JPH0785463A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
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- JPH0785463A JPH0785463A JP5233248A JP23324893A JPH0785463A JP H0785463 A JPH0785463 A JP H0785463A JP 5233248 A JP5233248 A JP 5233248A JP 23324893 A JP23324893 A JP 23324893A JP H0785463 A JPH0785463 A JP H0785463A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】グライド・ハイト特性とＣＳＳ耐久性を両立さ
せた高記録密度磁気ディスク。 【構成】表面の凹凸を原子間力顕微鏡または走査型トン
ネル顕微鏡で測定した場合、最大山高さが凹凸の高さ分
布の最頻値を与える高さを基準として、１５０Å以上、
８００Å以下であり、かつ最高地点を基準としたときの
ベアリングレシオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å
以上、４５０Å以下である磁気ディスク。
せた高記録密度磁気ディスク。 【構成】表面の凹凸を原子間力顕微鏡または走査型トン
ネル顕微鏡で測定した場合、最大山高さが凹凸の高さ分
布の最頻値を与える高さを基準として、１５０Å以上、
８００Å以下であり、かつ最高地点を基準としたときの
ベアリングレシオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å
以上、４５０Å以下である磁気ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスクおよび磁
気ディスク基板に関するものである。
気ディスク基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ディスク状の非磁性基板の上に、１層ま
たは多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑
層を順次積層してなる磁気記録媒体（以下メディアと称
する）と、記録再生用磁気ヘッド（以下ヘッドと称す
る）は、ハードディスクドライブ装置の主構成部を成し
ている。操作開始時にはヘッドとメディアは接触状態に
あり、メディアの回転中は空気抵抗によって、ヘッドが
メディア表面から浮上する。操作終了時には、ヘッドは
再びメディアに接触する。この方式を、コンタクト・ス
タート・ストップ（ＣＳＳ）方式と呼んでいる。メディ
アの表面が平滑であると、ヘッドはメディアに吸着して
（この現象をヘッド・スティックと称する）ヘッドクラ
ッシュを生じる原因となったり、ハードディスクドライ
ブ装置の起動を妨げたりする。
たは多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑
層を順次積層してなる磁気記録媒体（以下メディアと称
する）と、記録再生用磁気ヘッド（以下ヘッドと称す
る）は、ハードディスクドライブ装置の主構成部を成し
ている。操作開始時にはヘッドとメディアは接触状態に
あり、メディアの回転中は空気抵抗によって、ヘッドが
メディア表面から浮上する。操作終了時には、ヘッドは
再びメディアに接触する。この方式を、コンタクト・ス
タート・ストップ（ＣＳＳ）方式と呼んでいる。メディ
アの表面が平滑であると、ヘッドはメディアに吸着して
（この現象をヘッド・スティックと称する）ヘッドクラ
ッシュを生じる原因となったり、ハードディスクドライ
ブ装置の起動を妨げたりする。
【０００３】機械的な方法、エッチング法（例えば特開
昭６４−３７７１８号）、デポジット法等、種々の方法
によって、あらかじめメディアの表面に凹凸を形成して
おけば、ヘッドとメディア間の摩擦係数が減じて、ヘッ
ド・スティックの発生を防止できることが知られてい
る。
昭６４−３７７１８号）、デポジット法等、種々の方法
によって、あらかじめメディアの表面に凹凸を形成して
おけば、ヘッドとメディア間の摩擦係数が減じて、ヘッ
ド・スティックの発生を防止できることが知られてい
る。
【０００４】一方、ハードディスクドライブ装置の高密
度化のためには、磁気ヘッドの浮上保証量（グライド・
ハイトと称する）を低減させることが必要である。グラ
イド・ハイトを低減させるためには、磁気ディスク表面
の凹凸の最大粗さや、中心線粗さを、特定の範囲内に制
御することが知られている。しかし、これら従来技術で
は、前記の２つの必要事項を十分に満たすことは困難で
あった。すなわち、ヘッド・スティック等を起こさずＣ
ＳＳ耐久性を満足するものは、グライド・ハイト特性を
満足せず、グライド・ハイト特性を満足するものは、Ｃ
ＳＳ耐久性を満足しない傾向にあった。
度化のためには、磁気ヘッドの浮上保証量（グライド・
ハイトと称する）を低減させることが必要である。グラ
イド・ハイトを低減させるためには、磁気ディスク表面
の凹凸の最大粗さや、中心線粗さを、特定の範囲内に制
御することが知られている。しかし、これら従来技術で
は、前記の２つの必要事項を十分に満たすことは困難で
