JPH1065213A - 窒化物半導体素子 - Google Patents
窒化物半導体素子Info
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- JPH1065213A JPH1065213A JP21821496A JP21821496A JPH1065213A JP H1065213 A JPH1065213 A JP H1065213A JP 21821496 A JP21821496 A JP 21821496A JP 21821496 A JP21821496 A JP 21821496A JP H1065213 A JPH1065213 A JP H1065213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- nitride semiconductor
- type contact
- contact layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｖｆの低い窒化物半導体素子を実現して、発
熱量の少ない素子を提供し、素子寿命を向上させると共
に、ＬＤのような高温動作のデバイスの連続発振を目指
す。 【構成】 負電極が表面に形成されたｎ型コンタクト層
と、正電極が表面に形成されたｐ型窒化物半導体よりな
るｐ型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子におい
て、前記負電極と、ｎ型コンタクト層との界面には凹凸
が設けられていることにより、抵抗値が低下して、Ｖｆ
が低下する。
熱量の少ない素子を提供し、素子寿命を向上させると共
に、ＬＤのような高温動作のデバイスの連続発振を目指
す。 【構成】 負電極が表面に形成されたｎ型コンタクト層
と、正電極が表面に形成されたｐ型窒化物半導体よりな
るｐ型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子におい
て、前記負電極と、ｎ型コンタクト層との界面には凹凸
が設けられていることにより、抵抗値が低下して、Ｖｆ
が低下する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子、太陽
電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導
体（ｌｎXＡＩYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦
１）よりなる素子に関する。
ＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子、太陽
電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導
体（ｌｎXＡＩYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦
１）よりなる素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体は１．９５〜６．０ｅＶま
でのバンドギャッブエネルギーを有するため、ＬＥＤ、
ＬＤ等の発光素子、太陽電池、光センサー等の受光素子
の材料として従来より注目されており、最近、この材料
で高輝度な青色ＬＥＤと、緑色ＬＥＤが実用化された。
これらのＬＥＤは基板上にｎ型層と、活性層と、ｐ型層
を有するダブルヘテロ構造であり、出力はｌｍＷを優に
超えている。
でのバンドギャッブエネルギーを有するため、ＬＥＤ、
ＬＤ等の発光素子、太陽電池、光センサー等の受光素子
の材料として従来より注目されており、最近、この材料
で高輝度な青色ＬＥＤと、緑色ＬＥＤが実用化された。
これらのＬＥＤは基板上にｎ型層と、活性層と、ｐ型層
を有するダブルヘテロ構造であり、出力はｌｍＷを優に
超えている。
【０００３】図３は、窒化物半導体よりなるＬＥＤ素子
の構造を示す模式断面図である。基本的な構造として
は、基板１０の上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層
１１、ＡＩＧａＮよりなるｎ型クラッド層１２、ｌｎＧ
ａＮよりなる活性層１３、ＡＩＧａＮよりなるｐ型クラ
ッド層１４、ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層１５とが
順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、ｐ型コ
ンタクト層１５には正電極２０が形成され、エッチング
により平面が露出されたｎ型コンタクト層１１には負電
極２２が形成されている。
の構造を示す模式断面図である。基本的な構造として
は、基板１０の上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層
１１、ＡＩＧａＮよりなるｎ型クラッド層１２、ｌｎＧ
ａＮよりなる活性層１３、ＡＩＧａＮよりなるｐ型クラ
ッド層１４、ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層１５とが
順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、ｐ型コ
ンタクト層１５には正電極２０が形成され、エッチング
により平面が露出されたｎ型コンタクト層１１には負電
極２２が形成されている。
【０００４】また本出願人は、窒化物半導体よりなるＬ
Ｄ素子で、パルス電流において、室温での４１０ｎｍの
レーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys.Vol3
5(1996)pp.L74-L76）。このＬＤ素子も基本的には前記
ＬＥＤ素子と同様にダブルヘテロ構造を有し、最上層の
ｐ型コンタクト層にはストライプ状の正電極が形成さ
れ、エッチングにより露出されたｎ型コンタクト層の平
面には同じくストライプ状の負電極が形成されている。
Ｄ素子で、パルス電流において、室温での４１０ｎｍの
レーザ発振を発表した（例えば、Jpn.J.Appl.Phys.Vol3
5(1996)pp.L74-L76）。このＬＤ素子も基本的には前記
ＬＥＤ素子と同様にダブルヘテロ構造を有し、最上層の
ｐ型コンタクト層にはストライプ状の正電極が形成さ
れ、エッチングにより露出されたｎ型コンタクト層の平
面には同じくストライプ状の負電極が形成されている。
【０００５】これらのＬＥＤ、ＬＤ等の半導体素子で
は、一般に、Ｖｆ（順方向電圧）の上昇と共に発熱量が
増加する傾向にある。またその逆も同じである。
は、一般に、Ｖｆ（順方向電圧）の上昇と共に発熱量が
