JP2017503333A5 - - Google Patents

Claims (74)

1. 半導体ナノワイヤコアと、
   前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置された第１の半導体シェルと、
   前記半導体ナノワイヤコアと前記第１の半導体シェルとの間に半径方向に配置された第２の半導体シェルと、
   を含むナノワイヤデバイスであって、
   前記第１の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
   前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
   前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出し、
   前記デバイスが発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスを含み、前記第１の半導体シェルが活性領域量子ウェルシェルを含み、
   前記第２の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
   前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
   前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出することを特徴とするナノワイヤデバイス。
2. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域量子ウェルの下部層の障壁シェルを含むことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤデバイス。
3. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域から内側の半径方向に配置された下部層のシェルを含むことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤデバイス。
4. 前記第１の半導体シェルの半径方向厚さは、ナノワイヤ軸方向に前記山と前記谷との間で少なくとも１５％変化し、
   前記ナノワイヤ軸方向の前記第１の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
   前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出し、
   前記第１の半導体シェルは、前記半径方向に５ｎｍを超える厚さを有し、
   ナノワイヤ軸方向の前記第２の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
   前記第２の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出する
   ことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤデバイス。
5. 支持体の半導体表面の上に配置された絶縁マスク層であって、前記半導体ナノワイヤコアは、前記絶縁マスク層の開口部を通り、前記支持体の前記半導体表面から実質的に垂直に延出する第１の導電型の半導体ナノワイヤコアを含む、絶縁マスク層と、
   前記活性領域量子ウェルシェルの上及び周囲に延出する少なくとも１つの第２の導電型の半導体シェルと、
   前記第２の導電型の半導体シェルに接触する第１の電極層と、
   前記半導体ナノワイヤコアに電気的に接続する第２の電極層と、
   を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤデバイス。
6. 前記第１の導電型はｎ型を含み、
   前記第２の導電型はｐ型を含み、
   前記支持体は、基板の上のｎ−ＧａＮ又はｎ−ＡｌＧａＮのｎ型半導体バッファ層を含み、
   前記半導体ナノワイヤコアは、ｎ−ＧａＮナノワイヤコアを含み、
   前記活性領域量子ウェルシェルは、ＧａＮ障壁シェルの間のＩｎＧａＮシェルを含み、
   前記第１の電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む
   ことを特徴とする請求項５に記載のナノワイヤデバイス。
7. 前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、少なくとも部分的にｐ面に沿って突出する前記第１の半導体シェルのｍ面に沿ったナノメートルスケールの不連続構造を含み、
   前記活性量子ウェルシェルは、前記谷に配置された低濃度インジウム領域よりも少なくとも５原子パーセント多いインジウム含有量を有する前記山に配置された高濃度インジウム領域を含むＩｎ（Ａｌ）ＧａＮ半導体シェルを含む
   ことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤデバイス。
8. 前記活性量子ウェルシェルは、前記高濃度インジウム領域が１０原子パーセントよりも多いインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域が１０原子パーセント未満のインジウムを含むＩｎＧａＮ半導体シェルを含むことを特徴とする請求項７に記載のナノワイヤデバイス。
9. 高濃度インジウム領域は１５〜３０原子パーセントのインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域は１〜５原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項８に記載のナノワイヤデバイス。
10. 前記ＬＥＤは、４９５〜５９０ｎｍのピーク発光波長又は５９１〜６５０ｎｍのピーク発光波長を有することを特徴とする請求項９に記載のナノワイヤデバイス。
