JP2012204839A5

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Publication number: JP2012204839A5
Application number: JP2012068277A
Authority: JP
Filing date: 2012-03-23
Publication date: 2015-05-07
Anticipated expiration: 2032-03-23

Claims

第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に井戸層及び障壁層を有する活性層と、
前記活性層の上に第２導電型半導体層とを備え、
前記井戸層は、
前記第１導電型半導体層に最も隣接し、第１エネルギーバンドギャップを有する第１井戸層と、
前記第２導電型半導体層に最も隣接し、第３エネルギーバンドギャップを有する第３井戸層と、
前記第１井戸層と前記第３井戸層との間に位置し、第２エネルギーバンドギャップを有する第２井戸層とを備え、
前記第１導電型半導体層はｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層であり、
前記井戸層のうち前記第３井戸層が前記ｐ型半導体層に最も隣接するように配置され、
前記第３井戸層の前記第３エネルギーバンドギャップは前記第２井戸層の前記第２エネルギーバンドギャップ及び前記第１井戸層の前記第１エネルギーバンドギャップより大きい、発光素子。
前記第３井戸層の厚さは前記第２井戸層の厚さより厚く、
前記第１井戸層と前記第２井戸層は組成が同一である請求項１に記載の発光素子。
前記第２井戸層の厚さは前記第１井戸層の厚さより厚い、請求項１または２に記載の発光素子。
前記第３井戸層の厚さは前記第１井戸層の厚さより厚い、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層の厚さは、前記第１井戸層または第２井戸層の厚さの１１０％乃至１３０％である、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
前記活性層で発光する光がブルー（Blue）光の場合、前記第３井戸層の厚さは３．９ｎｍである、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
前記第１井戸層の第１エネルギーバンドギャップは、前記第２井戸層の第２エネルギーバンドギャップと同一である、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
前記第１井戸層の第１エネルギーバンドギャップと前記第３井戸層の第３エネルギーバンドギャップは互いに同一である、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層の厚さは前記第２井戸層の厚さより厚い、請求項１、請求項３乃至８のいずれかに記載の発光素子。
前記第１井戸層の厚さは前記第２井戸層の厚さより厚い、請求項１、請求項２、請求項４乃至９のいずれかに記載の発光素子。
前記第３エネルギーバンドギャップは、前記第２エネルギーバンドギャップ対比１０１％乃至１１０％である、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
前記活性層で発光する光がブルー（Blue）光の場合、前記第３エネルギーバンドギャップは、２．８ｅＶ乃至３．０８ｅＶである、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層の第３エネルギーバンドギャップと前記第２井戸層の第２エネルギーバンドギャップ、または前記第１井戸層の第１エネルギーバンドギャップとのエネルギーギャップの差（energy gap difference）は０．１ｅＶ以内である、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層で発生する光の波長は前記第２井戸層で発生する光の波長より２０ｎｍ以内と、より短い、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層で発生する光の波長は、前記第２井戸層で発生する光の波長より２ｎｍ以上２０ｎｍ以内と、より短い、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
前記井戸層はＩｎを含み、
前記第３井戸層は、前記第２井戸層より小さなＩｎ含有量を有する、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層のＩｎ含有量は、前記第２井戸層のＩｎ含有量対比９０％乃至９９％である、請求項１乃至１６のいずれかに記載の発光素子。
前記井戸層の組成式がＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の場合、
前記第３井戸層のＩｎの組成（ｘ３）が前記第２井戸層のＩｎの組成（ｘ２）対比０．０２以内の範囲の小さい、請求項１乃至１７のいずれかに記載の発光素子。
前記活性層では、実質的に同じ色の光が発光する、請求項１乃至１８のいずれかに記載の発光素子。
前記第３井戸層、第２井戸層で発光する光の波長は異なり、かつ前記活性層で発光する光は実質的に同じ色の光である、請求項１乃至１９のいずれかに記載の発光素子。