JP2008227026A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】2枚のウェーハを貼り合わせた半導体基板を用い、回路設計上の制約を抑え、高い移動度を有するチャネル面を備えたn型、p型のFinFETを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】{100}結晶面方位を有する第1および第2の半導体ウェーハとを、互いの<110>方向が一致しないよう回転させて貼り合わせることによって形成された半導体基板を準備するステップと、この半導体基板の表面に、第1の半導体ウェーハと一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、第2の半導体ウェーハと一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成するステップと、第1の半導体領域に、p型のFinFETを形成するステップと、第2の半導体領域にp型のFinFETに対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにn型FinFETを形成するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法に関し、特に、Fin型チャネルトランジスタを有する半導体装置の製造方法に関する。
LSIの高性能化には、その基本構成素子である電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)の性能向上が重要である。これまで、素子性能の向上は素子の微細化により進められてきたが、今後については微細化によることの限界が指摘されている。電界効果トランジスタの性能は、オン動作時の駆動電流の大きさと、オフ時のチャネルリークの小ささで決定される。国際半導体ロードマップ(ITRSロードマップ)によると45nm世代以降においては、大駆動電流、小リーク電流を達成するために複数のブレークスルーが必要とされている。
チャネルリーク電流の低減に関しては、短チャネル効果に対する耐性が高いことから、チャネル領域を完全空乏化したFD(Fully−Depleted)デバイスが次世代の基本素子構造として期待されている。中でも注目されているのは、薄膜SOI(Silicon On Insulator)基板を用いたトランジスタと、Fin型チャネルトランジスタ(以下、FinFETともいう)である。
Fin型チャネルトランジスタは、基板に対して垂直方向に立ち上がった板のようなチャネルを持つ、マルチゲートトランジスタの一種で、そのチャネル領域の形状からFin型チャネルトランジスタと呼ばれる。
Fin型チャネルトランジスタは、基板に対して垂直方向に立ち上がった板のようなチャネルを持つ、マルチゲートトランジスタの一種で、そのチャネル領域の形状からFin型チャネルトランジスタと呼ばれる。
また、大駆動電流達成に関しては、チャネル領域への歪印加や、半導体基板の面方位エンジニアリングが提案されている。ここで、半導体基板の面方位エンジニアリングとは、電子をキャリアとするn型のトランジスタ、正孔をキャリアとするp型のトランジスタそれぞれについて、チャネル面の結晶面方位をキャリア移動度の観点から最適化しようとするアプローチである。現在、LSIを形成する半導体基板材料として最も一般的に用いられるシリコンについては、電子と正孔で高移動度を示す面方位が異なっている。すなわち、電子については(100)面、正孔については(110)面の<110>方向の移動度がもっとも高くなる。
半導体基板の面方位エンジニアリングとして、平面トランジスタについては、異なる結晶面方位を有する半導体ウェーハを貼り合わせた半導体基板を用いる方法が提案されている(例えば、非特許文献1)。
半導体基板の面方位エンジニアリングとして、平面トランジスタについては、異なる結晶面方位を有する半導体ウェーハを貼り合わせた半導体基板を用いる方法が提案されている(例えば、非特許文献1)。
M.Yang et al., IEDM Tech.Dig., pp453−456(2003).
上記のように、短チャネル効果の抑制には、Fin型チャネルトランジスタが大変有望である。そして、Fin型チャネルトランジスタにおいては、面方位エンジニアリングを行う場合、垂直に立ち上がったチャネル領域を切り出す方向によって、チャネル面の面方位を選択することができるという利点がある。
もっとも、従来通り、シリコンの(100)面上にFin型チャネルトランジスタを素子とするLSIを形成する場合、大駆動電流を得ようとすると、その結晶構造上、n型のトランジスタとp型のトランジスタとで、チャネル領域を切り出す方向を45度回転させる必要がある。すなわち、n型のトランジスタのチャネル面を(100)面、p型のトランジスタのチャネル面を(110)面とするには、それぞれのチャネル方向を、平行または垂直となるように配置できない。このため、n型のトランジスタとp型のトランジスタの両方を用いるCMOS(Complementary Metal−Oxide−Semiconductor)回路設計上の大きな制約となっている。そして、この回路設計上の制約ゆえに、LSIの高集積化が妨げられている。
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、2枚のウェーハを貼り合わせた半導体基板を用いることにより、回路設計上の大きな制約を与えることなく、高い移動度を有するチャネル面を備えたn型、p型のFin型チャネルトランジスタを形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の第1の態様の半導体装置の製造方法は、
{100}結晶面方位を有する第1の半導体ウェーハと、{100}結晶面方位を有する第2の半導体ウェーハとを、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが一致しないよう貼り合わせた半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の表面に、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成するステップと、
前記第1の半導体領域にチャネル面が{110}面となるようp型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップと、
前記第2の半導体領域に、前記p型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにn型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップを有することを特徴とする。
{100}結晶面方位を有する第1の半導体ウェーハと、{100}結晶面方位を有する第2の半導体ウェーハとを、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが一致しないよう貼り合わせた半導体基板を準備するステップと、
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前記第1の半導体領域にチャネル面が{110}面となるようp型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップと、
前記第2の半導体領域に、前記p型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにn型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップを有することを特徴とする。
ここで、前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとのいずれか一方または両方が、SixGe1−x(0<x≦1)で形成されていることが望ましい。
ここで、前記半導体基板を準備する工程において、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが45±2度の角度を有するよう貼り合わせたことが望ましい。
ここで、前記半導体基板がSOI基板であることが望ましい。
ここで、前記半導体基板がSOI基板であって、前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタが、SOI構造を有するよう形成することが望ましい。
ここで、前記半導体基板が、前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとを直接接合するよう貼り合わせたことが望ましい。
ここで、前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、ショットキー接合を有するよう形成することが望ましい。
