JP3282174B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
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Description
ード)、LD(レーザダイオード)等の発光素子、ある
いは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒
化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、
0≦Y、X+Y≦1)よりなる素子に関する。
色LEDの材料として、フルカラーLEDディスプレ
イ、交通信号等で最近実用化されたばかりである。ま
た、本出願人は、最近この材料を用いてパルス電流にお
いて、室温での410nmのレーザ発振を発表した(例
えば、Jpn.J.Appl.Phys. Vol35 (1996) pp.L74-76)。
このレーザ素子はサファイア基板の上にGaNバッファ
層、n−GaN、n−In0.1Ga0.9N、n−A
l0 .15Ga0.85N、n−GaN、InGaNよ
りなる多重量子井戸構造(MQW)の活性層、p−Al
0.2Ga0.8N、p−GaN、p−Al0.15G
a0.85N、p−GaNが順に積層されてなる電極ス
トライプ型のレーザ素子であり、最上層のp型GaNに
はストライプ状のp電極、エッチングにより露出された
バッファ層の上のn−GaNには同じくストライプ状の
n電極が形成されている。このレーザ素子はパルス電流
(パルス幅2μs、パルス周期2ms)において、閾値
電流610mA、閾値電流密度8.7kA/cm2、閾値
電圧21Vと、閾値での電流、電圧がか なり高い。室
温連続発振させるためには、この閾値電流が下がるよう
な、さらに発光効率の高い素子を実現する必要がある。
子については、例えば我々が先に提案した特開平6−2
68259号公報のようなダブルへテロ構造が知られ、
実用化されているが、その他、例えば特開平7−312
445号公報に示されるようなダブルへテロ構造の発光
素子も示されている。この公報ではその実施例に基板の
上に高キャリア濃度のn+層を成長させ、その上に低キ
ャリア濃度のn−層を成長させ、その上に活性層を成長
させることが開示されている。つまり、基板側からn
+、n−、活性層の順にすることが示されている。この
ようにダブルへテロ構造の半導体発光素子では、キャリ
ア濃度がn+、n−、活性層、p−、p+、若しくはp
+、p−、活性層、n−、n+の順となるように、半導
体層を積層すると、活性層へのキャリアの注入効率が向
上し発光効率が向上することが知られている。キャリア
濃度はドナー、アクセプターとなるドーパントのドープ
量を変えることにより調整できることも知られている。
体ではLEDが実用化域に入っており、益々の光度向
上、長寿命が望まれ、LDでは早期室温での連続発振が
望まれている。そのためには素子自体の構造を改良し
て、窒化物半導体よりなるデバイス自体を向上させる必
要がある。そのためには最も過酷な条件で使用されるレ
ーザ素子の閾値を低下させて、レーザ素子を連続発振さ
せることが、最もわかりやすい。従って本発明の目的と
するところは、主として窒化物半導体よりなるレーザ素
子の閾値を低下させて室温で長時間連続発振させること
により、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子
を実現することにある。これを実現することにより、同
時にLEDの発光効率を向上させ、太陽電池、光センサ
ー等の受光素子の効率も向上させることができる。その
ために本発明では、新規な窒化物半導体素子を提供す
る。
来自らが提案した窒化物半導体素子の窒化物半導体層と
活性層との間に、窒化物半導体層との格子定数不整差が
±10.7%以上且つ膜厚が50Å以下の薄膜層(本発
明においては必ずしも層になっていなくてもよい)を設
けることで閾値を低下させることが可能となることを見
いだし、下記構成により本発明の目的を達成することが
できる。 (1) 窒化物半導体素子において、基板上に設けられ
た窒化物半導体層に接して、該窒化物半導体層との格子
定数不整差が±10.7%以上且つ膜厚が50Å以下の
薄膜層を形成してなり、更に該薄膜層に接して、少なく
ともインジウムを含有する窒化物半導体よりなる活性層
を形成してなることを特徴とする窒化物半導体素子。 (2) 前記薄膜層はMgS、MgSe、ZnS、Zn
Se、CdS、GaP、CdSe、InP、GaAsの
いずれかであることを特徴とする(1)に記載の窒化物
半導体素子。 (3) 前記薄膜層は少なくとも1種以上のMg、Z
n、Cd、Ga、Inからなる金属原子を含有している
窒化物半導体層であることを特徴とする(1)に記載の
窒化物半導体素子。
差±10.7%以上の薄膜層を設け更に前記薄膜層に接
して活性層を形成することにより、活性層が量子井戸構
