JP4912513B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
以下、図1A〜図4を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置100について説明する。
図1Aに第1の実施形態に係る固体撮像装置100の画素構造を示す。各画素11には、基板上に第1の走査方向に繋がる配線XLに接続された第1の半導体層N+層1が形成されている。第1の半導体層N+層1上には、反対導電型の第2の半導体層P層2と絶縁膜3a,3bとゲート導体層4a,4bとから構成されるMOSトランジスタ111が形成され、MOSトランジスタ111に繋がって第2の半導体層P層2と第3の半導体層N層5a,5bとから構成されるフォトダイオード112が形成されている。また、フォトダイオード112表面に第4の半導体層P+層6a,6bが設けられ、第4の半導体層P+層6a,6bと繋がる第5の半導体層P+層7が形成されている。第5の半導体層P+層7は、第1の走査方向と直交した方向に延びる配線YLに接続されている。また、少なくともフォトダイオード112が形成される領域(第2の半導体層P層2のうち第3の半導体層N層5a,5bが配置されている上部領域および第3の半導体層N層5a,5b)と第4の半導体層P+層6a,6bと第5の半導体層P+層7とが島状形状内に形成されている。なお、本実施形態においては、配線XLは信号線であり、配線YLは画素選択線であるが、配線XLが画素選択線で、配線YLが信号線であってもよい。
固体撮像装置100の基本動作は、信号電荷蓄積動作と信号読み出し動作とリセット動作よりなる。信号電荷蓄積動作においては、光照射により発生した信号電荷を第3の半導体層N層5a,5bおよび第3の半導体層N層5a,5b近傍の第2の半導体層P層2(以下、「フォトダイオード領域」という)に蓄積する。信号読み出し動作においては、第1の半導体層N+層1近傍の第2の半導体層P層2と第5の半導体層P+層7との間に流れる電流を測定することにより、この蓄積された信号電荷を測定する。第1の半導体層N+層1近傍の第2の半導体層P層2と第5の半導体層P+層7との間に流れる電流は、フォトダイオード領域に蓄積された信号電荷に応じて変化するので、この電流を測定することにより、蓄積された信号電荷量を測定することができる。リセット動作においては、MOSトランジスタ111のゲート導体層4a,4bにオン電圧を印加して第1の半導体層N+層1と第3の半導体層N層5a,5bとの間にチャネルを形成する。これにより、フォトダイオード領域に蓄積された信号電荷を第1の半導体層N+層1に流して除去する。
図5(a)〜図5(c)に本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置を説明するための画素構造を示す。なお、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同一部分には同一符号を付す。
空乏層8cが、第2の半導体層P層2の上部領域を占有している場合には、増幅用接合トランジスタの第5の半導体層P+層7と第1の半導体層N+層1近傍の第2の半導体層P層2との間に電流を流すためのチャネルは形成されていない。
図6に本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置を説明するための2画素の画素断面を示す。なお、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同一部分には同一の数字を付す。また区別のため、画素11eに含まれる部分にはaaおよびabを、画素11fに含まれる部分にはbaおよびbbを付す。前述の第1および第2の実施形態に係る固体撮像装置においては、リセット動作のためのMOSトランジスタ111のゲート導体層4a,4bが、MOSトランジスタ111のチャネル上にのみ形成されている。これに対し、本実施形態に係る固体撮像装置では、リセット動作のためのMOSトランジスタ111のゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbがフォトダイオード表面P+層(第4の半導体層P+層)6aa,6ab,6ba,6bbも被覆するように、延在して形成されている。ここで、ゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbは、画素(島状半導体)11e,11f周辺を囲んで形成されている。ゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbは、例えばポリシリコン、金属等の遮光性の導電性材料より形成され、照射光線を吸収または反射する。
図7を参照しながら、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。なお、第3の実施形態に係る固体撮像装置と同一部分には同一符号を付す。上述した第3の実施形態に係る固体撮像装置においては、リセット動作のためのMOSトランジスタ111のゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbがフォトダイオード表面P+層(第4の半導体層P+層)6aa,6ab,6ba,6bb上まで延在している。これに対し、本実施形態に係る固体撮像装置では、第5の半導体層P+層7a,7bに繋がった第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbがフォトダイオード表面P+層6aa,6ab,6ba,6bbを被覆している。第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbは島状半導体11e,11f周辺を囲んで形成されている。また、第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbは、遮光性の導電性材料から構成されている。