11. 前記ＬＥＤは約５２０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約２０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項１０に記載のナノワイヤデバイス。
12. 前記ＬＥＤは約６１０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約３０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項１０に記載のナノワイヤデバイス。
13. 半導体ナノワイヤコアと、
    前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置されたＩｎ（Ａｌ）ＧａＮ活性領域量子ウェルシェルを含む第１の半導体シェルと、
    を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスであって、
    前記活性領域量子ウェルシェルは、前記活性領域量子ウェルシェルの低濃度インジウム領域よりも少なくとも５原子パーセント多いインジウム含有量を有する高濃度インジウム領域を含み、
    前記高濃度インジウム領域は、前記活性領域量子ウェルシェルに埋め込まれた個別のナノ粒子ではなく、前記活性領域量子ウェルシェルの一体の部分を含むことを特徴とするＬＥＤデバイス。
14. 前記活性量子ウェルシェルは、前記高濃度インジウム領域が１０原子パーセントよりも多いインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域が１０原子パーセント未満のインジウムを含むＩｎＧａＮ半導体シェルを含むことを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤデバイス。
15. 高濃度インジウム領域は１５〜３０原子パーセントのインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域は１〜５原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤデバイス。
16. 前記ＬＥＤは、４９５〜５９０ｎｍのピーク発光波長又は５９１〜６５０ｎｍのピーク発光波長を有することを特徴とする請求項１５に記載のＬＥＤデバイス。
17. 前記ＬＥＤは約５２０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約２０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項１６に記載のＬＥＤデバイス。
18. 前記ＬＥＤは約６１０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約３０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項１６に記載のＬＥＤデバイス。
19. 前記第１の半導体シェルは、前記高濃度インジウム領域を含む少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から前記低濃度インジウム領域を含む谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出することを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤデバイス。
20. 前記半導体ナノワイヤコアと前記第１の半導体シェルとの間に半径方向に配置された第２の半導体シェルを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載のＬＥＤデバイス。
21. 前記第２の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出することを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤデバイス。
22. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域量子ウェルの下部層の障壁シェルを含むことを特徴とする請求項２１に記載のＬＥＤデバイス。
23. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域から内側の半径方向に配置された下部層のシェルを含むことを特徴とする請求項２１に記載のＬＥＤデバイス。
24. 前記第１の半導体シェルの半径方向厚さは、ナノワイヤ軸方向に前記山と前記谷との間で少なくとも１５％変化し、
    前記ナノワイヤ軸方向の前記第１の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
    前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出し、
    前記第１の半導体シェルは、前記半径方向に５ｎｍを超える厚さを有し、
    ナノワイヤ軸方向の前記第２の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
    前記第２の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出する
    ことを特徴とする請求項２１に記載のＬＥＤデバイス。
25. 支持体の半導体表面の上に配置された絶縁マスク層であって、前記半導体ナノワイヤコアは、前記絶縁マスク層の開口部を通り、前記支持体の前記半導体表面から実質的に垂直に延出する第１の導電型の半導体ナノワイヤコアを含む、絶縁マスク層と、
    前記活性領域量子ウェルシェルの上及び周囲に延出する少なくとも１つの第２の導電型の半導体シェルと、
    前記第２の導電型の半導体シェルに接触する第１の電極層と、
    前記半導体ナノワイヤコアに電気的に接続する第２の電極層と、
    を更に含むことを特徴とする請求項２１に記載のＬＥＤデバイス。
26. 前記第１の導電型はｎ型を含み、
    前記第２の導電型はｐ型を含み、
