JP2017037158A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基板と、
   前記基板の一方の面に平面視でストライプ状に設けられた複数の反射層と、
   前記複数の反射層の各々の前記基板と反対側の面に設けられた吸収層と、
   前記吸収層と、前記複数の反射層のうち互いに隣り合う２つの反射層の間と、を覆うように設けられた酸化膜と、を備え、
   前記酸化膜は、前記吸収層に含まれる材料の酸化物を含むことを特徴とする光学素子。
2. 請求項１に記載の光学素子であって、
   前記基板は、前記複数の反射層のうち互いに隣り合う２つの反射層の間に溝部を有し、
   前記酸化膜の一部は、前記溝部の中に位置していることを特徴とする光学素子。
3. 請求項１又は請求項２に記載の光学素子であって、
   前記複数の反射層と前記吸収層との間に設けられた誘電体層を備えることを特徴とする光学素子。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光学素子であって、
   前記複数の反射層は、アルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする光学素子。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光学素子であって、
   前記吸収層は、シリコン、ゲルマニウム、クロムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする光学素子。
6. 請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載の光学素子であって、
   前記誘電体層は、酸化シリコンを含むことを特徴とする光学素子。
7. 基板の一方の面に平面視でストライプ状に複数の反射層を形成する工程と、
   前記基板の一方の面及び前記複数の反射層の各々を覆うように吸収層を形成する工程と、
   前記吸収層のうち、前記複数の反射層の前記基板と反対側の面に形成された部分の一部と、前記複数の反射層の互いに隣り合う２つの反射層の間に形成された部分と、を酸化させて酸化膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
8. 請求項７に記載の光学素子の製造方法であって、
   前記複数の反射層を形成する工程の後に、前記複数の反射層のうち互いに隣り合う２つの反射層の間に溝部を形成する工程を備え、
   前記酸化膜の一部は、前記溝部の中に位置していることを特徴とする光学素子の製造方法。
9. 基板の一方の面に平面視でストライプ状に複数の反射層を形成する工程と、
   前記基板の一方の面及び前記複数の反射層の各々を覆うように吸収層を形成する工程と、
   前記吸収層のうち、前記複数の反射層の互いに隣り合う２つの反射層の間に形成された部分をエッチング処理により除去する工程と、を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
10. 請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法であって、
    前記複数の反射層と前記吸収層との間に誘電体層を形成する工程を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
11. 請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法であって、
    前記複数の反射層は、アルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
12. 請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法であって、
    前記吸収層は、シリコン、ゲルマニウム、クロムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
13. 請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法であって、
    前記誘電体層は、酸化シリコンを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
14. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光学素子を備えることを特徴とする電子機器。