JP2000183372A - 火炎センサ - Google Patents
火炎センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 暗電流の影響を除去することができて検出精
度が高く、しかも低価格の火炎センサを提供する。 【解決手段】 火炎から発する光をＩｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，ｙ≧０）からなる受光部ＰＲを備
えた受光素子ＰＳを用いて検出するように構成された火
炎センサであって、受光素子ＰＳの温度を設定温度に維
持するように、受光素子ＰＳを加熱する加熱手段Ｈが設
けられている。
度が高く、しかも低価格の火炎センサを提供する。 【解決手段】 火炎から発する光をＩｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，ｙ≧０）からなる受光部ＰＲを備
えた受光素子ＰＳを用いて検出するように構成された火
炎センサであって、受光素子ＰＳの温度を設定温度に維
持するように、受光素子ＰＳを加熱する加熱手段Ｈが設
けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、火炎から発する光
をＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，ｙ≧０）から
なる受光部を備えた受光素子を用いて検出するように構
成された火炎センサに関する。
をＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，ｙ≧０）から
なる受光部を備えた受光素子を用いて検出するように構
成された火炎センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる火炎センサは、通常、種々の雰囲
気温度にて使用されるものであり、又、かかる火炎セン
サで用いられる受光素子では、光が照射されていない状
態で流れる暗電流は雰囲気温度により変化する。そこ
で、他の光と区別した状態で火炎を検出できるようにし
て、火炎の検出精度を高くするには、暗電流の影響を除
去する必要がある。従来は、特性が揃った少なくとも２
個の受光素子を用いて火炎センサを構成し、そのうちの
少なくとも１個を光が入射しないように設けて暗電流の
補償用として使用するようにしていた。
気温度にて使用されるものであり、又、かかる火炎セン
サで用いられる受光素子では、光が照射されていない状
態で流れる暗電流は雰囲気温度により変化する。そこ
で、他の光と区別した状態で火炎を検出できるようにし
て、火炎の検出精度を高くするには、暗電流の影響を除
去する必要がある。従来は、特性が揃った少なくとも２
個の受光素子を用いて火炎センサを構成し、そのうちの
少なくとも１個を光が入射しないように設けて暗電流の
補償用として使用するようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、特性の揃った複数の受光素子を用いることによりコ
ストがアップするばかりでなく、広い温度域に特性の揃
ったものを抽出するための作業が複雑となってそのため
のコストも高くなるため、火炎センサの価格が高くなる
という問題があった。
は、特性の揃った複数の受光素子を用いることによりコ
ストがアップするばかりでなく、広い温度域に特性の揃
ったものを抽出するための作業が複雑となってそのため
のコストも高くなるため、火炎センサの価格が高くなる
という問題があった。
【０００４】本発明は、かかる実情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、暗電流の影響を除去することが
できて検出精度が高く、しかも低価格の火炎センサを提
供することにある。
のであり、その目的は、暗電流の影響を除去することが
できて検出精度が高く、しかも低価格の火炎センサを提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の特徴構
成によれば、雰囲気温度が変化しても、加熱手段によっ
て受光素子の温度が設定温度に維持されるように加熱さ
れるので、暗電流の変化がなくなる又は小さくなって、
暗電流を安定化させることができる。従って、暗電流補
償用の受光素子を別に設けることなく、１個の受光素子
を用いて、暗電流の影響を除去して火炎を検出すること
ができるので、検出精度が高く、しかも低価格の火炎セ
ンサを提供することができるようになった。
成によれば、雰囲気温度が変化しても、加熱手段によっ
て受光素子の温度が設定温度に維持されるように加熱さ
れるので、暗電流の変化がなくなる又は小さくなって、
暗電流を安定化させることができる。従って、暗電流補
償用の受光素子を別に設けることなく、１個の受光素子
を用いて、暗電流の影響を除去して火炎を検出すること
ができるので、検出精度が高く、しかも低価格の火炎セ
ンサを提供することができるようになった。
【０００６】請求項２に記載の特徴構成によれば、加熱
手段が電気抵抗加熱式のヒータにて構成されている。受
光素子の入出力信号は、当然、電気信号であるので、請
求項２に記載の特徴構成にように、加熱手段を電気抵抗
加熱式のヒータにて構成することにより、加熱手段の加
熱作動を電気的に行わせることができるので、構成を簡
略化することができる。ちなみに、加熱手段は、例え
ば、熱媒の通流により加熱作動させるように構成するこ
とができるが、この場合は、構成が複雑になる。従っ
て、請求項２に記載の特徴構成によれば、加熱手段の加
熱作動を電気的に行わせるようにして、構成を簡略化す
ることができるので、本発明の実施コストを低減するこ
とができる。
手段が電気抵抗加熱式のヒータにて構成されている。受
光素子の入出力信号は、当然、電気信号であるので、請
求項２に記載の特徴構成にように、加熱手段を電気抵抗
加熱式のヒータにて構成することにより、加熱手段の加
熱作動を電気的に行わせることができるので、構成を簡
略化することができる。ちなみに、加熱手段は、例え
ば、熱媒の通流により加熱作動させるように構成するこ
とができるが、この場合は、構成が複雑になる。従っ
て、請求項２に記載の特徴構成によれば、加熱手段の加