    前記支持体は、基板の上のｎ−ＧａＮ又はｎ−ＡｌＧａＮのｎ型半導体バッファ層を含み、
    前記半導体ナノワイヤコアは、ｎ−ＧａＮナノワイヤコアを含み、
    前記活性領域量子ウェルシェルは、ＧａＮ障壁シェルの間のＩｎＧａＮシェルを含み、
    前記第１の電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む
    ことを特徴とする請求項２５に記載のＬＥＤデバイス。
27. 前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、少なくとも部分的にｐ面に沿って突出する前記第１の半導体シェルのｍ面に沿ったナノメートルスケールの不連続構造を含むことを特徴とする請求項２１に記載のＬＥＤデバイス。
28. 半導体ナノワイヤコアを形成する工程と、
    前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置された第１の半導体シェルを形成する工程と、
    前記第１の半導体シェルを形成する工程の前に、前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に第２の半導体シェルを形成する工程と、
    を含むナノワイヤデバイスの製造方法であって、
    前記第１の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出し、
    前記デバイスが発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスを含み、前記第１の半導体シェルが活性領域量子ウェルシェルを含み、
    前記第２の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出し、
    前記第１の半導体シェルが、前記第２の半導体シェルの上に形成され、前記第２の半導体シェルの前記不均一な表面輪郭形状を呈することを特徴とする製造方法。
29. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域量子ウェルの下部層の障壁シェルを含むことを特徴とする請求項２８に記載の製造方法。
30. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域から内側の半径方向に配置された下部層のシェルを含むことを特徴とする請求項２８に記載の製造方法。
31. 前記第１の半導体シェルの半径方向厚さは、ナノワイヤ軸方向に前記山と前記谷との間で少なくとも１５％変化し、
    前記ナノワイヤ軸方向の前記第１の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
    前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出し、
    前記第１の半導体シェルは、前記半径方向に５ｎｍを超える厚さを有し、
    ナノワイヤ軸方向の前記第２の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
    前記第２の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出する
    ことを特徴とする請求項２８に記載の製造方法。
32. 支持体の半導体表面の上に配置された絶縁マスク層を形成する工程であって、前記半導体ナノワイヤコアを形成する工程は、前記絶縁マスク層の開口部を通り、前記支持体の前記半導体表面から実質的に垂直に延出する第１の導電型の半導体ナノワイヤコアをエピタキシャル成長する工程を含む、工程と、
    前記活性領域量子ウェルシェルの上及び周囲に延出する少なくとも１つの第２の導電型の半導体シェルを形成する工程と、
    前記第２の導電型の半導体シェルに接触する第１の電極層を形成する工程と、
    前記半導体ナノワイヤコアに電気的に接続する第２の電極層を形成する工程と、
    を更に含むことを特徴とする請求項２８に記載の製造方法。
33. 前記第１の導電型はｎ型を含み、
    前記第２の導電型はｐ型を含み、
    前記支持体は、基板の上のｎ−ＧａＮ又はｎ−ＡｌＧａＮのｎ型半導体バッファ層を含み、
    前記半導体ナノワイヤコアは、ｎ−ＧａＮナノワイヤコアを含み、
    前記活性領域量子ウェルシェルは、ＧａＮ障壁シェルの間のＩｎＧａＮシェルを含み、
    前記第１の電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む
    ことを特徴とする請求項３２に記載の製造方法。
34. 前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、少なくとも部分的にｐ面に沿って突出する前記第１の半導体シェルのｍ面に沿ったナノメートルスケールの不連続構造を含み、
    前記活性量子ウェルシェルは、前記谷に配置された低濃度インジウム領域よりも少なくとも５原子パーセント多いインジウム含有量を有する前記山に配置された高濃度インジウム領域を含むＩｎ（Ａｌ）ＧａＮ半導体シェルを含む
    ことを特徴とする請求項２８に記載の製造方法。
35. 前記活性量子ウェルシェルは、前記高濃度インジウム領域が１０原子パーセントよりも多いインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域が１０原子パーセント未満のインジウムを含むＩｎＧａＮ半導体シェルを含むことを特徴とする請求項３４に記載の製造方法。
36. 高濃度インジウム領域は１５〜３０原子パーセントのインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域は１〜５原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項３５に記載の製造方法。
37. 前記ＬＥＤは、４９５〜５９０ｎｍのピーク発光波長又は５９１〜６５０ｎｍのピーク発光波長を有することを特徴とする請求項３６に記載の製造方法。
