JP2005093682A - GaN系半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

GaN系半導体発光素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005093682A
JP2005093682A JP2003324571A JP2003324571A JP2005093682A JP 2005093682 A JP2005093682 A JP 2005093682A JP 2003324571 A JP2003324571 A JP 2003324571A JP 2003324571 A JP2003324571 A JP 2003324571A JP 2005093682 A JP2005093682 A JP 2005093682A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
layer
gan
based semiconductor
uneven
formed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003324571A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Taki
瀧  哲也
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
豊田合成株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/30Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region

Abstract

【課題】 成長プロセスの複雑化を抑えながら発光効率を増大したGaN系半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【構成】 n型GaNクラッド層3の上にAlN凹凸層4を形成し、AlN凹凸層4の上に活性層(InGaN井戸層5)を形成することにより活性層を凹凸の形状にする。Al凹凸層4は、n型GaNクラッド層3の上に10Å程度の膜厚のAlN層を形成し、830℃程度の熱処理を施すことによりAlN層を凝集させて形成する。その結果、活性層の面積が増大し、活性層に組成不均一が生ずる。
【選択図】 図1

Description

本発明はGaN系半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に、成長プロセスの複雑化を抑えながら発光効率を増大したGaN系半導体発光素子及びその製造方法に関する。

従来のGaN系半導体発光素子として、例えば、特許文献1に記載されているものがある。

特許文献1に記載されているGaN系半導体発光素子は、例えば、n型光ガイド層の表面をエッチング等によって凹凸にし、その凹凸にした表面にInGaN活性層を凹凸に形成することによって構成されている。

この構成によれば、活性層を凹凸に形成することによって活性層にInプアー領域とInリッチ領域を形成し、その結果、活性層に量子ドット効果、量子箱効果を付与することによって発光効率を増大させることができると記載している。
特開平10−215029号公報

しかし、従来のGaN系半導体発光素子によれば、各半導体層の成長過程、例えば、気相成長中にn型光ガイド層をエッチングするエッチング工程を挿入しなければならないため、成長プロセスが複雑化するという不都合がある。

従って、本発明の目的は、成長プロセスの複雑化を抑えながら発光効率を増大したGaN系半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。

本発明によると、n型層とp型層の間に活性層を配置したGaN系半導体発光素子において、
前記n型層と前記活性層の間に配置されたAlN凹凸層を備え、
前記活性層は、前記AlN凹凸層の形状に基づいて凹凸に形成されていることを特徴とするGaN系半導体発光素子を提供する。

また、本発明によると、n型層とp型層の間に活性層を配置したGaN系半導体発光素子において、
前記n型層と前記活性層の間に配置され、所定の温度で形成されたGaN系半導体層を前記所定の温度より大なる温度で熱処理することによって形成されたGaN系半導体凹凸層を備え、
前記活性層は前記GaN系半導体凹凸層の形状に基づいて凹凸に形成されていることを特徴とするGaN系半導体発光素子を提供する。

本発明のGaN系半導体発光素子において、前記GaN系半導体凹凸層は、AlN凹凸層のよって形成され、
前記活性層は、複数のInGaN井戸層を含む多重量子井戸構造を有することが好ましい。

更に、本発明によると、
基板上にn型GaN系半導体層を形成し、
前記n型GaN系半導体層上に所定の温度でアモルファス状のGaN系半導体層を形成し、
前記GaN系半導体層に前記所定の温度より高い温度の熱処理を施すことにより、前記GaN系半導体層の凝集に基づいて多結晶状のGaN系半導体凹凸層を形成し、
前記GaN系半導体凹凸層上に活性層を成長させることにより凹凸状活性層を形成し、
前記凹凸状活性層上にp型GaN系半導体層を形成することを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法を提供する。

本発明のGaN系半導体発光素子の製造方法において、
前記GaN系半導体凹凸層の形成は、AlN凹凸層の形成であり、
前記凹凸状活性層の形成は、複数のInGaN井戸層を含む多重量子井戸構造の形成であることが好ましい。

本発明のGaN系半導体発光素子によると、活性層はAlN凹凸層の形状に基づいて凹凸に形成されているため、活性層の面積を大にし、活性層の組成を不均一にし、それによって発光効率を増大することができる。

また、本発明のGaN系半導体発光素子によると、活性層はGaN系半導体凹凸層形状に基づいて凹凸に形成されているため、活性層の面積を大にし、活性層の組成を不均一にし、それによって発光効率を増大することができる。