増加する傾向にある。またその逆も同じである。
【０００６】ＬＥＤではＶｆが上昇すると発光効率が低
下して、素子の寿命に影響する。ＬＤではＶｆの影響は
ＬＥＤよりもさらに顕著であり、Ｖｆが大きいとＬＤが
発振しなくなるか、あるいはわずか数秒で素子の寿命が
尽きる。
下して、素子の寿命に影響する。ＬＤではＶｆの影響は
ＬＥＤよりもさらに顕著であり、Ｖｆが大きいとＬＤが
発振しなくなるか、あるいはわずか数秒で素子の寿命が
尽きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の発熱は、
素子寿命にとって非常に重要である。特に窒化物半導体
よりなるＬＤを連続発振させるためには、まず発振時に
Ｖｆの低い素子を実現して、発熱量を最小限に抑える必
要がある。従って、本発明はこのような事情を鑑みて成
されたものであって、その目的とするところは、Ｖｆの
低い窒化物半導体素子を実現して、発熱量の少ない素子
を提供し、素子寿命を向上させると共に、例えばＬＤの
ような高温動作のデバイスの連続発振を目指すことにあ
る。
素子寿命にとって非常に重要である。特に窒化物半導体
よりなるＬＤを連続発振させるためには、まず発振時に
Ｖｆの低い素子を実現して、発熱量を最小限に抑える必
要がある。従って、本発明はこのような事情を鑑みて成
されたものであって、その目的とするところは、Ｖｆの
低い窒化物半導体素子を実現して、発熱量の少ない素子
を提供し、素子寿命を向上させると共に、例えばＬＤの
ような高温動作のデバイスの連続発振を目指すことにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体素
子は、負電極が表面に形成されたｎ型コンタクト層と、
正電極が表面に形成されたｐ型窒化物半導体よりなるｐ
型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、
前記負電極と、ｎ型コンタクト層との界面には凹凸が設
けられていることを特徴とする。
子は、負電極が表面に形成されたｎ型コンタクト層と、
正電極が表面に形成されたｐ型窒化物半導体よりなるｐ
型コンタクト層とを有する窒化物半導体素子において、
前記負電極と、ｎ型コンタクト層との界面には凹凸が設
けられていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の窒化物半導体素子
の一構造を示す模式的な断面図であり、具体的には、Ｌ
Ｄ素子の構造を示すものである。この素子も、基本的に
は、基板１０の上に、ｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラ
ッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４、ｐ型コ
ンタクト層１５が順に積層されたダブルヘテロ構造を示
している。この窒化物半導体素子ではｐ型コンタクト層
１５の表面にはストライプ状の正電極２０が形成され、
さらに、ｎ型コンタクト層１１の表面には凹凸面が設け
られ、その凹凸面に正電極と平行な方向でストライプ状
の負電極２２が形成されている。なお、３０は正電極２
０と負電極２２との間にある室化物半導体層表面に設け
られた例えばＳｉＯ2よりなる絶縁膜である。このよう
に同一面側に正と、負の電極が設けられた素子は、電極
間でショートしやすい傾向にあるため、この絶縁膜３０
を設けることにより、電極間のショートを防止すること
ができる。またレーザチップにした際に、半導体層表面
に傷が付くことを防止して、素子の信頼性を向上させる
作用もある。２１は、正電極２０の上に設けられたパッ
ド電極である。ＬＤ素子の場合、正電極２０のストライ
プ幅が、例えば数μｍ以下と非常に狭い。このため正電
極２０に直接ワイヤーポンディングすることが困難であ
るため、パッド電極２１を設けることにより正電極２０
を外部電源と接続することを容易にしている。正電極２
０はｐ型コンタクト層と好ましいオーミック接触を得る
必要があるが、パッド電極２１は正電極２０を電気的に
接続でき、表面にワイヤーポンディングできる材料であ
ればどのような材料を使用しても良い。
の一構造を示す模式的な断面図であり、具体的には、Ｌ
Ｄ素子の構造を示すものである。この素子も、基本的に
は、基板１０の上に、ｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラ
ッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４、ｐ型コ
ンタクト層１５が順に積層されたダブルヘテロ構造を示
している。この窒化物半導体素子ではｐ型コンタクト層
１５の表面にはストライプ状の正電極２０が形成され、
さらに、ｎ型コンタクト層１１の表面には凹凸面が設け
られ、その凹凸面に正電極と平行な方向でストライプ状
の負電極２２が形成されている。なお、３０は正電極２
０と負電極２２との間にある室化物半導体層表面に設け
られた例えばＳｉＯ2よりなる絶縁膜である。このよう
に同一面側に正と、負の電極が設けられた素子は、電極
間でショートしやすい傾向にあるため、この絶縁膜３０
を設けることにより、電極間のショートを防止すること
ができる。またレーザチップにした際に、半導体層表面
に傷が付くことを防止して、素子の信頼性を向上させる
作用もある。２１は、正電極２０の上に設けられたパッ
ド電極である。ＬＤ素子の場合、正電極２０のストライ
プ幅が、例えば数μｍ以下と非常に狭い。このため正電
極２０に直接ワイヤーポンディングすることが困難であ
るため、パッド電極２１を設けることにより正電極２０
を外部電源と接続することを容易にしている。正電極２
０はｐ型コンタクト層と好ましいオーミック接触を得る
必要があるが、パッド電極２１は正電極２０を電気的に
接続でき、表面にワイヤーポンディングできる材料であ
ればどのような材料を使用しても良い。
【００１０】このようにｎ型コンタクト層１１の表面に
凹凸を設けることにより、負電極２２とｎ型コンタクト
層との接触面積が大きくなるため、負電極がｎ型層と好
ましいオーミック接触が得られた状態で、素子全体に係
る電力あたりのｎ型コンタクト層に係る抵抗が小さくな
るので、素子のＶｆを低下させることができる。特に、
窒化物半導体よりなるＬＤ素子の場合、ｎ電極の面積が
大きい程、Ｖｆが低下する傾向にある。このため、図に
示すようにｎ型コンタクト層の表面に凹凸を設け、実質
的に負電極の接触面積を大きくすると、凹凸を設けない
ものに比較して格段にＶｆが低下する。
凹凸を設けることにより、負電極２２とｎ型コンタクト
層との接触面積が大きくなるため、負電極がｎ型層と好