38. 前記ＬＥＤは約５２０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約２０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項３７に記載の製造方法。
39. 前記ＬＥＤは約６１０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約３０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項３７に記載の製造方法。
40. 半導体ナノワイヤコアを形成する工程と、
    前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置された第１の半導体シェルを形成する工程であって、前記第１の半導体シェルは、前記第１の半導体シェルの形成中にその場で一体に形成される高濃度インジウム領域を含むＩｎ（Ａｌ）ＧａＮ活性領域量子ウェルシェルを含む、工程と、
    を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスの製造方法であって、
    前記第１の半導体シェルの低濃度インジウム領域よりも少なくとも５原子パーセント多いインジウム含有量を有する高濃度インジウム領域を有する製造方法。
41. 前記活性量子ウェルシェルは、前記高濃度インジウム領域が１０原子パーセントよりも多いインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域が１０原子パーセント未満のインジウムを含むＩｎＧａＮ半導体シェルを含むことを特徴とする請求項４０に記載の製造方法。
42. 高濃度インジウム領域は１５〜３０原子パーセントのインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域は１〜５原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項４１に記載の製造方法。
43. 前記ＬＥＤは、４９５〜５９０ｎｍのピーク発光波長又は５９１〜６５０ｎｍのピーク発光波長を有することを特徴とする請求項４２に記載の製造方法。
44. 前記ＬＥＤは約５２０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約２０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項４３に記載の製造方法。
45. 前記ＬＥＤは約６１０ｎｍのピーク発光波長を有し、前記高濃度インジウム領域は約３０原子パーセントのインジウムを含むことを特徴とする請求項４３に記載の製造方法。
46. 前記第１の半導体シェルは、前記高濃度インジウム領域を含む少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から前記低濃度インジウム領域を含む谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出することを特徴とする請求項４０に記載の製造方法。
47. 前記第１の半導体シェルを形成する工程の前に、前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に第２の半導体シェルを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項４６に記載の製造方法。
48. 前記第２の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出することを特徴とする請求項４７に記載の製造方法。
49. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域量子ウェルの下部層の障壁シェルを含むことを特徴とする請求項４８に記載の製造方法。
50. 前記第２の半導体シェルは、前記活性領域から内側の半径方向に配置された下部層のシェルを含むことを特徴とする請求項４８に記載の製造方法。
51. 前記第１の半導体シェルの半径方向厚さは、ナノワイヤ軸方向に前記山と前記谷との間で少なくとも１５％変化し、
    前記ナノワイヤ軸方向の前記第１の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
    前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出し、
    前記第１の半導体シェルは、前記半径方向に５ｎｍを超える厚さを有し、
    ナノワイヤ軸方向の前記第２の半導体シェルの山から隣接する谷までの離間距離は１０〜３０ｎｍであり、
    前記第２の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から離れる半径方向に３〜５ｎｍ延出する
    ことを特徴とする請求項４８に記載の製造方法。
52. 支持体の半導体表面の上に配置された絶縁マスク層を形成する工程であって、前記半導体ナノワイヤコアを形成する工程は、前記絶縁マスク層の開口部を通り、前記支持体の前記半導体表面から実質的に垂直に延出する第１の導電型の半導体ナノワイヤコアをエピタキシャル成長する工程を含む、工程と、
    前記活性領域量子ウェルシェルの上及び周囲に延出する少なくとも１つの第２の導電型の半導体シェルを形成する工程と、
    前記第２の導電型の半導体シェルに接触する第１の電極層を形成する工程と、
    前記半導体ナノワイヤコアに電気的に接続する第２の電極層を形成する工程と、
    を更に含むことを特徴とする請求項４８に記載の製造方法。
53. 前記第１の導電型はｎ型を含み、
    前記第２の導電型はｐ型を含み、
    前記支持体は、基板の上のｎ−ＧａＮ又はｎ−ＡｌＧａＮのｎ型半導体バッファ層を含み、
    前記半導体ナノワイヤコアは、ｎ−ＧａＮナノワイヤコアを含み、
