，而為終究無法提高與光阻之密接性之水準。又，若為提高耐化學品性等而進行高溫度、長時間之加熱處理，則有無法避免產生薄膜之劣化、或表面粗糙度之劣化、光學特性之變化、光罩基底之平坦度之變化，而引起光罩基底性能之劣化之虞。相對於此，藉由上述使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用之處理，可以低溫度且短時間形成表面改質層，因此不會使薄膜之表面粗糙度或光學特性等發生任何劣化。因此，可於維持光罩基底之特性之狀態下，於薄膜之表面形成包含含有大量有機系氧化物之氧化膜之表面改質層，故而對本發明中而言較佳。
根據本發明者之考察，可認為藉由如此進行使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用(供給)於薄膜表面之處理，而形成臭氧化物等不穩定之中間物，於該不穩定之中間物分解之過程中，薄膜表面經改質，而形成包含有機系氧化物之氧化膜。
作為使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用於薄膜表面之方法，例如可列舉如下方法：於適當之腔室內設置光罩基底，向該腔室內導入高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體，使其於光罩基底之薄膜表面附近混合。又，亦可為利用向薄膜表面直接噴附高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體等之機構進行供給之方法。再者，為良好地獲得本發明之效果，較佳為使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體於薄膜表面附近混合而作用。
作為上述不飽和烴，例如可列舉：乙烯、丁烯等具有碳之雙鍵之烴(烯烴)、或乙炔等具有碳之三鍵之烴(炔烴)等，尤佳為上述碳數1~4左右之低級不飽和烴。
又，臭氧氣體濃度較佳為50~100體積%之範圍。若臭氧氣體濃度未達50體積%，則有需要非常長之處理時間，或即便延長處理時間，亦無法確保提高與光阻之密接性所必需之膜厚之虞。又，由於可將處理時間設為短時間，基板之加熱溫度設為低溫度而形成表面變質層，故而臭氧氣體濃度較佳為100體積%。
臭氧氣體與不飽和烴氣體之供給比率(流量比率)較佳為1:1~4:1。若為此範圍，則可使臭氧氣體與不飽和烴氣體之反應良好地進行。
又，關於處理時間(使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用之時間)，只要考慮臭氧氣體濃度、基板之加熱溫度、表面改質層之膜厚、被覆率等而適當決定即可。
又，上述使高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用之表面改質處理可於室溫下進行，但為進一步促進於薄膜表面形成包含有機系氧化物之氧化膜之反應，亦可例如將基板加熱至50℃~80℃左右。若此情形之加熱溫度過高，則雖亦取決於薄膜之材料，但於例如鉻系材料膜之情形時，當超過100℃時有使膜劣化之虞。
進而，光阻塗佈前之光罩基底存在收納於收納盒等內保管一定時間之情形，根據保管狀態有時會附著鹼性物質或有機物等化學污染物質。此種化學污染物質尤其會使化學增幅型光阻之功能產生劣化(由感光度變動所致之圖案形狀之劣化、解像性之下降等)。因此，於光阻塗佈前，必需對光罩基底進行清洗，去除此種化學污染物質。若使上述高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體作用，則於表面改質之同時，亦可將化學污染物質去除，因此可省略光阻塗佈前之清洗處理。即，表面改質處理可兼作清洗處理。
於本發明之光罩基底10中，薄膜之表面改質層之表面粗糙度(Ra)為0.70 nm以下。於本發明中，由於可防止因於薄膜之表面形成表面改質層所引起的表面粗糙度之劣化，故而可將薄膜之表面即表面改質層之表面之表面粗糙度抑制為Ra=0.70 nm以下、進而Ra=0.50 nm以下。
藉由將表面粗糙度設為Ra=0.70 nm以下、進而Ra=0.50 nm以下，可減小薄膜圖案之LER(Line Edge Roughness，線邊緣粗糙度)，並且亦可使薄膜圖案之剖面形狀良好，因此較佳。於藉由本發明之高濃度臭氧氣體處理於薄膜上形成表面改質層之情形時，可使表面改質層形成前後表面粗糙度不發生變化或可減小表面粗糙度。
再者，於本發明中，表示表面粗糙度之單位Ra可藉由原子力顯微鏡(AFM，atomic force microscope)測定。具體之測定係於例如1 μm見方之範圍內進行，較佳為於光罩之有效區域內均勻地具有該表面粗糙度。此處，所謂光罩之有效區域，於6英吋基板之情形時，只要將例如142 mm見方左右之範圍考慮為有效區域即可。
又，於藉由本發明之高濃度臭氧氣體處理而於薄膜上形成表面改質層之情形時，可使表面改質層形成前後，光學密度(OD，optical density)及對曝光光或檢測光之波長之表面反射率幾乎不發生變化(劣化)。進而，可使表面改質層形成前後，平坦度之變化量(絕對值)為30 nm以下、進而10 nm以下。
再者，所謂本發明中記載之平坦度，係表示由TIR(Total Indicated Reading，總指示讀數)所表示之表面翹曲(變形量)之值。於本發明中，以142×142 mm之區域內之測定值作為平坦度。例如為6英吋基板之中心之142×142 mm之區域內的測定值。
如此，由於不會使光學密度、表面反射率及平坦度變化量劣化，因此不會對光罩基底或轉印用光罩之性能造成影響。又，於對形成有表面改質層之薄膜進行圖案化而製作轉印用光罩時，不會降低薄膜之蝕刻特性，因此亦不會降低轉印用光罩之加工精度。
又，對於使用雙重圖案化/雙重曝光技術之轉印用光罩而言亦較佳。由於該等曝光技術係使用2片一套之轉印用光罩者，故而2片轉印用光罩之精度之要求較為嚴格，本發明可滿足此種要求。又，尤其是於作為轉印用光罩時將蝕刻遮罩膜剝離之類型之光罩基底中的蝕刻遮罩膜上形成表面改質層之情形時，可以蝕刻遮罩膜圖案為遮罩對下層膜良好地進行蝕刻，並且可良好地進行光罩基底之缺陷檢查等檢查。
圖3係表示下述實施例1中之表面改質層之利用X射線光電子光譜法(XPS)之分析結果者，圖3(a)係表面改質層之O(氧)1 s光譜，圖3(b)係未形成藉由上述利用高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體之表面改質處理之表面改質層之狀態的遮光膜之表層部分之O 1 s光譜。又，圖4同樣係表示實施例1中之表面改質層之利用X射線光電子光譜法(XPS)之分析結果者，圖4(a)係表面改質層之C(碳)1 s光譜，圖4(b)係未形成藉由上述表面改質處理之表面改質層之狀態的遮光膜之表層部分之C 1 s光譜。
詳細內容其後於實施例1中進行敍述，實施例1係關於一種相移光罩基底，其係於透光性基板上依序積層包含MoSi系材料之光半穿透膜與包含Cr系材料之遮光膜，並藉由使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用於遮光膜之處理而於上述遮光膜之表面形成表面改質層者。
上述表面改質層於藉由XPS測定之O 1 s光譜中，當將結合能分離為分別位於532 eV附近之第1峰與位於530 eV附近之第2峰時，第1峰面積相對於第2峰面積之比例為2.0以上。上述第1峰主要為基於有機系氧化物成分或氧化度較高之鉻氧化物(Cr2O3等)成分(將該等設為A成分)之峰，上述第2峰主要為基於氧化度較低之鉻氧化物(CrO等)成分或鉻氮氧化物成分(將該等設為B成分)之峰。又，於藉由XPS測定之C 1 s光譜中，可確認基於有機系氧化物成分之碳酸鹽(H2CO3之鹽)之峰。