図8を参照して、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。なお、第4の実施形態に係る固体撮像装置と同一部分には同一符号を付す。通常の2次元固体撮像装置においては、各画素の画素選択線、画素信号線、画素電源線、画素MOSトランジスタのゲートなどは、固体撮像装置の周辺に設けられた走査回路、電源回路、信号処理回路、ゲートパルス電圧発生回路などに接続されている。これらの接続線は第1の配線方向、または第2の配線方向に配置されている。例えば、第1の半導体層N+層1a,1bが信号線に接続され、第5の半導体層P+層7a,7bが画素選択線に接続されている。図8に示すように、信号線XL3,XL4が図面垂直方向に配置されると、画素選択線は、通常、図面水平方向に配置される。この場合、画素選択線は、第5の半導体層P+層7a,7bを接続している第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbおよび隣接した画素の第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bb同士を接続する第1の配線導体層14a〜14cから構成される。本実施形態では、隣接した画素の第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bb同士は、MOSトランジスタのゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbに近接した場所で接続されている。また、第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbおよび第1の配線導体層14a〜14cは、遮光性の導電性材料から構成されている。なお、本実施形態において、第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbと第1の配線導体層14a〜14cとは、一体に形成されている。
図9を参照して、本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。上述した第4の実施形態と同一部分には同一符号を付す。本実施形態に係る固体撮像装置においては、MOSトランジスタ111のゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbが、図9の水平方向に設けられている。また、各画素11e,11fのゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbは、MOSトランジスタの上部で、第2の配線導体層15a〜15cによって接続されている。第2の配線導体層15a〜15cは、遮光性の導電性材料から構成されている。本実施形態においては、ゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbと第2の配線導体層15a〜15cとは、一体に形成されている。
図10を参照して、本発明の第7の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。なお、第4の実施形態に係る固体撮像装置と同一部分には同一符号を付す。第4の実施形態に係る固体撮像装置と異なるのは、各画素11e,11f間の隙間の、第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbの間およびゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbの間の両方において、もしくはどちらか一方において、埋め込み導体層(第2の導体層)16a〜16c,17a〜17cを埋め込んでいる点である。本実施形態においては、第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbの間およびゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbの間の両方に埋め込み導体層16a〜16c,17a〜17cを埋め込んだ場合について説明する。この場合、第5の半導体層P+層7a,7bに繋がった第2の配線YL3,YL4とMOSトランジスタ111のゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbの配線の方向が同じである。第2の配線YL3,YL4とゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbの配線が直交した方向に取り出されている場合は、第1の導体層13aa,13ab,13ba,13bbの間およびゲート導体層4aa,4ab,4ba,4bbの間のうち、いずれか一方にのみ埋め込み導体層16a〜16c,17a〜17cがあるように図中に示される。
図11に、本発明の第8の実施形態に係る固体撮像装置を示す。なお、第4の実施形態と同一部分には同一符号を付す。図11は、第4の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造の第2の半導体層P層2a、ゲート導体層4ab、第3の半導体層N層5ab、第4の半導体層P+層6ab、第5の半導体層P+層7aを含む領域を拡大したものである。第4の実施形態との違いは、ゲート導体層4abを覆うように設けられた絶縁膜18ab上に、第5の半導体層P+層7aに繋がった第1の導体層13abが、ゲート導体層4abと重なる部分を有するように形成されている点である。
図12に、本発明の第9の実施形態に係る固体撮像装置を示す。なお、第5の実施形態と同一部分には同一符号を付す。図12は、第5の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造の第2の半導体層P層2a,2b、ゲート導体層4ab,4ba、第3の半導体層N層5ab,5ba、第4の半導体層P+層6ab,6ba、第5の半導体層P+層7a,7bを含む領域を拡大したものである。第5の実施形態との違いは、ゲート導体層4ab,4baを覆うように設けられた絶縁膜18ab,18ba上に、第1の導体層13ab,13baが、ゲート導体層4ab,4baとそれぞれ重なる部分を有するように形成されている点である。