ましいオーミック接触が得られた状態で、素子全体に係
る電力あたりのｎ型コンタクト層に係る抵抗が小さくな
るので、素子のＶｆを低下させることができる。特に、
窒化物半導体よりなるＬＤ素子の場合、ｎ電極の面積が
大きい程、Ｖｆが低下する傾向にある。このため、図に
示すようにｎ型コンタクト層の表面に凹凸を設け、実質
的に負電極の接触面積を大きくすると、凹凸を設けない
ものに比較して格段にＶｆが低下する。
【００１１】ｎ型コンタクト層の表面に凹凸を設けるに
は、所定の形状のマスクを電極を形成すべきｎ型コンタ
クト層の表面に形成した後、エッチングすることにより
実現できる。凹凸の平面形状はどのような形状でも良
く、例えばドット状、碁盤目状、ストライプ状にするこ
とができる。エッチング手段としては、ウェットエッチ
ング、ドライエッチングいずれの手段を用いても良く、
エッチング後のｎ型コンタクト層の表面を荒らさないよ
うにして、負電極と好ましいオーミック接触を得るため
にはドライエッチングを用いる方が望ましい。ドライエ
ッチングの手段としては、例えばＲＩＥ（反応性イオン
エッチング）、イオンミリング、ＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）等のエッチング装置を用いることによりエ
ッチング可能である。
は、所定の形状のマスクを電極を形成すべきｎ型コンタ
クト層の表面に形成した後、エッチングすることにより
実現できる。凹凸の平面形状はどのような形状でも良
く、例えばドット状、碁盤目状、ストライプ状にするこ
とができる。エッチング手段としては、ウェットエッチ
ング、ドライエッチングいずれの手段を用いても良く、
エッチング後のｎ型コンタクト層の表面を荒らさないよ
うにして、負電極と好ましいオーミック接触を得るため
にはドライエッチングを用いる方が望ましい。ドライエ
ッチングの手段としては、例えばＲＩＥ（反応性イオン
エッチング）、イオンミリング、ＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）等のエッチング装置を用いることによりエ
ッチング可能である。
【００１２】凹凸段差は特に規定しないが、例えば０．
０１μｍ以上の凹凸差で形成することが望ましく、０．
０１μｍよりも少ないと、Ｖｆの低下が顕著に現れない
傾向にある。上限は、ｎ型コンタクト層の厚さよりも小
さくすることは当然であり、望ましくは、凹部の底から
ｎ型コンタクト層の厚さの５％以上が残留するようにす
る。また単位面積あたりの凹凸数は多いほど望ましい
が、その数はマスクの種類により最大限が決定される。
０１μｍ以上の凹凸差で形成することが望ましく、０．
０１μｍよりも少ないと、Ｖｆの低下が顕著に現れない
傾向にある。上限は、ｎ型コンタクト層の厚さよりも小
さくすることは当然であり、望ましくは、凹部の底から
ｎ型コンタクト層の厚さの５％以上が残留するようにす
る。また単位面積あたりの凹凸数は多いほど望ましい
が、その数はマスクの種類により最大限が決定される。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明の具体例について
述べる。なお、図２は本発明の実施例を説明するために
示す窒化物半導体ＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図
である。
述べる。なお、図２は本発明の実施例を説明するために
示す窒化物半導体ＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図
である。
【００１４】まず、サファイア（Ｃ面）よりなる基板１
１を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換し
た後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで
上昇させ、基板のクリーニングを行う。基板１１にはサ
ファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイ
ア、その他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）、ＳｉＣ（６
Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、
ＧａＮ等、窒化物半導体を成長させるために提案されて
いる従来の材料が使用できる。ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｏ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体材料を基板として用い
た場合、負電極は窒化物半導体が形成されていない側の
基板の主面に設けられることが多い。この場合は、基板
がｎ型コンタクト層に相当する。つまり、ｎ型コンタク
ト層は負電極を形成して、電子を注入する層であるの
で、その層は基板でも、ｎ型窒化物半導体層でも良い。
しかし、本発明の素子は図１及び図２に示すように、基
板に絶縁性の材料を使用して、同一面側にある窒化物半
導体層に正電極と、負電極とを設けた素子の方が、凹凸
の効果が顕著に現れる。なぜなら、負電極が正電極と同
一面側に設けられていると、上下に電極が形成された素
子と比較して、電極間の距離が実質的に長くなり、抵抗
が大きくなるからである。従って、負電極の接触面積を
少しでも大きく取ることにより、電極間の不利をカバー
できる。
１を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換し
た後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで
上昇させ、基板のクリーニングを行う。基板１１にはサ
ファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイ
ア、その他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）、ＳｉＣ（６
Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、
ＧａＮ等、窒化物半導体を成長させるために提案されて
いる従来の材料が使用できる。ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｏ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体材料を基板として用い
た場合、負電極は窒化物半導体が形成されていない側の
基板の主面に設けられることが多い。この場合は、基板