根據該分析結果，A成分為74%，B成分為26%，可認為，藉由在圖案形成用薄膜之表面形成上述表面改質層，若與未形成表面改質層之狀態(上述圖3(b)及圖4(b)之光譜)相比，則上述A成分之比例增加(B成分之比例減少)，並且碳酸鹽之比例增加，而使薄膜表面為包含有機系氧化物之氧化膜(表面改質層)，藉此可提高與光阻之密接性。
再者，上述表面改質層之膜厚於本發明中並無特別限制，為充分獲得提高與光阻之密接性之效果，較佳為至少1 nm以上。又，為增加表面改質層之膜厚，必需延長例如上述利用高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體之處理時間，並且若膜厚過厚，則有光學特性變化變大之虞。因此，只要設為可充分達成與光阻之密接性之提高之膜厚即可，就此觀點而言，較佳為設為3 nm以下。
再者，表面改質層之存在例如可藉由對薄膜之剖面進行TEM(Transmission Electron Microscope，穿透式電子顯微鏡)觀察而確認，對於表面改質層之膜厚亦可特定。
再者，圖1所示之光罩基底10於上述薄膜2上不包含光阻膜，但本發明亦包含於薄膜2上包含任意光阻膜之構造之光罩基底。
又，本發明尤佳為包含化學增幅型光阻膜之光罩基底。附有光阻膜之光罩基底大多收納於收納盒等中保管一定時間。可知於使用經長時間(例如40天以上)保管之附有光阻膜之光罩基底製作轉印用光罩之情形時，存在所形成之光阻圖案形狀劣化之問題。可認為其原因主要在於：存在於光阻膜下之薄膜表面之污染物質(污染離子等)於長時間之保管中進入光阻膜中，而使化學增幅型光阻之功能劣化(由感光度變動所致之圖案形狀之劣化、解像性之下降等)。由此，於光阻圖案之尾部，在正型化學增幅型光阻膜中會產生「拖尾」，在負型中會產生「瓦解」等形狀不良。尤其是，於負型之情形時，因「瓦解」而產生光阻圖案崩塌。
本發明之附有形成於包含表面改質層之薄膜上的光阻膜之光罩基底即便於長時間保管後製作轉印用光罩，亦可防止上述光阻圖案形狀之劣化。可認為其原因在於：於形成上述表面改質層之過程中，將薄膜表面上之污染物質去除，或藉由表面改質層而防止污染物質進入光阻膜中。
圖2係表示使用本發明之光罩基底製造轉印用光罩之步驟之剖面圖。
使用於透光性基板1上成膜有上述薄膜2並於其表面形成有表面改質層之光罩基底10，藉由光微影法，對該光罩基底之薄膜進行圖案化，藉此形成薄膜圖案。即，於上述光罩基底10之表面形成例如電子束繪圖用正型光阻膜3(參照該圖(a))，進行所需之裝置圖案之描繪(參照該圖(b))。描繪後，對光阻膜3進行顯影處理，藉此形成光阻圖案3a(參照該圖(c))。本發明之光罩基底由於與光阻之密接性良好，故而即便例如光阻圖案之線寬未達光阻膜厚之1/3，亦可抑制光阻圖案之崩塌或缺陷等之產生。
其次，以該光阻圖案3a為遮罩，對上述薄膜2進行蝕刻，藉此可形成薄膜圖案2a(參照該圖(d))。作為此時之蝕刻方法，可較佳地使用對微細圖案之形成有效之乾式蝕刻。
將殘存之光阻圖案去除而製成於透光性基板1上形成有薄膜圖案2a之轉印用光罩20(參照該圖(e))。
藉由使用本發明之光罩基底，可不產生圖案崩塌或缺陷等而穩定地形成微細之光阻圖案，因此可製作最終以較高之精度形成微細轉印圖案之轉印用光罩。
再者，先前於包含過渡金屬矽化物化合物(例如矽化鉬化合物)等之材料之情形時，為確保與光阻之密接性，而於光阻塗佈前實施利用HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)等矽烷系偶合劑之表面處理，但根據本發明具有如下優點：無關光罩基底之薄膜之材料種類，均可提高與光阻之密接性、尤其是與化學增幅型光阻之密接性。
又，於製作轉印用光罩之步驟中，於必需塗佈複數次光阻之情形時，亦可於每次塗佈光阻之處理前實施本發明之形成表面改質層之處理。例如，於製作半色調型相移光罩、TRY-TONE型相移光罩、增強型相移光罩等之步驟中，在將最初塗佈而殘存之光阻圖案去除，再次於整個面上形成光阻膜，而於光罩之外周部等形成遮光部(遮光帶)之情形時，可於形成該光阻膜之前實施本發明之形成表面改質層之處理。
如藉由以上實施形態所說明般，本發明可較佳地用於尤其要求微細轉印圖案之以波長200 nm以下之短波長之曝光光為曝光光源的曝光裝置中所使用之轉印用光罩之製造中所使用之光罩基底。例如，對如下之光罩基底及其製造與轉印用光罩而言較佳。
(1)上述薄膜為包含含有過渡金屬之材料之遮光膜的二元光罩基底及二元光罩
此種二元光罩基底係於透光性基板上包含遮光膜之形態者，該遮光膜包含含有鉻、鉭、釕等過渡金屬單體或其化合物之材料。例如可列舉包含鉻、或於鉻中添加有選自氧、氮、碳等元素中之1種以上元素之鉻化合物的遮光膜。又，例如可列舉包含於鉭中添加有選自氧、氮、硼等元素中之1種以上元素之鉭化合物的遮光膜。又，亦可設為上述過渡金屬與鋁、鎂、鎵、鍺、錫等金屬之合金或於其中添加有選自氧、氮、碳等元素中之1種以上元素之化合物。
此種二元光罩基底有將遮光膜設為遮光層與表面抗反射層之2層構造、或進而於遮光層與基板之間添加有內面抗反射層之3層構造者等。又，亦可設為遮光膜之膜厚方向上之組成連續地或階段性地不同之組成傾斜膜。
(2)上述薄膜為包含含有過渡金屬及矽(包含過渡金屬矽化物、尤其是矽化鉬)之化合物之材料之光半穿透膜的相移光罩基底及相移光罩
作為此種相移光罩基底，其係於透光性基板上包含光半穿透膜之形態者，製作對該光半穿透膜進行圖案化而設置相移部之類型之半色調型相移光罩。於此種相移光罩中，可列舉為防止由基於穿透光半穿透膜之光而形成於轉印區域之光半穿透膜圖案所致的被轉印基板之圖案不良，而形成於透光性基板上包含光半穿透膜與其上之遮光膜(遮光帶)之形態者。又，除半色調型相移光罩基底以外，亦可列舉藉由蝕刻等對透光性基板進行刻蝕而設置相移部之基板刻蝕型之雷文生(Levenson)型相移光罩用或增強型相移光罩用之光罩基底。
上述光半穿透膜係使實質上無助於曝光之強度之光(例如，相對於曝光波長為1%~30%)穿透者，且為具有特定之相位差(例如180度)者，即為如下者：藉由對該光半穿透膜進行圖案化之光半穿透部與未形成光半穿透膜之使實質上有助於曝光之強度之光穿透的光穿透部，而使穿透光半穿透部之光之相位相對於穿透光穿透部之光之相位實質上成為反轉之關係，藉此使通過光半穿透部與光穿透部之邊界部附近並由於繞射現象而相互繞入對方區域之光相互抵消，從而使邊界部之光強度大致為零而提高邊界部之對比度即解像度。
該光半穿透膜包含含有例如過渡金屬及矽(包含過渡金屬矽化物)之化合物之材料，可列舉：以該等過渡金屬及矽與氧及/或氮為主要構成要素之材料。過渡金屬可應用鉬、鉭、鎢、鈦、鉿、鎳、釩、鋯、鈮、鈀、釕、銠等。
又，於光半穿透膜上包含遮光膜之形態之情形時，由於上述光半穿透膜之材料含有過渡金屬及矽，故而作為遮光膜之材料，較佳為包含對光半穿透膜具有蝕刻選擇性(具有蝕刻耐性)之尤其是鉻、或於鉻中添加有氧、氮、碳等元素之鉻化合物。
(3)上述薄膜為包含含有過渡金屬及矽(包含過渡金屬矽化物、尤其是矽化鉬)、或過渡金屬及矽之化合物之材料之遮光膜的二元光罩基底及二元光罩
該遮光膜包含含有過渡金屬及矽之化合物之材料，可列舉以該等過渡金屬及矽與氧及/或氮為主要構成要素之材料。又，遮光膜可列舉以過渡金屬與氧、氮及/或硼為主要構成要素之材料。過渡金屬可應用鉬、鉭、鎢、鈦、鉿、鎳、釩、鋯、鈮、鈀、釕、銠等。
尤其是，於由矽化鉬之化合物形成遮光膜之情形時，有遮光層(MoSi等)與表面抗反射層(MoSiON等)之2層構造、或進而於遮光層與基板之間添加有內面抗反射層(MoSiON等)之3層構造。