また、本発明のGaN系半導体発光素子によると、GaN系半導体凹凸層は、AlN凹凸層によって形成され、
活性層は、複数のInGaN井戸層を含む多重量子井戸構造であるため、凝集による凹凸の形成が容易になり、また、制御されたピーク波長において発光出力を大にすることができる。

更に、本発明によると、
GaN系半導体層に所定の温度より高い温度の熱処理を施すことにより、
前記GaN系半導体層の凝集に基づいて多結晶状のGaN系半導体層凹凸層を形成し、
前記GaN系半導体凹凸層上に活性層を成長させることにより凹凸状活性層を形成するため、成長プロセスの複雑化を抑えながら、面積が大きく、組成の不均一な活性層を提供することができる。

本発明の好ましい実施形態によると、GaN系半導体凹凸層の形成は、AlN凹凸層の形成であり、
凹凸状活性層の形成は、複数のInGaN井戸層を含む多重量子井戸構造の形成であるため、凹凸の形成が容易になり、ピーク波長の制御と発光出力の向上の実現が容易になるGaN系半導体発光素子を製造することができる。

図1は、本発明のGaN系半導体発光素子を示す。このGaN系半導体発光素子は、サファイア基板1上に低温成長のAlNバッファ層2を形成し、その上にSiドープのn型GaN:Siクラッド層(コンタクト層)3を形成する。次に、n型GaN:Siクラッド層3の上にAlN凹凸層4を形成し、この上に凹凸の形状を有する3層のIn0.25Ga0.85N井戸層5と凹凸の形状を有する2層のGaN障壁層6を交互に配置したMQW7を形成する。更に、その上にMgドープのp型Al0.12Ga0.88Nクラッド層8を形成し、その上にMgドープのp型GaNコンタクト層9を形成する。次に、p型GaNコンタクト層9、p型Al0.12Ga0.88Nクラッド層8、MQW7、及びn型GaNクラッド層3の一部をエッチングしてn型GaNクラッド層3を露出し、露出した表面にn型電極12を形成し、更に、p型コンタクト層9の表面に透明電極10及びパッド電極11を形成する。

以上の構成において、パッド電極11及びn型電極12にボンディングされた図示しないボンディングワイヤを介して順方向の電圧を印加すると、In0.25Ga0.85N井戸層5においてホール及びエレクトロンのキャリア再結合が発生して発光し、出力光が透明電極10を介して外部へ放射される。

ここで、In0.25Ga0.85N井戸層5が凹凸に形成されているので、In0.25Ga0.85N井戸層5の組成の不均一化と面積の増加が実現され、その結果、発光効率が増加する。

以下に、本発明のGaN系半導体発光素子の製造方法を説明する。

図1及び図2(a)において、(0001)面を結晶成長面とするサファイア基板1を有機洗浄の後、サファイア基板1をMOCVD装置内の成長炉のサセプタ上に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給して1200℃程度まで昇温する。これによりサファイア基板上1の表面に付着していた炭化水素ガスがある程度取り除かれる。

次に、サファイア基板1の温度を600℃程度まで降温し、TMA(トリメチルアルミニウム)及びNH3(アンモニア)を供給してサファイア基板1上に50nm程度の膜厚の低温AlNバッファ層2を形成する。

次に、TMAの供給を止め、基板温度を1000℃まで上げ、NH3、TMG(トリメチルガリウム)、SiH4(シラン)を供給してキャリア濃度5×1018/cm3のn型GaN:Siクラッド層(コンタクト層)3を形成する。

次に、サファイア基板1の温度を400℃程度まで降温し、TMA及びNH3を10秒程度供給してn型GaNクラッド層3の上に10Å程度の膜厚のAlN層40を形成する(図2(a))。

次に、原料ガスの供給を止めながらサファイア基板1の温度を830℃程度まで上げると、AlN層40は熱処理を受けて凝集し、その結果、AlN凹凸層4が形成される(図2(b))。

次に、サファイア基板1の温度を730℃まで降温し、NH3、TMG、及びTMI(トリメチルインジウム)を供給して膜厚30ÅのIn0.25Ga0.85N井戸層5を形成する。このIn0.25Ga0.85N井戸層5は、Al凹凸層4の形状に基づいて凹凸に形成される。

次に、サファイア基板1の温度880℃まで上げ、NH3及びTMGを供給して170Åの膜厚のGaN障壁層6を形成する。このGaN障壁層6は、その下のIn0.25Ga0.85N井戸層5の凹凸形状に基づいて凹凸に形成される。

次に、上記したIn0.25Ga0.85N井戸層5及びGaN障壁層6の成長条件に基づいて2層のIn0.25Ga0.85N井戸層5及び1層のGaN障壁層6を形成して合計3層のIn0.25Ga0.85N井戸層5と合計2層のGaN障壁層6より成るMQW7を形成する。このMQW7は、図1に示すように、全体として凹凸の形状を有している。