ここで、前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、偏析ショットキー接合を有するよう形成することが望ましい。
そして、前記第1の半導体領域または前記第2の半導体領域に、p型のプレーナ型トランジスタまたはn型のプレーナ型トランジスタを形成するステップを有することが望ましい。
本発明の第2の態様の半導体装置の製造方法は、
{100}結晶面方位を有する第1の半導体ウェーハと、{100}結晶面方位を有する第2の半導体ウェーハとを、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが一致しないよう貼り合わせた半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の表面に、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成するステップと、
前記第2の半導体領域に、チャネル面が{100}面となるようn型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップと、
前記第1の半導体領域に、前記n型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにp型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップを有することを特徴とする。
{100}結晶面方位を有する第1の半導体ウェーハと、{100}結晶面方位を有する第2の半導体ウェーハとを、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが一致しないよう貼り合わせた半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の表面に、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成するステップと、
前記第2の半導体領域に、チャネル面が{100}面となるようn型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップと、
前記第1の半導体領域に、前記n型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにp型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップを有することを特徴とする。
前記第2の態様において、前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとのいずれか一方または両方が、SixGe1−x(0<x≦1)で形成されていることが望ましい。
前記第2の態様において、前記半導体基板がSOI基板であることが望ましい。
前記第2の態様において、、前記半導体基板がSOI基板であって、前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタが、SOI構造を有するよう形成することが望ましい。
前記第2の態様において、、前記半導体基板が、前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとを直接接合するよう貼り合わせたことが望ましい。
前記第2の態様において、、前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、ショットキー接合を有するよう形成することが望ましい。
前記第2の態様において、前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、偏析ショットキー接合を有するよう形成することが望ましい。
そして、前記第2の態様において、前記第1の半導体領域または前記第2の半導体領域に、p型のプレーナ型トランジスタまたはn型のプレーナ型トランジスタを形成するステップを有することが望ましい。
本発明によれば、2枚のウェーハを貼り合わせた半導体基板を用いることにより、回路設計上の大きな制約を与えることなく、高い移動度を有するチャネル面を備えたn型、p型のFin型チャネルトランジスタを形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、実施の形態においては、半導体基板としてシリコンウェーハを用いる場合を例にして説明するが、本発明は必ずしもシリコンウェーハを用いた半導体基板の製造方法に限定されるわけではない。
また、本明細書中においては、(100)面、(110)面と結晶学的に等価な面を代表する表記として、それぞれ、{100}面、{110}面という表記を用いる。そして、〔100〕方向、〔110〕方向と結晶学的に等価な方向を代表する表記として、それぞれ<100>方向、<110>方向という表記を用いる。
また、本明細書中においてチャネル面とは、Fin型チャネルトランジスタのゲート絶縁膜とチャネル領域の界面を意味する。
また、本明細書中においてチャネル方向とは、Fin型チャネルトランジスタにおいて、キャリアである電子または正孔が流れる方向を意味する。
なお、実施の形態においては、半導体基板としてシリコンウェーハを用いる場合を例にして説明するが、本発明は必ずしもシリコンウェーハを用いた半導体基板の製造方法に限定されるわけではない。
また、本明細書中においては、(100)面、(110)面と結晶学的に等価な面を代表する表記として、それぞれ、{100}面、{110}面という表記を用いる。そして、〔100〕方向、〔110〕方向と結晶学的に等価な方向を代表する表記として、それぞれ<100>方向、<110>方向という表記を用いる。
また、本明細書中においてチャネル面とは、Fin型チャネルトランジスタのゲート絶縁膜とチャネル領域の界面を意味する。
また、本明細書中においてチャネル方向とは、Fin型チャネルトランジスタにおいて、キャリアである電子または正孔が流れる方向を意味する。
また、本明細書中、半導体ウェーハが{100}結晶面方位を有するとの表現は、必ずしも、半導体ウェーハの表面が{100}結晶面と完全に一致する場合に限ることなく、半導体ウェーハの表面が{100}結晶面に対して、±2度程度の傾斜角を有する場合も含むものとする。
また、本明細書中、半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する半導体領域等の表現における一致するとは、必ずしも完全に一致する場合に限ることなく±2度程度の角度を有する場合も含むものとする。
そして、本明細書中、Fin型チャネルトランジスタのチャネル面が{110}面となる、あるいは、{100}面となるよう形成するとの表現においても、チャネル面が{110}面や{100}面に対して、±2度程度の傾斜角を有する場合も含むものとする。
このように、±2度程度の角度範囲を含めるのは、半導体装置の製造上、完全に方向や方位を一致させるのは精度上困難であり、かつ、±2度程度の角度範囲においては本発明の作用・効果を十分に得ることが可能であるからである。
また、本明細書中、半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する半導体領域等の表現における一致するとは、必ずしも完全に一致する場合に限ることなく±2度程度の角度を有する場合も含むものとする。
そして、本明細書中、Fin型チャネルトランジスタのチャネル面が{110}面となる、あるいは、{100}面となるよう形成するとの表現においても、チャネル面が{110}面や{100}面に対して、±2度程度の傾斜角を有する場合も含むものとする。
このように、±2度程度の角度範囲を含めるのは、半導体装置の製造上、完全に方向や方位を一致させるのは精度上困難であり、かつ、±2度程度の角度範囲においては本発明の作用・効果を十分に得ることが可能であるからである。
また、表面が(100)結晶面方位を有する半導体ウェーハは、この(100)面に対して垂直な<100>結晶軸方向に対して結晶方位的に4回対称となっている。したがって、本明細書中の角度表記においては、角度表記+n×90度(n=0、1、2、3)が、すべて等価な角度として扱われる。例えば、45度、135度、225度、315度はすべて等価な角度として扱われる。
(第1の実施の形態)