又，亦可為遮光膜之膜厚方向上之組成連續地或階段性地不同之組成傾斜膜。
又，為使光阻膜之膜厚薄膜化而形成微細圖案，亦可設為於遮光膜上包含蝕刻遮罩膜之構成。該蝕刻遮罩膜較佳為包含對包含過渡金屬矽化物之遮光膜之蝕刻具有蝕刻選擇性(具有蝕刻耐性)之尤其是包含鉻、或於鉻中添加有氧、氮、碳等元素之鉻化合物之材料(鉻系材料)。又，於遮光膜包含鉻系材料之情形時，蝕刻遮罩膜較佳為包含於矽中添加有氧、氮等元素之矽化合物、或於該等中添加有鉬等過渡金屬之材料。進而，於遮光膜含有包含鉭或於鉭中添加有氧、氮等元素之鉭化合物之材料之情形時，蝕刻遮罩膜較佳為包含鉻系材料。此時，藉由使蝕刻遮罩膜具有抗反射功能，可於遮光膜上殘存有蝕刻遮罩膜之狀態下製作轉印用光罩。
又，於(1)~(3)中，可於透光性基板與遮光膜之間或光半穿透膜與遮光膜之間設置對遮光膜或光半穿透膜具有蝕刻耐性之蝕刻阻止膜。蝕刻阻止膜可設為於對蝕刻阻止膜進行蝕刻時可將蝕刻遮罩膜同時剝離之材料。
(4)上述薄膜為包含含有鉭之材料之吸收體膜之反射型光罩基底及反射型光罩
此種反射型光罩係於基板上形成有反射曝光光之多層反射膜，於該多層反射膜上形成有緩衝膜，進而於其上以圖案狀形成有吸收曝光光之吸收體膜者。緩衝膜係為保護吸收體膜之圖案形成步驟及修正步驟中之多層反射膜而設置於多層反射膜與吸收體膜之間，亦可設為無緩衝膜之構成。
吸收體膜只要為具有吸收作為曝光光之例如EUV光之功能者即可。作為含有鉭之材料，可尤佳地使用Ta之單體或以Ta為主成分之材料。以Ta為主成分之材料例如為Ta之合金。就平滑性、平坦性之方面而言，此種吸收體膜之結晶狀態較佳為具有非晶狀或微晶之構造者。作為以Ta為主成分之材料，例如可較佳地使用含有Ta與B之材料、含有Ta與N之材料、及含有Ta與B進而含有O與N中至少一者之材料等。
又，作為基板，可使用SiO2-TiO2系玻璃、石英玻璃、及若為結晶化玻璃則為析出有β石英固溶體者等。作為金屬基板之例，可列舉因瓦合金(invar alloy)(Fe-Ni系合金)等。又，亦可使用單晶矽基板。
轉印用光罩中包含：未使用相移效果之二元光罩、使用相移效果之相移光罩中的半色調型相移光罩、雷文生型相移光罩、增強光罩、反射型光罩等。轉印用光罩中包含比例光罩(reticle)。
又，於包含玻璃材料之基板之主表面上包含基板刻蝕圖案形成用薄膜之光罩基底中，雖使用目的與如上所說明之轉印用光罩不同，但於在上述基板上成膜薄膜後於上述薄膜上形成光阻膜之壓印用模具之製作方法中，亦可應用本發明。
於半導體裝置之微細電路圖案、及藉由微細圖案而附加光學功能之光學零件之製作、以及用於硬碟驅動器等之磁記錄媒體中之磁性層之微細圖案形成中所使用的壓印用模具(stamper，壓模)之製作中，使用於合成石英玻璃等玻璃基板上包含基板刻蝕圖案形成用薄膜之光罩基底。於該光罩基底上形成所需之光阻圖案，以該光阻圖案為遮罩對上述薄膜進行蝕刻加工，藉此形成薄膜圖案，進而以該薄膜圖案為遮罩，對上述基板進行蝕刻加工，於透光性基板上形成階差圖案(光罩圖案)，藉此製作壓印用模具。
本發明較佳為於此種壓印用模具之製作方法中，在形成光阻膜之前，對例如包含鉻系材料之上述薄膜進行上述利用高濃度臭氧氣體與不飽和烴氣體之處理。
實施例
以下，藉由實施例進一步具體地說明本發明之實施形態。
(實施例1)
使用尺寸6英吋見方、厚度0.25英吋之合成石英玻璃基板作為透光性基板，首先，於透光性基板上成膜包含經氮化之鉬及矽之光半穿透膜。
具體而言，使用鉬(Mo)與矽(Si)之混合靶材(Mo:Si=10 mol%:90 mol%)，於氬氣(Ar)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣體流量比Ar:N2:He=5:49:46)中，將氣壓設為0.3 Pa、DC(direct current，直流)電源之電力設為3.0 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)，以69 nm之膜厚形成包含鉬、矽及氮之MoSiN膜。繼而，使用加熱爐，於大氣中將加熱溫度設為450℃、加熱時間設為1小時，對形成有上述MoSiN膜之基板進行加熱處理。再者，該MoSiN膜於ArF準分子雷射中，穿透率成為6.16%，相位差成為184.4度。
其次，於上述光半穿透膜上成膜如下遮光膜。
具體而言，使用鉻(Cr)靶材作為濺鍍靶材，設為氬氣(Ar)、二氧化碳(CO2)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.2 Pa，氣體流量比Ar:CO2:N2:He=20:35:10:30)，將DC電源之電力設為1.7 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)成膜膜厚30 nm之CrOCN層。繼而，設為氬氣(Ar)與氮氣(N2)之混合氣體環境(氣壓0.1 Pa，氣體流量比Ar:N2=25:5)，將DC電源之電力設為1.7 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)成膜膜厚4 nm之CrN層。最後，設為氬氣(Ar)、二氧化碳(CO2)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.2 Pa，氣體流量比Ar:CO2:N2:He=20:35:5:30)，將DC電源之電力設為1.7 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)成膜膜厚14 nm之CrOCN層，而形成合計膜厚為48 nm之3層積層構造之鉻系遮光膜。
該遮光膜係以於與上述光半穿透膜之積層構造中光學密度(OD)於ArF準分子雷射曝光光之波長193 nm下成為3.0之方式進行調整。又，遮光膜對上述曝光光之波長之表面反射率為20%。
使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述遮光膜之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.56 nm。進而，使用平坦度測定裝置(Tropel公司製造：UltraFlat200M)，測定142 mm×142 mm中之平坦度，結果為310 nm。
以如上方式，向於玻璃基板上積層有光半穿透膜與遮光膜之光罩基底供給高濃度臭氧氣體與乙烯氣體，使其於遮光膜之表面附近混合，進行使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用於遮光膜之表面之處理。此情形之高濃度臭氧氣體(100體積%)與乙烯氣體之流量比率係設為2:1。處理時間(使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用之時間)設為10分鐘，基板加熱至60℃。
以如上方式製作於玻璃基板上包含光半穿透膜與遮光膜之積層構造之圖案形成用薄膜之相移光罩基底。
使用TEM(穿透式電子顯微鏡)對所製作之相移光罩基底之上述積層構造的薄膜之剖面進行詳細觀察，結果於遮光膜之表層部分形成有厚度大致1 nm之覆膜(表面改質層)。進而利用X射線光電子光譜法並將檢測器相對於表面之斜率設為30°而對該覆膜之組成進行詳細地分析，結果元素組成(原子%比)為Cr:16.6、O:40.6、N:5.5、C:37.3。又，以鉻原子數為基準時之原子數比為O/Cr=2.44、N/Cr=0.33、C/Cr=2.24。