次に、サファイア基板1の温度を1000℃まで上げ、TMA,TMG、NH3、及びCp2Mg(ビスシクロペンタディエニルマグネシウム)を供給して200Åの膜厚のマグネシウムドープのp型Al0.12Ga0.88Nクラッド層8を形成する。

次に、サファイア基板1の温度を1000℃に維持したまま、NH3、TMG、及びCp2Mgを供給してマグネシウムドープのp型GaNコンタクト層9を形成する。

次に、所定のエッチャントを使用してp型GaNコンタクト層9、p型AlGaNクラッド層8、MQW7、及びn型GaN:Siクラッド層3の一部を除去してn型GaN:Siクラッド層3を露出させる。

次に、p型GaNコンタクト層9の上に透明電極10とパッド電極11を形成し、露出したn型GaN:Siクラッド層3の上にn型電極12を形成する。

以上の成長プロセスを経て製造されたGaN系半導体発光素子は、In0.25Ga0.85N井戸層5の形状が凹凸にされるため、In0.25Ga0.85N井戸層5の面積が増大し、また、In0.25Ga0.85N井戸層5に組成不均一が生ずる。その結果、発光効率の増大が図れる。

図3は、本発明のGaN系半導体発光素子と従来のものとの波長対輝度特性の対比を示す。

図3において、曲線(1)はAlN層40を成長温度400℃、成長時間10秒で成長させた後、830℃の熱処理を施してAlN凹凸層4を形成した前記実施例のGaN系半導体発光素子の波長対輝度特性である。

曲線(2)はAlN層40を成長温度400℃、成長時間15秒で成長させた後、830℃の熱処理を施してAlN凹凸層4を形成した本発明の別のGaN系半導体発光素子の波長対輝度特性である。

曲線(3)はAlN凹凸層4を有しない従来のGaN系半導体発光素子の波長対輝度特性であり、輝度は10倍にして表示されている。

図3の曲線(1)、(2)及び(3)の対比から明らかなように、本発明のGaN系半導体発光素子は発光効率が増大している。

また、これを実現するために形成されるAlN凹凸層4は、通常の成長プロセスに熱処理を付加するだけで形成されるので、成長プロセスの複雑化を抑えることができる。

図4は、本発明の成長プロセスによって製造されたGaN系半導体発光素子において、AlN層40の熱処理時間に対する輝度変化を示す曲線(1)と、AlN層40の熱処理時間に対するピーク波長変化を示す曲線(2)を表わす。

図4より明らかな通り、AlN層40に熱処理を施してAlN凹凸層4にする熱処理時間は10秒前後が好ましく、20秒を超える必要はない。

尚、凹凸層4は、AlNによって限定されるものではなく、AlGaN、GaN、InGaN、InNによって置換されても良い。

また、AlN凹凸層4はドット状に分散的に配置して形成されるものとして説明したが、これに限定されることはなく、底部において相互に連結された形状であっても良い。

本発明の実施の形態におけるGaN系半導体発光素子の模式図。 (a)はAlN凹凸層を形成する前の状態を示す模式図、(b)はAlN凹凸層を形成した後の状態を示す模式図。 GaN系半導体発光素子の波長対輝度のグラフ。 GaN系半導体発光素子のAlNの加熱時間対輝度、及びAlNの加熱時間対ピーク波長のグラフ。

符号の説明

1:サファイア基板
2:AlNバッファ層
3:シリコンドープのn型GaNクラッド層(コンタクト層)
4:AlN凹凸層
5:InGaN井戸層
6:GaN障壁層
7:MQW
8:マグネシウムドープのp型AlGaNクラッド層
9:マグネシウムドープのp型GaNコンタクト層
10:透明電極
11:パッド電極
12:n型電極
40:熱処理前のAlN層

Claims (5)