あった。すなわち、ヘッド・スティック等を起こさずＣ
ＳＳ耐久性を満足するものは、グライド・ハイト特性を
満足せず、グライド・ハイト特性を満足するものは、Ｃ
ＳＳ耐久性を満足しない傾向にあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記グライ
ド・ハイト特性とＣＳＳ耐久性を両立させるという、困
難な課題を解決するために成されたものであり、前記両
特性を両立する磁気ディスクを提供することを目的とす
る。
ド・ハイト特性とＣＳＳ耐久性を両立させるという、困
難な課題を解決するために成されたものであり、前記両
特性を両立する磁気ディスクを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決するために成されたものであり、非磁性ディスク基
板上に１層または多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護
層および潤滑層を順次積層してなる磁気ディスクにおい
て、該磁気ディスクの表面に凹凸を有し、その凹凸を原
子間力顕微鏡または走査型トンネル顕微鏡で測定した場
合、最大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える高
さを基準として、１５０Å以上、８００Å以下であり、
かつ最高地点を基準としたときのベアリングレシオ０．
５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以下で
ある凹凸を有することを特徴とする磁気ディスクを提供
するものである。上記深さ（Ｄ0.5 ）は特に８０Å以
上、３６０Å以下であることが好ましい。
解決するために成されたものであり、非磁性ディスク基
板上に１層または多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護
層および潤滑層を順次積層してなる磁気ディスクにおい
て、該磁気ディスクの表面に凹凸を有し、その凹凸を原
子間力顕微鏡または走査型トンネル顕微鏡で測定した場
合、最大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える高
さを基準として、１５０Å以上、８００Å以下であり、
かつ最高地点を基準としたときのベアリングレシオ０．
５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以下で
ある凹凸を有することを特徴とする磁気ディスクを提供
するものである。上記深さ（Ｄ0.5 ）は特に８０Å以
上、３６０Å以下であることが好ましい。
【０００７】また、本発明は非磁性ディスク基板上に１
層または多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および
潤滑層を順次積層してなる磁気ディスクにおいて、該非
磁性ディスク基板上に凹凸を有し、その凹凸を原子間力
顕微鏡または走査型トンネル顕微鏡で測定した場合、最
大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える高さを基
準として、１５０Å以上、８００Å以下であり、かつ最
高地点を基準としたときのベアリングレシオ０．５％の
深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以下である凹
凸を有することを特徴とする磁気ディスクを提供するも
のである。上記深さ（Ｄ0.5 ）は特に８０Å以上、３６
０Å以下であることが好ましい。
層または多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および
潤滑層を順次積層してなる磁気ディスクにおいて、該非
磁性ディスク基板上に凹凸を有し、その凹凸を原子間力
顕微鏡または走査型トンネル顕微鏡で測定した場合、最
大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える高さを基
準として、１５０Å以上、８００Å以下であり、かつ最
高地点を基準としたときのベアリングレシオ０．５％の
深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以下である凹
凸を有することを特徴とする磁気ディスクを提供するも
のである。上記深さ（Ｄ0.5 ）は特に８０Å以上、３６
０Å以下であることが好ましい。
【０００８】また本発明は、非磁性ディスク基板上に１
層または多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および
潤滑層を順次積層してなる磁気ディスクに用いる非磁性
ディスク基板において、表面に凹凸を有し、その凹凸を
原子間力顕微鏡または走査型トンネル顕微鏡で測定した
場合、最大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える
高さを基準として、１５０Å以上、８００Å以下であ
り、かつ最高地点を基準としたときのベアリングレシオ
０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以
下である凹凸を有することを特徴とする非磁性ディスク