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、まず、表面が(100)結晶面方位を有する第1のシリコンウェーハと、表面が(100)結晶面方位を有する第2のシリコンウェーハとを、第1のシリコンウェーハの<110>方向と、第2のシリコンウェーハの<110>方向とが45±2度の角度を有するよう互いに回転させて貼り合わせることによって形成されたSOI基板を準備する。次に、この半導体基板の表面に、第1のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、第2のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成する。そして、第1の半導体領域に、チャネル面が{110}面となるようp型のFin型チャネルトランジスタ(以下pFinFETともいう)を形成する。さらに、第2の半導体領域に、p型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるように、すなわち、チャネル面が{100}面となるようn型のFin型チャネルトランジスタ(以下、nFinFETともいう)を形成する。
以下、本実施の形態について、図面を参照しつつ、より具体的に説明する。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、まず、表面が(100)結晶面方位を有する第1のシリコンウェーハと、表面が(100)結晶面方位を有する第2のシリコンウェーハとを、第1のシリコンウェーハの<110>方向と、第2のシリコンウェーハの<110>方向とが45±2度の角度を有するよう互いに回転させて貼り合わせることによって形成されたSOI基板を準備する。次に、この半導体基板の表面に、第1のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、第2のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成する。そして、第1の半導体領域に、チャネル面が{110}面となるようp型のFin型チャネルトランジスタ(以下pFinFETともいう)を形成する。さらに、第2の半導体領域に、p型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるように、すなわち、チャネル面が{100}面となるようn型のFin型チャネルトランジスタ(以下、nFinFETともいう)を形成する。
以下、本実施の形態について、図面を参照しつつ、より具体的に説明する。
図2は、本実施の形態におけるSOI基板を準備するステップを説明する図である。図2(a)は、貼りあわせ前の2枚のシリコンウェーハを示す斜視図、図2(b)は貼り合わせによって形成された半導体基板の断面図、図2(c)は、貼り合わせによって形成された半導体基板の上面図である。
まず、本実施の形態におけるSOI基板を準備するステップにおいては、図2(a)に示すように、表面が(100)結晶面方位を有する第1のシリコンウェーハ102の表面を、熱酸化することにより、例えば、50nm程度の厚さのシリコン酸化膜106を形成する。本実施の形態においては、この第1のシリコンウェーハが、最終的に表面に半導体デバイスが形成される、いわゆるボンドウェーハとなる。
次に、同様に、表面が(100)結晶面方位を有する第2のシリコンウェーハ104の表面を、熱酸化することにより、例えば、50nm程度の厚さのシリコン酸化膜106を形成する。本実施の形態においては、この第2のシリコンウェーハ104が、ボンドウェーハの支持基板である、いわゆるベースウェーハとなる。
次に、同様に、表面が(100)結晶面方位を有する第2のシリコンウェーハ104の表面を、熱酸化することにより、例えば、50nm程度の厚さのシリコン酸化膜106を形成する。本実施の形態においては、この第2のシリコンウェーハ104が、ボンドウェーハの支持基板である、いわゆるベースウェーハとなる。
次に、やはり図2(a)に示すように、第1のシリコンウェーハ102のシリコン酸化膜106面と、第2のシリコンウェーハ104のシリコン酸化膜106面とを対向させて密着させ、例えば、常温の清浄な雰囲気下で貼り合わせる。
この時、第1のシリコンウェーハの<110>方向と、第2のシリコンウェーハの<110>方向とが45±2度の角度を有するよう互いに回転させて貼り合わせることが、本実施の形態の半導体装置の製造方法の最大の特徴である。
なお、±2度程度の角度範囲を含めるのは、ウェーハの貼り合わせにおいて、完全に方向や方位を一致させるのは精度上困難であり、かつ、±2度程度の角度範囲においては本発明の作用・効果を十分に得ることが可能であるからである。
この時、第1のシリコンウェーハの<110>方向と、第2のシリコンウェーハの<110>方向とが45±2度の角度を有するよう互いに回転させて貼り合わせることが、本実施の形態の半導体装置の製造方法の最大の特徴である。
なお、±2度程度の角度範囲を含めるのは、ウェーハの貼り合わせにおいて、完全に方向や方位を一致させるのは精度上困難であり、かつ、±2度程度の角度範囲においては本発明の作用・効果を十分に得ることが可能であるからである。
次に、貼り合わされたSOI基板110に対して、貼り合わせ界面の接合強度増加のため、例えば、800℃程度の温度で接合熱処理を行う。その後、第1のシリコンウェーハ(本実施の形態においてはSOI層)102を化学的機械研磨(CMP)により、所望の厚さ、例えば、200nm程度の厚さに薄膜化する。
なお、第1のシリコンウェーハ102の薄膜化に関しては、例えば、シリコンウェーハ貼り合わせの前に、ボンドウェーハとなる第1のシリコンウェーハ102に水素イオン等を注入し、貼り合わせの後の熱処理によって割断する、公知のスマートカット法等の方法を適用することも可能である。
なお、第1のシリコンウェーハ102の薄膜化に関しては、例えば、シリコンウェーハ貼り合わせの前に、ボンドウェーハとなる第1のシリコンウェーハ102に水素イオン等を注入し、貼り合わせの後の熱処理によって割断する、公知のスマートカット法等の方法を適用することも可能である。
図2(c)に、本実施の形態のSOI基板の上面図を示す。図は、ボンドウェーハとなる第1のシリコンウェーハ102側から見た図である。実線矢印で示される第1のシリコンウェーハ102の<110>方向が、破線矢印で示される第2のシリコンウェーハの<110>方向に対して、45±2度の角度を有している。
図2(b)は、貼り合わせによって準備されるSOI基板110の、第1のシリコンウェーハ102の<110>方向に垂直な断面図である。この断面において、ベースウェーハとなる第2のシリコンウェーハ104の断面は、<100>方向に対して垂直となる。
ここで、本実施の形態のSOI基板110の埋め込み酸化膜であるBOX(Buried OXide)層108の厚さは、100nm程度である。
ここで、本実施の形態のSOI基板110の埋め込み酸化膜であるBOX(Buried OXide)層108の厚さは、100nm程度である。
次に、以上のようにして準備したSOI基板に、pFinFET、および、nFinFETを形成する方法について図3〜5、図1を参照しつつ説明する。なお、図3〜5、図1については、紙面に垂直な方向が、第1のシリコンウェーハ(ボンドウェーハ、SOI層)102については<110>方向、第2のシリコンウェーハ(ベースウェーハ)104については<100>方向となるような断面を図示するものとする。
まず、図3に示すようにSOI基板表面に、例えば、熱酸化により100nm程度の厚さのシリコン酸化膜112を形成する。次に、ホトレジスト114を、例えば、1μm程度シリコン酸化膜112上に塗布する。そして、公知のリソグラフィー技術により、後に、pFinFETが形成される領域にホトレジスト114が残るようにパターニングする。
次に、図4に示すように、後に、nFinFETが形成される領域について、例えば、RIE(Reactive Ion Etching:反応性イオンエッチング)により、第1のシリコンウェーハ102のシリコン層とBOX層108をエッチングする。このエッチングにより、第2のシリコンウェーハ104のシリコン面が露出する。
その後、図5に示すように、ホトレジスト114を剥離後、例えば、LP−CVD(Low Pressure−Chemical Vapor Deposition)法により、600℃程度の処理温度で、シリコンを選択成長させる。この選択成長により、露出した第2のシリコンウェーハ104のシリコン面上に、第2のシリコンウェーハと同一の結晶方向を有するシリコン層が形成される。そして、選択成長用保護酸化膜となっていたシリコン酸化膜112を除去する。その後、SOI基板表面を、化学的機械研磨(CMP)により平坦化する。
以上のようにして、SOI基板表面に、第1のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域120と、第2のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域130とが形成される。
以上のようにして、SOI基板表面に、第1のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域120と、第2のシリコンウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域130とが形成される。