がｎ型コンタクト層に相当する。つまり、ｎ型コンタク
ト層は負電極を形成して、電子を注入する層であるの
で、その層は基板でも、ｎ型窒化物半導体層でも良い。
しかし、本発明の素子は図１及び図２に示すように、基
板に絶縁性の材料を使用して、同一面側にある窒化物半
導体層に正電極と、負電極とを設けた素子の方が、凹凸
の効果が顕著に現れる。なぜなら、負電極が正電極と同
一面側に設けられていると、上下に電極が形成された素
子と比較して、電極間の距離が実質的に長くなり、抵抗
が大きくなるからである。従って、負電極の接触面積を
少しでも大きく取ることにより、電極間の不利をカバー
できる。
【００１５】続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリ
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）とを用い、基板１１状にＧａＮよりなる
場ふぁそう１１１を約２００オングストロームの膜厚で
成長させる。バッファ層１１１はＡｌＮ、ＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮ等が９００℃以下の温度で、膜厚数十オングスト
ロームから数百オングストロームの膜厚で成長できる。
このバッファ層は、基板と窒化物半導体との格子状数不
整を緩和するために形成されるが、窒化物半導体と格子
整合した基板、格子状数の近い基板等を使用する際、ま
た窒化物半導体の成長方法等によっては省略することも
可能である。
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）とを用い、基板１１状にＧａＮよりなる
場ふぁそう１１１を約２００オングストロームの膜厚で
成長させる。バッファ層１１１はＡｌＮ、ＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮ等が９００℃以下の温度で、膜厚数十オングスト
ロームから数百オングストロームの膜厚で成長できる。
このバッファ層は、基板と窒化物半導体との格子状数不
整を緩和するために形成されるが、窒化物半導体と格子
整合した基板、格子状数の近い基板等を使用する際、ま
た窒化物半導体の成長方法等によっては省略することも
可能である。
【００１６】バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温
度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０度になった
ら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、ドーパント
ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりな
るｎ型コンタクト層１１を４μｍ成長させる。ｎ型コン
タクト層１１は、負電極を形成して電子を注入する層で
あり、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦
１）で構成することができ、特にＧａＮ、ＩｎＧａＮ、
その中でもＳｉをドープしたＧａＮで構成することによ
り、キャリア濃度の高い層が得られ、また負電極と好ま
しいオーミック接触が得られるので、ＬＤの閾値電流を
低下させることができる。負電極の材料としてはＡ１、
Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、ｌｎ等の金属、若しくは
合金が好ましいオーミック接触が得られる。ｎ型コンタ
クト層１１の膜厚は特に規定するものではないが、通常
０．１μｍ〜５μｍ程度で形成させる。
度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０度になった
ら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、ドーパント
ガスにシランガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりな
るｎ型コンタクト層１１を４μｍ成長させる。ｎ型コン
タクト層１１は、負電極を形成して電子を注入する層で
あり、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦
１）で構成することができ、特にＧａＮ、ＩｎＧａＮ、
その中でもＳｉをドープしたＧａＮで構成することによ
り、キャリア濃度の高い層が得られ、また負電極と好ま
しいオーミック接触が得られるので、ＬＤの閾値電流を
低下させることができる。負電極の材料としてはＡ１、
Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、ｌｎ等の金属、若しくは
合金が好ましいオーミック接触が得られる。ｎ型コンタ
クト層１１の膜厚は特に規定するものではないが、通常
０．１μｍ〜５μｍ程度で形成させる。
【００１７】次に、温度を８００℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭ１（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドーブｌｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層１１２を５００オン
グストロームの膜厚で成長させる。このクラック防止層
１１２は、ｌｎを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくは
ｌｎＧａＮで成長させることにより、次に成長させるｎ
型クラッド層としての光閉じ込め層１１３を厚膜で成長
させることが可能となり、非常に好ましい。ＬＤの場合
は光閉じ込め層となる層を、例えば０．１μｍ以上の膜
厚で成長させる必要がある。従来ではＧａＮ、ＡＩＧａ
Ｎ層の上に直接、厚膜のＡＩＧａＮを成長させると、後
から成長させたＡＩＧａＮにクラックが入るので素子作
製が困難であったが、このクラック防止層１１２が、次
に成長させる光閉じ込め層にクラックが入るのを防止す
ることができる。なお、このクラック防止層は１００オ
ングストーム以上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させる
ことが好ましい。１００オングストロームよりも薄いと
前記のようにクラック防止として作用しにくく、０．５
μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する傾向にある。な
お、このクラック防止層１１２は成長方法、成長装置等