又，使用原子力顯微鏡(AFM)測定上述薄膜之表面、即表面改質層之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.46 nm。即，與上述實施利用高濃度臭氧氣體與乙烯氣體之處理前的遮光膜之表面之表面粗糙度Ra=0.56 nm相比，表面粗糙度在處理前後減少了0.10 nm(減少率為0.10÷0.56×100=18%)，表面粗糙度未劣化，且表面粗糙度變小。又，對剖面進行TEM觀察，結果可確認處理前後之表面粗糙度之減小及晶粒尺寸之減小。
進而，處理後之光半穿透膜與遮光膜之積層膜之光學密度為3.0，與處理前相比無變化。又，亦確認遮光膜對ArF準分子雷射曝光光之波長193 nm之表面反射率，結果與處理前相比幾乎未確認有變化。
又，使用平坦度測定裝置(Tropel公司製造：UltraFlat200M)，測定142 mm×142 mm中之平坦度，結果為306 nm，平坦度變化量為4 nm，幾乎無變化。
如此可確認，於高濃度臭氧氣體處理前後表面粗糙度、光學特性、平坦度未發生變化(劣化)而形成表面改質層。
又，圖3係表示本實施例中之表面改質層之利用X射線光電子光譜法(XPS)之分析結果者，圖3(a)係表面改質層之O(氧)1 s光譜，圖3(b)係實施上述利用高濃度臭氧氣體與乙烯氣體之處理前的遮光膜之表層部分之O 1 s光譜。進而，圖4同樣係表示本實施例中之表面改質層之利用X射線光電子光譜法之分析結果者，圖4(a)係表面改質層之C(碳)1 s光譜，圖4(b)係實施上述利用高濃度臭氧氣體與乙烯氣體之處理前的遮光膜之表層部分之C 1 s光譜。
上述表面改質層於藉由XPS測定之O 1 s光譜中，當將結合能分離為分別位於532 eV附近之第1峰與位於530 eV附近之第2峰時，第1峰面積相對於第2峰面積之比例為2.8。上述第1峰主要為基於有機系氧化物成分或氧化度較高之鉻氧化物(Cr2O3等)成分(設為A成分)之峰，上述第2峰主要為基於氧化度較低之鉻氧化物成分或鉻氮氧化物成分(設為B成分)之峰。根據該分析結果，A成分為74%，B成分為26%，可知藉由在圖案形成用薄膜之表面形成利用上述利用高濃度臭氧與乙烯氣體之處理之表面改質層，若與實施該處理前之未形成表面改質層之狀態(上述圖3(b)之光譜)相比，則上述A成分之比例增加，B成分之比例減少。又，可知於藉由XPS測定之C 1 s光譜中，碳酸鹽之比例增加。又，可知於O 1 s光譜中，實施高濃度臭氧氣體處理前之第1峰強度為約7400 c/s，相對於此，實施高濃度臭氧氣體處理後之第1峰強度為約9500 c/s，即藉由高濃度臭氧氣體處理，第1峰增加。
其次，使用上述相移光罩基底製作半色調型相移光罩。
首先，於上述光罩基底上形成電子束繪圖用化學增幅型負型光阻膜(Fuji Film Electronic Materials公司製造之SLV08)作為光阻膜。光阻膜之形成係使用旋轉器(旋轉塗佈裝置)進行旋轉塗佈。塗佈上述光阻膜後，進行特定之加熱乾燥處理。光阻膜之膜厚係設為165 nm。
其次，使用電子束繪圖裝置對形成於上述光罩基底上之光阻膜進行所需之圖案描繪後，利用特定之顯影液使其顯影而形成光阻圖案。此時，未產生光阻圖案之崩塌或缺陷。對LS(line and space，線與間隙)圖案、SRAF(Sub Resolution Assist Feature，亞分辨率輔助圖形)圖案進行確認，結果解像有半間距32 nm之微細圖案。
其次，以上述光阻圖案為遮罩，對遮光膜進行蝕刻。使用Cl2與O2之混合氣體作為乾式蝕刻氣體。繼而，對光半穿透膜(MoSiN膜)進行蝕刻而形成光半穿透膜圖案。使用SF6與He之混合氣體作為乾式蝕刻氣體。
其次，將殘存之光阻圖案剝離，再次於整個面上形成與上述相同之光阻膜，並進行用以於光罩之外周部形成遮光帶之描繪，描繪後，使光阻膜顯影而形成光阻圖案。以該光阻圖案為遮罩，藉由蝕刻將遮光帶區域以外之遮光膜去除。
將殘存之光阻圖案剝離，獲得相移光罩。再者，光半穿透膜之穿透率、相位差與製造光罩基底時相比幾乎無變化。如此獲得之相移光罩係以良好之圖案精度形成32 nm半間距之微細圖案。
(實施例2)
於實施例1中，將對在玻璃基板上積層有光半穿透膜與遮光膜之光罩基底進行使高濃度臭氧氣體(100體積%)與乙烯氣體作用於遮光膜之表面之處理時間設為30分鐘，除此以外，以與實施例1相同之方式製作相移光罩基底。
使用TEM(穿透式電子顯微鏡)對所製作之本實施例之相移光罩基底的上述積層構造之薄膜之剖面進行詳細地觀察，結果於遮光膜之表層部分形成有厚度大致2 nm之覆膜(表面改質層)。進而，利用X射線光電子光譜法並將檢測器相對於表面之斜率設為30°對該覆膜之組成進行詳細地分析，結果元素組成(原子%比)為Cr:17.9、O:43.1、N:4.6、C:34.4。又，以鉻原子數為基準時之原子數比為O/Cr=2.41、N/Cr=0.26、C/Cr=1.92。
又，使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述表面改質層之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.46 nm，與上述實施利用高濃度臭氧氣體之處理前的遮光膜之表面之表面粗糙度Ra=0.56 nm相比，表面粗糙度在處理前後減少了0.10 nm(減少率為0.10÷0.56×100=18%)，表面粗糙度未劣化，且表面粗糙度變小。又，對剖面進行TEM觀察，結果可確認處理前後之表面粗糙度之減小及晶粒尺寸之減小。
進而，處理後之光半穿透膜與遮光膜之積層膜之光學密度為3.0，與處理前相比無變化。又，亦確認遮光膜對ArF準分子雷射曝光光之波長193 nm之表面反射率，結果與處理前相比幾乎未確認有變化。
又，以與實施例1相同之方式，利用XPS對本實施例中之表面改質層進行分析，結果於O 1 s光譜中，當將結合能分離為分別位於532 eV附近之第1峰與位於530 eV附近之第2峰時，第1峰面積相對於第2峰面積之比例為2.2。又，於C 1 s光譜中，碳酸鹽之峰之比例增加。根據該分析結果，表面改質層中之主要為有機系氧化物成分或氧化度較高之鉻氧化物(Cr2O3等)成分等之A成分之比例為69%，主要為氧化度較低之鉻氧化物成分或鉻氮氧化物成分等之B成分之比例為31%。又，於O 1 s光譜中，實施高濃度臭氧氣體處理後之第1峰強度為約10500 c/s，與處理前相比增加。
其次，以與實施例1相同之方式，使用上述相移光罩基底製作半色調型相移光罩。
再者，以與實施例1相同之方式，於上述光罩基底上形成光阻圖案，此時，未產生光阻圖案之崩塌或缺陷。對LS圖案、SRAF圖案進行確認，結果解像有半間距32 nm之微細圖案。
所獲得之相移光罩係以良好之圖案精度形成32 nm半間距之微細圖案。
(實施例3)
使用尺寸6英吋見方、厚度0.25英吋之合成石英玻璃基板作為透光性基板，於該透光性基板上成膜與實施例1相同之光半穿透膜並進行加熱後，成膜如下遮光膜。
具體而言，使用鉻(Cr)靶材作為濺鍍靶材，設為氬氣(Ar)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.2 Pa，氣體流量比Ar:N2:He=30:30:40)，將DC電源之電力設為0.8 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)，成膜膜厚24 nm之CrN層。繼而，設為氬氣(Ar)、甲烷(CH4)、一氧化氮(NO)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.3 Pa，氣體流量比Ar+CH4:NO:He=65:3:40)，將DC電源之電力設為0.3 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)成膜膜厚24 nm之CrON(C)層，而形成合計膜厚為48 nm之2層積層構造之鉻系遮光膜。再者，由於該遮光膜係使用線內(In Line)型濺鍍裝置，故而CrN膜及CrON(C)膜為於膜厚方向上組成傾斜之傾斜膜。
