JP2013254939A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板の上にバッファ層と、
   前記バッファ層の上に発光構造物と、を含み、
   前記バッファ層の屈折率は前記発光構造物から前記基板に行くほど減少し、
   前記発光構造物から前記バッファ層の厚さの中間までの前記バッファ層の屈折率は前記バッファ層の厚さの中間から前記基板までの前記バッファ層の屈折率より大きく可変されることを特徴とする、発光素子。
2. 前記バッファ層は多数のサブ層を含み、
   前記各サブ層は互いに相異する屈折率を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記発光構造物から前記基板に行くほど前記各サブ層の屈折率は減少することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
4. 前記発光構造物から前記基板に行くほど前記各サブ層のＡｌ含有量は増加することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
5. 前記サブ層は前記発光構造物よりは低く、前記基板よりは大きい屈折率を有する化合物半導体材質を含むことを特徴とする、請求項２乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
6. 前記サブ層は、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ｎ（但し、０≦ｘ≦１）であることを特徴とする、請求項２乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記サブ層は、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ｎ（但し、０＜ｘ≦１）であることを特徴とする、請求項２乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記各サブ層は互いに相異するＡｌ含有量を有することを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
9. 前記各サブ層の屈折率の差は可変されることを特徴とする、請求項２または８に記載の発光素子。
10. 前記各サブ層の厚さは可変されることを特徴とする、請求項２、８及び９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
11. 前記基板の上に配置された多数の突起部をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
12. 前記バッファ層は、前記突起部の間の前記基板の上に配置されることを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
13. 前記突起部は、前記基板の上面から上方に延長されることを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
14. 基板と、
    前記基板の上にバッファ層と、
    前記バッファ層の上に導電型半導体層と、を含み、
    前記バッファ層は多数のサブ層を含み、
    前記発光構造物から前記基板に行くほど前記各サブ層の屈折率は減少し、
    前記発光構造物から前記バッファ層の厚さの中間までの前記バッファ層の屈折率は前記バッファ層の厚さの中間から前記基板までの前記バッファ層の屈折率より小さく可変されることを特徴とする、発光素子。
15. 前記サブ層はＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ｎ（但し、０≦ｘ≦１）であることを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
16. 前記基板に隣接するサブ層は最大のＡｌ含有量を含むことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の発光素子。
17. 前記基板の上に配置された多数の突起部をさらに含み、
    前記突起部は前記基板の上面から上方に延長されることを特徴とする、請求項１４乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
18. 前記突起部の厚さは前記バッファ層の厚さより大きいことを特徴とする、請求項１７に記載の発光素子。