次に、図1に示すように、第1の半導体領域120と第2の半導体領域130の境界に、公知の素子分離技術、例えば、STI(Shallow Trench Isolation)法により、素子分離領域180を形成する。
次に、第1の半導体領域102に、チャネル面154が{110}面となるようにpFinFET150を形成する。この時、pFinFET150のチャネル領域152は、BOX層108上に形成されている。このため、pFinFET150は、SOI構造を有することになる。
また、第2の半導体領域130には、pFinFET150のチャネル方向に対して、チャネル方向が平行または垂直となるように、nFinFET160を形成する。これによって、nFinFET160のチャンネル面164は、{100}面を有することになる。図1には、nFinFET160のチャネル方向が、pFinFET150のチャネル方向に対して平行となる場合を図示している。
なお、本実施の形態においては、nFinFET160のチャネル領域162はバルクシリコン上に形成された構造を有している。
次に、第1の半導体領域102に、チャネル面154が{110}面となるようにpFinFET150を形成する。この時、pFinFET150のチャネル領域152は、BOX層108上に形成されている。このため、pFinFET150は、SOI構造を有することになる。
また、第2の半導体領域130には、pFinFET150のチャネル方向に対して、チャネル方向が平行または垂直となるように、nFinFET160を形成する。これによって、nFinFET160のチャンネル面164は、{100}面を有することになる。図1には、nFinFET160のチャネル方向が、pFinFET150のチャネル方向に対して平行となる場合を図示している。
なお、本実施の形態においては、nFinFET160のチャネル領域162はバルクシリコン上に形成された構造を有している。
次に、Fin型チャネルトランジスタの形成方法の一例について、図6〜図21を参照しつつ説明する。なお、以下には本実施の形態におけるpFinFETの形成方法について記載する。したがって、図6〜21は、本実施の形態における第1の半導体領域120の一部を示す図面である。
なお、nFinFETの形成方法については、素子領域の下にBOX層108がないこと、ソース・ドレイン領域を形成する不純物の種類が異なりうること以外は、同一のプロセスで形成可能であるため記載を省略する。
なお、nFinFETの形成方法については、素子領域の下にBOX層108がないこと、ソース・ドレイン領域を形成する不純物の種類が異なりうること以外は、同一のプロセスで形成可能であるため記載を省略する。
まず、図6の平面図、図6のA−A方向の断面図である図7および図6のB−B方向の断面図である図8に示すように、シリコン100上のBOX層108上のSOI層上に、チャネルの保護膜として、50〜100nm程度の窒化シリコン膜210を、LPCVD法などを用いて堆積する。その後、公知の素子分離技術を用いて素子分離領域(図示せず)を形成する。
その後、リソグラフィー技術およびRIE等のエッチング技術により窒化シリコン膜210とSOI層をエッチングし、FinFETの素子領域となるFin201を形成する。Finの幅(水平方向の厚さ)は、例えば、10nmとする。この後、閾値調整のための不純物等のチャネル領域への導入を、例えば、斜めイオンインプランテーション技術等を用いて行うことも可能である。
その後、リソグラフィー技術およびRIE等のエッチング技術により窒化シリコン膜210とSOI層をエッチングし、FinFETの素子領域となるFin201を形成する。Finの幅(水平方向の厚さ)は、例えば、10nmとする。この後、閾値調整のための不純物等のチャネル領域への導入を、例えば、斜めイオンインプランテーション技術等を用いて行うことも可能である。
次に、図9の平面図、図9のC−C方向の断面図である図10および図9のD−D方向の断面図である図11に示すように、Fin201のチャネル面に1nm程度のシリコン酸化膜を、例えば、RTO(Rapid Thermal Oxidation)等により形成する。その後、このシリコン酸化膜を、例えば、プラズマ窒化してゲート絶縁膜222を形成する。この時、プラズマ窒化によりゲート絶縁膜の誘電率が高くなる。
なお、このゲート絶縁膜222は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法や、ALD(Atomic Layer Deposition)法による高誘電体膜であっても構わない。
なお、このゲート絶縁膜222は、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法や、ALD(Atomic Layer Deposition)法による高誘電体膜であっても構わない。
さらに、ゲート絶縁膜222上に、例えば、LPCVD法によりポリシリコン膜を100nm程度堆積する。さらにその上に窒化シリコン膜からなるハードマスク層(図示せず)を堆積する。その後、リソグラフィー技術およびRIE等のエッチング技術により、ハードマスク層をパターニングする。そして、そのハードマスク層をマスクとして、ポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極122を形成する。
この後、オフセットスペーサを形成する工程を付加することも可能である。
この後、オフセットスペーサを形成する工程を付加することも可能である。
次に、図12の平面図、図12のE−E方向の断面図である図13および図12のF−F方向の断面図である図14に示すように、窒化シリコン膜124を、LPCVD法により、例えば、100nm程度堆積する。
次に、図15の平面図、図15のG−G方向の断面図である図16および図15のH−H方向の断面図である図17に示すように、リソグラフィーおよび異方性エッチング、例えば、RIEにより窒化シリコン膜124を加工する。これによって、ゲート側壁126が形成される。
次に、図18の平面図、図18のI−I方向の断面図である図19、図18のJ−J方向の断面図である図20および図18のK−K方向の断面図である図21に示すように、
ボロン(B)を、例えば、1KeVで1×1014cm−2程度イオン注入してエクステンション拡散層212を形成する。さらに、ヒ素(As)を、例えば、30KeVで、1×1015cm−2程度イオン注入してディープ拡散層214を形成する。これら、一対の不純物領域間のFin201が、本実施の形態のpFinFETのチャネル領域152となる。
なお、各イオン注入工程後には、適宜、活性化アニールが行われる。
また、短チャネル効果を抑制するために、ハロー領域を設けることも可能である。
ボロン(B)を、例えば、1KeVで1×1014cm−2程度イオン注入してエクステンション拡散層212を形成する。さらに、ヒ素(As)を、例えば、30KeVで、1×1015cm−2程度イオン注入してディープ拡散層214を形成する。これら、一対の不純物領域間のFin201が、本実施の形態のpFinFETのチャネル領域152となる。
なお、各イオン注入工程後には、適宜、活性化アニールが行われる。
また、短チャネル効果を抑制するために、ハロー領域を設けることも可能である。
さらに、ニッケル(Ni)などの高融点金属をスパッタし、熱処理することにより、セルフアラインによるソース・ドレインシリサイド層224を形成する。同時に、ゲート電極122上にゲートシリサイド層220を形成する。
この時、ソース・ドレイン領域のディープ拡散層214をすべてシリサイド化しても構わない。すべて、シリサイド化することによって、FinFETの寄生抵抗を低減し、より高性能化することが可能となる。
また、ゲート電極122のポリシリコン層をすべてシリサイド化することによって、いわゆるFUSI(FUlly SIilicided)構造としても構わない。FUSI構造にすることによって、ゲート空乏化が抑制されると共に、ゲートの配線抵抗による遅延も抑制され、FinFETを用いた半導体デバイスを高性能化することが可能となる。
この時、ソース・ドレイン領域のディープ拡散層214をすべてシリサイド化しても構わない。すべて、シリサイド化することによって、FinFETの寄生抵抗を低減し、より高性能化することが可能となる。
また、ゲート電極122のポリシリコン層をすべてシリサイド化することによって、いわゆるFUSI(FUlly SIilicided)構造としても構わない。FUSI構造にすることによって、ゲート空乏化が抑制されると共に、ゲートの配線抵抗による遅延も抑制され、FinFETを用いた半導体デバイスを高性能化することが可能となる。