の条件によっては省略することもできるが、ＬＤを作製
する上では成長させることが望ましい。
ＴＭＧ、ＴＭ１（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉドーブｌｎ0.
1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層１１２を５００オン
グストロームの膜厚で成長させる。このクラック防止層
１１２は、ｌｎを含むｎ型の窒化物半導体、好ましくは
ｌｎＧａＮで成長させることにより、次に成長させるｎ
型クラッド層としての光閉じ込め層１１３を厚膜で成長
させることが可能となり、非常に好ましい。ＬＤの場合
は光閉じ込め層となる層を、例えば０．１μｍ以上の膜
厚で成長させる必要がある。従来ではＧａＮ、ＡＩＧａ
Ｎ層の上に直接、厚膜のＡＩＧａＮを成長させると、後
から成長させたＡＩＧａＮにクラックが入るので素子作
製が困難であったが、このクラック防止層１１２が、次
に成長させる光閉じ込め層にクラックが入るのを防止す
ることができる。なお、このクラック防止層は１００オ
ングストーム以上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させる
ことが好ましい。１００オングストロームよりも薄いと
前記のようにクラック防止として作用しにくく、０．５
μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する傾向にある。な
お、このクラック防止層１１２は成長方法、成長装置等
の条件によっては省略することもできるが、ＬＤを作製
する上では成長させることが望ましい。
【００１８】次に温度を１０５０℃にして、原料ガスに
ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニ
ア、ＳｉＨ4を用い、Ｓｉドーブｎ型ＡＩ0.2Ｇａ0.8Ｎ
よりなるｎ型光閉じ込め層１１３を０．５μｍの膜厚で
成長させる。このｎ型光閉じ込め層はキャリア閉じ込め
層、及び光閉じ込め層としてのクラッド層として作用
し、ＡＩを含む窒化物半導体、好ましくはＡＩＧａＮを
成長させることが望ましい。
ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニ
ア、ＳｉＨ4を用い、Ｓｉドーブｎ型ＡＩ0.2Ｇａ0.8Ｎ
よりなるｎ型光閉じ込め層１１３を０．５μｍの膜厚で
成長させる。このｎ型光閉じ込め層はキャリア閉じ込め
層、及び光閉じ込め層としてのクラッド層として作用
し、ＡＩを含む窒化物半導体、好ましくはＡＩＧａＮを
成長させることが望ましい。
【００１９】さらに、Ｓｉドーブｎ型ＧａＮよりなるｎ
型光ガイド層１１４を０．２μｍの膜厚で成長させる。
このｎ型光ガイド層１１４は、光ガイド層としてのクラ
ッド層として作用し、ＧａＮ、ｌｎＧａＮを成長させる
ことが望ましい。
型光ガイド層１１４を０．２μｍの膜厚で成長させる。
このｎ型光ガイド層１１４は、光ガイド層としてのクラ
ッド層として作用し、ＧａＮ、ｌｎＧａＮを成長させる
ことが望ましい。
【００２０】次に、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモ
ニアを用いて活性層１３を成長させる活性層は温度を８
００℃に保持して、まずノンドーブｌｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの濃厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度
で、ノンドーブｌｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２
回繰り返し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造
の活性層を成長させる。活性層はｌｎを含む窒化物半導
体よりなる井戸層を含むように構成し、好ましくは三元
混晶のＩｎXＧａ1 -XＮ（０＜X＜１）の井戸層とするの
が望ましい。三元混晶のｌｎＧａＮは四元混晶のものに
比べて結晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上
する。その中でも、特に好ましくは活性層をＩｎXＧａ
1-XＮよりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャッブ
の大きい窒化物半導体よりなる障壁層とを積層した多重
量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi‐quantum-well）とす
る。障壁層も同様に三元混晶のＩｎX'Ｇａ1-X'Ｎ（０≦
X'＜１、X’＜X）が好ましく、井戸＋障壁＋井戸＋・・
・十障壁＋井戸層となるように積層してＭＱＷを構成す
る。このように活性層をｌｎＧａＮを積層したＭＱＷと
すると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間
での高出力なＬＤを実現することができる。さらに、井
戸層の上にｌｎＧａＮよりなる障壁層を積層すると、ｌ
ｎＧａＮよりなる障壁層はＡＩＧａＮに比べて結晶が柔
らかい。そのためクラッド層のＡＩＧａＮの厚さを厚く
できるのでレーザ発振が実現できる。さらに、ｌｎＧａ
ＮとＡＩＧａＮとでは結晶の成長温度が異なる。例えば
ＭＯＶＰＥ法ではｌｎＧａＮは６００℃〜８００℃で成
長させるのに対して、ＡＩＧａＮは９００℃より高い温
度で成長させる。従って、ｌｎＧａＮよりなる井戸層を
成長させた後、ＡＩＧａＮよりなる障壁層を成長させよ
うとすれば、成長温度を上げてやる必要がある。成長温
度を上げると、先に成長させたｌｎＧａＮ井戸層が分解
してしまうので結晶性の良い井戸層を得ることは難し
い。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロームしかな
く、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製するのが困
難となる。それに対し本実施例では、障壁層もｌｎＧａ
Ｎであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成長でき
る。従って、先に形成した井戸層が分解することがない
ので結晶性の良いＭＱＷを形成することができる。これ
はＭＱＷの最も好ましい態様を示したものであるが、他
に井戸層をｌｎＧａＮ、障壁層をＧａＮ、ＡＩＧａＮの
ように井戸層よりも障壁層のバンドギャップエネルギー
を大きくすればどのような組成でも良い。また活性層を
