JP2014033185A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014033185A5 JP2014033185A5 JP2013090217A JP2013090217A JP2014033185A5 JP 2014033185 A5 JP2014033185 A5 JP 2014033185A5 JP 2013090217 A JP2013090217 A JP 2013090217A JP 2013090217 A JP2013090217 A JP 2013090217A JP 2014033185 A5 JP2014033185 A5 JP 2014033185A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- dummy
- emitting device
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
Claims (22)
- 第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層の上に配置された活性層と、
前記活性層の上に配置された第2導電型半導体層と、を含み、
前記活性層は、
(T+1)個のバリア層と、
前記(T+1)個のバリア層の間に配置されたT個の井戸層と、
前記第2導電型半導体層に隣り合うN個の井戸層と前記N個の井戸層に隣り合うN個のバリア層との間に配置される第1ダミー層と、を含み、
T>N≧1であることを特徴とする、発光素子。 - 前記活性層は、
前記第1導電型半導体層に隣り合うM個の井戸層と前記M個の井戸層に隣り合うM個のバリア層との間に配置される第2ダミー層をさらに含み、
N≧M≧1であることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。 - 前記第1ダミー層は前記バリア層の上及び下のうちの1つの上に配置されることを特徴とする、請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記第2ダミー層は前記バリア層の上及び下のうちの1つの上に配置されることを特徴とする、請求項1乃至3のうち、いずれか1項に記載の発光素子。
- 前記活性層は、
前記第2導電型半導体層に接する第1バリア層と前記第1バリア層に接する第1井戸層との間に配置される第3ダミー層をさらに含むことを特徴とする、請求項1乃至4のうち、いずれか1項に記載の発光素子。 - 前記第3ダミー層は、前記第1ダミー層と離隔され、
前記第3ダミー層の厚さは、前記第1ダミー層の厚さより薄いことを特徴とする、請求項5に記載の発光素子。 - 前記第1ダミー層は前記第1井戸層と接する第2バリア層の上及び下のうちの1つの上に配置されることを特徴とする、請求項5に記載の発光素子。
- 前記活性層は、
前記第1導電型半導体層に隣り合うM個の井戸層と前記M個の井戸層に隣り合うM個のバリア層との間に配置される第2ダミー層と、
前記第1導電型半導体層に接する第3バリア層と前記第3バリア層に接する第2井戸層との間に配置される第4ダミー層と、をさらに含むことを特徴とする、請求項1乃至7のうち、いずれか1項に記載の発光素子。 - 前記第3バリア層は、前記第2導電型半導体層に最も近い最後のバリア層に対して、最も近くに配置されることを特徴とする、請求項8に記載の発光素子。
- 前記第2ダミー層は前記第2井戸層と接する第4バリア層の上及び下のうちの1つの上に配置され、
前記第2ダミー層のバンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする、請求項9に記載の発光素子。 - 前記第1乃至第4ダミー層のうちの少なくとも1つは、前記第1バリア層と同一のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項8に記載の発光素子。
- 前記第1乃至第4ダミー層のうちの少なくとも1つは、前記第1井戸層のバンドギャップと前記第1バリア層のバンドギャップとの間のバンドギャップを有することを特徴とする、請求項8に記載の発光素子。
- 前記第1乃至第4ダミー層のうちの少なくとも1つは、前記第1バリア層と同一の種類の化合物半導体材質で形成されることを特徴とする、請求項8に記載の発光素子。
- 前記(T+1)個のバリア層の各々は同一の厚さを有することを特徴とする、請求項1乃至13のうち、いずれか1項に記載の発光素子。
- 前記活性層は450nm以上のピーク波長の光を生成することを特徴とする、請求項1乃至14のうち、いずれか1項に記載の発光素子。
- 前記第1導電型半導体層はn型半導体層であり、
前記第2導電型半導体層はp型半導体層であり、
前記活性層は、前記p型半導体層に最も近い最後の量子井戸層を有し、
前記第1ダミー層は、前記最後の量子井戸層と接して配置されることを特徴とする、請求項1乃至15のうち、いずれか1項に記載の発光素子。 - 前記活性層は、前記p型半導体層に最も近い最後のバリア層を有し、
前記第1ダミー層のバンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーと同一または小さく、
前記第1ダミー層の厚さは、前記最後のバリア層の厚さより薄いことを特徴とする、請求項16に記載の発光素子。 - 前記第1ダミー層のバンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする、請求項17に記載の発光素子。
- 前記第1ダミー層は、前記最後の量子井戸層の両側に接して配置されることを特徴とする、請求項16に記載の発光素子。
- 前記第2井戸層は、前記第1井戸層と前記最後の量子井戸層との間に配置され、
前記第2井戸層には、ダミー層が配置されないことを特徴とする、請求項16に記載の発光素子。 - 前記第1ダミー層の最高バンドギャップエネルギーは、前記最後のバリア層のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする、請求項16に記載の発光素子。
- 支持体と、
前記支持体の上に第1及び第2電極ラインと、
前記支持体及び前記第1及び第2電極ラインのうちのいずれか1つの上に配置され、請求項1乃至21のうちいずれか1項に記載の発光素子と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120086010A KR20140019635A (ko) | 2012-08-06 | 2012-08-06 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
KR10-2012-0086010 | 2012-08-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014033185A JP2014033185A (ja) | 2014-02-20 |
JP2014033185A5 true JP2014033185A5 (ja) | 2016-06-16 |
Family
ID=50024575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013090217A Pending JP2014033185A (ja) | 2012-08-06 | 2013-04-23 | 発光素子及び発光素子パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9349914B2 (ja) |
JP (1) | JP2014033185A (ja) |
KR (1) | KR20140019635A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015018840A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US9640716B2 (en) * | 2015-07-28 | 2017-05-02 | Genesis Photonics Inc. | Multiple quantum well structure and method for manufacturing the same |
CN108601821B (zh) | 2015-10-05 | 2023-09-19 | 精密生物科学公司 | 包含经修饰的人T细胞受体α恒定区基因的经遗传修饰的细胞 |
JP6929837B2 (ja) | 2015-10-05 | 2021-09-15 | プレシジョン バイオサイエンシズ,インク. | ヒトt細胞受容体アルファ定常領域遺伝子中に見出される認識配列に対して操作されたメガヌクレアーゼ |