基板を提供するものである。上記深さ（Ｄ0.5 ）は特に
８０Å以上、３６０Å以下であることが好ましい。
層または多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および
潤滑層を順次積層してなる磁気ディスクに用いる非磁性
ディスク基板において、表面に凹凸を有し、その凹凸を
原子間力顕微鏡または走査型トンネル顕微鏡で測定した
場合、最大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える
高さを基準として、１５０Å以上、８００Å以下であ
り、かつ最高地点を基準としたときのベアリングレシオ
０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以
下である凹凸を有することを特徴とする非磁性ディスク
基板を提供するものである。上記深さ（Ｄ0.5 ）は特に
８０Å以上、３６０Å以下であることが好ましい。
【０００９】ここに、磁気ディスク表面の凹凸を、原子
間力顕微鏡（以下にＡＦＭと略す）または走査型トンネ
ル顕微鏡（以下にＳＴＭと略す）で測定する場合の視野
は、５ミクロンメートル平方ないし５０ミクロンメート
ル平方が好ましく、本発明の代表的な磁気ディスクの表
面形状のＡＦＭによる測定例を、図１に示す。なお、Ｓ
ＴＭでは、表面が導電性のもののみ測定が可能であるた
め、非導電性のものを測定する場合は、ＡＦＭを用いる
必要がある。
間力顕微鏡（以下にＡＦＭと略す）または走査型トンネ
ル顕微鏡（以下にＳＴＭと略す）で測定する場合の視野
は、５ミクロンメートル平方ないし５０ミクロンメート
ル平方が好ましく、本発明の代表的な磁気ディスクの表
面形状のＡＦＭによる測定例を、図１に示す。なお、Ｓ
ＴＭでは、表面が導電性のもののみ測定が可能であるた
め、非導電性のものを測定する場合は、ＡＦＭを用いる
必要がある。
【００１０】図１は、表面形状を３次元的に表したもの
であるが、等高面でこの形状を切断した時に現れる面積
が、全測定面積に占める割合（百分率）をベアリングレ
シオと呼ぶ。前述のベアリングレシオを横軸に、その時
の等高面の、最高地点からの垂直距離、すなわち深さを
縦軸にプロットしたものを、ベアリングレシオ・カーブ
と呼ぶ。図１の形状のベアリングレシオ・カーブを、図
２に示す。
であるが、等高面でこの形状を切断した時に現れる面積
が、全測定面積に占める割合（百分率）をベアリングレ
シオと呼ぶ。前述のベアリングレシオを横軸に、その時
の等高面の、最高地点からの垂直距離、すなわち深さを
縦軸にプロットしたものを、ベアリングレシオ・カーブ
と呼ぶ。図１の形状のベアリングレシオ・カーブを、図
２に示す。
【００１１】ベアリングレシオ・カーブを、前述の深さ
で微分したものは、凹凸形状の高さ分布曲線に相当す
る。図２の微分曲線、すなわち図１の凹凸の高さ分布曲
線を図３に示す。図３、すなわち図１の凹凸の高さ分布
曲線において、最頻値（図３ａ点）を与える高さ（また
は深さ）は、図１の凹凸の基底レベルを示すものであ
り、これと凹凸の最高地点までの垂直距離を、『最大山
高さ』と呼ぶこととする。また、ベアリングレシオが
０．５％となるレベルの、最高地点からの深さ（垂直距
離）をＤ0.5 と呼ぶが、これは山の先端形状を表す指標
となり、Ｄ0.5 の大きいもの程、山の先端が鋭利であ
り、小さいもの程、平滑である。
で微分したものは、凹凸形状の高さ分布曲線に相当す
る。図２の微分曲線、すなわち図１の凹凸の高さ分布曲
線を図３に示す。図３、すなわち図１の凹凸の高さ分布
曲線において、最頻値（図３ａ点）を与える高さ（また
は深さ）は、図１の凹凸の基底レベルを示すものであ
り、これと凹凸の最高地点までの垂直距離を、『最大山
高さ』と呼ぶこととする。また、ベアリングレシオが
０．５％となるレベルの、最高地点からの深さ（垂直距
離）をＤ0.5 と呼ぶが、これは山の先端形状を表す指標
となり、Ｄ0.5 の大きいもの程、山の先端が鋭利であ
り、小さいもの程、平滑である。
【００１２】本発明者らは、種々検討を重ねた結果、磁
気ディスク表面の凹凸をＡＦＭまたはＳＴＭで測定した
場合の前記最大山高さと、磁気ヘッドの５００Åにおけ
る浮上保証テスト（以下にグライド・ハイト・テストと
称す）のパス率との間には、図４に示すように密接な関
係があり、前記最大山高さが８００Åを超えると、実質
的に生産可能な歩留まりを維持できなくなることを見い
だした。
気ディスク表面の凹凸をＡＦＭまたはＳＴＭで測定した
場合の前記最大山高さと、磁気ヘッドの５００Åにおけ
る浮上保証テスト（以下にグライド・ハイト・テストと
称す）のパス率との間には、図４に示すように密接な関
係があり、前記最大山高さが８００Åを超えると、実質
的に生産可能な歩留まりを維持できなくなることを見い
だした。
【００１３】また、磁気ディスク表面の凹凸をＡＦＭま
たはＳＴＭで測定した場合の前記Ｄ0.5 と、ＣＳＳテス
ト前後の磁気ディスク表面の静摩擦係数との間には、図
５に示す様に密接な関係があり、前記Ｄ0.5 が８０Å未
満ないし、４５０Åを超えると、２００００回のＣＳＳ
テスト後の静摩擦係数は、使用上支障をきたすほどに増
大する。なお、磁気ディスク表面の凹凸をＡＦＭまたは
ＳＴＭで測定した場合の前記最大山高さが、１５０Å未
満であるような磁気ディスクは、前記グライド・ハイト
・テストのパス率は問題とならないものの、前記Ｄ0.5
が８０Å以上となるようにその凹凸を形成することが実
質的に不可能である。
たはＳＴＭで測定した場合の前記Ｄ0.5 と、ＣＳＳテス
ト前後の磁気ディスク表面の静摩擦係数との間には、図
５に示す様に密接な関係があり、前記Ｄ0.5 が８０Å未
満ないし、４５０Åを超えると、２００００回のＣＳＳ
テスト後の静摩擦係数は、使用上支障をきたすほどに増
大する。なお、磁気ディスク表面の凹凸をＡＦＭまたは
ＳＴＭで測定した場合の前記最大山高さが、１５０Å未
満であるような磁気ディスクは、前記グライド・ハイト
・テストのパス率は問題とならないものの、前記Ｄ0.5
が８０Å以上となるようにその凹凸を形成することが実
質的に不可能である。
【００１４】したがって、磁気ディスクにおいて、その
表面に凹凸を有し、その凹凸をＡＦＭまたはＳＴＭで測
定した場合、最大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を
与える高さを基準として、１５０Å以上、８００Å以下
であり、かつ最高地点を基準としたときのベアリングレ
シオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０
Å以下、好ましくは３６０Å以下である様に表面形状を
特定することにより、前記グライドハイト特性と、ＣＳ
Ｓ耐久性を両立する磁気ディスクを得ることができる。
表面に凹凸を有し、その凹凸をＡＦＭまたはＳＴＭで測
定した場合、最大山高さが、凹凸の高さ分布の最頻値を
与える高さを基準として、１５０Å以上、８００Å以下
であり、かつ最高地点を基準としたときのベアリングレ
シオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０
Å以下、好ましくは３６０Å以下である様に表面形状を
特定することにより、前記グライドハイト特性と、ＣＳ
Ｓ耐久性を両立する磁気ディスクを得ることができる。
【００１５】なお、この凹凸は、磁気ディスクの最表面
において、その形状を維持していればよく、凹凸を形成
する工程が、非磁性基板上、下地膜中、下地膜上、磁性
膜中、磁性膜上、保護膜中、保護膜上など、いずれであ
ってもよいが、形状を長期にわたり維持できることか
ら、非磁性基板上であることがより好ましく、さらに、
硬度、耐衝撃性、表面の平滑性等に優れる理由から、前
記非磁性基板がガラスから成ることがより好ましい。
において、その形状を維持していればよく、凹凸を形成
する工程が、非磁性基板上、下地膜中、下地膜上、磁性
膜中、磁性膜上、保護膜中、保護膜上など、いずれであ
ってもよいが、形状を長期にわたり維持できることか
ら、非磁性基板上であることがより好ましく、さらに、
硬度、耐衝撃性、表面の平滑性等に優れる理由から、前
記非磁性基板がガラスから成ることがより好ましい。
【００１６】
【実施例】前記の表面形状をもつ磁気ディスクは、例え
ば特開昭６４−３７７１８号記載の方法により、作成す
ることができる。すなわち、相対湿度１％〜３０％に調
湿された不活性ガスまたは空気に、弗化水素を０．０１
ｍｏｌ％〜２ｍｏｌ％含有させた混合ガスを、１０℃〜
５０℃の温度範囲に保ったデイスク状ガラス基板に接触
させることにより、前記デイスク状ガラス基板に種々の
形状の凹凸を形成することができる。
ば特開昭６４−３７７１８号記載の方法により、作成す
ることができる。すなわち、相対湿度１％〜３０％に調
湿された不活性ガスまたは空気に、弗化水素を０．０１
ｍｏｌ％〜２ｍｏｌ％含有させた混合ガスを、１０℃〜
５０℃の温度範囲に保ったデイスク状ガラス基板に接触
させることにより、前記デイスク状ガラス基板に種々の
形状の凹凸を形成することができる。
【００１７】前記方法にて、種々の条件を採用すること
により、表１に示す種々の形状の凹凸を、外径９５ｍ
ｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍのデイスク状ガラ
ス基板の表面に形成させた。なお、表１に示す形状は、
米国デジタルインスツルメント社製原子間力顕微鏡ナノ
スコープ２により、１２ミクロンメートル平方の視野に
て測定した値である。
により、表１に示す種々の形状の凹凸を、外径９５ｍ
ｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍのデイスク状ガラ
ス基板の表面に形成させた。なお、表１に示す形状は、
米国デジタルインスツルメント社製原子間力顕微鏡ナノ
スコープ２により、１２ミクロンメートル平方の視野に
て測定した値である。
【００１８】前記凹凸を形成したデイスク状ガラスを、
スパッタ法により下地膜、磁性膜、カーボン保護膜を順
次形成し、更にパーフロロポリエーテルより成る潤滑剤
を３０〜５０Åの厚さに塗布して、磁気ディスクとし
た。なお、これら磁気ディスクの表面を前記原子間力顕
微鏡にて測定したところ、前記デイスク状ガラス基板表
面に形成された凹凸形状とほぼ同一の値を示した。
スパッタ法により下地膜、磁性膜、カーボン保護膜を順
次形成し、更にパーフロロポリエーテルより成る潤滑剤
を３０〜５０Åの厚さに塗布して、磁気ディスクとし
た。なお、これら磁気ディスクの表面を前記原子間力顕
微鏡にて測定したところ、前記デイスク状ガラス基板表
面に形成された凹凸形状とほぼ同一の値を示した。
【００１９】これらの磁気デイスクを浮上保障量５００
Åのグライドハイト・テストにかけたときの、テストの
パス率を、同じく表１および図４に示す。すなわち、請
求項１に規定する最大山高さが、１５０Å以上、８００
Å以下の範囲にある実施例１〜６は、パス率が１００〜
８２％であり、実質的に生産可能な歩留まりであるのに
対し、最大山高さが８２０Åである比較例１は、パス率
がわずか５５％になってしまう。また、これらの磁気デ
イスクを、ナノ・スライダーを持つ薄膜磁気ヘッドに
て、浮上量６２５Å、荷重３．５ｇ重で、２００００回
までのＣＳＳテストを行ったときの、テスト前およびＣ
ＳＳテスト２００００回後の、磁気デイスクとヘッドと
の静摩擦係数を、同じく表１および図５に示す。
Åのグライドハイト・テストにかけたときの、テストの
パス率を、同じく表１および図４に示す。すなわち、請
求項１に規定する最大山高さが、１５０Å以上、８００
Å以下の範囲にある実施例１〜６は、パス率が１００〜
８２％であり、実質的に生産可能な歩留まりであるのに
対し、最大山高さが８２０Åである比較例１は、パス率
がわずか５５％になってしまう。また、これらの磁気デ
イスクを、ナノ・スライダーを持つ薄膜磁気ヘッドに
て、浮上量６２５Å、荷重３．５ｇ重で、２００００回
までのＣＳＳテストを行ったときの、テスト前およびＣ
ＳＳテスト２００００回後の、磁気デイスクとヘッドと
の静摩擦係数を、同じく表１および図５に示す。
【００２０】すなわち、前記Ｄ0.5 の値が、８０Å以
上、４５０Å以下の範囲にある実施例１〜６は、テスト
前の静摩擦係数が０．１９〜０．４０、テスト後の静摩
擦係数が０．４９〜０．７７であり、いずれも実用上支
障のない耐久性を示した。しかるに、前記Ｄ0.5 が７１
Åである比較例２では、テスト前の静摩擦係数が０．４
８で、実施例１〜６のものに比べやや高いとともに、テ
スト後の静摩擦係数が１．１２まで上昇し、前記ヘッド
・ステイックなどを起こす恐れがあり、実用上支障をき
たす。また、Ｄ0.5 が４７０Åである比較例３は、テス
ト前の静摩擦係数こそ０．２０で問題ないものの、テス
ト後の静摩擦係数は１．０６まで上昇し、比較例２と同
様に実用上支障をきたす。
上、４５０Å以下の範囲にある実施例１〜６は、テスト
前の静摩擦係数が０．１９〜０．４０、テスト後の静摩
擦係数が０．４９〜０．７７であり、いずれも実用上支
障のない耐久性を示した。しかるに、前記Ｄ0.5 が７１
Åである比較例２では、テスト前の静摩擦係数が０．４
８で、実施例１〜６のものに比べやや高いとともに、テ
スト後の静摩擦係数が１．１２まで上昇し、前記ヘッド
・ステイックなどを起こす恐れがあり、実用上支障をき
たす。また、Ｄ0.5 が４７０Åである比較例３は、テス
ト前の静摩擦係数こそ０．２０で問題ないものの、テス
ト後の静摩擦係数は１．０６まで上昇し、比較例２と同
様に実用上支障をきたす。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【作用】上述のように、磁気ディスク表面に形成する凹
凸を、ＡＦＭまたはＳＴＭにて測定し、その凹凸の最大
山高さをある範囲に規定することにより、グライドハイ
ト特性を確保し、その凹凸のＤ0.5 をある範囲に規定す
ることにより、ＣＳＳ耐久性を実用上問題のないレベル
に抑えることができる。
凸を、ＡＦＭまたはＳＴＭにて測定し、その凹凸の最大
山高さをある範囲に規定することにより、グライドハイ
ト特性を確保し、その凹凸のＤ0.5 をある範囲に規定す
ることにより、ＣＳＳ耐久性を実用上問題のないレベル
に抑えることができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、非磁性基板上に１層ま
たは多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑
層を順次積層してなる磁気ディスクにおいて、その表面
に凹凸を有し、その凹凸を原子間力顕微鏡または走査型
トンネル顕微鏡で測定した場合、最大山高さが、凹凸の
高さ分布の最頻値を与える高さを基準として、１５０Å
以上、８００Å以下であり、かつ最高地点を基準とした
ときのベアリングレシオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、
８０Å以上、４５０Å以下、好ましくは３６０Å以下で
あるように、磁気ディスクの表面形状を規定するので、
５００Å程度の極低浮上量でも磁気ヘッドの浮上が安定
し、かつ２００００回以上のＣＳＳに耐える磁気ディス
クが得られる。
たは多層の下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑
層を順次積層してなる磁気ディスクにおいて、その表面
に凹凸を有し、その凹凸を原子間力顕微鏡または走査型
トンネル顕微鏡で測定した場合、最大山高さが、凹凸の
高さ分布の最頻値を与える高さを基準として、１５０Å
以上、８００Å以下であり、かつ最高地点を基準とした
ときのベアリングレシオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）が、
８０Å以上、４５０Å以下、好ましくは３６０Å以下で
あるように、磁気ディスクの表面形状を規定するので、
５００Å程度の極低浮上量でも磁気ヘッドの浮上が安定
し、かつ２００００回以上のＣＳＳに耐える磁気ディス
クが得られる。
【図１】実施例１の磁気ディスク表面の凹凸の原子間力
顕微鏡による測定プロファイル。
顕微鏡による測定プロファイル。
【図２】実施例１の磁気ディスク表面の凹凸のベアリン
グレシオ・カーブ。
グレシオ・カーブ。
【図３】実施例１の磁気ディスク表面の凹凸の高さ分布
曲線。
曲線。
【図４】磁気ディスク表面の凹凸の最大山高さと、グラ
イド・ハイト・テスト・パス率との関係を示すグラフ。
イド・ハイト・テスト・パス率との関係を示すグラフ。
【図５】磁気ディスク表面の凹凸のＤ0.5 と、ＣＳＳテ
スト前およびＣＳＳテスト２００００回後の磁気ディス
ク表面の静摩擦係数との関係を示すグラフ。
スト前およびＣＳＳテスト２００００回後の磁気ディス
ク表面の静摩擦係数との関係を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田代 彰彦 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町松原1160番 地 エイ・ジー・テクノロジー株式会社内 (72)発明者 氷見 恭子 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町松原1160番 地 エイ・ジー・テクノロジー株式会社内 (72)発明者 石丸 直彦 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町松原1160番 地 エイ・ジー・テクノロジー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】非磁性ディスク基板上に１層または多層の
下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑層を順次積
層してなる磁気ディスクにおいて、該磁気ディスクの表
面に凹凸を有し、その凹凸を原子間力顕微鏡または走査
型トンネル顕微鏡で測定した場合、最大山高さが、凹凸
の高さ分布の最頻値を与える高さを基準として、１５０
Å以上、８００Å以下であり、かつ最高地点を基準とし
たときのベアリングレシオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）
が、８０Å以上、４５０Å以下である凹凸を有すること
を特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項２】非磁性ディスク基板上に１層または多層の
下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑層を順次積
層してなる磁気ディスクにおいて、該非磁性ディスク基
板上に凹凸を有し、その凹凸を原子間力顕微鏡または走
査型トンネル顕微鏡で測定した場合、最大山高さが、凹
凸の高さ分布の最頻値を与える高さを基準として、１５
０Å以上、８００Å以下であり、かつ最高地点を基準と
したときのベアリングレシオ０．５％の深さ（Ｄ0.5 ）
が、８０Å以上、４５０Å以下である凹凸を有すること
を特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項３】前記非磁性ディスク基板がガラスからなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の磁気ディス
ク。 - 【請求項４】非磁性ディスク基板上に１層または多層の
下地層、連続薄膜磁性層、保護層および潤滑層を順次積
層してなる磁気ディスクに用いる非磁性ディスク基板に
おいて、表面に凹凸を有し、その凹凸を原子間力顕微鏡
または走査型トンネル顕微鏡で測定した場合、最大山高
さが、凹凸の高さ分布の最頻値を与える高さを基準とし
て、１５０Å以上、８００Å以下であり、かつ最高地点
を基準としたときのベアリングレシオ０．５％の深さ
（Ｄ0.5 ）が、８０Å以上、４５０Å以下である凹凸を
有することを特徴とする非磁性ディスク基板。 - 【請求項５】前記非磁性ディスク基板がガラスからなる
ことを特徴とする請求項４記載の非磁性ディスク基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233248A JPH0785463A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 磁気ディスク |
| US08/296,910 US5549954A (en) | 1993-09-20 | 1994-08-31 | Magnetic disc |
| GB9417829A GB2282001B (en) | 1993-09-20 | 1994-09-05 | Magnetic disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233248A JPH0785463A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785463A true JPH0785463A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16952101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233248A Withdrawn JPH0785463A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 磁気ディスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5549954A (ja) |