単一の井戸層のみで構成した単一量子井戸構造としても
良い。
ニアを用いて活性層１３を成長させる活性層は温度を８
００℃に保持して、まずノンドーブｌｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよ
りなる井戸層を２５オングストロームの濃厚で成長させ
る。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度
で、ノンドーブｌｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５
０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２
回繰り返し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造
の活性層を成長させる。活性層はｌｎを含む窒化物半導
体よりなる井戸層を含むように構成し、好ましくは三元
混晶のＩｎXＧａ1 -XＮ（０＜X＜１）の井戸層とするの
が望ましい。三元混晶のｌｎＧａＮは四元混晶のものに
比べて結晶性が良い物が得られるので、発光出力が向上
する。その中でも、特に好ましくは活性層をＩｎXＧａ
1-XＮよりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャッブ
の大きい窒化物半導体よりなる障壁層とを積層した多重
量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi‐quantum-well）とす
る。障壁層も同様に三元混晶のＩｎX'Ｇａ1-X'Ｎ（０≦
X'＜１、X’＜X）が好ましく、井戸＋障壁＋井戸＋・・
・十障壁＋井戸層となるように積層してＭＱＷを構成す
る。このように活性層をｌｎＧａＮを積層したＭＱＷと
すると、量子準位間発光で約３６５ｎｍ〜６６０ｎｍ間
での高出力なＬＤを実現することができる。さらに、井
戸層の上にｌｎＧａＮよりなる障壁層を積層すると、ｌ
ｎＧａＮよりなる障壁層はＡＩＧａＮに比べて結晶が柔
らかい。そのためクラッド層のＡＩＧａＮの厚さを厚く
できるのでレーザ発振が実現できる。さらに、ｌｎＧａ
ＮとＡＩＧａＮとでは結晶の成長温度が異なる。例えば
ＭＯＶＰＥ法ではｌｎＧａＮは６００℃〜８００℃で成
長させるのに対して、ＡＩＧａＮは９００℃より高い温
度で成長させる。従って、ｌｎＧａＮよりなる井戸層を
成長させた後、ＡＩＧａＮよりなる障壁層を成長させよ
うとすれば、成長温度を上げてやる必要がある。成長温
度を上げると、先に成長させたｌｎＧａＮ井戸層が分解
してしまうので結晶性の良い井戸層を得ることは難し
い。さらに井戸層の膜厚は数十オングストロームしかな
く、薄膜の井戸層が分解するとＭＱＷを作製するのが困
難となる。それに対し本実施例では、障壁層もｌｎＧａ
Ｎであるため、井戸層と障壁層が同一温度で成長でき
る。従って、先に形成した井戸層が分解することがない
ので結晶性の良いＭＱＷを形成することができる。これ
はＭＱＷの最も好ましい態様を示したものであるが、他
に井戸層をｌｎＧａＮ、障壁層をＧａＮ、ＡＩＧａＮの
ように井戸層よりも障壁層のバンドギャップエネルギー
を大きくすればどのような組成でも良い。また活性層を
単一の井戸層のみで構成した単一量子井戸構造としても
良い。
【００２１】次に温度を１０５０℃に上げ、ＴＭＧ、Ｔ
ＭＡ、アンモニア、ＣＰ2Ｍｇ（シクロベンタジエニル
マグネシウム）を用い、活性層よりもバンドギャッブエ
ネルギーが大きい、Ｍｇドーブｐ型ＡＩ0.1Ｇａ0.9Ｎよ
りなる第１のｐ型窒化物半導体層１１５を３００オング
ストロームの膜厚で成長させる。この第１の室化物半導
体層１１５は、本実施例ではｐ型としたが、腰厚が薄い
ため、ｎ型不純物をドーブしてキャリアが補償されたｉ
型としても良い。この第１の室化物半導体層１１５は活
性層に接してｎ型層側に形成しても良く、際厚は０．１
μｍ以下、さらに好ましくは０．０５μｍ（５００オン
グストローム）以下、最も好ましくは３００オングスト
ローム以下に調整することが望ましい。なお、ｎ層側に
形成する場合、その導電型はｎ型若しくはｉ型にするこ
とは言うまでもない。
ＭＡ、アンモニア、ＣＰ2Ｍｇ（シクロベンタジエニル
マグネシウム）を用い、活性層よりもバンドギャッブエ
ネルギーが大きい、Ｍｇドーブｐ型ＡＩ0.1Ｇａ0.9Ｎよ
りなる第１のｐ型窒化物半導体層１１５を３００オング
ストロームの膜厚で成長させる。この第１の室化物半導
体層１１５は、本実施例ではｐ型としたが、腰厚が薄い
ため、ｎ型不純物をドーブしてキャリアが補償されたｉ
型としても良い。この第１の室化物半導体層１１５は活
性層に接してｎ型層側に形成しても良く、際厚は０．１
μｍ以下、さらに好ましくは０．０５μｍ（５００オン
グストローム）以下、最も好ましくは３００オングスト
ローム以下に調整することが望ましい。なお、ｎ層側に
形成する場合、その導電型はｎ型若しくはｉ型にするこ
とは言うまでもない。
【００２２】続いて１０５０℃で、バンドギャッブエネ
ルギーが第１の窒化物半導体層１１５よりも小さい、Ｍ
ｇドーブｐ型ＧａＮよりなる第２のｐ型窒化物半導体層
１１６を０．２μｍの膜厚で成長させる。この層は、光
ガイド層としてのｐ型クラッド層として作用し、ｎ型光
ガイド層１１４と同じくＧａＮ、ｌｎＧａＮで成長させ
ることが望ましい。また、この層は次の第３のｐ型窒化
物半導体層１１７を成長させる際のバッファ層としても
作用する。
ルギーが第１の窒化物半導体層１１５よりも小さい、Ｍ
ｇドーブｐ型ＧａＮよりなる第２のｐ型窒化物半導体層
１１６を０．２μｍの膜厚で成長させる。この層は、光
ガイド層としてのｐ型クラッド層として作用し、ｎ型光
ガイド層１１４と同じくＧａＮ、ｌｎＧａＮで成長させ
ることが望ましい。また、この層は次の第３のｐ型窒化
物半導体層１１７を成長させる際のバッファ層としても
作用する。
【００２３】続いて１０５０℃で、バンドギャッブエネ
ルギーが第２の窒化物半導体層１１６よりも大きい、Ｍ
ｇドーブｐ型ＡＩ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３のｐ型窒化
物半導体層１１７を０．５μｍの濃厚で成長させる。こ
の層は第３のｎ型光閉じ込め層１１３と同じく、キャリ
ア閉じ込め層、及び光閉じ込め層としてのｐ型クラッド
層として作用し、ＡＩを含む室化物半導体、好ましくは
ＡＩＧａＮを成長させることが望ましい。活性層１３、
第１のｐ型室化物半導体層１１５、第２のｐ型室化物半
導体層、及び第３のｐ型室化物半導体層についての作用
を次に述べる。
ルギーが第２の窒化物半導体層１１６よりも大きい、Ｍ