    前記活性領域量子ウェルシェルは、ＧａＮ障壁シェルの間のＩｎＧａＮシェルを含み、
    前記第１の電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む
    ことを特徴とする請求項５２に記載の製造方法。
54. 前記第１の半導体シェルの前記少なくとも３つの山の各々は、少なくとも部分的にｐ面に沿って突出する前記第１の半導体シェルのｍ面に沿ったナノメートルスケールの不連続構造を含むことを特徴とする請求項４８に記載の製造方法。
55. 半導体ナノワイヤコアと、
    前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置された第１の半導体シェルと、
    を含むナノワイヤデバイスであって、
    前記第１の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、それぞれ低濃度インジウム領域を含む隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記隣接する谷の前記低濃度インジウム領域よりも大きいインジウム濃度を有する高濃度インジウム領域を含むことを特徴とするナノワイヤデバイス。
56. 前記デバイスが発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスを含み、前記第１の半導体シェルが活性領域量子ウェルシェルを含むことを特徴とする請求項５５に記載のナノワイヤデバイス。
57. 前記第１の半導体シェルの半径方向の外側に配置された第２の半導体シェルを更に含むことを特徴とする請求項５６に記載のナノワイヤデバイス。
58. 半導体ナノワイヤコアを形成する工程と、
    前記半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置された第１の半導体シェルを形成する工程と、
    を含むナノワイヤデバイスの製造方法であって、
    前記第１の半導体シェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、
    前記少なくとも３つの山の各々は、それぞれ低濃度インジウム領域を含む隣接する谷から離れる半径方向に少なくとも２ｎｍ延出し、
    前記少なくとも３つの山の各々は、前記隣接する谷の前記低濃度インジウム領域よりも大きいインジウム濃度を有する高濃度インジウム領域を含むことを特徴とする製造方法。
59. 前記デバイスが発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスを含み、前記第１の半導体シェルが活性領域量子ウェルシェルを含むことを特徴とする請求項５８に記載の製造方法。
60. 前記第１の半導体シェルの周囲に半径方向に第２の半導体シェルを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項５９に記載の製造方法。
61. 前記高濃度インジウム領域が、前記半導体ナノワイヤコアを横方向に囲む窒化インジウムガリウム活性領域量子シェルの一体の部分を含むことを特徴とする請求項５５に記載のナノワイヤデバイス。
62. 前記ナノワイヤコアを横方向に囲む凹凸表面を有する下部層を更に含み、前記第１の半導体シェル内の歪みは、前記凹凸表面の凹凸の程度によって局所的に修正されることを特徴とする請求項５５に記載のナノワイヤデバイス。
63. 前記下部層が、前記低濃度インジウム領域よりも小さいインジウム濃度を有することを特徴とする請求項６２に記載のナノワイヤデバイス。
64. 前記第１の半導体シェルが、ＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮから選択される材料を含むことを特徴とする請求項６２に記載のナノワイヤデバイス。
65. 前記高濃度インジウム領域は１５〜３０原子パーセントのインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域が１０原子パーセント未満のインジウムを含むことを特徴とする請求項６４に記載のナノワイヤデバイス。
66. 前記半導体ナノワイヤコアが、ｎ型不純物添加窒化ガリウム半導体材料を含み、
    前記第２の半導体シェルが、ｐ型不純物添加窒化ガリウム半導体材料を含むことを特徴とする請求項５７に記載のナノワイヤデバイス。
67. 前記高濃度インジウム領域及び前記低濃度インジウム領域が、前記第１の半導体シェルの成膜中に自己組織化によって形成されることを特徴とする請求項５８に記載の製造方法。
68. 前記高濃度インジウム領域が、前記第１の半導体シェルを含む活性領域シェルの形成中にその場で、前記低濃度インジウム領域と一体に形成されることを特徴とする請求項５８に記載の製造方法。
69. 前記高濃度インジウム領域が、前記半導体ナノワイヤコアを横方向に囲む窒化インジウムガリウム活性領域量子シェルの一体の部分を含むことを特徴とする請求項５８に記載の製造方法。
70. 前記ナノワイヤコアの周囲に前記ナノワイヤコアを横方向に囲む凹凸表面を有する下部層を形成する工程を更に含み、前記第１の半導体シェル内の歪みは、前記凹凸表面の凹凸の程度によって局所的に修正されることを特徴とする請求項５８に記載の製造方法。
71. 前記下部層が、前記低濃度インジウム領域よりも小さいインジウム濃度を有することを特徴とする請求項７０に記載の製造方法。
72. 前記第１の半導体シェルが、ＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮから選択される材料を含むことを特徴とする請求項５８に記載の製造方法。
73. 高濃度インジウム領域は１５〜３０原子パーセントのインジウムを含み、前記低濃度インジウム領域が１０原子パーセント未満のインジウムを含むことを特徴とする請求項７２に記載の製造方法。
74. 前記半導体ナノワイヤコアが、ｎ型不純物添加窒化ガリウム半導体材料を含み、
    前記第２の半導体シェルが、ｐ型不純物添加窒化ガリウム半導体材料を含むことを特徴とする請求項６０に記載の製造方法。