| JP (1) | JPH0785463A (ja) |
| GB (1) | GB2282001B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013146991A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| WO2015041023A1 (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| WO2015046095A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5949612A (en) * | 1995-03-21 | 1999-09-07 | Censtor Corp. | Low friction sliding hard disk drive system |
| DE19524220A1 (de) | 1994-07-04 | 1996-01-11 | Mitsubishi Chem Corp | Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung, und Aufnahme- und Wiedergabeverfahren |
| US6804085B1 (en) * | 1995-03-21 | 2004-10-12 | Seagate Technology, Llc | Hard drive system interface between a disk surface and a transducer contacting the surface during communication |
| JPH09134515A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-20 | Kao Corp | 磁気記録媒体 |
| US5976714A (en) * | 1995-10-23 | 1999-11-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magnetic recording medium and method of producing the same |
| JPH11195217A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Kao Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| SG84541A1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-11-20 | Hoya Corp | Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same |
| JP5860195B1 (ja) | 2014-03-31 | 2016-02-16 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板 |
| MY168096A (en) | 2015-09-30 | 2018-10-11 | Hoya Corp | Magnetic-disk glass substrate, magnetic-disk glass substrate intermediate, and method for manufacturing magnetic-disk glass substrate |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539389A (en) * | 1983-03-30 | 1985-09-03 | Teijin Limited | Biaxially oriented polyester film |
| DE3789932T2 (de) * | 1986-10-09 | 1995-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | Glassubstrat für eine Magnetplatte und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| EP0277783B1 (en) * | 1987-02-02 | 1994-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| US5202810A (en) * | 1989-04-27 | 1993-04-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk having an improved surface configuration |
| JP2640276B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1997-08-13 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5119258A (en) * | 1990-02-06 | 1992-06-02 | Hmt Technology Corporation | Magnetic disc with low-friction glass substrate |
| JPH05189756A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-07-30 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5233248A patent/JPH0785463A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-08-31 US US08/296,910 patent/US5549954A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-05 GB GB9417829A patent/GB2282001B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10429728B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-10-01 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
| JP5538637B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-07-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| WO2013146991A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US9348217B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-05-24 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
| US10620527B2 (en) | 2012-03-30 | 2020-04-14 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
| US9897909B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-02-20 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method |
| WO2015041023A1 (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP5716146B1 (ja) * | 2013-09-18 | 2015-05-13 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| US9726969B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-08-08 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, method of manufacturing same, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2015046095A1 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| US10209614B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-02-19 | Hoya Corporation | Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method |
| US10527927B2 (en) | 2013-09-27 | 2020-01-07 | Hoya Corporation | Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method |
| US9746762B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-08-29 | Hoya Corporation | Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9417829D0 (en) | 1994-10-26 |
| GB2282001A (en) | 1995-03-22 |
| GB2282001B (en) | 1997-08-27 |
| US5549954A (en) | 1996-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |