JP2013021296A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 第１導電型の第１半導体層と、
   前記第１導電型の第１半導体層上の活性層と、
   前記活性層上に第２導電型の第２半導体層と、
   前記第２導電型の第２半導体層上の信頼性強化層と、
   前記信頼性強化層上の、光抽出パターンを有する第２導電型の第３半導体層と、
   を備え、
   前記信頼性強化層と前記活性層との間の距離は０.３μm〜５μmである、発光素子。
2. 前記信頼性強化層は、前記第２導電型の半導体層と同一系列の物質で形成されている、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記信頼性強化層は、In_xAl_yGa_(１-x-y)N(但し、０≦x≦１、０＜y≦１)を含む、請求項１または請求項２に記載の発光素子。
4. 前記第２導電型の第３半導体層は、In_pAl_qGa_１-p-qN(０≦p≦１、０≦q≦１、０≦p+q≦１)の組成式を有する半導体物質を含む、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発光素子。
5. 前記信頼性強化層のAlの組成(y)は、前記第２導電型の第３半導体層のAlの組成(q)より高い、請求項４に記載の発光素子。
6. 前記信頼性強化層のAlの組成(y)は、q+０.０５≦y≦q+０.５(但し、０≦q≦０.５)であることを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれかに記載の発光素子。
7. 前記第２導電型の第３半導体層は、In_pAl_qGa_１-p-qN(０≦p≦１、０≦q≦１、０≦p+q≦１)の組成式を有する半導体物質を含む場合、前記信頼性強化層は前記第２導電型の第３半導体層よりInの組成比が低い、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発光素子。
8. 前記信頼性強化層は、前記第２導電型の半導体層と同一導電型にドーピングされている、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の発光素子。
9. 前記信頼性強化層は、５nm〜２００nmの厚さを有する、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の発光素子。
10. 前記信頼性強化層は、前記第２導電型の第３半導体層よりエネルギーバンドギャップが大きい請求項１〜請求項９のいずれかに記載の発光素子。
11. 前記信頼性強化層は、エネルギーバンドギャップが異なる第１信頼性強化層と第２信頼性強化層とを有する、請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の発光素子。
12. 前記信頼性強化層のAl組成或いはエネルギーバンドギャップの大きさが、前記活性層の方向に漸進的に減少する、請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の発光素子。
13. 前記信頼性強化層のIn組成が前記活性層の方向に漸進的に増加する、請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の発光素子。
14. 前記信頼性強化層は、エネルギーバンドギャップが異なる第１信頼性強化層と第２信頼性強化層とが交互に積層されてなる超格子構造を有する、請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の発光素子。
15. 前記信頼性強化層は、前記第２導電型の第２半導体層上に突出部を有する請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の発光素子。
16. 前記信頼性強化層は、結晶欠陥の周囲においてその厚さがより厚い、請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の発光素子。
17. 前記信頼性強化層は、前記結晶欠陥の周囲に前記突出部が位置する、請求項１５に記載の発光素子。
18. 前記信頼性強化層の電気抵抗は、前記第２導電型の第３半導体層の電気抵抗より大きい、請求項１〜請求項１７のいずれかに記載の発光素子。
19. 前記信頼性強化層の上面は、前記第２導電型の第３半導体層によって露出されない、請求項１〜請求項１８のいずれかに記載の発光素子。
20. 前記第２導電型の第３半導体層の上にパッド電極をさらに含み、
    前記パッド電極は前記光抽出パターンと上下に重なる、請求項１〜請求項１９のいずれかに記載の発光素子。
    
    

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