通常の固体撮像装置では、画素と、画素を駆動するための回路と、画素から信号を取り出すための回路とは、同一基板上に形成されている。立体構造の画素を備える第1〜9の実施形態に係る固体撮像装置では、これらの回路も立体構造化されていることが好ましい。例えば、これらの回路は、非引用文献2記載のSGT(Surrounding Gate Transistor)から構成されてもよい。このような固体撮像装置の一例を、第10の実施形態として、図22を参照しながら説明する。図22は、第10の実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
第10の実施形態に係る固体撮像装置では、NチャネルMOSトランジスタ及びPチャネルMOSトランジスタは、それぞれがまとまって、Pウエル層及びNウエル層上に形成されているが、代わりに、基板上に個別に形成されてもよい。このような固体撮像装置の一例を、第11の実施形態として、図23を参照しながら説明する。図23は、第11の実施形態に係る固体撮像装置の断面図である。
なお、上記第1〜第9の実施形態では、第1の半導体層がN+層である場合について説明を行ったが、第1の半導体層をP+層にして、同様に第2の半導体層をN層、第3の半導体層をP層、フォトダイオード表面の第4半導体層をN+層、第5半導体層をN+層と、半導体層の極性を逆にした固体撮像装置においても同様の作用効果を得ることができる。
2,2a,2b,2c 第2の半導体層P層
2i 第2の半導体層i層
3a,3b,3aa,3ab,3ba,3bb 絶縁膜
4a,4b,4aa,4ab,4ba,4bb ゲート導体層
5a,5b,5aa,5ab,5ba,5bb 第3の半導体層N層
6a,6b,6aa,6ab,6ba,6bb 第4の半導体層P+層(フォトダイオード表面P+層)
7,7a,7b 第5の半導体層P+層
8,8a,8b,8c 空乏層
10a,39a 入射光
10c 反射光
11,11a〜11h 画素(島状半導体)
13aa,13bb,13ba,13bb 第1の導体層
14a〜14c 第1の配線導体層
15a〜15c 第2の配線導体層
16a〜16c,17a〜17c 埋め込み導体層(第2の導体層)
18 チャネルストッパP+層
19 フォトダイオード表面P+層
20 転送ゲート電極下のチャネル
21 増幅MOSトランジスタ
22 第1の画素選択MOSトランジスタ
23 リセットMOSトランジスタ
24 第2の画素選択MOSトランジスタ
25 信号線
26a,26b,26d 信号電荷
26c 電荷
27 フォトダイオードN層
28 フォトダイオードP層
29 ホール
30 画素(島状半導体)
31 信号線N+層
32 P形半導体層
33a,33b 絶縁膜
34a,34b ゲート導体層
35a,35b N形半導体層
36 P+層
37a,37b 画素選択線
38a,38b 絶縁層
39b 隣接画素への漏洩光
100 固体撮像装置
111 MOSトランジスタ
112 フォトダイオード
201 垂直走査回路
202 水平走査回路
203 リセット回路
204 相関二重サンプリング出力回路
301 P形シリコン層
302 シリコン窒化膜
303,305,310,311a,311b,312 シリコン酸化膜
304a,304b 島状半導体層
306,309 ポリシリコン膜
307 シリコン酸化膜層
308 ゲート酸化膜
400 基板
401 画素駆動出力回路
402a NチャネルMOSトランジスタ部
402b PチャネルMOSトランジスタ部
404a,404b,415a,415b NチャネルMOSトランジスタ
405a,405b,420a,420b PチャネルMOSトランジスタ
408a,408b,412a,412b,417a,417b,422a,422b 半導体柱
409a,409b,413a,413b,418a,418b,423a,423b ゲート絶縁膜
410a,410b,414a,414b,419a,419b,424a,424b ゲート導体層
407a,407b、411a、411b、416a,416b,421a,421b ソース/ドレイン層
406a Pウエル層
406b Nウエル層
Claims (12)
- 1個または複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記画素が、
基板上に形成された第1の半導体層と、
該第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の下部の側面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜を介して前記第2の半導体層の下部の側面に形成されたゲート導体層と、
前記第2の半導体層の上部の側面に形成された第3の半導体層と、
前記第2の半導体層の側面と対向していない前記第3の半導体層の側面に形成された第4の半導体層と、
前記第2の半導体層と前記第3の半導体層の上に形成され、且つ、前記第4の半導体層と電気的に接続された、第5の半導体層と、
からなり、
少なくとも、前記第3の半導体層と、前記第2の半導体層のうち該第3の半導体層が形成された上部領域と、前記第4の半導体層と、前記第5の半導体層とが、島状形状内に形成され、
前記第2の半導体層と前記第3の半導体層とはダイオードを形成し、
前記ダイオードはゲートとして機能し、且つ、前記第1の半導体層と前記第5の半導体層との間の前記第2の半導体層がチャネルとして機能することで接合トランジスタが形成され、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層の間にある第2の半導体層はチャネルとして機能し、且つ、前記ゲート導体層はゲートとして機能することでMOSトランジスタが形成され、
前記ダイオードに電磁エネルギー波の照射により発生した信号電荷を蓄積し、
前記ダイオードに蓄積された信号電荷量に応じて変化する、前記接合トランジスタに流れる電流が信号として検知され、
前記ダイオードに蓄積された信号電荷が、前記MOSトランジスタのチャネルを通じて、前記第1の半導体層に除去され、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層との電圧が同一の電圧であることを特徴とする、固体撮像装置。 - 前記第2の半導体層は、前記第1の半導体層と反対導電型又は実質的に真正型であり、