造、量子ディスク構造、量子ワイヤー又は量子ドット構
造となり、出力が大幅に向上するものである。このよう
に、活性層が量子井戸構造、量子ディスク構造、量子ワ
イヤー又は量子ドット構造となることの詳細は不明であ
るが、恐らく窒化物層の格子定数に対し薄膜層の格子定
数が±10.7%以上ずれているために、窒化物層に接
して形成された薄膜層が格子不整合による格子歪みによ
り膜厚が不均一となり、この不均一膜となった薄膜層に
接して活性層を形成させると、活性層が不均一成長する
ことによると考えられる。
7%以上の薄膜層が形成される窒化物半導体層とは、基
板から活性層の間に設けられた層であり、n型の窒化物
半導体層が好ましく、また場合によってはp型層でもか
まわない。このような窒化物半導体層としては特に限定
されないが、GaN、InGaN、AlGaN、In
N、AlN等の3元混晶もしくは2元混晶の半導体が結
晶性がよく好ましい。これらの格子定数は、4.30Å
〜4.98Åの範囲にある。
て形成される窒化物半導体層との格子定数不整差が±1
0.7%以上且つ膜厚が50Å以下の層である。本発明
において、窒化物半導体層に対する薄膜層の格子定数不
整差が±10.7%以上であると、薄膜層に大きな格子
歪みがかかり、この歪みエネルギーにより薄膜層が平坦
な二次元成長をせず、三次元状の島状成長となり、その
上に成長する活性層も島状あるいはドット状に成長し、
活性層を良好に量子井戸構造又は量子ドット構造に形成
できやすくなる。格子定数不整差の上限は、特に限定さ
れない。
り、好ましい膜厚は40Å以下、さらに好ましくは30
Å以下、最も好ましくは20Å以下である。膜厚の下限
は特に限定されず、薄膜層を形成している成分中の1原
子の大きさ以上の厚さを有する膜厚の層であればよい。
薄膜層の膜厚が50Åより厚いと、二次元成長し、三次
元成長せず島状成長にならない。また活性層の結晶性が
悪くなって素子の出力が低下する傾向にある。なお、本
発明の薄膜層は非常に膜厚が薄いため、格子歪みエネル
ギーにより、自然形成的に島状成長になりやすい。ま
た、本発明において薄膜層は非常に膜厚が薄いため、活
性層の形成時の反応条件によっては薄膜層の活性層との
混入等が生じる可能性があり、活性層形成後、分析して
も薄膜層を明らかに確認することが困難な場合が生じる
かもしれないが、薄膜層が存在していた領域には、例え
ばSIMSで分析すると薄膜層の濃度分布がみられ程度
であっても本発明では薄膜層と見なす。このように薄膜
層が完全な状態で窒化物半導体素子中に存在しない場合
であっても、本発明の窒化物半導体素子の性能の向上
は、窒化物半導体素子中の完全な薄膜層の存在の有無に
左右されるものではなく、薄膜層に接して活性層を形成
させ活性層の形状を量子井戸構造、量子ディスク構造、
量子ワイヤー又は量子ドット構造に成長させることによ
って、顕著な効果を得ることができる。
層の接する窒化物半導体層を構成する結晶がどのような
原子又は化合物からなるかによって、薄膜層の窒化物半
導体層に対する格子定数不整差が±10.7%以上とな
るように薄膜層の成分を選択するものであり、薄膜層中
に少なくとも1種以上の金属原子を含有している層であ
る。しかし、本発明はこれに限定されない。本発明にお
いて薄膜層を窒化物半導体で構成する場合、その窒化物
半導体に含有される金属原子としては特に限定されない
が、周期表の2族及び3族原子の少なくとも1種が好ま
しく、Mg、Zn、Cd、Ga、Inが特に好ましい。
また薄膜層中の原子の濃度は、1×1019/cm3
以上であり、好ましくは1×1020/cm3 以上で
あり、更に好ましくは1×1021/cm3 以上であ
る。薄膜層中の原子の濃度が1×1019/cm3 以
上であると、活性層が良好な量子井戸構造、量子ディス
ク構造、量子ワイヤー又は量子ドット構造を有すること
ができる。また、薄膜層を金属原子のみからなる層(以
下メタル層という場合がある。)としてもよい。本発明
の格子定数不整差±10.7%以上の薄膜層を形成して
いる結晶としては、例えば以下のものがあげられる。
マグネシウム TMG:トリメチルガリウム TMI:トリメチルインジウム
る窒化物半導体層となる半導体は、格子定数不整差が±
10.7%以上となるような組み合わせであれば窒化物
半導体層のみならず本発明の薄膜層にもなりうる。
を含有する窒化物の半導体からなる層であればよく、好
ましくは、InXGa1−XN(0<X≦1)等から形
成される層である。このような本発明の活性層は、窒化
物半導体層と活性層との間に接して窒化物半導体層との
格子定数不整差が±10.7%以上の薄膜層を設けるこ
とにより、量子井戸構造、量子ディスク構造、量子ワイ
ヤー又は量子ドット構造を形成するものである。なお量
子井戸構造とは膜厚の薄い井戸層よりなる単一量子井
戸、若しくは井戸層と膜厚の薄い障壁層とが積層されて
なる多重量子井戸構造の活性層を指し、活性層はこの量
子井戸構造の量子効果により発光する。また量子ドット