熱作動を電気的に行わせるようにして、構成を簡略化す
ることができるので、本発明の実施コストを低減するこ
とができる。
【０００７】請求項３に記載の特徴構成によれば、ヒー
タが板状に形成され、受光素子がベアーチップ状態で板
状ヒータの板面にダイボンドされて支持されている。つ
まり、元々、ベアーチップ状態の受光素子をダイボンド
して支持するための部材、例えば基板が必要であるが、
板状ヒータをベアーチップ状態の受光素子を支持するた
めの部材に兼用するようにしてある。従って、部材の兼
用化により、火炎センサを構成するための部材を少なく
することができるので、本発明の実施コストを低減する
ことができる。
タが板状に形成され、受光素子がベアーチップ状態で板
状ヒータの板面にダイボンドされて支持されている。つ
まり、元々、ベアーチップ状態の受光素子をダイボンド
して支持するための部材、例えば基板が必要であるが、
板状ヒータをベアーチップ状態の受光素子を支持するた
めの部材に兼用するようにしてある。従って、部材の兼
用化により、火炎センサを構成するための部材を少なく
することができるので、本発明の実施コストを低減する
ことができる。
【０００８】請求項４に記載の特徴構成によれば、受光
素子の温度を検出する温度検出手段が、板状ヒータの板
面に膜状に形成され、受光素子が板状ヒータの板面にお
ける温度検出手段上に支持されているので、温度検出手
段により、受光素子の温度を精度よく検出することがで
きる。そして、温度検出手段の検出情報に基づいて、受
光素子の温度を設定温度に維持するように、板状ヒータ
に供給する電力を調節することにより、受光素子の温度
調節をより精度よく行うことができるので、暗電流の変
化をより小さくすることができて、検出精度を更に向上
させることができる。
素子の温度を検出する温度検出手段が、板状ヒータの板
面に膜状に形成され、受光素子が板状ヒータの板面にお
ける温度検出手段上に支持されているので、温度検出手
段により、受光素子の温度を精度よく検出することがで
きる。そして、温度検出手段の検出情報に基づいて、受
光素子の温度を設定温度に維持するように、板状ヒータ
に供給する電力を調節することにより、受光素子の温度
調節をより精度よく行うことができるので、暗電流の変
化をより小さくすることができて、検出精度を更に向上
させることができる。
【０００９】温度検出手段は、板状ヒータの板面に、蒸
着等の薄膜形成法にて、例えば、膜状に熱電対を構成す
ることにより、膜状に簡単且つ生産性よく形成すること
ができる。ちなみに、受光素子の温度を検出するための
構成としては、板状ヒータの板面に凹部を形成し、その
凹部に熱電対を入れることにより構成することができる
が、この場合は、生産性が悪くなるのでコストが高くな
る。従って、請求項４に記載の特徴構成によれば、コス
トアップを可及的に抑制しながら、受光素子の温度調節
精度を更に高くして、検出精度を更に向上させることが
できるようになった。
着等の薄膜形成法にて、例えば、膜状に熱電対を構成す
ることにより、膜状に簡単且つ生産性よく形成すること
ができる。ちなみに、受光素子の温度を検出するための
構成としては、板状ヒータの板面に凹部を形成し、その
凹部に熱電対を入れることにより構成することができる
が、この場合は、生産性が悪くなるのでコストが高くな
る。従って、請求項４に記載の特徴構成によれば、コス
トアップを可及的に抑制しながら、受光素子の温度調節
精度を更に高くして、検出精度を更に向上させることが
できるようになった。
【００１０】請求項５に記載の特徴構成によれば、受光
素子が気密状の容器内に設けられ、その容器内に不活性
ガスが充填されているので、受光素子が水分等の性能を
劣化させる成分を含む雰囲気に曝されるのを防止するこ
とができる。従って、検出精度が高く、しかも、耐久性
に優れた火炎センサを提供することができるようになっ
た。この場合、請求項６に記載されているように、不活
性ガスとして窒素ガスを封入しておくと、素子材料から
の窒素元素の脱離を抑制することができ、高温条件下で
使用される場合にあっても、その特性を安定させること
ができる。
素子が気密状の容器内に設けられ、その容器内に不活性
ガスが充填されているので、受光素子が水分等の性能を
劣化させる成分を含む雰囲気に曝されるのを防止するこ
とができる。従って、検出精度が高く、しかも、耐久性
に優れた火炎センサを提供することができるようになっ
た。この場合、請求項６に記載されているように、不活
性ガスとして窒素ガスを封入しておくと、素子材料から
の窒素元素の脱離を抑制することができ、高温条件下で
使用される場合にあっても、その特性を安定させること
ができる。
【００１１】請求項７に記載の特徴構成によれば、冷媒
通流手段により受光素子を冷却するように冷媒が通流さ
れる状態で、加熱手段によって受光素子の温度が設定温
度に維持されるように加熱されるので、受光素子の温度
調節をより精度よく行うことができる。従って、暗電流
の変化をより小さくすることができて、検出精度を更に
向上させることができる。又、雰囲気温度が高くなって
も、受光素子が冷却されているので、受光素子の過熱を
防止することができる。従って、より高い雰囲気温度に
おいても使用することができるようにして、汎用性を向
上させることができるようになった。
通流手段により受光素子を冷却するように冷媒が通流さ
れる状態で、加熱手段によって受光素子の温度が設定温
度に維持されるように加熱されるので、受光素子の温度
調節をより精度よく行うことができる。従って、暗電流
の変化をより小さくすることができて、検出精度を更に
向上させることができる。又、雰囲気温度が高くなって
も、受光素子が冷却されているので、受光素子の過熱を
防止することができる。従って、より高い雰囲気温度に
おいても使用することができるようにして、汎用性を向
上させることができるようになった。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
実施の形態を説明する。図６に示すように、火炎センサ
は、火炎を検出するセンサヘッドＳ１と、そのセンサヘ
ッドＳ１の作動を制御するとともにセンサヘッドＳ１か
らの出力信号を処理する制御部Ｓ２と、それらセンサヘ
ッドＳ１と制御部Ｓ２とを電気的に接続するケーブルＳ
