JP2016186928A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 基材の少なくとも一方の主面上に、Cu層と波長400nm〜700nmにおける消衰係数が1.0以上1.8以下であるCuNO黒化層とを順次積層した積層膜を形成する工程と、
前記積層膜上の所定領域にレジスト層を形成する工程と、
前記積層膜をエッチング液に接触させることにより前記積層膜の前記レジスト層で覆われていない領域を除去する工程と、
前記基材およびパターニングされた前記積層膜上に、前記CuNO黒化層と屈折率が異なる誘電体層であるSiO 2 層を形成する工程と、を有する、反射率5%以下の電気装置の製造方法。 - 基材と、
該基材の少なくとも一方の主面上にCu層と波長400nm〜700nmにおける消衰係数が1.0以上1.8以下であるCuNO黒化層とが順次積層され、かつパターニングされた積層膜と、
前記基材およびパターニングされた前記積層膜上に形成され、前記CuNO黒化層と屈折率が異なる誘電体層であるSiO 2 層と、を有する、反射率5%以下の電気装置。 - 前記CuNO黒化層と前記SiO 2 層の合計膜厚が100nm以下である請求項2の反射率5%以下の電気装置。
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