構造とは、活性層が島状に成長した図3の様なものをさ
す。また活性層の膜厚の薄い井戸層及び/又は障壁層の
一部が相分離してインジウムの多いインジウムリッチ領
域と、インジウムの少ないインジウムプアー領域とを形
成しており、インジウムリッチ領域とインジウムプアー
領域とが平面上で規則的に並んだような状態になって量
子箱を形成している状態のものもここでは含む。本発明
では格子不整が大きくなるに伴い歪みエネルギーも大き
くなり、このエネルギーによりInGaNの層分離も起
きやすいと考えられる。あるいは井戸層の厚さが面内で
不均一であり、面内方向においてキャリアが閉じこめら
れるようになっているものも、ここでは含んで量子ドッ
ト若しくは量子箱という。
明する。図2及び図3は、一実施態様であるn型窒化物
半導体層、格子定数不整差が±10.7%以上ある薄膜
層、活性層、及びp型層が順次積層されてなる窒化物半
導体素子の活性層付近の構造を模式的に示す断面図であ
る。図2は、薄膜層を薄く成長させると歪みエネルギー
により、薄膜層が島状成長になる場合の模式図であり、
また図3は歪みエネルギーにより、薄膜層が不均一な膜
厚になる場合の模式図である。
させることにより、微視的にみると膜中に金属原子が存
在する箇所と存在しない箇所が生じ、膜中の原子の存在
の有無により膜厚の不均一を生じさせることができる。
このような薄膜層の膜厚不均一、即ち、薄膜層の膜厚の
厚いところと、薄いところとでは、結晶の性質が異なっ
てくるために、その薄膜層の上に活性層を成長させる
と、活性層が選択成長されたような形となる。活性層が
選択成長されることにより、活性層自体が量子箱や量子
ドット等となり、出力が大幅に向上する。つまり、井戸
層に注入されたキャリアは井戸層の厚さが面内で不均一
であり、面内方向でもクラッド層のバンドギャップ差に
より、キャリアが閉じこめられたような形となり量子
箱、量子ディスク若しくは量子ドット構造と同様の構造
となる。しかも、活性層はInを含む窒化物半導体より
なり、例えば活性層がInGaN層であり、このInG
aN層を量子構造となるような薄い膜厚で成長させる
と、歪みエネルギーによりIn含有率が全体的に不均一
となり、Inの多いインジウムリッチ領域と、Inの少
ないインジウムプアー領域とを形成する傾向にある。こ
のような、面内方向で膜厚不均一な状態でインジウムを
含む窒化物半導体を成長させると、Inの組成分離も起
きやすくなり、In組成分離による量子ドットと、井戸
層の面内方向の厚さ不均一によるドット形成の両方が作
用した量子ドット、量子ディスク又は量子箱ができやす
くなる。このため本発明の素子の活性層はIn組成分離
による量子ドットと、井戸層の面内不均一による量子ド
ットとの2種類の量子ドットの効果により非常に出力の
高い素子が実現できる。
在しエキシトンに基づく発光又はエキシトンが2個集ま
ったバイエキシトンに基づく発光をするので、発光効率
が高くなる。即ちインジウムリッチ領域は量子ドット又
は量子箱を構成する。この薄膜層を形成することにより
InGaN活性層がこのような量子ドット若しくは量子
箱を構成しやすくなるために、出力が大幅に向上すると
推察される。従って、活性層を単一量子井戸構造(SQ
W:Single quantum well)、多重量子井戸構造(MQ
W:Multi quantum well)のような量子井戸構造で構成
する場合、少なくともInを含む窒化物半導体よりなる
井戸層を有することが必要であり、単一井戸層の好まし
い膜厚は70オングストローム以下、さらに好ましくは
50オングストローム以下の膜厚に調整する。MQWの
場合、障壁層は井戸層よりもバンドギャップエネルギー
が大きい窒化物半導体層で構成し、膜厚は150オング
ストローム以下、さらに好ましくは100オングストロ
ーム以下に調整する。
子不整合の大きい状態で薄膜層を成長させると、均一な
膜厚で成長させることが難しい。しかも、薄膜層が50
オングストローム以下、好ましくは30オングストロー
ム以下、最も好ましくは10オングストローム以下とい
う膜厚で成長させられると、薄膜層は無数の穴があいた
ような状態となる。InGaNよりなる活性層がこのよ
うな薄膜層の上に成長させられると、InGaNよりな
る活性層の結晶成長状態が下地にある薄膜層よりもより
選択的となり、その結果、量子ドットの形成が起こる。
さらにまたInGaNを例として成長させると、このド
ット形成に加えてIn組成分離も起こり、両効果による
量子ドットが形成される。InGaN活性層が組成不均
一となりインジウム領域と、インジウムプアー領域とが
構成されることにより、量子箱、量子ドットが形成され
て高出力な素子が得られる。このような量子ドット、量
子箱のサイズは好ましくは10オングストローム〜10
0オングストローム、さらに好ましくは20〜60オン
グストロームである。
有機金属気相成長法により窒化物半導体を形成する方法
において、基板に窒化物半導体層を成長させた後、金属
