JP2016529708A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 異なる材料のフィンを形成する方法であって、
   上面を有する第１の材料の層、第２の材料の層及び前記第２の材料の層上の第１の酸化物の層を含む基板であって、前記第１の材料の層が前記第１の酸化物の層上に配置される基板を提供するステップと、
   前記基板の第２の部分を露出させながらマスクを形成するために前記基板の第１の部分をマスキングするステップと、
   前記第１の材料の層及び前記第１の酸化物の層を通して前記第２の材料の層まで前記第２の部分において第１の開口部をエッチングするステップと、
   前記第１の開口部内に前記第１の材料の前記層の前記上面のレベルまで材料の第１の主部を形成するステップであって、前記材料の第１の主部が前記第１の材料の層及び前記第１の酸化物の層によって囲われることを特徴とするステップと、
   前記マスクを除去するステップと、
   前記第１の部分に前記第１の材料のフィンを形成し、前記第２の部分に前記材料の第１の主部のフィンを形成するステップと
   を含む、方法。
2. 前記第２の材料はシリコンである、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の材料はＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項１に記載の方法。
4. 前記第２の材料又は前記材料の第１の主部の少なくとも一方はゲルマニウムである、請求項３に記載の方法。
5. 前記第２の材料の層はシリコンであり、前記材料の第１の主部はシリコンゲルマニウムであり、又は、
   前記第２の材料の層は前記第１の主部の材料と異なる材料である、請求項３に記載の方法。
6. 前記基板は、第３の材料の層と、前記第３の材料の前記層上の第２の酸化物層と、前記第２の酸化物層上の前記第２の材料の前記層と、前記第２の材料の前記層上の前記第１の酸化物層とを含み、前記第１の材料の前記層は、前記第１の酸化物層上に配置され、前記第２の部分において第１の開口部をエッチングするステップは、前記第１の材料の前記層と前記第１の酸化物層とを通して前記第２の材料の前記層まで第１の開口部をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記基板の第３の部分において前記第１の材料の前記層、前記第１の酸化物層、前記第２の材料の前記層、および前記第２の酸化物層を通して前記第３の材料の前記層まで第２の開口部をエッチングするステップと、前記第２の開口部内に前記第１の材料の前記層の前記上面のレベルまで前記第３の材料の主部を形成し、前記第３の部分に前記第３の材料のフィンを形成するステップとを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記基板の第１の部分をマスキングするステップは、前記基板の第３の部分を露出させるステップを含み、前記基板の前記第３の部分において前記第１の材料の前記層、前記第１の酸化物層、前記第２の材料の前記層、および前記第２の酸化物層を通して前記第３の材料の前記層まで第２の開口部をエッチングするステップと、前記第２の開口部内に前記第１の材料の前記層の前記上面のレベルまで前記第３の材料の主部を形成し、前記第３の部分に前記第３の材料のフィンを形成するステップとを含む、請求項６に記載の方法。
9. 少なくとも２つの異なる材料から形成されたフィンを有するフィンＦＥＴデバイスであって、
   上面を有する第１の層を有する基板と、
   前記第１の層の上面上の第１の酸化物層であって、上面を有し、前記第１の層の第１の部分を覆い、前記第１の層の第２の部分を覆わない、第１の酸化物層と、
   前記第１の層の前記第２の部分における材料の第１の主部であって、前記第１の酸化物層の前記上面と同じ高さの上面を有し、前記第１の酸化物層が、前記材料の第１の主部の隣にあることを特徴とする、材料の第１の主部と、
   前記第１の酸化物層上で第１の材料から形成されたフィンの第１のセットと、
   前記材料の第１の主部上で第２の材料から形成されたフィンの第２のセットと
   を含む、フィンＦＥＴデバイス。
10. 前記第１の層は前記第２の材料を含む、請求項９に記載のフィンＦＥＴデバイス。
11. 前記基板は、前記第１の材料および前記第２の材料とは異なる第３の材料を含む、請求項９に記載のフィンＦＥＴデバイス。
12. 前記第２の材料はゲルマニウムを含む、請求項１１に記載のフィンＦＥＴデバイス。
13. 前記基板は、第２の層と前記第２の層上の第２の酸化物層とを含み、前記第１の層は、前記第２の酸化物層上に配置され、前記第２の酸化物層、前記第１の層、および前記第１の酸化物層を通して前記第２の層から拡がる材料の第２の主部を含み、前記材料の第２の主部は、前記第１の酸化物層の前記上面と同じ高さの上面を有し、前記材料の第２の主部および前記第２の層は第３の材料から形成され、フィンの第３のセットが材料の前記第２の主部上に前記第３の材料から形成される、請求項１１に記載のフィンＦＥＴデバイス。
14. 前記第２の材料はゲルマニウムを含み、前記第３の材料はシリコンを含む、請求項１３に記載のフィンＦＥＴデバイス。
15. 少なくとも１つの半導体ダイに統合された、請求項９に記載のフィンＦＥＴデバイス。