以上の、本実施の形態によって、半導体基板上にpFinFETとnFinFETのチャネル方向が、互いに平行または垂直に配置された半導体装置が形成される。そして、この半導体装置に形成されたpFinFETのチャネル面は{110}面方位を有し、そのチャネル方向は<110>方向を有する。したがって、シリコン上に形成されるpFinFETとして、もっとも、正孔移動度の高いチャネル面を有することになる。また、この半導体装置に形成されたnFinFETのチャネル面は{100}面方位を有する。したがって、シリコン上に形成されるnFinFETとして、もっとも、電子移動度の高いチャネル面を有することになる。
このように、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、回路設計上の大きな制約を与えることなく、高い移動度を有するチャネル面を備えたn型、p型のFin型チャネルトランジスタを形成することを可能とするという作用・効果を有する。
したがって、本実施の形態の製造方法によれば、大駆動電流、小チャネルリーク電流、高集積度を有するCMOS半導体デバイスを製造することが可能となる。
したがって、本実施の形態の製造方法によれば、大駆動電流、小チャネルリーク電流、高集積度を有するCMOS半導体デバイスを製造することが可能となる。
なお、本実施の形態においては、第1の半導体ウェーハと第2の半導体ウェーハが共に、シリコンによって形成されている場合について記載したが、いずれか一方または両方の半導体ウェーハをSixGe1−x(0<x<1)で形成しても、同様の作用・効果を得ることが可能である。
(第2の実施の形態)
図22は、本発明の第2の実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、図22に示すようにpFinFET150がバルクシリコン上、nFiNFET160がSOI基板に形成される以外は、第1の実施の形態と同様であるので、記述を省略する。
図22は、本発明の第2の実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、図22に示すようにpFinFET150がバルクシリコン上、nFiNFET160がSOI基板に形成される以外は、第1の実施の形態と同様であるので、記述を省略する。
具体的には、本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、選択成長によって形成された半導体領域を第1の半導体領域120として、この領域にpFiNFET150を形成する。そして、BOX層108上のSOI層を第2の半導体領域130として、この領域にnFinFET160を形成する。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。また、第1の実施の形態と異なり、nFinFET160がSOI構造を有している。本実施の形態によれば、nFinFETをSOI構造とすることにより、nFinFETの短チャネル効果耐性が向上する。したがって、デバイス・回路設計上、pFinFETより、も、nFinFETにより高い短チャネル効果耐性が要求される場合には、本実施の形態が有用である。
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態の半導体装置の製造方法は、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを45度ではなく、15度回転させて貼り合わせたSOI基板を準備する点、および、nFinFETのチャネル面が{100}面方位を有しないよう形成される以外は、第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第3の実施の形態の半導体装置の製造方法は、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを45度ではなく、15度回転させて貼り合わせたSOI基板を準備する点、および、nFinFETのチャネル面が{100}面方位を有しないよう形成される以外は、第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
図23は、本実施の形態において、SOI基板を準備するステップを説明する図である。図23(a)は、貼りあわせ前の2枚のシリコンウェーハを示す斜視図、図23(b)は貼り合わせによって形成された半導体基板の断面図、図23(c)は、貼り合わせによって形成された半導体基板の上面図である。
図23(a)および図23(c)に示すように、第1のシリコンウェーハ102と第2のシリコンウェーハ104を、15度回転させて貼り合わせることにより、SOI基板110を形成する。
そして、pFinFETを形成するステップにおいて、pFinFETのチャネル面が{110}面となるよう形成する。
図23(a)および図23(c)に示すように、第1のシリコンウェーハ102と第2のシリコンウェーハ104を、15度回転させて貼り合わせることにより、SOI基板110を形成する。
そして、pFinFETを形成するステップにおいて、pFinFETのチャネル面が{110}面となるよう形成する。
図23(b)は、SOI基板110の、第1のシリコンウェーハ102の<110>方向に垂直な断面図である。この断面において、ベースウェーハとなる第2のシリコンウェーハ104の断面は、<100>方向に対して垂直とならない点が第1の実施の形態と異なっている。
図24は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。図に示すように、pFinFET150のチャネル方向は<110>方向となる。したがって、pFinFET150のチャネル面154は{110}面方位を有する。これに対し、nFinFET160については、チャネル方向が<100>とはならない。したがって、nFinFET160のチャネル面は{100}面方位に対し、30度傾斜を有する結晶面となる。
本実施の形態によれば、第1の実施の形態同様、pFinFETは、シリコンにおいて正孔の移動度がもっとも高い、{110}面方位のチャネル面と<110>のチャネル方向を有している。また、pFinFETと、nFinFETが互いに平行または垂直となるように配置されている。したがって、高性能なpFinFETと高いLSIの集積度を得られる点については第1の実施の形態と同様である。
もっとも、nFinFETに関しては、シリコンにおいて電子の移動度がもっとも高い{100}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面を有している。したがって、nFinFETの性能は、第1の実施の形態よりは劣ることになる。
もっとも、nFinFETに関しては、シリコンにおいて電子の移動度がもっとも高い{100}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面を有している。したがって、nFinFETの性能は、第1の実施の形態よりは劣ることになる。
しかしながら、従来技術のように、表面が(100)面方位を有する半導体ウェーハ上に、チャネル面が{110}面を有するpFinFETを形成し、このpFinFETに対し、nFinFETを平行または平行に配置した場合、nFinFETのチャネル面は、{110}面方位を有することになる。
本実施の形態の場合、nFinFETのチャネル面は、{100}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面である。しかしながら、この面上での電子移動度は、{100}面に対して、45度傾斜のある{110}面上での電子移動度よりは大きくなる。
よって、本実施の形態によれば、第1の実施の形態の場合に比べれば、デバイス性能は劣るが、従来技術に比較すれば、高い集積度を維持したまま、高いデバイス性能を有する半導体デバイスを製造できるという作用・効果が得られる。
本実施の形態の場合、nFinFETのチャネル面は、{100}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面である。しかしながら、この面上での電子移動度は、{100}面に対して、45度傾斜のある{110}面上での電子移動度よりは大きくなる。
よって、本実施の形態によれば、第1の実施の形態の場合に比べれば、デバイス性能は劣るが、従来技術に比較すれば、高い集積度を維持したまま、高いデバイス性能を有する半導体デバイスを製造できるという作用・効果が得られる。
なお、ここでは、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを、15度回転させて貼り合わせたSOI基板とした。しかしながら、必ずしも回転角が15度でなくとも、0度以外の角度であれば、本実施の形態の作用・効果を得ることが可能である。