ｇドーブｐ型ＡＩ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３のｐ型窒化
物半導体層１１７を０．５μｍの濃厚で成長させる。こ
の層は第３のｎ型光閉じ込め層１１３と同じく、キャリ
ア閉じ込め層、及び光閉じ込め層としてのｐ型クラッド
層として作用し、ＡＩを含む室化物半導体、好ましくは
ＡＩＧａＮを成長させることが望ましい。活性層１３、
第１のｐ型室化物半導体層１１５、第２のｐ型室化物半
導体層、及び第３のｐ型室化物半導体層についての作用
を次に述べる。
【００２４】本実施例のＬＤでは、ｌｎを含む窒化物半
導体よりなる活性層に接して、ＡＩを含む第１の窒化物
半導体層が設けられている。つまり、活性層のバンドギ
ャッブエネルギーよりも大きく、さらに第２の窒化物半
導体層よりも大きなバンドギャッブエネルギーを有する
第１の室化物半導体層が、活性層に接して設けられてい
る。しかも、この第１の室化物半導体層の膜厚を薄く設
定してあるため、キャリアのバリアとして作用すること
はなく、ｎ層から注入された電子と、ｐ層から注入され
た正孔とが、トンネル効果により第１の室化物半導体層
を通り抜けることができて、活性層で効率よく再結合す
る。そして注入されたキャリアは、第１の窒化物半導体
層のバンドギャッブエネルギーが大きいため、半導体素
子の温度が上昇しても、あるいは注入電流密度が増えて
も、キャリアは活性層をオーバーフローせず、第１の窒
化物半導体層で阻止されるため、キャリアが活性層に貯
まり、効率よく発光することが可能となる。従って、半
導体素子が温度上昇しても発光効率が低下することが少
ないので、閾値電流の低いＬＤを実現することができ
る。これは、同様にｎ型層側についても言えることであ
り、活性層１３と、ｎ型光ガイド層１１４との間に、活
性層１３、及びｎ型光ガイド層１１４のバンドギャッブ
エネルギーよりも大きい、ｎ型若しくはｉ型の窒化物半
導体層を膜厚０．１μｍ以下、さらに好ましくは０．０
５μｍ（５００オングストローム）以下、最も好ましく
は３００オングストローム以下で形成することにより、
温度特性に優れたＬＤ素子を実現できる。
導体よりなる活性層に接して、ＡＩを含む第１の窒化物
半導体層が設けられている。つまり、活性層のバンドギ
ャッブエネルギーよりも大きく、さらに第２の窒化物半
導体層よりも大きなバンドギャッブエネルギーを有する
第１の室化物半導体層が、活性層に接して設けられてい
る。しかも、この第１の室化物半導体層の膜厚を薄く設
定してあるため、キャリアのバリアとして作用すること
はなく、ｎ層から注入された電子と、ｐ層から注入され
た正孔とが、トンネル効果により第１の室化物半導体層
を通り抜けることができて、活性層で効率よく再結合す
る。そして注入されたキャリアは、第１の窒化物半導体
層のバンドギャッブエネルギーが大きいため、半導体素
子の温度が上昇しても、あるいは注入電流密度が増えて
も、キャリアは活性層をオーバーフローせず、第１の窒
化物半導体層で阻止されるため、キャリアが活性層に貯
まり、効率よく発光することが可能となる。従って、半
導体素子が温度上昇しても発光効率が低下することが少
ないので、閾値電流の低いＬＤを実現することができ
る。これは、同様にｎ型層側についても言えることであ
り、活性層１３と、ｎ型光ガイド層１１４との間に、活
性層１３、及びｎ型光ガイド層１１４のバンドギャッブ
エネルギーよりも大きい、ｎ型若しくはｉ型の窒化物半
導体層を膜厚０．１μｍ以下、さらに好ましくは０．０
５μｍ（５００オングストローム）以下、最も好ましく
は３００オングストローム以下で形成することにより、
温度特性に優れたＬＤ素子を実現できる。
【００２５】最後に、１０５０℃でＭｇドープｐ型Ｇａ
Ｎよりなるｐ型コンタクト層１５を０．５μｍの膜厚で
成長させる。ｐ型コンタクト層１５はｐ型ＩｎXＡｌYＧ
ａ1- X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成すること
ができ、特にｌｎＧａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをド
ーブしたｐ型ＧａＮとすると、最もキャリア濃度の高い
ｐ型層が得られて、正電極と良好なオーミック接触が得
られ、閾値電流を低下させることができる。正電極の材
料としてはＮｉ、Ｐｄ、ｌｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ
等の比較的仕事関数の高い金属又は合金がオーミックが
得られやすい。
Ｎよりなるｐ型コンタクト層１５を０．５μｍの膜厚で
成長させる。ｐ型コンタクト層１５はｐ型ＩｎXＡｌYＧ
ａ1- X-YＮ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成すること
ができ、特にｌｎＧａＮ、ＧａＮ、その中でもＭｇをド
ーブしたｐ型ＧａＮとすると、最もキャリア濃度の高い
ｐ型層が得られて、正電極と良好なオーミック接触が得
られ、閾値電流を低下させることができる。正電極の材
料としてはＮｉ、Ｐｄ、ｌｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ
等の比較的仕事関数の高い金属又は合金がオーミックが
得られやすい。
【００２６】反応終了後、温度を室温まで下げ、再度反
応容器中、窒素雰囲気中で、７００℃でウェーハのアニ
ーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。次に最
上層のｐ型コンタクト層１５からｎ型コンタクト層１１
の表面が露出するまで、ＲＩＥ装置を用いて、ストライ
プ状にエッチングする。
応容器中、窒素雰囲気中で、７００℃でウェーハのアニ
ーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。次に最
上層のｐ型コンタクト層１５からｎ型コンタクト層１１
の表面が露出するまで、ＲＩＥ装置を用いて、ストライ
プ状にエッチングする。
【００２７】次に、露出させたｎ型コンタクト層１１の
表面に、線間隔５μｍの碁盤目状のマスクを形成して、
再度エッチングを行い、露出させたｎ型コンタクト層の
表面全体に５μｍ角の碁盤目状、深さ１μｍの凹凸を形
成する。
表面に、線間隔５μｍの碁盤目状のマスクを形成して、
再度エッチングを行い、露出させたｎ型コンタクト層の
表面全体に５μｍ角の碁盤目状、深さ１μｍの凹凸を形
成する。
【００２８】エッチング後、ｐ型コンタクト層１５の表
面に、２μｍのストライプ状の開口部を有するＳｉＯ2
よりなる電流狭窄層３０を形成し、さらにその電流狭窄
層３０を介して、ｐ型コンタクト層の表面にＮｉとＡｕ
よりなる正電極２０をストライプ状に形成する。一方、
ＴｉとＡＩよりなる負電極２２を先ほど凹凸を形成した
ｎ型コンタクト層１１の表面に、正電極２０に平行な方
向でストライプ状に形成する。
面に、２μｍのストライプ状の開口部を有するＳｉＯ2
よりなる電流狭窄層３０を形成し、さらにその電流狭窄
層３０を介して、ｐ型コンタクト層の表面にＮｉとＡｕ
よりなる正電極２０をストライプ状に形成する。一方、
ＴｉとＡＩよりなる負電極２２を先ほど凹凸を形成した
ｎ型コンタクト層１１の表面に、正電極２０に平行な方
向でストライプ状に形成する。
【００２９】以上のようにして作製したウェーハをスト
ライプ状の電極に垂直な方向でバー状に切断し、切断面
を研磨して平行鏡を作成した後、平行鏡にＳｉＯ2とＴ
ｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成する。最後に電極に
平行な方向で、バーを切断してレーザチッブとした後、
チップをヒートシンクに設置し、常温でレーザ発振を試
みたところ、しきい値パルス電流１００ｍＡにおいて、
Ｖｆは９Ｖであり、凹凸を形成していないｎ型コンタク
ト層に、直接負電極を形成した通常のＬＤに比較して、
Ｖｆが３０％以上低下した。さらに、このＬＤをパルス
電流で発振させたところ、寿命は通常のｎ電極を形成し
た場合に比較して、およそ２倍に向上した。
ライプ状の電極に垂直な方向でバー状に切断し、切断面
を研磨して平行鏡を作成した後、平行鏡にＳｉＯ2とＴ
ｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成する。最後に電極に
平行な方向で、バーを切断してレーザチッブとした後、
チップをヒートシンクに設置し、常温でレーザ発振を試
みたところ、しきい値パルス電流１００ｍＡにおいて、
Ｖｆは９Ｖであり、凹凸を形成していないｎ型コンタク
ト層に、直接負電極を形成した通常のＬＤに比較して、
Ｖｆが３０％以上低下した。さらに、このＬＤをパルス
電流で発振させたところ、寿命は通常のｎ電極を形成し
た場合に比較して、およそ２倍に向上した。
【００３０】
【発明の効果】このように本発明によると、ｎ型コンタ
クト層の表面に凹凸を設けることにより、窒化物半導体
よりなるＬＤのＶｆを低下させることができる。そのた
め、ＬＤの寿命も長くなり。非常に好ましいＬＤを実現
することができる。また実施例ではＬＤについて説明し
たが、本発明の窒化物半導体素子はＬＤだけではなく、
ＬＥＤにも適用でき、太陽電池、光センサー等の受光素
子についても適用可能である。さらに、ｎ型コンタクト
層は電流を注入する層であるため、室化物半導体の成長
基板に導電性材料を使用した場合、その成長基板の裏面
に凹凸を設け、その面に負電極を形成することもでき
る。
クト層の表面に凹凸を設けることにより、窒化物半導体
よりなるＬＤのＶｆを低下させることができる。そのた
め、ＬＤの寿命も長くなり。非常に好ましいＬＤを実現
することができる。また実施例ではＬＤについて説明し
たが、本発明の窒化物半導体素子はＬＤだけではなく、
ＬＥＤにも適用でき、太陽電池、光センサー等の受光素
子についても適用可能である。さらに、ｎ型コンタクト
層は電流を注入する層であるため、室化物半導体の成長
基板に導電性材料を使用した場合、その成長基板の裏面
に凹凸を設け、その面に負電極を形成することもでき
る。
【図１】 本発明の一実施例に係る窒化物半導体素子の
構造を示す模式断面図。
構造を示す模式断面図。
【図２】 本発明の他の実施例に係る室化物半導体素子
の構造を示す模式断面図。
の構造を示す模式断面図。
【図３】 従来のＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図。
１０・・・・基板 １１・・・・ｎ型コンタクト層 １２・・・・ｎ型クラッド層 １３・・・・活性層 １４・・・・ｐ型クラッド層 １５・・・・ｐ型コンタクト層 ２０・・・・正電極 ２２・・・・負電極 １１１・・・バッファ層 １１２・・・クラック防止層 １１３・・・ｎ型光閉じ込め層 １１４・・・ｎ型光ガイド層 １１５・・・第１の室化物半導体層 １１６・・・第２のｐ型室化物半導体層（光ガイド層） １１７・・・第３のｐ型窒化物半導体層（光閉じ込め
層）
層）
Claims (1)
- 【請求項１】 負電極が表面に形成されたｎ型コンタク
ト層と、正電極が表面に形成されたｐ型コンタクト層と
を有する窒化物半導体素子において、前記負電極と、ｎ
型コンタクト層との界面には凹凸が設けられていること
を特徴とする窒化物半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21821496A JPH1065213A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 窒化物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21821496A JPH1065213A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 窒化物半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065213A true JPH1065213A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16716412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21821496A Pending JPH1065213A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 窒化物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065213A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2005004247A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride compound semiconductor light emitting device |
| WO2006022532A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device |
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1996
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