前記第3の半導体層は、前記第1の半導体層と同じ導電型であり、
前記第4の半導体層は、前記第1の半導体層と反対導電型であり、
前記第5の半導体層は、前記第1の半導体層と反対導電型であり、
前記第4の半導体層と前記第5の半導体層とが接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 遮光性の導電性材料から構成され、前記島状形状内に形成された前記第3の半導体層と前記第2の半導体層の前記上部領域と前記第4の半導体層とを囲むように、前記第4の半導体層の側面領域に第1の絶縁膜を介して形成された第1の導体層をさらに備え、
該第1の導体層は、前記第5の半導体層に接続されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の導体層と前記ゲート導体層との間に隙間を有し、
隣接する前記画素の前記第1の導体層同士を、該画素間の隙間であって前記第1の導体層と前記ゲート導体層との隙間の近傍で接続し、かつ遮光性の導電性材料から構成される第1の配線導体層をさらに備える、ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記ゲート導体層を覆って形成された第2の絶縁膜をさらに備え、
前記第1の導体層が、該第2の絶縁膜を介して、少なくとも前記ゲート導体層の一部とオーバーラップするように形成されている、ことを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の導体層と前記ゲート導体層との間に隙間を有し、
隣接する前記画素の前記ゲート導体層同士を、該画素間の隙間であって前記第1の導体層と前記ゲート導体層との隙間の近傍で接続し、かつ遮光性の導電性材料から構成される第2の配線導体層をさらに備える、ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 隣接する前記画素の前記第1の導体層間、隣接する前記画素の前記ゲート導体層間、または隣接する前記画素の前記第1の導体層間および該隣接する画素の前記ゲート導体層間に埋め込まれ、かつ遮光性の導電性材料から構成される第2の導体層をさらに備える、ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記ゲート導体層が、遮光性の導電性材料から構成され、前記島状形状内に形成された前記第3の半導体層と前記第2の半導体層の上部領域と前記第4の半導体層とを囲むように、前記第1の絶縁膜を介して前記第4の半導体層の側面領域に延在している、ことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 電磁エネルギー波の照射量に応じて前記第3の半導体層と該第3の半導体層近傍の前記第2の半導体層とに信号電荷を蓄積させる手段と、
前記第5の半導体層と前記第1の半導体層近傍の前記第2の半導体層との間に流れる電流を測定することにより、前記蓄積された信号電荷の量を測定し信号を読み出す信号読み出し手段と、
前記ゲート導体層にオン電圧を印加して前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間の前記第2の半導体層を含む領域にチャネルを形成することにより、前記第3の半導体層に蓄積された信号電荷を前記第1の半導体層に流して除去するリセット手段と、
を備え、
前記信号読み出し手段は、前記第1の半導体層の電位、前記第5の半導体層の電位、前記第3の半導体層と該第3の半導体層近傍の前記第2の半導体層とに信号電荷が蓄積されていないときの該第3の半導体層内の最も深い電位、の順番に深くなるように電位関係を設定し、
前記リセット手段は、前記第5の半導体層の電位、前記第3の半導体層と該第3の半導体層近傍の前記第2の半導体層とに信号電荷が蓄積されていないときの該第3の半導体層内の最も深い電位、前記ゲート導体層にオン電圧が印加されたときの前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間の前記第2の半導体層を含む領域のチャネル電位、前記第1の半導体層の電位、の順番に深くなるように電位関係を設定する、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記信号読み出し手段が設定した前記電位関係において、前記第3の半導体層と該第3の半導体層近傍の前記第2の半導体層とに信号電荷が蓄積されていないときは、前記第2の半導体層のうち前記第3の半導体層が形成された前記上部領域に形成された空乏層が、該第2の半導体層の該上部領域を占有せしめ、
前記信号読み出し手段が設定した前記電位関係において、前記第3の半導体層と該第3の半導体層近傍の前記第2の半導体層とに信号電荷が蓄積されているときは、該蓄積された信号電荷の量に応じて、前記空乏層の厚さが変化する、ことを特徴とする請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記画素を駆動し前記画素から信号を取り出す画素駆動出力手段を備え、
前記画素駆動出力手段は、複数のSurrounding Gate Transistorから構成されることを特徴にする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記画素を駆動し前記画素から信号を取り出す画素駆動出力手段を備え、
前記画素駆動出力手段は、複数のSurrounding Gate Transistorから構成され、
前記Surrounding Gate Transistorは、それぞれ、ゲート導体層を備え、
前記複数のSurrounding Gate Transistorのゲート導体層と1個または複数の前記画素の前記第1の導体層とは、同じ高さに形成されていることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
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