  1. n型層とp型層の間に活性層を配置したGaN系半導体発光素子において、
    前記n型層と前記活性層の間に配置されたAlN凹凸層を備え、
    前記活性層は、前記AlN凹凸層の形状に基づいて凹凸に形成されていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
  2. n型層とp型層の間に活性層を配置したGaN系半導体発光素子において、
    前記n型層と前記活性層の間に配置され、所定の温度で形成されたGaN系半導体層を前記所定の温度より大なる温度で熱処理することによって形成されたGaN系半導体凹凸層を備え、
    前記活性層は、前記GaN系半導体凹凸層の形状に基づいて凹凸に形成されていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
  3. 前記GaN系半導体凹凸層は、AlN凹凸層によって形成され、
    前記活性層は、複数のInGaN井戸層を含む多重量子井戸構造であることを特徴とする請求項2記載のGaN系半導体発光素子。
  4. 基板上にn型GaN系半導体層を形成し、
    前記n型GaN系半導体層上に所定の温度でアモルファス状のGaN系半導体層を形成し、
    前記GaN系半導体層に前記所定の温度より高い温度の熱処理を施すことにより前記GaN系半導体層の凝集に基づいて多結晶状のGaN系半導体凹凸層を形成し、
    前記GaN系半導体凹凸層上に活性層を成長させることにより凹凸状活性層を形成し、
    前記凹凸状活性層上にp型GaN系半導体層を形成することを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法。
  5. 前記GaN系半導体凹凸層の形成は、AlN凹凸層の形成であり、
    前記凹凸状活性層の形成は、複数のInGaN井戸層を含む多重量子井戸構造の形成であることを特徴とする請求項4記載のGaN系半導体発光素子の製造方法。
JP2003324571A 2003-09-17 2003-09-17 GaN系半導体発光素子及びその製造方法 Withdrawn JP2005093682A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003324571A JP2005093682A (ja) 2003-09-17 2003-09-17 GaN系半導体発光素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003324571A JP2005093682A (ja) 2003-09-17 2003-09-17 GaN系半導体発光素子及びその製造方法
US10926398 US7190001B2 (en) 2003-09-17 2004-08-26 GaN based semiconductor light emitting device and method of making the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005093682A true true JP2005093682A (ja) 2005-04-07