WO2018073393A2 (en) | 2016-10-19 | 2018-04-26 | Cellectis | Tal-effector nuclease (talen) -modified allogenic cells suitable for therapy |
WO2019005957A1 (en) | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Precision Biosciences, Inc. | GENETICALLY MODIFIED T CELLS COMPRISING A MODIFIED INTRON IN THE ALPHA T CELL RECEPTOR GENE |
JP7304888B2 (ja) | 2018-04-12 | 2023-07-07 | プレシジョン バイオサイエンシズ,インク. | ヒトt細胞受容体アルファ定常領域遺伝子に特異性を有する最適化された操作されたヌクレアーゼ |
Family Cites Families (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3433038B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2003-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP3976294B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
US6608330B1 (en) * | 1998-09-21 | 2003-08-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2003535453A (ja) * | 1998-11-16 | 2003-11-25 | エムコア・コーポレイション | インジウムリッチクラスタを有する第iii族窒化物量子井戸構造体及びその製造方法 |
JP3719047B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2005-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6586762B2 (en) * | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
US6608328B2 (en) * | 2001-02-05 | 2003-08-19 | Uni Light Technology Inc. | Semiconductor light emitting diode on a misoriented substrate |
JP3772098B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2006-05-10 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光装置 |
US6958497B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
JP2003037291A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP4061040B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2008-03-12 | アンリツ株式会社 | 多重量子井戸半導体素子 |
JP2003273473A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-09-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子 |
US6618413B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-09 | Xerox Corporation | Graded semiconductor layers for reducing threshold voltage for a nitride-based laser diode structure |
JP2003234545A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP4390433B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2009-12-24 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
JP4285949B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2009-06-24 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
AU2003257200A1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-25 | Exelixis, Inc. | PSMCs AS MODIFIERS OF THE RB PATHWAY AND METHODS OF USE |
JP4412918B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
KR100476567B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2005-03-17 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 소자 |
JP2004015072A (ja) * | 2003-09-26 | 2004-01-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP3998639B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2007-10-31 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US7781777B2 (en) * | 2004-03-08 | 2010-08-24 | Showa Denko K.K. | Pn junction type group III nitride semiconductor light-emitting device |
CN100359707C (zh) * | 2004-04-16 | 2008-01-02 | 氮化物半导体株式会社 | 氮化镓系发光器件 |
KR100664985B1 (ko) * | 2004-10-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
JP4696749B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-06-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子 |
KR100703096B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
JP4954536B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-06-20 | ローム株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2007235107A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子 |
KR100753518B1 (ko) * | 2006-05-23 | 2007-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
US7977665B2 (en) * | 2006-07-26 | 2011-07-12 | Lg Electronics Inc. & Lg Innotek Co., Ltd. | Nitride-based light emitting device |
TW200908393A (en) * | 2007-06-15 | 2009-02-16 | Rohm Co Ltd | Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor |
KR101459752B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2014-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100869142B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2008-11-18 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2009081379A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2009099893A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2009152552A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード |
CN102017156B (zh) * | 2008-02-25 | 2013-03-13 | 光波光电技术公司 | 电流注入/隧穿发光器件和方法 |
TWI466314B (zh) * | 2008-03-05 | 2014-12-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 三族氮化合物半導體發光二極體 |
JP2010003768A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2010021290A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子井戸構造の製造方法 |
TWI389344B (zh) * | 2008-08-25 | 2013-03-11 | Epistar Corp | 光電元件 |
KR100997908B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2010-12-02 | 박은현 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
JP5196160B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2013-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5316276B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2013-10-16 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子、エピタキシャル基板、及び窒化物半導体発光素子を作製する方法 |
CN102474077B (zh) * | 2009-07-31 | 2014-08-06 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体激光二极管 |
WO2011021264A1 (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | 株式会社 東芝 | 窒化物半導体発光素子 |
JP4881491B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
KR101007078B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
FR2953335B1 (fr) * | 2009-11-27 | 2012-04-27 | Centre Nat Rech Scient | Systeme d'emission laser, heterostructure et zone active a sous-puits quantiques couples, utilisation pour une emission laser a 1,55 micrometres |
US8575592B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses |
US9178108B2 (en) * | 2010-05-24 | 2015-11-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
JP5417307B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2014-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
EP2681770A1 (en) * | 2011-02-28 | 2014-01-08 | Phononic Devices, Inc. | Thin-film heterostructure thermoelectrics in a group iia and iv-vi materials system |
JP2012243780A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びウェーハ |
KR20120129029A (ko) * | 2011-05-18 | 2012-11-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP2013012684A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
US8648384B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-02-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2013015035A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5653327B2 (ja) * | 2011-09-15 | 2015-01-14 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法 |
JP5868650B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
-
2012
- 2012-08-06 KR KR1020120086010A patent/KR20140019635A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-03-15 US US13/837,688 patent/US9349914B2/en active Active
- 2013-04-23 JP JP2013090217A patent/JP2014033185A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014033185A5 (ja) | ||
JP2007081449A5 (ja) | ||
JP2015228497A5 (ja) | ||
JP2014033182A5 (ja) | ||
JP2013021296A5 (ja) | ||
JP2013125968A5 (ja) | ||
JP2010283339A5 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2013516751A5 (ja) | ||
JP2014093532A5 (ja) | ||
WO2014088667A3 (en) | Light emitting device including tandem structure | |
JP2008103711A5 (ja) | ||
JP2013179097A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2015060896A5 (ja) | ||
JP2013135234A5 (ja) | ||
JP2014053606A5 (ja) | ||
JP2010087494A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011166139A5 (ja) | ||
JP2011187982A5 (ja) | ||
JP2014515560A5 (ja) | ||
JP2012064849A5 (ja) | ||
JP2011003608A5 (ja) | ||
JP2015078076A5 (ja) | n型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた縦型窒化物半導体デバイス | |
JP2013098561A5 (ja) | ||
JP2013239605A5 (ja) | ||
JP2014131019A5 (ja) |