JP2013524547A5

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Publication number: JP2013524547A5
Application number: JP2013504213A
Authority: JP
Filing date: 2011-04-08
Publication date: 2014-05-29
Anticipated expiration: 2031-04-08

Claims

リン化物化合物半導体材料を含んでいる半導体積層体（５）を備えた発光ダイオードチップであって、前記半導体積層体（５）が
− ｐ型半導体領域（２）と、
− ｎ型半導体領域（４）と、
− 前記ｐ型半導体領域（２）と前記ｎ型半導体領域（４）との間に配置されており、電磁放射を放出する役割を果たす活性層（３）と、
を含んでおり、
前記ｎ型半導体領域（４）が前記発光ダイオードチップの放射出口領域（６）の側にあり、前記ｐ型半導体領域（２）が前記発光ダイオードチップのキャリア（７）の側にある、発光ダイオードチップにおいて、
前記キャリア（７）と前記ｐ型半導体領域（２）との間に、５００ｎｍ未満の厚さを有する電流拡散層（１）が配置されており、前記電流拡散層が、１層または複数層のｐ型にドープされたＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０．５＜ｘ≦１）層を有し、
前記電流拡散層（１）が傾斜側端面（１２）を有し、前記傾斜側端面（１２）が、前記電流拡散層（１）の層平面に対して２０゜〜７０゜の範囲内（両端値を含む）の角度だけ傾いている、
ことを特徴とする、発光ダイオードチップ。
前記電流拡散層（１）が、３００ｎｍ未満の厚さを有する、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
前記電流拡散層（１）のアルミニウムの割合ｘについて、０．６≦ｘ≦０．８が成り立つ、
請求項１または請求項２に記載の発光ダイオードチップ。
前記電流拡散層（１）が、１×１０^１９ｃｍ^−３より高いドーパント濃度を有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
前記電流拡散層（１）が、少なくとも５×１０^１９ｃｍ^−３のドーパント濃度を有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
前記電流拡散層（１）がＣによってドープされている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
側端面（１１）を含んだ前記電流拡散層（１）に封止層（８）が設けられている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
前記封止層（８）が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、または金属を含んでいる、
請求項７に記載の発光ダイオードチップ。
前記電流拡散層（１）に少なくとも１本の溝（１３）が形成されている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
前記少なくとも１本の溝（１３）が、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化亜鉛、または金属によって満たされている、
請求項９に記載の発光ダイオードチップ。
前記少なくとも１本の溝（１３）が前記ｐ型半導体領域（２）の中まで達している、
請求項９または請求項１０に記載の発光ダイオードチップ。
Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる少なくとも１層が、前記電流拡散層（１）に隣接しており、前記少なくとも１層が、前記電流拡散層（１）よりも小さいバンドギャップと、より低いドーパント濃度とを有する、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
前記半導体積層体（５）から成長基板が分離されており、前記キャリア（７）が、前記半導体積層体（５）の成長基板とは異なる、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
前記キャリア（７）が、シリコン、モリブデン、またはゲルマニウムを含んでいる、
請求項１３に記載の発光ダイオードチップ。