該遮光膜係以光學密度成為3.0之方式進行調整。使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述遮光膜之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.73 nm。
以如上方式向於玻璃基板上積層有光半穿透膜與遮光膜之光罩基底供給高濃度臭氧氣體與乙烯氣體，使其於遮光膜之表面附近混合，而進行使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用於遮光膜之表面之處理。此情形之高濃度臭氧氣體(100體積%)與乙烯氣體之流量比率係設為2:1。處理時間(使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用之時間)係設為10分鐘，基板係加熱至60℃。
以如上之方式製作於玻璃基板上包含光半穿透膜與遮光膜之積層構造之圖案形成用薄膜的相移光罩基底。
使用TEM(穿透式電子顯微鏡)對所製作之相移光罩基底之上述積層構造之薄膜的剖面進行詳細地觀察，結果於遮光膜之表層部分形成有厚度大致1 nm之覆膜(表面改質層)。
又，使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述表面改質層之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.64 nm。與上述實施利用高濃度臭氧氣體與乙烯氣體之處理前的遮光膜之表面之表面粗糙度Ra=0.73 nm相比，表面粗糙度在處理前後減少了0.09 nm(減少率為0.09÷0.73×100=12%)，表面粗糙度未劣化，且表面粗糙度變小。又，對剖面進行TEM觀察，結果可確認處理前後之表面粗糙度之減小及晶粒尺寸之減小。
其次，使用上述相移光罩基底製作相移光罩。
首先，於上述光罩基底上形成電子束繪圖用化學增幅型負型光阻膜(Fuji Film Electronic Materials公司製造之SLV08)作為光阻膜。光阻膜之形成係使用旋轉器(旋轉塗佈裝置)進行旋轉塗佈。塗佈上述光阻膜後，進行特定之加熱乾燥處理。光阻膜之膜厚係設為165 nm。
其次，使用電子束繪圖裝置對形成於上述光罩基底上之光阻膜進行所需之圖案描繪後，利用特定之顯影液使其顯影而形成光阻圖案。此時，未產生光阻圖案之崩塌或缺陷。對LS圖案、SRAF圖案進行確認，結果解像有半間距32 nm之微細圖案。
其次，以與實施例1相同之方式獲得相移光罩。如此獲得之相移光罩係以良好之圖案精度形成32 nm半間距之微細圖案。
(實施例4)
使用尺寸6英吋見方、厚度0.25英吋之合成石英玻璃基板作為透光性基板，於透光性基板上分別形成MoSiN膜(遮光層)、MoSiON膜(表面抗反射層)作為遮光膜。
具體而言，使用Mo與Si之混合靶材(Mo:Si=21 mol%:79 mol%)，於Ar與N2之混合氣體環境(氣體流量比Ar:N2=25:28)中，將氣壓設為0.07 Pa、DC電源之電力設為2.1 kW，以50 nm之膜厚形成包含鉬、矽、氮之MoSiN膜。
繼而，使用Mo:Si=4 mol%:96 mol%之靶材，於Ar、O2、N2及He(氣體流量比Ar:O2:N2:He=6:3:11:17)中，將氣壓設為0.1 Pa、DC電源之電力設為3.0 kW，以10 nm之膜厚形成包含鉬、矽、氧、氮之MoSiON膜。遮光膜之合計膜厚係設為60 nm。遮光膜之光學密度(OD)於ArF準分子雷射曝光光之波長193 nm下為3.0。
其次，於上述MoSi系遮光膜上成膜如下之Cr系蝕刻遮罩膜。
具體而言，使用鉻(Cr)靶材作為濺鍍靶材，設為氬氣(Ar)、二氧化碳(CO2)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.2 Pa，氣體流量比Ar:CO2:N2:He=20:35:5:30)，將DC電源之電力設為1.7 kW，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)成膜膜厚10 nm之CrOCN層。
使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述蝕刻遮罩膜之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.52 nm。
以如上方式，向於玻璃基板上積層有MoSi系遮光膜與Cr系蝕刻遮罩膜之光罩基底供給高濃度臭氧氣體(100體積%)與乙烯氣體，使其於Cr系蝕刻遮罩膜之表面附近混合，而進行使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用於Cr系蝕刻遮罩膜之表面之處理。此情形之高濃度臭氧氣體與乙烯氣體之流量比率係設為2:1。處理時間(使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用之時間)係設為10分鐘，基板係加熱至60℃。
以如上方式製作於玻璃基板上包含圖案形成用MoSi系遮光膜及Cr系蝕刻遮罩膜之二元光罩基底。
使用TEM(穿透式電子顯微鏡)對所製作之二元光罩基底之上述Cr系蝕刻遮罩膜之剖面進行詳細地觀察，結果於蝕刻遮罩膜之表層部分形成厚度大致1 nm之覆膜(表面改質層)。
又，使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述表面改質層之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.43 nm。與上述實施利用高濃度臭氧氣體與乙烯氣體之處理前的蝕刻遮罩膜之表面之表面粗糙度Ra=0.52 nm相比，表面粗糙度在處理前後減少了0.09 nm(減少率為0.09÷0.52×100=17%)，表面粗糙度未劣化，且表面粗糙度變小。
又，對剖面進行TEM觀察，結果可確認處理前後之表面粗糙度之減小及晶粒尺寸之減小。
其次，使用上述二元用光罩基底製作二元光罩。
首先，於上述光罩基底上形成電子束繪圖用化學增幅型負型光阻膜(Fuji Film Electronic Materials公司製造之SLV08)作為光阻膜。光阻膜之形成係使用旋轉器(旋轉塗佈裝置)進行旋轉塗佈。塗佈上述光阻膜後，進行特定之加熱乾燥處理。光阻膜之膜厚係設為165 nm。
其次，使用電子束繪圖裝置對形成於上述光罩基底上之光阻膜進行所需之圖案描繪後，利用特定之顯影液使其顯影而形成光阻圖案。此時，未產生光阻圖案之崩塌或缺陷。對LS圖案、SRAF圖案進行確認，結果解像有半間距32 nm之微細圖案。
其次，以上述光阻圖案為遮罩，對蝕刻遮罩膜進行蝕刻。使用Cl2與O2之混合氣體作為乾式蝕刻氣體。繼而，以形成於蝕刻遮罩膜上之圖案為遮罩，對上述MoSi系遮光膜(MoSiN/MoSiON)進行蝕刻而形成遮光膜圖案。使用SF6與He之混合氣體作為乾式蝕刻氣體。
其次，將殘存之光阻圖案剝離，進而藉由蝕刻將上述蝕刻遮罩膜圖案去除。
如此獲得之MoSi系二元光罩係以良好之圖案精度形成32 nm半間距之微細圖案。