３と、センサヘッドＳ１を冷却すべく、冷却用空気を通
風するブロアＳ４等を備えて構成してある。そして、例
えば、炉壁Ｗの窓に筒状体Ｔを連通接続して、センサヘ
ッドＳ１を、炉内に臨ませる状態で筒状体Ｔ内に配置
し、ブロアＳ４を筒状体Ｔ内に冷却用空気を通風するよ
うに配置する。
実施の形態を説明する。図６に示すように、火炎センサ
は、火炎を検出するセンサヘッドＳ１と、そのセンサヘ
ッドＳ１の作動を制御するとともにセンサヘッドＳ１か
らの出力信号を処理する制御部Ｓ２と、それらセンサヘ
ッドＳ１と制御部Ｓ２とを電気的に接続するケーブルＳ
３と、センサヘッドＳ１を冷却すべく、冷却用空気を通
風するブロアＳ４等を備えて構成してある。そして、例
えば、炉壁Ｗの窓に筒状体Ｔを連通接続して、センサヘ
ッドＳ１を、炉内に臨ませる状態で筒状体Ｔ内に配置
し、ブロアＳ４を筒状体Ｔ内に冷却用空気を通風するよ
うに配置する。
【００１３】センサヘッドＳ１について説明を加える。
図１に示すように、センサヘッドＳ１は、火炎から発す
る光を検出するＩｎyＡｌx Ｇａ1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，
ｙ≧０）からなる受光部ＰＲを備えた受光素子ＰＳと、
その受光素子ＰＳの温度を設定温度に維持するように、
受光素子ＰＳを加熱する加熱手段Ｈを備えて構成してあ
る。
図１に示すように、センサヘッドＳ１は、火炎から発す
る光を検出するＩｎyＡｌx Ｇａ1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，
ｙ≧０）からなる受光部ＰＲを備えた受光素子ＰＳと、
その受光素子ＰＳの温度を設定温度に維持するように、
受光素子ＰＳを加熱する加熱手段Ｈを備えて構成してあ
る。
【００１４】図２ないし図４に基づいて、受光素子ＰＳ
について説明を加える。受光素子ＰＳは、図２に示すよ
うに、単結晶基板であるサファイヤ基板１上にＡｌＮ緩
衝層２及び高抵抗のＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜
３を積層し、図３に示すようにＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y
Ｎ単結晶膜３上に櫛形電極４ａ，４ｂを形成して構成す
る。上記受光素子ＰＳでは、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ
単結晶膜３が受光部ＰＲとなり、その受光部ＰＲに入射
した光により受光部ＰＲの電気抵抗が変化することに光
を検出するいわゆる光導電型に構成してある。
について説明を加える。受光素子ＰＳは、図２に示すよ
うに、単結晶基板であるサファイヤ基板１上にＡｌＮ緩
衝層２及び高抵抗のＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜
３を積層し、図３に示すようにＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y
Ｎ単結晶膜３上に櫛形電極４ａ，４ｂを形成して構成す
る。上記受光素子ＰＳでは、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ
単結晶膜３が受光部ＰＲとなり、その受光部ＰＲに入射
した光により受光部ＰＲの電気抵抗が変化することに光
を検出するいわゆる光導電型に構成してある。
【００１５】Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３の I
II族元素の組成比によって分光感度が規定される。具体
的には、図４に示すＩｎを含まないＡｌx Ｇａ1-x Ｎの
バンドギャップとＡｌ混晶比ｘとの関係のように、Ａｌ
混晶比が大きくなるほどバンドギャップが広くなって光
吸収端が短波長側に移動する。Ａｌx Ｇａ1-x ＮのＡｌ
の一部がＩｎに置き代わる関係となるＩｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎの場合では、Ｉｎが、Ａｌ又はＧａに置き変わ
る割合が大きくなるにつれてバンドギャップが狭くなり
光吸収端が長波長側に移動する。
II族元素の組成比によって分光感度が規定される。具体
的には、図４に示すＩｎを含まないＡｌx Ｇａ1-x Ｎの
バンドギャップとＡｌ混晶比ｘとの関係のように、Ａｌ
混晶比が大きくなるほどバンドギャップが広くなって光
吸収端が短波長側に移動する。Ａｌx Ｇａ1-x ＮのＡｌ
の一部がＩｎに置き代わる関係となるＩｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎの場合では、Ｉｎが、Ａｌ又はＧａに置き変わ
る割合が大きくなるにつれてバンドギャップが狭くなり
光吸収端が長波長側に移動する。
【００１６】受光素子ＰＳは火炎センサとして用いるも
のであり、火炎の光のスペクトルを、雑音光として作用
する太陽光や室内光（蛍光灯の光）の影響を除外した状
態で検出できるのが望ましいので、吸収スペクトルの長
波長端が３００ｎｍ近傍以下となるようにするのが好適
である。具体的には、ｙ＝０としてＩｎを含まないＡｌ
x Ｇａ1-x Ｎの場合では、Ａｌ混晶比を０．４２乃至
０．４５の範囲で選択すれば、バンドギャップが概ね
４．５ｅＶとなり、吸収スペクトルの長波長端はおよそ
２７５ｎｍとなる。このように、ｙ＝０としてＩｎを含
まないＡｌx Ｇａ1-x Ｎを備えて所望の受光素子ＰＳを
構成できるのであるが、ｙ＞０としてＩｎを成分に含め
ても受光素子ＰＳを構成できる。Ｉｎを含める場合に
は、それに応じてＡｌ混晶比ｘを大きくし、ガリウムの
割合を減じることで、上記のバンドギャップとすること
ができる。但し、ｙ≧０．５の範囲では、Ａｌの割合を
最大にしても吸収スペクトルの長波長端が長波長側へ移
動し過ぎるものとなり、現実には、０≦ｙ＜０．５の範
囲が望ましい。又、Ａｌ混晶比ｘを大とし過ぎると、ガ
スの炎から発する光に対する感度も低下し、火炎センサ
としての利用が困難となるので、０＜ｘ≦０．６の範囲
とするのが望ましい。当然、ｘ及びｘ＋ｙは１未満であ
る。尚、太陽光が完全に遮光された状態で使用されるこ
とが前提であれば、バンドギャップが概ね４．３ｅＶと