含有物(例えば有機金属化合物、金属の水素化物等)を
反応させて窒化物半導体層に対する格子定数不整差が±
10.7%以上且つ膜厚が50Å以下となるような薄膜
層を形成し、その後前記薄膜層に接して、少なくともイ
ンジウムを含有する窒化物半導体よりなる活性層を形成
するものである。本発明は、n型窒化物半導体層との格
子定数不整差が±10.7%以上となる薄膜層が形成さ
れればよく、薄膜層を形成するための原料は特に限定さ
れない。また基板に成長させる窒化物半導体層は2層以
上でも良い。また、薄膜層を形成する際、金属含有物と
共にその他の成分を反応させることができる。その他の
成分としては、窒化物半導体層を形成する成分であれば
よく、例えば、トリメチルガリウム(TMG)、トリメ
チルアルミニウム(TMA)及びトリメチルインジウム
(TMI)等の窒化物半導体成長時の有機金属ガスソー
スである。本発明において、有機金属気相成長法を行う
際、金属含有物を2種以上用いてもよい。
層の膜厚の調整は、有機金属気相成長法を行う装置での
各ガスの流量及び有機金属化合物の濃度を調整して成長
速度を制御することによって、前記本発明の窒化物半導
体の膜厚となるように調整される。薄膜層の成長温度は
特に限定されないが、用いる金属含有物が分解する温度
以上であればよい。
接して薄膜層を有し更に薄膜層に接してインジウムを含
有する活性層を有していればよく、本発明の窒化物半導
体素子を構成するその他の層は特に限定されず、いずれ
の層構成もとりうることができる。以下に図4、図5を
用い、本発明の一実施態様である窒化物半導体素子の層
構成を説明する。しかし、本発明はこれに限定されるも
のではない。
半導体素子は、レーザ素子として用いられる一実施態様
であり、基板1、バッファ層2及びn型コンタクト層3
が積層され、n型コンタクト層3の積層上面の一部分を
残しn型コンタクト層3の面上にクラック防止層4、n
型クラッド層5、n型光ガイド層6、薄膜層7、活性層
8、p型キャップ層9、p型光ガイド層10、p型クラ
ッド層11、p型コンタクト層12及びp電極21が順
次積層され、更にn型コンタクト層3のクラック防止層
4が積層されていない部分にn電極22が絶縁膜30に
接し且つ絶縁膜30で隔てられた状態で2ヶ所に設置さ
れている。絶縁膜30は、n型コンタクト層3に接しn
型コンタクト層3の一部分からp電極21までの積層さ
れた両側面に接し各層を覆うように設けられ、且つ積層
された最上層のp電極21面上で一部切れた形状をして
いる。絶縁膜30より露出している電極21と絶縁膜3
0に接して前記各層が積層された上部にパット電極23
が設けられている。
半導体素子は、LED素子として用いられる一実施態様
であり、基板1、バッファ層2及びn型コンタクト層3
が積層され、n型コンタクト層3の積層上面の一部分を
残し薄膜層7、活性層8、p型クラッド層11、p型コ
ンタクト層12、透明p電極21’及びパット電極23
が積層されており、n型コンタクト層3の薄膜層7が積
層されていない部分にn電極22が絶縁膜30に接した
状態で設置されている。絶縁膜30は、n型コンタクト
層3に接しn型コンタクト層3の一部分から、前記n型
コンタクト層3の面上に積層されている薄膜層7からp
電極21’までの側面を覆うように且つパット電極23
を挟むような状態で設けられている。
する。基板1にはサファイアC面の他、R面、A面を主
面とするサファイア、その他、スピネル(MgAl2O
4)のような絶縁性の基板が用いられる。これらを用い
た場合、得られるレーザ素子は同一面側にn電極と、p
電極が形成された構造となるが、絶縁性基板の他、Si
C(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnO、Ga
As、GaN等の半導体基板を用い、同一面側にある窒
化物半導体層にn電極と、p電極を設ける構造とするこ
ともできる。
N等を、900℃以下の温度で、膜厚数十オングストロ
ーム〜数百オングストロームで形成される。このバッフ
ァ層2は基板1と窒化物半導体との格子定数不正を緩和
するために形成されるが、窒化物半導体の成長方法、基
板1の種類等によっては省略することも可能である。
1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で 構成され
ることができ、特にGaN、InGaN、その中でもS
i若しくはGeをドープしたGaNで構成することによ
り、キャリア濃度の高いn型層が得られ、またn電極と
好ましいオーミック接触が得られる。n電極の材料とし
てはAl、Ti、W、Cu、Zn、Sn、In等の金属
若しくは合金を用いると好ましいオーミックが得られ
る。
物半導体、好ましくはInGaNで成長させることによ
り、次に成長させるAlを含むn型クラッド層5を厚膜
で成長させることが可能となり、非常に好ましい。LD
の場合は、光閉じ込め層となる層を、好ましくは0.1
