JP2013516751A5

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Publication number: JP2013516751A5
Application number: JP2012546427A
Authority: JP
Filing date: 2010-12-27
Publication date: 2014-02-20
Anticipated expiration: 2030-12-27

Claims

半導体積層体を有する半導体ボディ（２）を備えた半導体チップ（１）であって、
− 前記半導体積層体が、ｎ型導電多層構造（２１）と、ｐ型導電半導体層（２２）と、放射を生成するための活性領域（２０）と、を備えており、前記活性領域が前記ｎ型導電多層構造と前記ｐ型導電半導体層との間に配置されており、
− 前記ｎ型導電多層構造が、複数の井戸層（２１１）を有する量子構造を備えており、前記複数の井戸層が、障壁層（２１２）の間に配置されており、
− 少なくとも１つのドーピングピーク（４）を備えたドーピングプロファイルが、前記ｎ型導電多層構造に形成されており、
− 前記ｎ型導電多層構造が、前記ドーピングピークに隣接する領域を備えており、前記ドーピングピークに隣接する前記領域においては、前記井戸層と前記井戸層に隣接する障壁層とが低濃度にドープされている、
半導体チップ（１）。
前記少なくとも１つのドーピングピークにおけるドーピング濃度が、前記ｎ型導電多層構造の、ｎ型導電性に低濃度にドープされた領域（４５）、におけるドーピング濃度の少なくとも５倍である、
請求項１に記載の半導体チップ。
前記少なくとも１つのドーピングピークにおけるドーピング濃度が少なくとも４×１０^１８／ｃｍ^３であり、ｎ型導電性に低濃度にドープされた前記領域におけるドーピング濃度が最大で８×１０^１７／ｃｍ^３である、
請求項２に記載の半導体チップ。
前記ドーピングピークの垂直方向の大きさが、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップ。
前記ドーピングピークの垂直方向の大きさが、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体チップ。
前記活性領域から前記ドーピングピークまでの距離が、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体チップ。
前記活性領域が複数の井戸層（２０１）を備えており、前記ドーピングピークが、前記ｎ型導電多層構造の前記井戸層のうち前記活性領域に最も近い前記井戸層と、前記活性領域の前記井戸層のうち前記ｎ型導電多層構造に最も近い前記井戸層との間に配置されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体チップ。
前記ｎ型導電多層構造の前記井戸層のバンドギャップが、前記活性領域の前記井戸層（２０１）のバンドギャップと少なくとも同じ大きさである、
請求項７に記載の半導体チップ。
前記ドーピングプロファイルがさらなるドーピングピーク（４１）を備えており、前記ｎ型導電多層構造の少なくとも１層の井戸層が、前記ドーピングピークと前記さらなるドーピングピークとの間に配置されている、
請求項７または請求項８に記載の半導体チップ。
前記ｎ型導電多層構造の前記量子構造のサブ領域（２１６）が、前記さらなるドーピングピーク（４１）によって高いドーピング濃度を備えている、
請求項９に記載の半導体チップ。
前記活性領域が窒化物化合物半導体材料をベースとする、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体チップ。
前記ｎ型導電多層構造の結晶構造が、Ｖ形状の凹部を備えている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体チップ。
前記半導体積層体の成長基板が前記半導体ボディから除去されている、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体チップ。
− 前記少なくとも１つのドーピングピークにおけるドーピング濃度が、前記ドーピングピークに隣接している、前記ｎ型導電多層構造の領域、におけるドーピング濃度の少なくとも５倍であり、
− 前記活性領域が、少なくとも１層の井戸層（２０１）を有する量子構造、を備えており、
− 前記ｎ型導電多層構造の前記井戸層のバンドギャップが、前記活性領域の前記井戸層のバンドギャップよりも大きい、
請求項１に記載の半導体チップ。