なるようにして、吸収端を若干長波長側へ移動させても
ほぼ同等の性能が得られる。
のであり、火炎の光のスペクトルを、雑音光として作用
する太陽光や室内光（蛍光灯の光）の影響を除外した状
態で検出できるのが望ましいので、吸収スペクトルの長
波長端が３００ｎｍ近傍以下となるようにするのが好適
である。具体的には、ｙ＝０としてＩｎを含まないＡｌ
x Ｇａ1-x Ｎの場合では、Ａｌ混晶比を０．４２乃至
０．４５の範囲で選択すれば、バンドギャップが概ね
４．５ｅＶとなり、吸収スペクトルの長波長端はおよそ
２７５ｎｍとなる。このように、ｙ＝０としてＩｎを含
まないＡｌx Ｇａ1-x Ｎを備えて所望の受光素子ＰＳを
構成できるのであるが、ｙ＞０としてＩｎを成分に含め
ても受光素子ＰＳを構成できる。Ｉｎを含める場合に
は、それに応じてＡｌ混晶比ｘを大きくし、ガリウムの
割合を減じることで、上記のバンドギャップとすること
ができる。但し、ｙ≧０．５の範囲では、Ａｌの割合を
最大にしても吸収スペクトルの長波長端が長波長側へ移
動し過ぎるものとなり、現実には、０≦ｙ＜０．５の範
囲が望ましい。又、Ａｌ混晶比ｘを大とし過ぎると、ガ
スの炎から発する光に対する感度も低下し、火炎センサ
としての利用が困難となるので、０＜ｘ≦０．６の範囲
とするのが望ましい。当然、ｘ及びｘ＋ｙは１未満であ
る。尚、太陽光が完全に遮光された状態で使用されるこ
とが前提であれば、バンドギャップが概ね４．３ｅＶと
なるようにして、吸収端を若干長波長側へ移動させても
ほぼ同等の性能が得られる。
【００１７】受光素子ＰＳの製造方法について、簡単に
説明する。受光素子ＰＳを構成する各層は、ウェハ状態
のサファイヤ基板１上に、ＭＯＣＶＤ装置にて積層され
る。ＭＯＣＶＤ装置は、反応室（成膜室）が常圧付近と
なるいわゆる常圧型のものを使用する。上記各層の積層
は、ウェハ状態のサファイヤ基板１を反応室（成膜室）
にセットした状態で、サファイヤ基板１を加熱し、各構
成元素の材料ガスの供給状態を順次切換えることにより
行われる。材料ガスとしては、Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ及びＮ
の各構成元素は、夫々、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウ
ム），ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム），ＴＭＧａ
（トリメチルガリウム）及びＮＨ3 （アンモニア）とし
て供給される。
説明する。受光素子ＰＳを構成する各層は、ウェハ状態
のサファイヤ基板１上に、ＭＯＣＶＤ装置にて積層され
る。ＭＯＣＶＤ装置は、反応室（成膜室）が常圧付近と
なるいわゆる常圧型のものを使用する。上記各層の積層
は、ウェハ状態のサファイヤ基板１を反応室（成膜室）
にセットした状態で、サファイヤ基板１を加熱し、各構
成元素の材料ガスの供給状態を順次切換えることにより
行われる。材料ガスとしては、Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ及びＮ
の各構成元素は、夫々、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウ
ム），ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム），ＴＭＧａ
（トリメチルガリウム）及びＮＨ3 （アンモニア）とし
て供給される。
【００１８】上記各層のうち、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y
Ｎ単結晶膜３を積層する際においては、ＴＭＩｎ，ＴＭ
Ａｌ，ＴＭＧａ及びＮＨ3 の材料供給量を、夫々、ａ
（ｍｏｌ／ｓｅｃ），ｂ（ｍｏｌ／ｓｅｃ），ｃ（ｍｏ
ｌ／ｓｅｃ）及びＸ（ｍｏｌ／ｓｅｃ）とすると、Ｖ族
元素の III族元素に対する材料供給比率、すなわち、Ｘ
／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、５０００以上となるように設定し
て成膜する。このような条件で成膜することにより、Ｉ
ｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３は、キャリア濃度が
１×１０15ｃｍ-3以下の高抵抗の単結晶膜が得られる。
又、キャリア濃度の調整のために特に必要であれば、Ｓ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等を公知の適切な注入方法により注入す
ることができる。
Ｎ単結晶膜３を積層する際においては、ＴＭＩｎ，ＴＭ
Ａｌ，ＴＭＧａ及びＮＨ3 の材料供給量を、夫々、ａ
（ｍｏｌ／ｓｅｃ），ｂ（ｍｏｌ／ｓｅｃ），ｃ（ｍｏ
ｌ／ｓｅｃ）及びＸ（ｍｏｌ／ｓｅｃ）とすると、Ｖ族
元素の III族元素に対する材料供給比率、すなわち、Ｘ
／（ａ＋ｂ＋ｃ）が、５０００以上となるように設定し
て成膜する。このような条件で成膜することにより、Ｉ
ｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３は、キャリア濃度が
１×１０15ｃｍ-3以下の高抵抗の単結晶膜が得られる。
又、キャリア濃度の調整のために特に必要であれば、Ｓ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ等を公知の適切な注入方法により注入す
ることができる。
【００１９】Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３の成
膜後に、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３の積層表
面上に櫛形電極４ａ，４ｂを形成する。櫛形電極４ａ，
４ｂは、ＴｉとＡｌの２層構成で、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎ単結晶膜３側がＴｉとなるように、例えば電子
ビーム蒸着等により積層し、リフトオフ法や化学的エッ
チング等により櫛形とする。尚、図３中、４ａp ，４ｂ
pは、ワイヤボンド用のボンディングパッドである。櫛
形電極４ａ，４ｂの形成後、ダイシングによりウェハ状