(比較例)
於實施例1中，省略對在玻璃基板上積層有光半穿透膜與遮光膜之光罩基底進行使高濃度臭氧氣體與乙烯氣體作用於遮光膜之表面之處理，除此以外，以與實施例1相同之方式製作相移光罩基底。
利用X射線光電子光譜法並將檢測器相對於表面之斜率設為30°對所製作之本比較例之相移光罩基底的上述遮光膜之表層部分之組成進行詳細地分析，結果元素組成(原子%比)為Cr:18.5、O:36.1、N:8.5、C:36.9。又，以鉻原子數為基準時之原子數比為O/Cr=1.94、N/Cr=0.46、C/Cr=1.99。
光半穿透膜及遮光膜之光學密度為3.0。又，遮光膜對ArF準分子雷射曝光光之波長193 nm之表面反射率為20%。
又，使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述遮光膜之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.56 nm。
又，將藉由XPS對本比較例中之上述遮光膜進行分析之結果示於上述圖3(b)及圖4(b)，於O 1 s光譜中，當將結合能分離為分別位於532 eV附近之第1峰與位於530 eV附近之第2峰時，第1峰面積相對於第2峰面積之比例為1.4。又，於C 1 s光譜中，幾乎無碳酸鹽之峰。根據該分析結果，主要包含氧化度較高之鉻氧化物(Cr2O3等)成分或若干有機系氧成分等之A成分之比例為58%，主要包含氧化度較低之鉻氧化物成分或鉻氮氧化物成分等之B成分之比例為42%，若與上述實施例之結果進行對比，則A成分之比例相對較低，B成分之比例相對較高。
其次，以與實施例1相同之方式，使用上述相移光罩基底製作半色調型相移光罩。
以與實施例1相同之方式於上述光罩基底上形成光阻圖案，但此時部分產生認為是由與光阻之密接性不充分所致之光阻圖案之崩塌或缺陷。又，對LS圖案、SRAF圖案進行確認，結果半間距45 nm之微細圖案未充分地解像。
於所獲得之相移光罩中，相移膜圖案之CD變化量因上述光阻圖案之缺陷而大至10 nm以上，從而難以用作半導體設計規則hp45代以後之轉印用光罩。
(實施例5)
於包含合成石英玻璃之透光性基板上，使用葉片式濺鍍裝置，利用鉭(Ta)靶材作為濺鍍靶材，於氬氣(Ar)與氮氣(N2)之混合氣體環境中，藉由反應性濺鍍(DC濺鍍)，使TaN膜(膜組成：Ta=85原子%、N=15原子%)以膜厚42 nm成膜，繼而，使用Ta靶材，於氬氣(Ar)與氧氣(O2)之混合氣體環境中，使TaO膜(膜組成：Ta=42原子%、O=58原子%)以膜厚9 nm成膜，藉此形成包含TaN膜與TaO膜之積層之ArF準分子雷射(波長193 nm)用遮光膜。再者，各層之膜組成為基於AES(Auger electron spectroscopy，奧傑電子光譜法)之分析結果。
遮光膜對ArF準分子雷射之光學密度為3.0。又，使用原子力顯微鏡(AFM)，測定上述遮光膜之表面之表面粗糙度(測定區域1 μm×1 μm)，結果Ra=0.27 nm。
其次，於與實施例1相同之條件下，對在玻璃基板上成膜有Ta系遮光膜之光罩基底實施利用高濃度臭氧氣體(100體積%)與乙烯氣體之處理。
以如上方式製作於玻璃基板上包含Ta系遮光膜之二元光罩基底。
使用TEM(穿透式電子顯微鏡)對所製作之二元光罩基底之上述Ta系遮光膜之剖面進行詳細地觀察，結果於Ta系遮光膜之表層部分形成厚度大致1.5 nm之覆膜(表面改質層)。
又，使用原子力顯微鏡(AFM)測定上述表面改質層之表面之表面粗糙度，結果表面粗糙度未劣化。
又，對剖面進行TEM觀察，結果確認在處理前後表面粗糙度及晶粒尺寸幾乎未變化。
其次，使用上述二元用光罩基底製作二元光罩。
首先，於上述光罩基底上形成膜厚為100 nm之電子束繪圖用化學增幅型負型光阻膜。其後，使用電子束繪圖裝置進行所需之圖案描繪後，利用特定之顯影液使其顯影而形成光阻圖案。此時，未產生光阻圖案之崩塌或缺陷。對LS圖案、SRAF圖案進行確認，結果解像有半間距32 nm之微細圖案。
其次，以上述光阻圖案為遮罩，進行使用氟系(CF4)氣體之乾式蝕刻，而形成TaO膜圖案。繼而，進行使用氯系(Cl2)氣體之乾式蝕刻，而形成TaN膜圖案。進而，進行30%之追加蝕刻，於基板1上形成包含TaO膜圖案及TaN膜圖案之積層膜之遮光膜圖案。繼而，將遮光膜圖案上之光阻圖案剝離。
如此獲得之Ta系二元光罩係以良好之圖案精度形成32 nm半間距之微細圖案。
1．．．透光性基板
2．．．薄膜
2a．．．薄膜圖案
3．．．光阻膜
3a．．．光阻圖案
10．．．光罩基底
20．．．轉印用光罩
圖1係光罩基底之剖面圖。
圖2(a)至(e)係表示使用光罩基底製造轉印用光罩之步驟之剖面圖。
圖3係表示實施例1中之表面改質層之利用X射線光電子光譜法之分析結果者，圖3(a)係表面改質層之O 1 s光譜，圖3(b)係實施表面改質處理前之遮光膜之表層部分之O 1 s光譜。
圖4係表示實施例1中之表面改質層之利用X射線光電子光譜法之分析結果者，圖4(a)係表面改質層之C 1 s光譜，圖4(b)係實施表面改質處理前之遮光膜之表層部分之C 1 s光譜。
1．．．透光性基板
2．．．薄膜
10．．．光罩基底

Claims (14)

  1. 一種光罩基底，其特徵在於：其係於基板上包含用以形成轉印圖案之薄膜者，該薄膜含有金屬，且上述薄膜具有包含含有烴之氧化膜之表面改質層。
  2. 如請求項1之光罩基底，其中上述薄膜為積層膜，該積層膜之最上層包含過渡金屬作為上述金屬。
  3. 如請求項2之光罩基底，其中上述過渡金屬為鉻，上述表面改質層於藉由X射線光電子光譜法(XPS)測定之O(氧)1s光譜中，當將結合能分離為分別位於532eV附近之第1峰與位於530eV附近之第2峰時，第1峰面積相對於第2峰面積之比例為2.0以上。
  4. 如請求項2之光罩基底，其中上述過渡金屬為鉭。
  5. 如請求項1至4中任一項之光罩基底，其中上述表面改質層之表面粗糙度(Ra)為0.70nm以下。
  6. 如請求項1至4中任一項之光罩基底，其中上述表面改質層之膜厚為3nm以下之範圍。
  7. 如請求項1之光罩基底，其中上述薄膜為積層膜，該積層膜之最上層包含含有過渡金屬及矽之材料。
  8. 如請求項1至4、及7中任一項之光罩基底，其包含形成於上述薄膜上之化學增幅型光阻膜。
  9. 如請求項8之光罩基底，其中上述化學增幅型光阻膜為負型。
  10. 一種轉印用光罩，其特徵在於：其係對如請求項1至9中任一項之光罩基底中之上述薄膜進行圖案化而形成轉印 圖案而成者。
  11. 一種光罩基底之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：於基板上成膜用以形成轉印圖案之材薄膜，其中該薄膜含有金屬；以及對上述薄膜實施於上述薄膜之表面形成包含氧化膜之表面改質層的處理，其中該氧化膜含有烴。
  12. 如請求項11之光罩基底之製造方法，其中上述處理係使臭氧氣體與不飽和烴氣體作用於上述薄膜。
  13. 如請求項12之光罩基底之製造方法，其中上述臭氧氣體之濃度為50~100體積%。
  14. 如請求項12或13之光罩基底之製造方法，其中上述不飽和烴為碳數1~4之低級不飽和烴。
TW100135667A 2010-09-30 2011-09-30 A mask substrate and its manufacturing method and transfer mask TWI522728B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010220521 2010-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201232163A TW201232163A (en) 2012-08-01