μm以上の膜厚で成長させる必要がある。従来ではGa
N、AlGaN層の上に直接、0.1μm以上のAlG
aNを成長させると、後から成長させたAlGaNにク
ラックが入るので素子作製が困難であったが、このクラ
ック防止層4が、次に成長させるAlを含むn型クラッ
ド層5にクラックが入るのを防止することができる。な
おこのクラック防止層4は100オングストローム以
上、0.5μm以下の膜厚で成長させることが好まし
い。100オングストロームよりも薄いと前記のように
クラック防止として作用しにくく、0.5μmよりも厚
いと、結晶自体が黒変する傾向にある。なお、このクラ
ック防止層4は成長方法、成長装置等の条件によっては
省略することもできるがLDを作製する場合には成長さ
せる方が望ましい。
及び光閉じ込め層として作用し、Alを含む窒化物半導
体、好ましくはAlGaNを成長させることが望まし
く、100オングストローム以上、2μm以下、さらに
好ましくは500オングストローム以上、1μm以下で
成長させることにより、結晶性の良いキャリア閉じ込め
層が形成できる。
層として作用し、GaN、InGaNを成長させること
が望ましく、通常100オングストローム〜5μm、さ
らに好ましくは200オングストローム〜1μmの膜厚
で成長させることが望ましい。
との格子定数不整差が±10.7%以上、且つ膜厚が5
0Å以下の層である。
ジウムを含有する窒化物の半導体からなる層であり、窒
化物半導体層と活性層との間に薄膜層を設けることによ
り、量子井戸構造、若しくは量子ドット構造を有するも
のである。活性層8のn型ドーパントは井戸層、障壁層
の両方にドープしてもよい。その他の詳細は前記した通
りである。
薄いため、n型不純物をドープしてキャリアが補償され
たi型としても良く、最も好ましくはp型とする。p型
キャップ層9の膜厚は0.1μm以下、さらに好ましく
は500オングストローム以下、最も好ましくは300
オングストローム以下に調整する。0.1μmより厚い
膜厚で成長させると、p型キャップ層9中にクラックが
入りやすくなり、結晶性の良い窒化物半導体層が成長し
にくいからである。またキャリアがこのエネルギーバリ
アをトンネル効果により通過できなくなる。また、Al
の組成比が大きいAlGaN程薄く形成するとLD素子
は発振しやすくなる。例えば、Y値が0.2以上のAl
YGa1−YNであれば500オングストローム以下に
調整することが望ましい。p型キャップ層9の膜厚の下
限は特に限定されないが、10オングストローム以上の
膜厚で形成することが望ましい。
ド層として作用し、n型光ガイド層6と同じくGaN、
InGaNで成長させることが望ましい。また、このp
型光ガイド層10はp型クラッド層11を成長させる際
のバッファ層としても作用し、100オングストローム
〜5μm、さらに好ましくは200オングストローム〜
1μmの膜厚で成長させることにより、好ましい光ガイ
ド層として作用する。
同じく、キャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層として
作用し、Alを含む窒化物半導体、好ましくはAlGa
Nを成長させることが望ましく、100オングストロー
ム以上、2μm以下、さらに好ましくは500オングス
トローム以上、1μm以下で成長させることにより、結
晶性の良いキャリア閉じ込め層が形成できる。
層を有する活性層8の場合、その活性層8に接して、膜
厚0.1μm以下のAlを含むp型キャップ層9を設
け、そのp型キャップ層9よりも活性層8から離れた位
置に、p型キャップ層9よりもバッドギャップエネルギ
ーが小さいp型光ガイド層10を設け、そのp型光ガイ
ド層10よりも活性層8から離れた位置に、p型光ガイ
ド層10よりもバンドギャップが大きいAlを含む窒化
物半導体よりなるp型クラッド層11を設けることは非
常に好ましい。しかもp型キャップ層9の膜厚を0.1
μm以下と薄く設定してあるため、キャリアのバリアと
して作用することはなく、p層から注入された正孔が、
トンネル効果によりp型キャップ層9を通り抜けること
ができて、活性層8で効率よく再結合し、LDの出力が
向上する。つまり、注入されたキャリアは、p型キャッ
プ層9のバンドギャップエネルギーが大きいため、半導
体素子の温度が上昇しても、あるいは注入電流密度が増
えても、キャリアは活性層8をオーバーフローせず、p
型キャップ層9で阻止されるため、キャリアが活性層8
に貯まり、効率よく発光することが可能となる。従っ
て、半導体素子が温度上昇しても発光効率が低下するこ
とが少ないので、閾値電流の低いLDを実現することが
できる。なお、本発明においては、LDを作成する場合
に活性層8から上の層は、窒化物半導体で発振しやすい
最も好ましい構成を実施例に示したが、本発明では活性
層8から上のp型層の構成は特に規定するものではな
い。
YGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y ≦1)で構