Family

ID=34270072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003324571A Withdrawn JP2005093682A (ja) 2003-09-17 2003-09-17 GaN系半導体発光素子及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7190001B2 (ja)
JP (1) JP2005093682A (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295128A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物半導体素子
KR100643474B1 (ko) 2005-09-06 2006-10-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR100661715B1 (ko) 2005-06-16 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 아일랜드(island )형상의 삽입층이 구비된 발광다이오드 및 이의 제조 방법
JP2007053251A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Dowa Holdings Co Ltd Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板
KR100699147B1 (ko) 2005-12-15 2007-03-21 엘지이노텍 주식회사 다파장 발광소자 및 그 제조방법
KR100700529B1 (ko) 2005-10-17 2007-03-28 엘지이노텍 주식회사 전류 확산층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100808012B1 (ko) * 2006-06-13 2008-02-28 나이넥스 주식회사 개선된 발광 효율을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2008199016A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Koga Koden Kofun Yugenkoshi 発光素子のエピタキシャル構造
JP2009124149A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Advanced Optoelectronic Technology Inc Iii族元素窒化物半導体発光デバイス及びその作成方法
JP2010195678A (ja) * 2010-03-10 2010-09-09 Dowa Electronics Materials Co Ltd Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板
KR101008287B1 (ko) * 2006-12-30 2011-01-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
US8179938B2 (en) 2008-09-16 2012-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element capable of increasing amount of light emitted, light-emitting device including the same, and method of manufacturing light-emitting element and light-emitting device
WO2016072275A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016072276A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016072277A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016072278A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016152772A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005086243A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-15 Showa Denko K.K. Pn junction type croup iii nitride semiconductor light-emitting device
FI118196B (fi) * 2005-07-01 2007-08-15 Optogan Oy Puolijohderakenne ja puolijohderakenteen valmistusmenetelmä
DE102005061346A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
EP1952449A4 (en) * 2005-10-31 2011-06-29 Univ Boston Optical devices featuring textured semiconductor layers
KR101241477B1 (ko) * 2006-01-27 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
JP5076656B2 (ja) * 2006-06-19 2012-11-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
KR101283261B1 (ko) * 2007-05-21 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
JP2010205988A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Panasonic Corp 窒化物半導体素子及びその製造方法
KR101028286B1 (ko) * 2009-12-28 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102009060747A1 (de) * 2009-12-30 2011-07-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Halbleiterchip
US8569737B2 (en) * 2010-12-08 2013-10-29 Lehigh University Broadband light emitting diodes and method for producing same
CN102842660B (zh) * 2012-08-17 2015-11-11 圆融光电科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
CN102969419A (zh) * 2012-12-24 2013-03-13 厦门大学 一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
KR20140100115A (ko) * 2013-02-05 2014-08-14 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
CN103413876A (zh) * 2013-08-09 2013-11-27 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种发光器件及其制备方法
CN103824915A (zh) * 2014-03-13 2014-05-28 华延芯光(北京)科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
CN104319233B (zh) * 2014-09-30 2018-03-13 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种MOCVD中InN/LT‑AlN复合应力释放缓冲层技术
JP2016181559A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
CN105206725B (zh) * 2015-08-24 2017-09-22 中国科学院半导体研究所 基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法
CN106898948A (zh) * 2015-12-17 2017-06-27 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法
CN106057995B (zh) * 2016-05-31 2018-10-09 华灿光电(苏州)有限公司 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法
CN106057988A (zh) * 2016-06-22 2016-10-26 华灿光电(苏州)有限公司 一种GaN基发光二极管的外延片的制备方法
CN106057989B (zh) * 2016-06-22 2018-10-09 华灿光电(苏州)有限公司 一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5787104A (en) * 1995-01-19 1998-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same
JP3396356B2 (ja) * 1995-12-11 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置,及びその製造方法
JP3282174B2 (ja) 1997-01-29 2002-05-13 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3969029B2 (ja) * 2001-08-03 2007-08-29 ソニー株式会社 半導体素子の製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295128A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物半導体素子
KR100661715B1 (ko) 2005-06-16 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 아일랜드(island )형상의 삽입층이 구비된 발광다이오드 및 이의 제조 방법
JP4554469B2 (ja) * 2005-08-18 2010-09-29 Dowaエレクトロニクス株式会社 Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板
US8039130B2 (en) 2005-08-18 2011-10-18 Ngk Insulators, Ltd. Method of forming group-III nitride crystal, layered structure and epitaxial substrate
JP2007053251A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Dowa Holdings Co Ltd Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板
KR100643474B1 (ko) 2005-09-06 2006-10-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR100700529B1 (ko) 2005-10-17 2007-03-28 엘지이노텍 주식회사 전류 확산층을 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100699147B1 (ko) 2005-12-15 2007-03-21 엘지이노텍 주식회사 다파장 발광소자 및 그 제조방법
KR100808012B1 (ko) * 2006-06-13 2008-02-28 나이넥스 주식회사 개선된 발광 효율을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101008287B1 (ko) * 2006-12-30 2011-01-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
JP2008199016A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Koga Koden Kofun Yugenkoshi 発光素子のエピタキシャル構造
JP2009124149A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Advanced Optoelectronic Technology Inc Iii族元素窒化物半導体発光デバイス及びその作成方法
US8179938B2 (en) 2008-09-16 2012-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element capable of increasing amount of light emitted, light-emitting device including the same, and method of manufacturing light-emitting element and light-emitting device
US8268653B2 (en) 2008-09-16 2012-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting element capable of increasing amount of light emitted, light-emitting device including the same, and method of manufacturing light-emitting element and light-emitting device
JP2010195678A (ja) * 2010-03-10 2010-09-09 Dowa Electronics Materials Co Ltd Iii族窒化物結晶の形成方法、積層体、およびエピタキシャル基板
WO2016072275A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016072276A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016072277A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
WO2016072278A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
US10056524B2 (en) 2014-11-07 2018-08-21 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element
US10062805B2 (en) 2014-11-07 2018-08-28 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting element
WO2016152772A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date Type
US20050056850A1 (en) 2005-03-17 application
US7190001B2 (en) 2007-03-13 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6388275B1 (en) Compound semiconductor device based on gallium nitride
US7187007B2 (en) Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same
US20100025684A1 (en) Method for producing group iii nitride semiconductor layer, group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp
JPH09153644A (ja) 3族窒化物半導体表示装置
US6720570B2 (en) Gallium nitride-based semiconductor light emitting device
JPH09199759A (ja) 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
JPH09266326A (ja) 3族窒化物化合物半導体発光素子
JPH10135514A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JPH09293897A (ja) 半導体素子とその製造方法
JP2009130097A (ja) Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US20060169990A1 (en) Group III nitride-based compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same
US20050056850A1 (en) GaN based semiconductor light emitting device and method of making the same
JP2001102633A (ja) 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
JP2005045054A (ja) Iii族窒化物半導体発光素子
US7829881B2 (en) Semiconductor light emitting device having roughness and method of fabricating the same
CN101558502A (zh) Ⅲ族氮化物半导体层的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯
JPH1126883A (ja) 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
US20100259184A1 (en) Light-emitting device
JP2007096116A (ja) 発光素子
US7253451B2 (en) III-nitride semiconductor light emitting device
JP2002319702A (ja) 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子
JP2008091488A (ja) 窒化物半導体製造方法
CN101069289A (zh) 氮化物半导体发光器件及其制造方法
JP2008034444A (ja) Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子及びランプ
US20120083063A1 (en) Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051025

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070425