TWI522728B true TWI522728B (zh) 2016-02-21

Family

ID=45893134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100135667A TWI522728B (zh) 2010-09-30 2011-09-30 A mask substrate and its manufacturing method and transfer mask

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9104112B2 (zh)
JP (2) JP5357341B2 (zh)
KR (1) KR20130132787A (zh)
TW (1) TWI522728B (zh)
WO (1) WO2012043695A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108241250A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 信越化学工业株式会社 光掩模坯及其制备方法
CN108241249A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 信越化学工业株式会社 光掩模坯及其制备方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130132787A (ko) * 2010-09-30 2013-12-05 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 전사용 마스크
JP5795991B2 (ja) 2012-05-16 2015-10-14 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法
JP5739375B2 (ja) 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
JP5820766B2 (ja) * 2012-05-16 2015-11-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法
MY169344A (en) * 2012-06-06 2019-03-21 Sharp Kk Mold base material, production method for mold base material, mold production method, and mold
US9625807B2 (en) 2012-11-20 2017-04-18 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a transfer mask and method of manufacturing a semiconductor device
WO2014112409A1 (ja) * 2013-01-18 2014-07-24 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法
KR102046729B1 (ko) 2013-09-24 2019-11-19 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조방법
CN104571667B (zh) * 2013-10-26 2018-05-29 宝宸（厦门）光学科技有限公司 触控面板及其制造方法
JP6266322B2 (ja) * 2013-11-22 2018-01-24 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP6347365B2 (ja) 2014-08-13 2018-06-27 Hoya株式会社 レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法
JP2016057578A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
WO2016140044A1 (ja) * 2015-03-04 2016-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
JP6601245B2 (ja) * 2015-03-04 2019-11-06 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
US10253148B2 (en) 2015-03-12 2019-04-09 Meidensha Corporation Method and device for modifying resin
JP6728919B2 (ja) * 2015-04-14 2020-07-22 大日本印刷株式会社 フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法
JP6540278B2 (ja) * 2015-06-29 2019-07-10 大日本印刷株式会社 光学素子の製造方法
JP6726553B2 (ja) * 2015-09-26 2020-07-22 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
US11054735B2 (en) 2016-07-19 2021-07-06 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6532919B2 (ja) * 2017-09-07 2019-06-19 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法
CN109917616B (zh) * 2017-12-12 2022-07-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法
JP6627926B2 (ja) * 2018-07-23 2020-01-08 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクスの製造方法
JP6830985B2 (ja) * 2019-07-22 2021-02-17 Hoya株式会社 マスクブランクおよび転写用マスク
JP7298556B2 (ja) * 2020-06-30 2023-06-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
KR102581806B1 (ko) 2020-12-30 2023-09-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230090601A (ko) * 2021-12-15 2023-06-22 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크, 블랭크 마스크 성막장치 및 블랭크 마스크의 제조방법
