JP2019035947A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板上に形成される、特定の波長範囲に対する第１反射防止構造体と、
   前記第１反射防止構造体の一部分の上に堆積される少なくとも１層と、
   前記少なくとも１層上に形成される、前記特定の波長範囲に対する第２反射防止構造体と、を有し、
   前記第１反射防止構造体の第１表面と前記第２反射防止構造体の第２表面との間の深さ、前記第１反射防止構造体の第１の有効屈折率、前記第２反射防止構造体の第２の有効屈折率、および前記少なくとも１つの層の第３の屈折率は、前記特定の波長範囲を含む特定の波長に対して位相遅延を伴う回折光学素子が形成されるよう選択され、
   前記第２の有効屈折率は、前記第３の屈折率と異なり、
   前記第１反射防止構造体は、互いに異なる対応する屈折率を備えた２以上の層を含む、
   光学素子。
2. 前記第１反射防止構造体は、前記基板の第１側に形成され、かつ前記基板の第２側に形成された反射防止被膜をさらに有する、請求項１に記載の光学素子。
3. 前記第１反射防止構造体は、前記第２反射防止構造体のエッチングに対するエッチングストップ層である、請求項１に記載の光学素子。
4. 前記少なくとも１つの層、前記第１反射防止構造体、または前記第２反射防止構造体のうち少なくとも１種が、薄膜堆積を用いて形成される、請求項１に記載の光学素子。
5. 前記第１反射防止構造体は、第１のシリコン層および第１の二酸化ケイ素層を含み、
   前記少なくとも１つの層は、第２のシリコン層を含み、
   前記第２反射防止構造体は、第２の二酸化ケイ素層を含み、かつ
   前記特定の波長範囲は、約８４０ｎｍと約８６０ｎｍとの間である、請求項１に記載の光学素子。
6. 前記第１反射防止構造体、前記第２反射防止構造体および前記少なくとも１つの層は、シリコンおよび二酸化ケイ素の交互層から形成される、請求項１に記載の光学素子。
7. 前記第１反射防止構造体、前記第２反射防止構造体および前記少なくとも１つの層は、水素化シリコンおよび二酸化ケイ素の交互層から形成される、請求項１に記載の光学素子。
8. 前記第１反射防止構造体は、第１の材料の第１の層および第２の材料の第２の層から形成され、
   前記少なくとも１つの層は、前記第１の材料の第３層から形成され、かつ
   前記第２反射防止構造体は、前記第１の層、前記第２の層、前記第３の層、前記第２の材料の第４の層および前記第１の層の第５の層から形成される、請求項１に記載の光学素子。
9. 前記第１反射防止構造体は、前記基板の第１側に形成され、かつ
   前記基板の第２側に形成される、他の特定の波長範囲に対する第３の反射防止構造体と、
   前記第３の反射防止構造体の一部分の上に堆積された他の少なくとも１つの層と、
   前記他の少なくとも１つの層に形成される、前記他の特定の波長範囲に対する第４の反射防止構造体と、をさらに有する、請求項１に記載の光学素子。
10. 前記第１反射防止構造体および前記第２反射防止構造体は、２段階型のレリーフ・プロファイルを形成する、請求項１に記載の光学素子。
11. 前記第１反射防止構造体は、第１のシリコン層および第１の二酸化ケイ素層を含み、
    前記少なくとも１つの層は、第２のシリコン層を含み、
    前記第２反射防止構造体は、第２の二酸化ケイ素層を含み、かつ
    前記特定の波長範囲は、約９３０ｎｍと約９５０ｎｍとの間である、請求項１に記載の光学素子。
12. 前記第１反射防止構造体は、第１のシリコン層および第１の二酸化ケイ素層を含み、
    前記少なくとも１つの層は、第２のシリコン層を含み、
    前記第２反射防止構造体は、第２の二酸化ケイ素層を含み、かつ
    前記特定の波長範囲は、約１５４０ｎｍと約１５６０ｎｍとの間である、請求項１に記載の光学素子。
13. 前記特定の波長範囲は、約８４０ｎｍと約９４０ｎｍとの間である、請求項１に記載の光学素子。
14. 前記深さは、λ／４と３λ／４との間であり、当該λは前記特定の波長範囲を表わす、請求項１に記載の光学素子。
15. 前記光学素子の有効屈折率は、２．０と３．０との間である、請求項１に記載の光学素子。
16. 前記特定の位相遅延は、π位相遅延である、請求項１に記載の光学素子。
17. 前記特定の位相遅延は、非π位相遅延である、請求項１に記載の光学素子。
18. 基板と、
    第１の有効屈折率を有し、かつ第１の２以上の異なる屈折率を備える第１の２以上の層から形成される、前記基板上に堆積された第一組の層と、
    特定の屈折率を有し、前記第一組の層の一部分の上に堆積される少なくとも１つのスペーサー層と、
    第２の有効屈折率を有し、かつ第２の２以上の異なる屈折率を備える第２の２以上の層から形成される、前記少なくとも１つのスペーサー層上に堆積される第二組の層と、を有し、
    前記第一組の層は、特定の波長で第１反射防止構造体を前記基板上に形成し、
    前記第一組の層、前記少なくとも１つのスペーサー層および前記第二組の層は、前記基板上の特定の波長で第２反射防止構造体を一括して前記基板上に形成し、かつ前記特定波長に対する特定の位相遅延を備えた回折光学素子を前記基板上に形成し、
    前記第二組の層の第１表面と前記第一組の層の第２表面との間の深さが前記特定の位相遅延を形成する、光学素子。
19. 前記第１反射防止構造体および前記第２反射防止構造体は、前記基板の第１側上に形成され、前記基板の第２側上に形成される反射防止被膜をさらに含む、請求項１８の光学素子。
20. ウエハ上に複数の層を堆積し、当該堆積によって特定波長に対する第１反射防止構造体を、前記特定波長に対する前記第１反射防止構造体および第２反射防止構造体の一部分の上に形成される少なくとも１つの層の下で形成し、
    前記第２反射防止構造体の有効屈折率は、前記少なくとも１つの層の屈折率とは異なり、
    前記第１反射防止構造体は、互いに異なる対応する屈折率を備える２以上の層を含み、
    前記第２反射防止構造体は、前記少なくとも１つの層の頂点部に形成され、
    前記複数の層のうちの一部の層をエッチングして、２段階型のレリーフ・プロファイルを形成すること、を含む方法であって、
    前記エッチングは、前記第１反射防止構造体と前記第２反射防止構造体との間に前記特定の波長範囲に対して位相遅延の伴った回折光学素子を形成すること、を含む方法。