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態の半導体装置の製造方法は、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを45度ではなく、15度回転させて貼り合わせたSOI基板を準備する点、および、pFinFETのチャネル面が{110}面方位を有しないよう形成される以外は、第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第4の実施の形態の半導体装置の製造方法は、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを45度ではなく、15度回転させて貼り合わせたSOI基板を準備する点、および、pFinFETのチャネル面が{110}面方位を有しないよう形成される以外は、第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
図25は、本実施の形態において、SOI基板を準備するステップを説明する図である。図25(a)は、貼りあわせ前の2枚のシリコンウェーハを示す斜視図、図25(b)は貼り合わせによって形成された半導体基板の断面図、図25(c)は、貼り合わせによって形成された半導体基板の上面図である。
図25(a)および図25(c)に示すように、第1のシリコンウェーハ102と第2のシリコンウェーハ104を、15度回転させて貼り合わせることにより、SOI基板110を形成する。
そして、nFinFETを形成するステップにおいて、nFinFETのチャネル面が{100}面となるよう形成する。
図25(a)および図25(c)に示すように、第1のシリコンウェーハ102と第2のシリコンウェーハ104を、15度回転させて貼り合わせることにより、SOI基板110を形成する。
そして、nFinFETを形成するステップにおいて、nFinFETのチャネル面が{100}面となるよう形成する。
図25(b)は、SOI基板110の、第2のシリコンウェーハ104の<100>方向に垂直な断面図である。この断面において、ボンドウェーハとなる第1のシリコンウェーハ102の断面は、<110>方向に対して垂直とならない点が第1の実施の形態と異なっている。
図26は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。図に示すように、nFinFET160のチャネル方向は<100>方向となる。したがって、nFinFET160のチャネル面164は{100}面方位を有する。これに対し、pFinFET150については、チャネル方向が<110>とはならない。したがって、pFinFET150のチャネル面は{110}面方位に対し、30度傾斜を有する結晶面となる。
本実施の形態によれば、第1の実施の形態同様、nFinFETは、シリコンにおいて電子の移動度がもっとも高い{100}面方位のチャネル面を有している。また、pFinFETと、nFinFETが互いに平行または垂直となるように配置されている。したがって、高性能なnFinFETと高い集積度を得られる点については第1の実施の形態と同様である。
もっとも、pFinFETに関しては、シリコンにおいて正孔の移動度がもっとも高い{110}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面を有している。したがって、pFinFETの性能は、第1の実施の形態よりは劣ることになる。
もっとも、pFinFETに関しては、シリコンにおいて正孔の移動度がもっとも高い{110}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面を有している。したがって、pFinFETの性能は、第1の実施の形態よりは劣ることになる。
しかしながら、従来技術のように、(100)面方位を有する半導体ウェーハ上に、チャネル面が{100}面を有するnFinFETを形成し、このnFinFETに対し、pFinFETを平行または平行に配置した場合、pFinFETのチャネル面は、{100}面方位を有することになる。
本実施の形態の場合、pFinFETのチャネル面は、{110}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面である。しかしながら、この面上での正孔移動度は、{110}面に対して、45度傾斜のある{100}面上での正孔移動度よりは大きくなる。
よって、本実施の形態によれば、第1の実施の形態の場合に比べれば、デバイス性能は劣るが、従来技術に比較すれば、高い集積度を維持したまま、高いデバイス性能を有する半導体デバイスを製造できるという作用・効果が得られる。
本実施の形態の場合、pFinFETのチャネル面は、{110}面に対して、30度傾斜のあるチャネル面である。しかしながら、この面上での正孔移動度は、{110}面に対して、45度傾斜のある{100}面上での正孔移動度よりは大きくなる。
よって、本実施の形態によれば、第1の実施の形態の場合に比べれば、デバイス性能は劣るが、従来技術に比較すれば、高い集積度を維持したまま、高いデバイス性能を有する半導体デバイスを製造できるという作用・効果が得られる。
なお、ここでは、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを、15度回転させて貼り合わせたSOI基板とした。しかしながら、必ずしも回転角が15度でなくとも、0度以外の角度であれば、本実施の形態の作用・効果を得ることが可能である点については第3の実施の形態同様である。
(第5の実施の形態)
本発明の第5の実施の形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板がSOI基板ではなく、2枚のシリコンウェーハが、直接接合するよう貼り合わせることによって形成されているDSB(Direct Silicon Bonding)基板であること以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
なお、ここで直接接合とは、2枚のウェーハの接合界面に厚いシリコン酸化膜がない状態、すなわち、連続したシリコン酸化膜層が形成されていない状態をいう。
本発明の第5の実施の形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板がSOI基板ではなく、2枚のシリコンウェーハが、直接接合するよう貼り合わせることによって形成されているDSB(Direct Silicon Bonding)基板であること以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
なお、ここで直接接合とは、2枚のウェーハの接合界面に厚いシリコン酸化膜がない状態、すなわち、連続したシリコン酸化膜層が形成されていない状態をいう。
図27は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。図に示すように、シリコン酸化膜のない界面136で結晶方位の異なるシリコンが接合している。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハを貼り合わせる際に、接合界面のシリコン酸化膜の厚さが5nm以下と薄くなるように設定する。そして、ボンドウェーハの研磨等による薄膜化後に、例えば、水素雰囲気中、1250℃、1時間程度の熱処理をすることにより、界面の酸素を外方拡散させて、界面の酸化膜を除去することによりDSB基板を準備する。
その後のFinFETの形成方法は、第1の実施の形態と同様である。
その後のFinFETの形成方法は、第1の実施の形態と同様である。
なお、本実施の形態において、半導体基板表面上に異なる結晶方位を有する半導体領域を形成する方法として、選択成長ではなく、シリコン等のイオン注入によって、上層のシリコン単結晶層を下層との接合界面までアモルファス化し、アニールで下層の結晶方位情報をもとに再結晶化することによって、シリコンウェーハ表面に相異なる結晶面方位を有する領域を作成する方法(ATR法:Amorphization/Templated Recrystalization法)を用いることも可能である。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。また、加えて、nFinFET、pFinFETが共に、バルクシリコン上に形成されるため、SOI構造に特化した回路設計が不要となる。よって、回路設計の自由度が拡大し、高性能低コストの半導体デバイスが製造可能となるという作用・効果が得られる。
(第6の実施の形態)
本発明の第6の実施の形態の半導体装置の製造方法は、SOI層の厚さよりも、pFinFETのFin高さが低くなっていること以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第6の実施の形態の半導体装置の製造方法は、SOI層の厚さよりも、pFinFETのFin高さが低くなっていること以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
図28は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。図に示すように、pFinFET150のFinの高さがSOI層よりも低くなっており、pFinFET150がバルクシリコン上に形成される場合と同等の構造となっている。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、SOI基板形成の際に、ボンドウェーハとなる第1のシリコンウェーハの研磨量を低減し、SOI層の厚さを、デバイス設計上のFin高さよりも厚くするようSOI基板を準備する。
あるいは、pFinFETを形成するステップにおいて、Fin高さを、SOI層の厚さよりも薄くするよう形成する。
あるいは、pFinFETを形成するステップにおいて、Fin高さを、SOI層の厚さよりも薄くするよう形成する。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。また、加えて、nFinFET、pFinFETが共に、バルクシリコン上に形成される場合と同様の構造となるため、第5の実施の形態同様、SOI構造に特化した回路設計が不要となる。よって、回路設計の自由度が拡大し、高性能低コストの半導体デバイスが製造可能となるという作用・効果が得られる。
(第7の実施の形態)
本発明の第7の実施の形態の半導体装置の製造方法は、pFinFETおよびnFinFETが共にSOI構造を有するように形成する以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第7の実施の形態の半導体装置の製造方法は、pFinFETおよびnFinFETが共にSOI構造を有するように形成する以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
図29は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置の断面図である。図に示すように、pFinFET150およびnFinFET160が共に、SOI構造を有していることが本実施の形態の最大の特徴である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、まず、SOI基板形成の際に、第1のシリコンウェーハと第2のシリコンウェーハの貼り合わせに先立ち、第2のシリコンウェーハと第3のシリコンウェーハを、BOX層109を介して貼り合わせる。そして、第2のシリコンウェーハのシリコン層をCMP等により薄膜化する。
その後、第1の実施の形態同様、第1のシリコンウェーハを貼り合わせることによって、図29に示すように、2つのBOX層108、109を有するSOI基板を形成する。
その後、第1の実施の形態同様、第1のシリコンウェーハを貼り合わせることによって、図29に示すように、2つのBOX層108、109を有するSOI基板を形成する。
次に、選択成長により第2の半導体領域130を形成するステップにおいては、BOX層108までエッチングし、BOX層108とBOX層109の間のシリコン層(第2のシリコンウェーハに相当)の結晶情報に基づきシリコンを選択成長させる。
なお、BOX層108とBOX層109の間のシリコン層の厚さは、10nm程度あれば選択成長を実施する上で十分である。
なお、BOX層108とBOX層109の間のシリコン層の厚さは、10nm程度あれば選択成長を実施する上で十分である。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。加えて、nFinFET、pFinFETが共に、SOI構造に形成されるため、nFinFET、pFinFETともに短チャネル効果耐性が高くなる。したがって、チャネルリーク電流が一層抑制され、特性がさらに向上した半導体デバイスの製造が可能となるという作用・効果が得られる。さらに、pFinFETのみが、SOI構造である場合に比べて、設計上CMOS回路の対称性があがるため、回路設計が容易になり高性能低コストの半導体デバイスが製造可能となるという作用・効果も得られる。
(第8の実施の形態)
本発明の第8の実施の形態の半導体装置の製造方法は、pFinFETおよびnFinFETを形成するステップにおいて、ソース領域およびドレイン領域が、ショットキー接合を有するよう形成されている以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第8の実施の形態の半導体装置の製造方法は、pFinFETおよびnFinFETを形成するステップにおいて、ソース領域およびドレイン領域が、ショットキー接合を有するよう形成されている以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
図30は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置のpFinFETの断面図である。図30は、第1の実施の形態における、図19に相当する断面図である。図30に示すように、ソース領域およびドレイン領域がすべて、金属または金属シリサイド、例えば、図のようにニッケルシリサイド(NiSi)222で形成されている。このため、ニッケルシリサイド222とチャネル領域152は、金属−半導体接合、すなわち、ショットキー接合を有している点が、本実施の形態の最大の特徴である。
なお、nFinFETのソース領域およびドレイン領域についても、同様のショットキー接合を有している。
なお、nFinFETのソース領域およびドレイン領域についても、同様のショットキー接合を有している。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、pFinFETおよびnFinFETを形成するステップにおいて、ソース領域およびドレイン領域にエクステンション拡散層およびディープ拡散層を形成しない。そして、ソース・ドレイン領域をシリサイド化することによって、ソース領域およびドレイン領域のショットキー接合を形成する。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。加えて、nFinFET、pFinFETが共に、ショットキー接合を有するため、nFinFET、pFinFETともに短チャネル効果耐性が高くなる。したがって、チャネルリーク電流が一層抑制され、特性がさらに向上した半導体デバイスの製造が可能となるという作用・効果が得られる。
(第9の実施の形態)
本発明の第9の実施の形態の半導体装置の製造方法は、pFinFETおよびnFinFETを形成するステップにおいて、ソース領域およびドレイン領域が、偏析ショットキー接合を有するよう形成されている以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第9の実施の形態の半導体装置の製造方法は、pFinFETおよびnFinFETを形成するステップにおいて、ソース領域およびドレイン領域が、偏析ショットキー接合を有するよう形成されている以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
図31は、本実施の形態の半導体装置の製造方法によって形成される半導体装置のpFinFETの断面図である。図31は、第1の実施の形態における、図19に相当する断面図である。図31に示すように、ソース領域およびドレイン領域がすべて、金属または金属シリサイド、例えば、図のようにニッケルシリサイド(NiSi)222で形成されている。そして、ニッケルシリサイド222とチャネル領域152は、金属と半導体との間に、シリサイド化の際の不純物の偏析によって形成された厚さの薄い高濃度不純物層228を有する接合、すなわち、偏析ショットキー接合を有している点が、本実施の形態の最大の特徴である。
なお、nFinFETのソース領域およびドレイン領域についても、同様の偏析ショットキー接合を有している。
なお、nFinFETのソース領域およびドレイン領域についても、同様の偏析ショットキー接合を有している。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、pFinFETおよびnFinFETを形成するステップにおいて、ソース領域およびドレイン領域にエクステンション拡散層またはディープ拡散層を形成する。そして、この拡散層をすべてシリサイド化することによって、不純物をシリサイドとチャネル領域の界面に偏析させ高濃度不純物層228を形成する。このようにして、ソース領域およびドレイン領域の偏析ショットキー接合を形成する。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。加えて、nFinFET、pFinFETが共に、ショットキー接合を有するため、nFinFET、pFinFETともに短チャネル効果耐性が高くなる。さらに、高濃度不純物層228を有する偏析ショットキー接合となっているため、接合界面の抵抗が低減する。したがって、チャネルリーク電流が一層抑制されるとともに、高い駆動力も実現でき、特性がさらに向上した半導体デバイスの製造が可能となるという作用・効果が得られる。
(第10の実施の形態)
本発明の第10の実施の形態の半導体装置の製造方法は、FinFETを形成するステップに加え、p型および、またはn型のプレーナ型トランジスタ(プレーナ型FET)をFinFETと同一のシリコン基板上に形成するステップを有する以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本発明の第10の実施の形態の半導体装置の製造方法は、FinFETを形成するステップに加え、p型および、またはn型のプレーナ型トランジスタ(プレーナ型FET)をFinFETと同一のシリコン基板上に形成するステップを有する以外は第1の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
本実施の形態の半導体装置の製造方法においては、例えば、第1の実施の形態の製造方法により、pFinFETおよびnFinFETをシリコン基板上に形成したのち、あるいは一部形成途中から、プレーナ型トランジスタを形成する公知のプロセスステップを適宜選択して加えることで、FinFETと同一のシリコン基板上に、p型および、またはn型のプレーナ型トランジスタ(プレーナ型FET)を形成する。
あるいは、公知のプロセスステップを適宜選択してプレーナ型トランジスタをシリコン基板上に形成したのち、あるいは一部形成途中から、第1の実施の形態の製造方法により、pFinFETおよびnFinFETを同一のシリコン基板上に形成する。
あるいは、公知のプロセスステップを適宜選択してプレーナ型トランジスタをシリコン基板上に形成したのち、あるいは一部形成途中から、第1の実施の形態の製造方法により、pFinFETおよびnFinFETを同一のシリコン基板上に形成する。
本実施の形態においても、第1の実施の形態同様の作用・効果が得られる。加えて、例えば、LSIの周辺回路等で、大電流や高電圧がかかる等の理由により、FinFETよりもプレーナ型FETが特性上適したトランジスタを、プレーナ型FETとして形成することが可能となる。したがって、回路特性上、最適なトランジスタ構造を選択することが可能となり、特性がさらに向上した半導体デバイスの製造が可能となるという作用・効果が得られる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。実施の形態の説明においては、半導体装置、半導体装置の製造方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる半導体装置、半導体装置の製造方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。
102 第1のシリコンウェーハ
104 第2のシリコンウェーハ
108 BOX層
109 BOX層
120 第1の半導体領域
130 第2の半導体領域
150 pFinFET
160 nFinFET
104 第2のシリコンウェーハ
108 BOX層
109 BOX層
120 第1の半導体領域
130 第2の半導体領域
150 pFinFET
160 nFinFET
Claims (17)
- {100}結晶面方位を有する第1の半導体ウェーハと、{100}結晶面方位を有する第2の半導体ウェーハとを、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが一致しないよう貼り合わせた半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の表面に、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成するステップと、
前記第1の半導体領域に、チャネル面が{110}面となるようp型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップと、
前記第2の半導体領域に、前記p型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにn型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとのいずれか一方または両方が、SixGe1−x(0<x≦1)で形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板を準備する工程において、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが45±2度の角度を有するよう貼り合わせたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板がSOI基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタが、SOI構造を有するよう形成することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板が、前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとを直接接合するよう貼り合わせたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、ショットキー接合を有するよう形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、偏析ショットキー接合を有するよう形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の半導体領域または前記第2の半導体領域に、p型のプレーナ型トランジスタまたはn型のプレーナ型トランジスタを形成するステップを有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- {100}結晶面方位を有する第1の半導体ウェーハと、{100}結晶面方位を有する第2の半導体ウェーハとを、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向とが一致しないよう貼り合わせた半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の表面に、前記第1の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第1の半導体領域と、前記第2の半導体ウェーハの<110>方向と一致する<110>方向を有する第2の半導体領域とを形成するステップと、
前記第2の半導体領域に、チャネル面が{100}面となるようn型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップと、
前記第1の半導体領域に、前記n型のFin型チャネルトランジスタのチャネル方向に対し、チャネル方向が平行または垂直となるようにp型のFin型チャネルトランジスタを形成するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとのいずれか一方または両方が、SixGe1−x(0<x≦1)で形成されていることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板がSOI基板であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタが、SOI構造を有するよう形成することを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板が、前記第1の半導体ウェーハと前記第2の半導体ウェーハとを直接接合するよう貼り合わせたことを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、ショットキー接合を有するよう形成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型のFin型チャネルトランジスタおよび前記n型のFin型チャネルトランジスタのソース領域およびドレイン領域が、偏析ショットキー接合を有するよう形成することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の半導体領域または前記第2の半導体領域に、p型のプレーナ型トランジスタまたはn型のプレーナ型トランジスタを形成するステップを有することを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
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