JP2012134452A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
   前記発光構造物の下部に形成される反射層と、
   前記発光構造物と前記反射層との間に形成される透明支持層と、を含み、
   前記反射層は前記発光構造物の方向に形成される少なくとも一つ以上の突出部を含み、前記突出部の側面は前記透明支持層と接する、発光素子。
2. 前記発光構造物の下部に形成される電流遮断層をさらに含み、
   前記突出部は前記電流遮断層と垂直に重なるように形成される、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記発光構造物の下部に形成されるオーミック層と保護層をさらに含み、
   前記透明支持層は、前記オーミック層と前記保護層の下部に形成され、前記電流遮断層の下部には形成されない、請求項２に記載の発光素子。
4. 前記反射層の下部に形成される伝導層をさらに含む、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記伝導層の両側端部が突出されて前記反射層を取り囲む、請求項４に記載の発光素子。
6. 前記透明支持層は、７０％以上の光透過度を有する絶縁物質で形成される、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記透明支持層は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）から選択される非伝導性物質、またはこれらが選択的に含まれる非伝導性物質で形成される、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記透明支持層の厚さは１μｍ〜１００μｍの範囲内の値で設定される、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の発光素子。
9. 前記透明支持層の側面には光抽出構造が形成される、請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の発光素子。
10. 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
    前記発光構造物の下部に形成される反射層と、
    前記発光構造物と前記反射層との間に形成される透明支持層と、を含み、
    前記反射層は凹凸形状を含むように形成され、
    前記透明支持層は前記凹凸形状に対応される形状を具備する、発光素子。
11. 前記凹凸形状は複数のステップ構造を含んで形成される、請求項１０に記載の発光素子。
12. 前記透明支持層は、複数の層(Multilayer)で形成されることができ、各層の厚さは１μｍ〜１００μｍの範囲内の値で設定される、請求項１０又は１１に記載の発光素子。
13. 前記反射層の下部に形成される伝導層をさらに含む、請求項１０〜１２のうちいずれか１項に記載の発光素子。
14. 前記伝導層の両側端部が突出されて前記反射層を取り囲む、請求項１３に記載の発光素子。
15. 前記透明支持層は、７０％以上の光透過度を有する絶縁物質で形成される、請求項１０〜１４のうちいずれか１項に記載の発光素子。
16. 前記透明支持層は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）から選択される非伝導性物質、またはこれらが選択的に含まれる非伝導性物質で形成される、請求項１０〜１５のうちいずれか１項に記載の発光素子。
17. 前記透明支持層の側面には光抽出構造が形成される、請求項１０〜１６のうちいずれか１項に記載の発光素子。
18. 前記透明支持層の一部領域は、前記発光構造物と接する複数の貫通部を含む、請求項１０〜１７のうちいずれか１項に記載の発光素子。
19. 前記発光構造物の下部に形成されるオーミック層、保護層及び電流遮断層をさらに含み、
    前記透明支持層は、前記オーミック層と前記保護層の下部に形成され、前記電流遮断層の下部には形成されない、請求項１０〜１８のうちいずれか１項に記載の発光素子。
20. 請求項１〜１９のうちいずれか１項に記載の発光素子を含む発光素子パッケージが少なくとも２個以上位置される支持基板と、
    少なくとも一部が、前記発光素子パッケージによって放出される光が透過される光透過性物質からなるケースと、を含む照明装置。
21. 前記少なくとも一つ以上の突出部は前記オーミック層と接し、前記反射層は前記オーミック層と電気的に連結される、請求項３に記載の発光素子。
22. 前記透明支持層は、前記オーミック層を貫通して前記発光構造物と接する複数の貫通部を含む、請求項１９に記載の発光素子。