成することができ、好ましくはMgをドープしたGaN
とすれば、p電極21と最も好ましいオーミック接触が
得られる。なお、p型コンタクト層12と好ましいオー
ミックが得られるp電極21の材料としては、例えばN
i、Pd、Ni/Au等を挙げることができる。
p型層をさらに低抵抗化するため、アニーリングを行う
ことができる。
E装置により最上層のp型コンタクト層12と、p型ク
ラッド層11とをエッチングして、リッジ形状とするこ
とが好ましい。形状は特に限定されるものではないが、
このように、活性層8よりも上部にあるp型層をストラ
イプ状のリッジ形状とすることにより、活性層8の発光
がストライプリッジの下に集中するようになって閾値が
低下する。特に活性層8よりも上にあるAlを含むp型
窒化物半導体層以上の層をリッジ形状とすることが好ま
しい。リッジ形成後、リッジ表面にマスクを形成し、図
4に示すように、ストライプ状のリッジに対して左右対
称にして、n型コンタクト層3の表面を露出させる。
に形成される。p型コンタクト層12と好ましいオーミ
ックが得られるp電極21の材料としては、例えばN
i、Pd、Ni/Au等をあげることができる。p電極
21の形状はストライプ状が好ましいがその他の形状で
もよい。p電極21’の材料も上記p電極21と同様の
ものをあげることができる。n電極22はストライプ状
のn型コンタクト層3のほぼ全面に形成される。なおほ
ぼ全面とは80%以上の面積をいう。また、n電極22
の形状は特に限定されない。n電極22の材料として
は、Al、Ti、W、Cu、Zn、Sn、In等の金属
若しくは合金があげられ、これら金属又は合金を用いる
と好ましいオーミックが得られる。
実施例を示し、更に本発明を詳説する。しかし本発明は
これに限定されない。図4は本発明の一実施態様である
レーザ素子の構造を示す模式的な断面図であり、レーザ
光の共振方向に対して垂直な方向で素子を切断した際の
図を示している。以下に図4の一実施例である実施例1
〜10を示す。
トし、容器内を水素で十分置換した後、水素を流しなが
ら、基板の温度を1050℃まで上昇させ、基板のクリ
ーニングを行う。
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとTMG(トリメ
チルガリウム)とを用い、基板1上にGaNよりなるバ
ッファ層2を約200オングストロームの膜厚で成長さ
せる。
て、温度を1030℃まで上昇させる。1030℃にな
ったら、同じく原料ガスにTMG、アンモニアガス、ド
ーパントガスにシランガスを用い、n型コンタクト層3
として、Siを8×1018/cm3ドープしたSiドー
プn型GaN層を5μmの膜厚で成長させる。
TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、Siを8×10
18/cm3ドープしたSiドープIn0.1Ga0.9
Nよりなるクラック防止層4を500オングストローム
の膜厚で成長させる。
TMA(トリメチルアルミニウム)、TMG、NH3、
SiH4を用い、Siを8×1018/cm3ドープした
Siドー プn型Al0.2Ga0.8Nよりなるn型
クラッド層5を0.5μmの膜厚で成長させる。
/cm3ドープしたSiドープn型Ga N(格子定数:
4.5)よりなるn型光ガイド層6を0.2μmの膜厚
で成長させる。
エチル亜鉛[Zn(Et)2]及びSeH4を用い、Z
nSeよりなる薄膜層7を10オングストロームの膜厚
で成 長させる。ガイド層6に対する薄膜層7の格子定
数不整差は26%である。
ニア、シランガスを用いて活性層8を成長させる。活性
層8は温度を800℃に保持して、まずSiを8×10
18/cm3でドープしたIn0.2Ga0.8Nよりな
る井戸層を25オングストロームの膜 厚で成長させ
る。次にTMIのモル比を変化させるのみで同一温度
で、Siを8×1018/cm3ドープしたIn0.01
Ga0.95Nよりなる障壁層を50オングスト ロー
ムの膜厚で成長させる。この操作を2回繰り返し、最後
に井戸層を積層した多重量子井戸構造の活性層8を成長
させる。
TMA、NH3、Cp2Mg(シクロペンタジエニルマ
グネシウム)を用い、活性層8よりもバンドギャップエ
ネルギーが大きい、Mgドープp型Al0.1Ga
0.9Nよりなるp型キャップ層9を300オングスト
ロームの膜厚で成長させる。
ルギーがp型キャップ層9よりも小さい、Mgドープp
型GaNよりなるp型光ガイド層10を0.2μmの膜
厚で成長させる。
ルギーがp型光ガイド層10よりも大きい、Mgドープ
p型Al0.2Ga0.8Nよりなるp型クラッド層1
1を0.5μmの膜厚で成長させる。
50℃でMgドープp型GaNよりなるp型コンタクト
層12を0.5μmの膜厚で成長させる。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、700
℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化す
る。
取り出し、図4に示すように、RIE装置により最上層
のp型コンタクト層12と、p型クラッド層11とをエ
ッチングして、4μmのストライプ幅を有するリッジ形
状とする。リッジ形成後、リッジ表面にマスクを形成
し、図4に示すように、ストライプ状のリッジに対して
左右対称にして、n型コンタクト層3の表面を露出させ
る。
Auよりなるp電極21をストライプ状に形成する。一
方、TiとAlよりなるn電極22をストライプ状のn
型コンタクト層3のほぼ全面に形成する。なおほぼ全面
とは80%以上の面積をいう。
電極21との間に露出した窒化物半導体層の表面にSi
O2よりなる絶縁膜30を形成し、この絶縁膜30を介
してp電極21と電気的に接続したパッド電極23を形
成する。この形成されたパッド電極23は実質的なp電
極21の表面積を広げて、p電極側をワイヤーボンディ
ングできるようにする作用がある。
成したウェーハを研磨装置に移送し、ダイヤモンド研磨
剤を用いて、窒化物半導体を形成していない側のサファ
イア基板1をラッピングし、基板1の厚さを50μmと
する。ラッピング後、さらに細かい研磨剤で1μmポリ
シングして基板表面を鏡面状とする。
ストライプ状の電極に垂直な方向でバー状に劈開し、劈
開面に共振器を作製する。なお劈開面はサファイア基板
の上に成長した窒化物半導体面の
系で近似した場合に、その六角柱の側面に相当する四角
形の面(M面)に相当する面である。この他、RIE等
のドライエッチング手段により端面をエッチングして共
振器を作製することもできる。またこの他、劈開面を鏡
面研磨して作成することも可能である。
りなる誘電体多層膜を形成し、最後にp電極に平行な方
向で、バーを切断してレーザチップとした。次にチップ
をフェースアップ(基板とヒートシンクとが対向した状
態)でヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤ
ーボンディングして、室温でレーザ発振を試みたとこ
ろ、室温において、閾値電流密度4kA/cm2、閾値電
圧6Vで、発振波長405 nmの連続発振が確認さ
れ、21時間の連続発振を確認した。
0オングストロームとする他は同様にしてレーザ素子を
得たところ、同じく、閾値電流密度5kA/cm2、閾値
電圧6V、発振波長405nmにおいて、16時間の連
続発振を確認した。
0オングストロームとする他は同様にしてレーザ素子を
得たところ、同じく、閾値電流密度7kA/cm2、閾値
電圧6V、発振波長405nmにおいて、10時間の連
続発振を確認した。
0オングストロームとする他は同様にしてレーザ素子を
得たところ、同じく、閾値電流密度9kA/cm2、閾値
電圧6V、発振波長405nmにおいて、1時間の連続
発振を確認した。
にMg(CpEt)2及びH2Sを用い成長温度500
℃でMgSよりなる薄膜層を形成する他は同様 にして
レーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同様の特性を
示した。格子定数不整差は24.9%である。
に Mg(CpEt)2及びSeH4を用い成長温度6
00℃でMgSeよりなる薄膜層を形成する他は 同様
にしてレーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同等の
特性を示した。格子定数不整差は30.9%である。
スに Zn(Et)2及びH2Sを用い成長温度600
℃でZnSよりなる薄膜層を形成する他は実施例 1と
同様にしてレーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同
等の特性を示した。格子定数不整差は20.7%であ
る。
スに Cd(Et)2及びH2Sを用い成長温度700
℃でCdSよりなる薄膜層を形成する他は同様に して
レーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同等の特性を
示した。格子定数不整差は29.3%である。
スにGa(CH3)3及びPH4を用い成長温度800
℃でGaPよりなる薄膜層を形成する他は同様に して
レーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同等の特性を
示した。格子定数不整差は21.6%である。
スにCd(Et)2及びSeH4を用い成長温度700
℃でCdSeよりなる薄膜層を形成する他は同 様にし
てレーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同等の特性
を示した。格子定数不整差は34.4%である。
スにIn(CH3)3及びNH3、更にMg(CpE
t)2を用いる薄膜層を形成する他成長温度800℃で
Mgを1×1022ドープしたInN(格子定数:4.
98)よりなる薄膜層を形成する他は同様にしてレーザ
素子を得たところ、実施例1とほぼ同等の特性を示し
た。格子定数不整差は10.7%である。
スにGa(CH3)3及びAsH3を用い成長温度70
0℃でGaAsよりなる薄膜層を形成する他は同 様に
してレーザ素子を得たところ、実施例1とほぼ同等の特
性を示した。格子定数不整差は25.6%である。
子の構造を示す模式的な断面図である。以下、図5の一
実施例である実施例13及び14を以下に示す。
グした後、サファイア基板1の上にGaNよりなるバッ
ファ層2を200オングストロームの膜厚で成長させ、
コンタクト層3としてSi濃度8×1018/cm3のn
型GaN層を5μ mの膜厚で成長させる。
n(Et)2及びSeH4を用いZnSeよりなる薄膜
層7を10オングストロームの膜厚で成長させる。コン
タクト層3に対する薄膜層7の格子定数不整差は26%
である。
ニア、シランガスを用い、Siを8×1018/cm3ド
ープしたIn0.2Ga0.8N(平均組成)よりなる
井戸層を30 オングストロームの膜厚で成長させ、S
QW構造の活性層8を作製する。
p型Al0.2Ga0.8Nよりなるp型クラッド層1
1を0.5μmの膜厚で成長させ、そのp型クラッド層
の上に、Mgドープp型GaNよりなるp型コンタクト
層12を0.5μmの膜厚で成長させる。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、700
℃でアニーリングを行い、p型層をさらに低抵抗化す
る。
取り出し、図5に示すように、RIE装置により最上層
のp型コンタクト層12側からエッチングを行い、n電
極22を形成すべきn型コンタクト層3の表面を露出さ
せる。
NiとAuよりなる透明なp電極21’を形成し、その
p電極21’の上にボンディング用のパッド電極23を
2μmの膜厚で形成する。一方、露出したn型コンタク
ト層3の表面にはTiとAlよりなるn電極22を形成
する。
ッド電極23との間に露出した窒化物半導体層、および
p電極21’の表面にSiO2よりなる絶縁膜30を形
成する。
成したウェーハを研磨装置に移送し、ダイヤモンド研磨
剤を用いて、窒化物半導体を形成していない側のサファ
イア基板1をラッピングし、基板の厚さを90μmとし
て、サファイア基板側をスクライブして350μm角の
LEDチップとする。このLEDチップを順方向電流
(If)20mA、順方向電圧(Vf)3.5Vにて発
光させたところ、発光波長450nm、出力10mWが
得られ、薄膜層7を設けていないLED素子に比較し
て、出力は2〜2.5倍に向上した。
ガスに、Mg(EtCp)2、及びH2Sを用い成長温
度700℃でMgSよりなる薄膜層7を5オングストロ
ームの膜厚で成長させる他は実施例13と同様にしてL
ED素子を得たところ、実施例13とほぼ同等の特性を
示すLED素子が得られた。格子定数不整差は24.9
%である。
導体素子は薄膜層に接して、活性層を成長させることに
より素子の出力が格段に向上する。特に薄膜層が1原子
〜数原子層の膜厚の際に顕著な効果が現れる。これは薄
膜層により、その上に成長させるインジウムを含む活性
層が量子ドット構造、量子ディスク又は量子箱構造にな
りやすいためと推察される。従って、高出力で、長寿命
なレーザ素子を実現できる。レーザ素子が改善されたこ
とにより、レーザ素子よりも緩やかな条件で使用される
LED素子はさらに信頼性もよくなる。そして本発明の
発光デバイスが実現されたことにより、DVDはもちろ
んのこと、フルカラーLEDディスプレイ等の応用デバ
イスに利用でき、その産業上の利用価値は非常に大き
い。
である。
造を示す模式断面図である。
造を示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 窒化物半導体素子において、基板上に設
けられた窒化物半導体層に接して、該窒化物半導体層と
の格子定数不整差が±10.7%以上且つ膜厚が50Å
以下の薄膜層を形成してなり、更に該薄膜層に接して、
少なくともインジウムを含有する窒化物半導体よりなる
活性層を形成してなることを特徴とする窒化物半導体素
子。 - 【請求項2】 前記薄膜層はMgS、MgSe、Zn
S、ZnSe、CdS、GaP、CdSe、InP、G
aAsのいずれかであることを特徴とする請求項1に記
載の窒化物半導体素子。 - 【請求項3】 前記薄膜層は少なくとも1種以上のM
g、Zn、Cd、Ga、Inからなる金属原子を含有し
ている窒化物半導体層であることを特徴とする請求項1
に記載の窒化物半導体素子。
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