態から個々の素子へ素子分離する。
膜後に、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３の積層表
面上に櫛形電極４ａ，４ｂを形成する。櫛形電極４ａ，
４ｂは、ＴｉとＡｌの２層構成で、Ｉｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎ単結晶膜３側がＴｉとなるように、例えば電子
ビーム蒸着等により積層し、リフトオフ法や化学的エッ
チング等により櫛形とする。尚、図３中、４ａp ，４ｂ
pは、ワイヤボンド用のボンディングパッドである。櫛
形電極４ａ，４ｂの形成後、ダイシングによりウェハ状
態から個々の素子へ素子分離する。
【００２０】図５に示すように、加熱手段Ｈは、矩形板
状で、電気抵抗加熱式のセラミックヒータ５（以下、板
状ヒータと略記する場合がある）にて構成してある。更
に、板状ヒータ５の板面に、温度検出手段としての熱電
対６を膜状に形成してある。具体的には、熱電対６は、
板状ヒータ５の板面に、熱電対を構成するための２種の
金属膜６ａ，６ｂを蒸着法にて積層し、リフトオフ法や
化学的エッチング法等により、所定の形状に形成する。
尚、図５中、６ａp ，６ｂp は、熱電対６から信号を取
り出すためのワイヤボンド用のボンディングパッドであ
る。
状で、電気抵抗加熱式のセラミックヒータ５（以下、板
状ヒータと略記する場合がある）にて構成してある。更
に、板状ヒータ５の板面に、温度検出手段としての熱電
対６を膜状に形成してある。具体的には、熱電対６は、
板状ヒータ５の板面に、熱電対を構成するための２種の
金属膜６ａ，６ｂを蒸着法にて積層し、リフトオフ法や
化学的エッチング法等により、所定の形状に形成する。
尚、図５中、６ａp ，６ｂp は、熱電対６から信号を取
り出すためのワイヤボンド用のボンディングパッドであ
る。
【００２１】そして、上述のように形成した受光素子Ｐ
Ｓを、板状ヒータ５の板面における熱電対６上にダイボ
ンドすることにより、受光素子ＰＳをベアチップ状態で
板状ヒータ５の板面に支持してある。
Ｓを、板状ヒータ５の板面における熱電対６上にダイボ
ンドすることにより、受光素子ＰＳをベアチップ状態で
板状ヒータ５の板面に支持してある。
【００２２】図１に示すように、板状ヒータ５に電力を
供給するための２本のヒータ用リード７ｈを板状ヒータ
５に接続してある。又、受光素子ＰＳのボンディングパ
ッド４ａp ，４ｂp 夫々と２本のセンサ用リード７ｓ，
７ｓ夫々とをワイヤ８にてワイヤボンドし、並びに、熱
電対６のボンディングパッド６ａp ，６ｂp 夫々と２本
の温度検出用リード７ｔ，７ｔ夫々とをワイヤ８にてワ
イヤボンドしてある。そして、板状ヒータ５に支持され
た状態の受光素子ＰＳを、気密状の容器Ｐ内に、リード
７ｈ，７ｓ，７ｔからなる６本のリード７の端部が容器
外に出る状態で設け、その容器Ｐ内に不活性ガスとして
の窒素ガスを充填してある。容器Ｐは、紫外線を透過さ
せる石英ガラス等にて形成したガラス容器９にて構成し
てある。
供給するための２本のヒータ用リード７ｈを板状ヒータ
５に接続してある。又、受光素子ＰＳのボンディングパ
ッド４ａp ，４ｂp 夫々と２本のセンサ用リード７ｓ，
７ｓ夫々とをワイヤ８にてワイヤボンドし、並びに、熱
電対６のボンディングパッド６ａp ，６ｂp 夫々と２本
の温度検出用リード７ｔ，７ｔ夫々とをワイヤ８にてワ
イヤボンドしてある。そして、板状ヒータ５に支持され
た状態の受光素子ＰＳを、気密状の容器Ｐ内に、リード
７ｈ，７ｓ，７ｔからなる６本のリード７の端部が容器
外に出る状態で設け、その容器Ｐ内に不活性ガスとして
の窒素ガスを充填してある。容器Ｐは、紫外線を透過さ
せる石英ガラス等にて形成したガラス容器９にて構成し
てある。
【００２３】尚、受光素子ＰＳを支持した板状ヒータ５
をガラス容器９内に設けるに当たっては、２本のヒータ
用リード７ｈにより、受光素子ＰＳを支持した板状ヒー
タ５を、容器Ｐ内において容器内面と非接触状態で支持
するように設けてある。つまり、受光素子ＰＳ及び板状
ヒータ５とガラス容器９との間の熱伝導を極力小さくし
て、板状ヒータ５により受光素子ＰＳを効率よく加熱す
ることができるようにしてある。
をガラス容器９内に設けるに当たっては、２本のヒータ
用リード７ｈにより、受光素子ＰＳを支持した板状ヒー
タ５を、容器Ｐ内において容器内面と非接触状態で支持
するように設けてある。つまり、受光素子ＰＳ及び板状
ヒータ５とガラス容器９との間の熱伝導を極力小さくし
て、板状ヒータ５により受光素子ＰＳを効率よく加熱す
ることができるようにしてある。
【００２４】上述のように形成したセンサヘッドＳ１
を、図６に示すように、火炎から発する光が受光部ＰＲ
に入射する状態で設け、そのセンサヘッドＳ１を６本の
リード７を利用して、ケーブルＳ３にて制御部Ｓ２に接
続してある。そして、ブロアＳ４による冷却用空気の通
風により、センサヘッドＳ１が冷却される（即ち、受光
素子ＰＳが冷却される）状態で、制御部Ｓ２により、熱
電対６の検出情報に基づいて、受光素子ＰＳの温度を設
定温度（例えば、１００℃前後）に維持するように、板
状ヒータ５に供給する電力を調節するように構成してあ
る。ここで、火炎の有無の検出は、櫛形電極４ａ，４ｂ
間の抵抗値変化としてとらえられる。従って、ブロアＳ
４が、受光素子ＰＳを冷却すべく冷却用空気を冷媒とし
て通流させる冷媒通流手段として機能する。
を、図６に示すように、火炎から発する光が受光部ＰＲ
に入射する状態で設け、そのセンサヘッドＳ１を６本の
リード７を利用して、ケーブルＳ３にて制御部Ｓ２に接
続してある。そして、ブロアＳ４による冷却用空気の通
風により、センサヘッドＳ１が冷却される（即ち、受光
素子ＰＳが冷却される）状態で、制御部Ｓ２により、熱
電対６の検出情報に基づいて、受光素子ＰＳの温度を設
定温度（例えば、１００℃前後）に維持するように、板
状ヒータ５に供給する電力を調節するように構成してあ
る。ここで、火炎の有無の検出は、櫛形電極４ａ，４ｂ
間の抵抗値変化としてとらえられる。従って、ブロアＳ
４が、受光素子ＰＳを冷却すべく冷却用空気を冷媒とし
て通流させる冷媒通流手段として機能する。
【００２５】〔別実施形態〕次に別実施形態を説明す
る。 （イ） 容器Ｐの具体構成は、上記の実施形態において
例示した構成に限定されるものではない。 上記の実施形態では、容器Ｐの全体を石英ガラスを用い
て形成したが、光を入射させるべき部分は石英ガラスを
用い、その他の部分は金属を用いることにより形成し
て、コストダウンを図ってもよい。この場合、例えば、
図７に示すように、金属製の円筒体１０の一方の開口端
を金属製の円板状の台座１１により閉塞し、他方の開口
端を石英ガラス製の透過部材１２により閉塞して、容器
Ｐを気密状に形成することができる。円筒体１０と台座
１１とは全周にわたって連続して溶接接続し、円筒体１
０と透過部材１２とは、鉛ガラス等の接合材１３にて全
周にわたって連続して接合する。
る。 （イ） 容器Ｐの具体構成は、上記の実施形態において
例示した構成に限定されるものではない。 上記の実施形態では、容器Ｐの全体を石英ガラスを用い
て形成したが、光を入射させるべき部分は石英ガラスを
用い、その他の部分は金属を用いることにより形成し
て、コストダウンを図ってもよい。この場合、例えば、
図７に示すように、金属製の円筒体１０の一方の開口端
を金属製の円板状の台座１１により閉塞し、他方の開口
端を石英ガラス製の透過部材１２により閉塞して、容器
Ｐを気密状に形成することができる。円筒体１０と台座
１１とは全周にわたって連続して溶接接続し、円筒体１
０と透過部材１２とは、鉛ガラス等の接合材１３にて全
周にわたって連続して接合する。
【００２６】この場合、台座１１の内面には、４個のボ
ンディングパッド１４ｓp ，１４ｓ p ，１４ｔp ，１４
ｔp を互いに電気的に絶縁状態で設けてあり、２本のセ
ンサ用リード７ｓ，７ｓ夫々をボンディングパッド１４
ｓp ，１４ｓ夫々と電気的に接続する状態で、台座１１
にそれとは電気的に絶縁状態で支持して設け、同様に、
２本の温度検出用リード７ｔ，７ｔ夫々をボンディング
パッド１４ｔp ，１４ｔp 夫々と電気的に接続する状態
で、台座１１にそれとは電気的に絶縁状態で支持して設
けてある。又、２本のヒータ用リード７ｈを台座１１に
対して、それとは電気的に絶縁状態で貫通する状態で支
持して設けてある。
ンディングパッド１４ｓp ，１４ｓ p ，１４ｔp ，１４
ｔp を互いに電気的に絶縁状態で設けてあり、２本のセ
ンサ用リード７ｓ，７ｓ夫々をボンディングパッド１４
ｓp ，１４ｓ夫々と電気的に接続する状態で、台座１１
にそれとは電気的に絶縁状態で支持して設け、同様に、
２本の温度検出用リード７ｔ，７ｔ夫々をボンディング
パッド１４ｔp ，１４ｔp 夫々と電気的に接続する状態
で、台座１１にそれとは電気的に絶縁状態で支持して設
けてある。又、２本のヒータ用リード７ｈを台座１１に
対して、それとは電気的に絶縁状態で貫通する状態で支
持して設けてある。
【００２７】尚、受光素子ＰＳを支持した板状ヒータ５
は、上記の実施形態と同様に、２本のヒータ用リード７
ｈにより、容器Ｐ内に容器内面と非接触状態で支持して
設ける。又、受光素子ＰＳのボンディングパッド４ａ
p ，４ｂp 夫々とボンディングパッド１４ｓp ，１４ｓ
p 夫々とをワイヤ８にてワイヤボンドし、並びに、熱電
対６のボンディングパッド６ａp ，６ｂp 夫々とボンデ
ィングパッド１４ｔp ，１４ｔp 夫々とをワイヤ８にて
ワイヤボンドする。
は、上記の実施形態と同様に、２本のヒータ用リード７
ｈにより、容器Ｐ内に容器内面と非接触状態で支持して
設ける。又、受光素子ＰＳのボンディングパッド４ａ
p ，４ｂp 夫々とボンディングパッド１４ｓp ，１４ｓ
p 夫々とをワイヤ８にてワイヤボンドし、並びに、熱電
対６のボンディングパッド６ａp ，６ｂp 夫々とボンデ
ィングパッド１４ｔp ，１４ｔp 夫々とをワイヤ８にて
ワイヤボンドする。
【００２８】あるいは、図８に示すように、一方の端部
が全面にわたって開口し、他方の端部が環状の縁部が形
成される状態で部分的に開口した円筒体１５の全面開口
端を図７と同様の台座１１により閉塞し、部分開口端を
石英ガラス製の透過部材１６にて閉塞して、容器Ｐを気
密状に形成することができる。円筒体１５と台座１１と
は全周にわたって連続して溶接接続し、円筒体１５と透
過部材１６とは、透過部材１６を円筒体１５の内側から
開口部周りの縁部に当て付けた状態で、鉛ガラス等の接
合材１３にて全周にわたって連続して接合する。
が全面にわたって開口し、他方の端部が環状の縁部が形
成される状態で部分的に開口した円筒体１５の全面開口
端を図７と同様の台座１１により閉塞し、部分開口端を
石英ガラス製の透過部材１６にて閉塞して、容器Ｐを気
密状に形成することができる。円筒体１５と台座１１と
は全周にわたって連続して溶接接続し、円筒体１５と透
過部材１６とは、透過部材１６を円筒体１５の内側から
開口部周りの縁部に当て付けた状態で、鉛ガラス等の接
合材１３にて全周にわたって連続して接合する。
【００２９】（ロ） 上記の実施形態においては、受光
素子ＰＳを支持した板状ヒータ５を、容器Ｐ内に容器内
面と非接触状態で設ける場合について例示したが、これ
に代えて、受光素子ＰＳを支持した板状ヒータ５を容器
内面と接触状態で設けてもよい。あるいは、板状ヒータ
５により容器Ｐの周壁の一部を形成するようにしてもよ
い。但し、板状ヒータ５による加熱効率を向上させる上
や、受光素子ＰＳの温度調節精度を向上させる上では、
容器内面と非接触状態で設けるのが好ましい。
素子ＰＳを支持した板状ヒータ５を、容器Ｐ内に容器内
面と非接触状態で設ける場合について例示したが、これ
に代えて、受光素子ＰＳを支持した板状ヒータ５を容器
内面と接触状態で設けてもよい。あるいは、板状ヒータ
５により容器Ｐの周壁の一部を形成するようにしてもよ
い。但し、板状ヒータ５による加熱効率を向上させる上
や、受光素子ＰＳの温度調節精度を向上させる上では、
容器内面と非接触状態で設けるのが好ましい。
【００３０】（ハ） 加熱手段Ｈの具体構成は、上記の
実施形態において例示した矩形板状のセラミックヒータ
５に限定されるものではない。例えば、セラミック基板
上に厚膜抵抗体又は薄膜抵抗体を形成し、その厚膜抵抗
体又は薄膜抵抗体を電気抵抗加熱式のヒータとして機能
させるように構成してもよい。
実施形態において例示した矩形板状のセラミックヒータ
５に限定されるものではない。例えば、セラミック基板
上に厚膜抵抗体又は薄膜抵抗体を形成し、その厚膜抵抗
体又は薄膜抵抗体を電気抵抗加熱式のヒータとして機能
させるように構成してもよい。
【００３１】（ニ） 上記の実施形態において、ブロア
Ｓ４を省略することができるが、受光素子ＰＳの温度調
節精度を向上させる上や、火炎センサの使用可能温度を
高くして汎用性を向上させる上では、ブロアＳ４を設け
るのが好ましい。
Ｓ４を省略することができるが、受光素子ＰＳの温度調
節精度を向上させる上や、火炎センサの使用可能温度を
高くして汎用性を向上させる上では、ブロアＳ４を設け
るのが好ましい。
【００３２】（ホ） 冷媒通流手段の具体構成は、上記
の実施形態において例示した構成に限定されるものでは
ない。例えば、冷媒として、空気以外に窒素ガス等を通
流させるように構成することができる。
の実施形態において例示した構成に限定されるものでは
ない。例えば、冷媒として、空気以外に窒素ガス等を通
流させるように構成することができる。
【００３３】（ヘ） 温度検出手段の具体構成として
は、上記の実施形態において例示した熱電対以外に、例
えば、測温抵抗体を膜状に形成したものを適用すること
ができる。
は、上記の実施形態において例示した熱電対以外に、例
えば、測温抵抗体を膜状に形成したものを適用すること
ができる。
【００３４】（ト） 容器Ｐ内に充填する不活性ガスと
しては、上記の実施形態において例示した窒素ガス以外
のアルゴンガス等を用いることができる。 （チ） 受光素子ＰＳは上記の実施形態において例示し
たものに限定されるものではない。例えば、Ｉｎy Ａｌ
x Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３の組成比は適宜変更可能であ
る。 （リ） 上記の実施形態においては、受光素子は、ホト
コンダクタ型としたが、ＰＮ接合型フォトダイオードと
して構成すること、第１導電型の半導体層と第２導電型
の半導体層との間に、高抵抗のＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y
Ｎ単結晶膜を形成した、いわゆるＰＩＮ接合型あるいは
ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等のフォトダ
イオードとして構成することができる。尚、ＰＩＮ接合
型として構成する場合とＡＰＤとして構成する場合とで
は、高抵抗のＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x- y Ｎ単結晶膜５の層
厚が異なるのみである。例えば、高抵抗のＩｎy Ａｌx
Ｇａ 1-x-y Ｎ単結晶膜の層厚は、ＰＩＮ接合型の場合で
０．１μｍ、ＡＰＤの場合で０．５μｍとする。
しては、上記の実施形態において例示した窒素ガス以外
のアルゴンガス等を用いることができる。 （チ） 受光素子ＰＳは上記の実施形態において例示し
たものに限定されるものではない。例えば、Ｉｎy Ａｌ
x Ｇａ1-x-y Ｎ単結晶膜３の組成比は適宜変更可能であ
る。 （リ） 上記の実施形態においては、受光素子は、ホト
コンダクタ型としたが、ＰＮ接合型フォトダイオードと
して構成すること、第１導電型の半導体層と第２導電型
の半導体層との間に、高抵抗のＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x-y
Ｎ単結晶膜を形成した、いわゆるＰＩＮ接合型あるいは
ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等のフォトダ
イオードとして構成することができる。尚、ＰＩＮ接合
型として構成する場合とＡＰＤとして構成する場合とで
は、高抵抗のＩｎy Ａｌx Ｇａ1-x- y Ｎ単結晶膜５の層
厚が異なるのみである。例えば、高抵抗のＩｎy Ａｌx
Ｇａ 1-x-y Ｎ単結晶膜の層厚は、ＰＩＮ接合型の場合で
０．１μｍ、ＡＰＤの場合で０．５μｍとする。
【００３５】さらに、フォトトランジスタ、フォトサイ
リスタ等に対しても本願は適応できる。
リスタ等に対しても本願は適応できる。
【００３６】あるいは、半導体基板上に、電流通路を形
成するための電流通路用半導体層を形成し、その電流通
路形成用半導体の両側脇に、第１の電極と第２の電極を
形成し、それら二つの電極の間に形成される電流通路に
対して、電流の通過を阻止するための電圧を印加する制
御用電極を備えた、いわゆるＦＥＴに類似する構成とし
てもよい。このＦＥＴに類似する構成のものでは、電流
通路に入射した光により、電流通路の電気抵抗が低下し
て、第１及び第２電極間に流れる電流が変化することに
基づいて、火炎を検出する。尚、電流通路に光が入射し
ない状態では、第１及び第２電極間に電圧を印加して
も、制御用電極から電圧を印加することにより、第１及
び第２電極間にほとんど電流が流れない状態とすること
ができ、これにより、暗電流を可及的に小さくすること
ができる。
成するための電流通路用半導体層を形成し、その電流通
路形成用半導体の両側脇に、第１の電極と第２の電極を
形成し、それら二つの電極の間に形成される電流通路に
対して、電流の通過を阻止するための電圧を印加する制
御用電極を備えた、いわゆるＦＥＴに類似する構成とし
てもよい。このＦＥＴに類似する構成のものでは、電流
通路に入射した光により、電流通路の電気抵抗が低下し
て、第１及び第２電極間に流れる電流が変化することに
基づいて、火炎を検出する。尚、電流通路に光が入射し
ない状態では、第１及び第２電極間に電圧を印加して
も、制御用電極から電圧を印加することにより、第１及
び第２電極間にほとんど電流が流れない状態とすること
ができ、これにより、暗電流を可及的に小さくすること
ができる。
【図１】火炎センサのセンサヘッドの断面図
【図２】火炎センサの受光素子の断面図
【図３】火炎センサの受光素子の平面図
【図４】受光素子の組成比とバンドギャップとの関係を
示す図
示す図
【図５】火炎センサの板状ヒータの平面図
【図６】火炎センサの全体構成を示す概略図
【図７】別実施形態にかかる火炎センサのセンサヘッド
の断面図
の断面図
【図８】別実施形態にかかる火炎センサのセンサヘッド
の断面図
の断面図
５ ヒータ ６ 温度検出手段 Ｈ 加熱手段 Ｐ 容器 ＰＲ 受光部 ＰＳ 受光素子 Ｓ４ 冷媒通流手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 浩 愛知県名古屋市天白区塩釜口１―501 名 城大学理工学部電気電子工学科内 (72)発明者 赤崎 勇 愛知県名古屋市天白区塩釜口１―501 名 城大学理工学部電気電子工学科内 Ｆターム(参考） 2G065 BA02 BA09 BA36 BA37 BA38 CA12 CA16 CA21 DA06 5F088 AA11 AB07 BA03 BB10 CB04 FA05 GA02 HA20 JA07 JA20
Claims (7)
- 【請求項１】 火炎から発する光をＩｎy Ａｌx Ｇａ
1-x-y Ｎ膜（ｘ＞０，ｙ≧０）からなる受光部を備えた
受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサ
であって、 前記受光素子の温度を設定温度に維持するように、前記
受光素子を加熱する加熱手段が設けられている火炎セン
サ。 - 【請求項２】 前記加熱手段が電気抵抗加熱式のヒータ
にて構成されている請求項１記載の火炎センサ。 - 【請求項３】 前記ヒータが板状に形成され、 前記受光素子がベアーチップ状態で前記板状ヒータの板
面に支持されている請求項２記載の火炎センサ。 - 【請求項４】 前記受光素子の温度を検出する温度検出
手段が、前記板状ヒータの板面に膜状に形成され、 前記受光素子が前記板状ヒータの板面における前記温度
検出手段上に支持され、 前記温度検出手段の検出情報に基づいて、前記受光素子
の温度を前記設定温度に維持するように、前記板状ヒー
タに供給される電力が調節されるように構成されている
請求項３記載の火炎センサ。 - 【請求項５】 前記受光素子が気密状の容器内に設けら
れ、 その容器内に不活性ガスが充填されている請求項３又は
４記載の火炎センサ。 - 【請求項６】 前記不活性ガスが窒素ガスである請求項
５記載の火炎センサ。 - 【請求項７】 前記受光素子を冷却すべく冷媒を通流さ
せる冷媒通流手段が設けられている請求項１〜５のいず
れか１項に記載の火炎センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10351691A JP2000183372A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 火炎センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10351691A JP2000183372A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 火炎センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183372A true JP2000183372A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18418978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10351691A Pending JP2000183372A (ja) | 1998-12-10 | 1998-12-10 | 火炎センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183372A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008538814A (ja) * | 2005-04-23 | 2008-11-06 | シノギー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 加熱可能な変換層を有する画像変換装置 |
| US20100027583A1 (en) * | 2007-02-06 | 2010-02-04 | Thorn Security Limited | Detector |
| EP3872462A1 (de) * | 2020-02-18 | 2021-09-01 | Vaillant GmbH | Wärmezelle mit optischer sensoreinheit |
Citations (7)
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| JPS5240990A (en) * | 1975-09-27 | 1977-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor switching device |
| JPS5991757U (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | 東京電子工業株式会社 | 固体撮像装置 |
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| JPH10215029A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
-
1998
- 1998-12-10 JP JP10351691A patent/JP2000183372A/ja active Pending
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| JP4863177B2 (ja) * | 2005-04-23 | 2012-01-25 | シノギー・テクノロジーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 加熱可能な変換層を有する画像変換装置 |
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| EP3872462A1 (de) * | 2020-02-18 | 2021-09-01 | Vaillant GmbH | Wärmezelle mit optischer sensoreinheit |
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