KR102554083B1 (ko) 2022-06-23 2023-07-10 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5714306A (en) * 1990-09-26 1998-02-03 Canon Kabushiki Kaisha Processing method and apparatus
JP4258631B2 (ja) * 2002-12-03 2009-04-30 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP2005010467A (ja) 2003-06-19 2005-01-13 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法及びそれを用いたマスクパターン転写方法
TWI375114B (en) 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
JP4413828B2 (ja) 2004-10-22 2010-02-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4579728B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスク用ブランクの製造方法とフォトマスク用ブランクおよびフォトマスクの製造方法とフォトマスク
JP4989800B2 (ja) * 2008-09-27 2012-08-01 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
US8663876B2 (en) * 2009-02-13 2014-03-04 Hoya Corporation Photomask blank, method of manufacturing the same, photomask, and method of manufacturing the same
US8415212B2 (en) * 2010-03-11 2013-04-09 Freescale Semiconductor, Inc. Method of enhancing photoresist adhesion to rare earth oxides
KR20130132787A (ko) * 2010-09-30 2013-12-05 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 전사용 마스크

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108241250A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 信越化学工业株式会社 光掩模坯及其制备方法
CN108241249A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 信越化学工业株式会社 光掩模坯及其制备方法
CN108241249B (zh) * 2016-12-26 2023-10-31 信越化学工业株式会社 光掩模坯及其制备方法
CN108241250B (zh) * 2016-12-26 2023-11-21 信越化学工业株式会社 光掩模坯及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012043695A1 (ja) 2014-02-24
US9104112B2 (en) 2015-08-11
TW201232163A (en) 2012-08-01
JP5357341B2 (ja) 2013-12-04
WO2012043695A1 (ja) 2012-04-05
JP2013257593A (ja) 2013-12-26
JP5799063B2 (ja) 2015-10-21
KR20130132787A (ko) 2013-12-05
US20130177841A1 (en) 2013-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI522728B (zh) A mask substrate and its manufacturing method and transfer mask
TWI553398B (zh) A mask substrate, a manufacturing method thereof, a transfer mask, and a method of manufacturing the same
TWI684822B (zh) 空白遮罩、相位移轉遮罩及半導體元件之製造方法
TWI689777B (zh) 遮罩基底、相位轉移遮罩及半導體元件之製造方法
US20130071777A1 (en) Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask
JP6271780B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
US8709683B2 (en) Photomask blank, photomask blank manufacturing method, and photomask manufacturing method
CN111742259B (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
JP6302520B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
US20210026235A1 (en) Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6490786B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6505891B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
TWI760471B (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
TWI827878B (zh) 光罩基底、相偏移光罩及半導體裝置之製造方法
CN108319104B (zh) 显示装置制造用相移掩模坯料、显示装置制造用相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法
JP2022023453A (ja) フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及び表示装置の製造方法
CN113242995A (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
JP6720360B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
JP7298556B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees