TWI456792B - 發光元件及其製造方法 - Google Patents
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- 一種發光元件，其特徵為具備：半導體積層體，其包含發光層；第1上部電極，係於上述半導體積層體之上，直接連接於上述半導體積層體；至少1個第2上部電極，係於上述半導體積層體之上，藉由第1接觸層連接於上述半導體積層體，由上述第1上部電極延伸而出；下部電極，設於上述半導體積層體之下；透明導電層，設於上述半導體積層體與上述下部電極之間，用於透過上述發光層所發出之光；光反射層，設於上述透明導電層與上述下部電極之間；及電流阻止層，設於上述半導體積層體與上述透明導電層之間、以及上述半導體積層體與上述第1上部電極及第2上部電極之間之其中至少一方，由上述發光層之主面之垂直方向看時被選擇性設有至少1個縫隙。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中在上述半導體積層體與上述透明導電層之間，另外具備含有氧與碳之其中至少一方的中間膜。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中由上述發光層之主面之垂直方向看時，上述第2上部電極具有：第1電極部，其由上述第1上部電極朝上述半導體積層體之平面外周部被延伸；及第2電極部，其和連接於上述第1電極部的上述平面外周呈大略平行而延伸。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中在上述第2電極部之周邊選擇性設有上述縫隙。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中在上述下部電極與上述光反射層之間，另外設有支撐基板。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中於上述發光層所發出光之波長之中，上述電流阻止層之折射率係低於上述半導體積層體之折射率。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中在上述第1上部電極與上述第2上部電極之其中至少一方正下方，未設置上述縫隙。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中由上述發光層之主面之垂直方向看時，上述第2電極部和上述縫隙之間之距離為10μm以上。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中由上述發光層之主面之垂直方向看時，以上述縫隙幅之長度為一邊之四角之面積為1000(μm)2 以下。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中上述電流阻止層之厚度為100nm以下。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中於上述發光層所發出光之波長之中，上述透明導電層之折射率係低於上述半導體積層體之折射率。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中上述透明導電層介由上述縫隙相接於上述半導體積層體之總面積A(cm2 )為，由上述發光層之主面之垂直方向看時的，上述半導體積層體之面積之5%以上、15%以下。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中上述透明導電層之厚度為30nm以上、100nm以下。
- 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中上述光反射層為，將設於上述半導體積層體側之第1光反射層部，與設於上述支撐基板側之第2光反射層部予以接合之層。
- 如申請專利範圍第14項之發光元件，其中於上述第1光反射層部與上述第2光反射層部之間另外設有阻障層；上述阻障層，係包含選自Ni(鎳)、Pt(白金)、Ti(鈦)之群之至少1個元素。
- 如申請專利範圍第15項之發光元件，其中於上述阻障層與上述第2光反射層部之間，另外設置包含Au(金)之接合層。
- 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中上述支撐基板為導電性基板。
- 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中於上述縫隙之下的上述光反射層，另外形成空間。
- 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中由上述發光層之主面之垂直方向看時，上述半導體積層體之面積小於上述支撐基板之面積。
- 一種發光元件之製造方法，其特徵為：具備：在半導體基板上形成包含發光層之半導體積層體的工程；於上述半導體積層體之上，形成選擇性設有至少1個縫隙之電流阻止層的工程；於上述電流阻止層之上，形成透明導電層的工程；於上述透明導電層之上，形成第1光反射層部的工程；將設於支撐基板之上的第2光反射層部，接合於上述第1光反射層部的工程；由上述半導體積層體除去上述半導體基板的工程；及於上述半導體積層體之上直接形成第1上部電極，另外，介由第1接觸層形成至少1個被連接於上述第1上部電極的第2上部電極的工程；由上述發光層之主面之垂直方向看時，將上述縫隙選擇性形成於上述第2上部電極之周邊之上述電流阻止層。
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| CN110265517B (zh) * | 2013-07-17 | 2024-03-29 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
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| KR102200005B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2021-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR102223036B1 (ko) * | 2014-08-18 | 2021-03-05 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
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| CN104241471A (zh) * | 2014-10-11 | 2014-12-24 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种垂直结构的led芯片及其制造方法 |
| JP6685240B2 (ja) | 2015-01-27 | 2020-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 乗員保護装置 |
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| JP6826395B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2021-02-03 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2018037690A (ja) * | 2017-12-05 | 2018-03-08 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 発光素子 |
| JP2020010056A (ja) * | 2019-09-11 | 2020-01-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 半導体発光部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032665A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| JP2009076490A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784462B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
| CA2466141C (en) | 2002-01-28 | 2012-12-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method |
| US7344903B2 (en) * | 2003-09-17 | 2008-03-18 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| CN100495588C (zh) * | 2003-11-18 | 2009-06-03 | 日本板硝子株式会社 | 带有透明导电膜的透明基体的制造方法 |
| JP2005197296A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| CN100561758C (zh) * | 2004-10-22 | 2009-11-18 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法 |
| JP2007335757A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Hitachi Cable Ltd | 基板接合用治具、発光素子用ウェハの製造方法、発光素子用ウェハ、発光素子用チップ、及び発光素子 |
| JP4892445B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2012-03-07 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP5312988B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2013-10-09 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032665A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| JP2009076490A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置 |
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