JP2013102162A5 - - Google Patents
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Claims (25)
- 第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造物；
第１の電極層；
前記発光構造物と前記第１の電極層との間に配置された第２の電極層；及び
前記第２の導電型半導体層の下側で前記第２の電極層の縁部を取り囲み、前記第２の電極層と前記第１の電極層との間に配置された絶縁層；を含み、
前記第１の電極層は、前記第２の電極層、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１の導電型半導体層に接し、
前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層と接し、互いに所定間隔だけ離隔して配置された複数の第１の反射層を有する発光素子。 - 前記第１の反射層は無指向性反射層である、請求項１に記載の発光素子。
- 前記第１の反射層は前記絶縁層と同一の物質で形成される、請求項１又は２に記載の発光素子。
- 前記第１の反射層はＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記無指向性反射層の屈折率は前記第２の導電型半導体層の屈折率より小さい、請求項２〜４のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記無指向性反射層は真空、空気、水、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層と前記絶縁層との間に配置された伝導性透明層を含み、
前記無指向性反射層は前記伝導性透明層の間に配置された、請求項２〜６のいずれか１項に記載の発光素子。 - 前記伝導性透明層はパターンを有する、請求項７に記載の発光素子。
- 前記第２の電極層は、前記無指向性反射層の下部に配置された第２の反射層をさらに含む、請求項２〜８のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記伝導性透明層は前記第２の導電型半導体層と接する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２の反射層は前記伝導性透明層の下部に配置された、請求項９又は１０に記載の発光素子。
- 前記無指向性反射層と前記伝導性透明層は、前記第２の反射層の上部の同一平面上に配置された、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記伝導性透明層の開放された一側領域の上部に配置された電極パッドをさらに含む、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の発光素子。
- 第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造物；
第１の電極層；
前記発光構造物と前記第１の電極層との間に配置され、前記第２の導電型半導体層と接する第２の電極層；及び
前記第２の導電型半導体層の下側で前記第２の電極層の縁部を取り囲み、前記第２の電極層と前記第１の電極層との間に配置された絶縁層；を含み、
前記第１の電極層は、前記第２の電極層、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１の導電型半導体層に接する発光素子。 - 前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層と前記絶縁層との間に配置された伝導性透明層を含む、請求項１４に記載の発光素子。
- 前記第２の電極層は、前記伝導性透明層と前記絶縁層との間に配置された第１の反射層をさらに含む、請求項１５に記載の発光素子。
- 前記第２の電極層は前記第２の導電型半導体層とオーミック接触する物質を含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記伝導性透明層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）又はＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）のうち少なくとも一つを含む、請求項７〜１３及び請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記伝導性透明層の強度は前記第２の導電型半導体層の強度と同一である、請求項７〜１３及び請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記発光構造物の側面と前記絶縁層の側壁を覆う保護層をさらに含む、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の発光素子。
- 前記保護層は、前記第１の導電型半導体層の上面を覆うように配置された、請求項２０に記載の発光素子。
- 前記絶縁層は、
前記第２の導電型半導体層の下側の前記第２の電極層の縁部を取り囲むように配置された第１の部分；及び
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に配置され、前記第１の部分から延長される第２の部分；を含み、
前記保護層は、前記第２の部分のトップと前記絶縁層の前記第１の部分の側壁に配置される、請求項２０に記載の発光素子。 - 前記絶縁層の前記第１の部分は、前記保護層の側壁と、前記第２の導電型半導体層の下側の前記第２の電極層の縁部との間に配置される、請求項２２に記載の発光素子。
- 前記伝導性透明層の強度は前記絶縁層の強度と同一である、請求項７〜１３及び請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の発光素子。
- 請求項１〜２４のいずれか１項に記載の発光素子を含む発光素子パッケージ。
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