JP2016186928A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 基材の少なくとも一方の主面上に、Ｃｕ層と波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける消衰係数が１．０以上１．８以下であるＣｕＮＯ黒化層とを順次積層した積層膜を形成する工程と、
前記積層膜上の所定領域にレジスト層を形成する工程と、
前記積層膜をエッチング液に接触させることにより前記積層膜の前記レジスト層で覆われていない領域を除去する工程と、
前記基材およびパターニングされた前記積層膜上に、前記ＣｕＮＯ黒化層と屈折率が異なる誘電体層であるＳｉＯ ２ 層を形成する工程と、を有する、反射率５％以下の電気装置の製造方法。 - 基材と、
該基材の少なくとも一方の主面上にＣｕ層と波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける消衰係数が１．０以上１．８以下であるＣｕＮＯ黒化層とが順次積層され、かつパターニングされた積層膜と、
前記基材およびパターニングされた前記積層膜上に形成され、前記ＣｕＮＯ黒化層と屈折率が異なる誘電体層であるＳｉＯ ２ 層と、を有する、反射率５％以下の電気装置。 - 前記ＣｕＮＯ黒化層と前記ＳｉＯ ２ 層の合計膜厚が１００ｎｍ以下である請求項２の反射率５％以下の電気装置。
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