JP2011166139A5

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Publication number: JP2011166139A5
Application number: JP2011022205A
Authority: JP
Filing date: 2011-02-04
Publication date: 2014-03-20
Anticipated expiration: 2031-02-04

Claims

光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、
第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、
前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、
前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、
前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値よりも低い、光電半導体素子。
前記半導体システムは、第一導電型を有する第一半導体層と、第二導電型を有する第二半導体層と、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間に形成される変換ユニットと、を含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
前記第二ウィンドウ層の幅及び前記半導体システムの幅は、幅差を有し、前記幅差は、１μｍよりも大きい、請求項１に記載の光電半導体素子。
前記第二厚みは、前記第一厚みよりも大きく、及び／又は、前記第二ドーパント濃度は、前記第一ドーパント濃度よりも大きい、請求項１に記載の光電半導体素子。
前記第二ウィンドウ層の上表面及び側壁は、不平坦な表面を有する、請求項１に記載の光電半導体素子。
前記第二ウィンドウ層は、ｐ型半導体材料を含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
前記基板と前記第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層をさらに含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
前記透明導電層は、金属酸化物を含む、請求項７に記載の光電半導体素子。
前記基板と前記透明導電層との間に形成される金属反射層をさらに含む、請求項８に記載の光電半導体素子。
光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、金属元素を含む金属層と、
前記金属元素を含む第一ウィンドウ層と、
前記金属層と前記第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層と、
を含み、
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の原子濃度は、１×１０ ^１９ｃｍ ^−３よりも小さい、光電半導体素子。
半導体システムをさらに含み、
前記半導体システムは、第一導電型の第一半導体層と、第二導電型の第二半導体層と、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間に形成される変換ユニットと、を含む、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記金属元素は、銀を含む、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の原子濃度は、１×１０ ^１７ｃｍ ^−３よりも小さい、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の原子濃度は、１×１０ ^１６ｃｍ ^−３よりも大きい、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記透明導電層は、金属酸化物を含む、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記金属層の反射率は、９０％を超える、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記半導体システムに形成される第二ウィンドウ層をさらに含み、
前記第二ウィンドウ層は、不平坦な表面を有する、請求項１０に記載の光電半導体素子。
前記第一ウィンドウ層の幅は、前記半導体システムの幅とは異なり、前記両幅は、幅差を有し、前記幅差は、１μｍより大きい、請求項１０に記載の光電半導体素子。
光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成されるｎ型ウィンドウ層と、
前記ｎ型ウィンドウ層に形成される半導体システムと、
前記半導体システムに形成されるｐ型ウィンドウ層と、
を含み、
前記光電半導体素子は、琥珀色の光又は赤色の光を発し、駆動電流の密度が０．１〜０．３２ｍＡ／ｍｉｌ ^２の下で、少なくとも７０ルーメン／ワットの発光効率を有する、光電半導体素子。
光電半導体素子の製造方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板に半導体システムを形成するステップと、
前記半導体システムにウィンドウ層を形成するステップであって、前記ウィンドウ層及前記半導体システムは、異なる半導体材料を含むステップと、
前記ウィンドウ層を選択的に除去し、これによって、前記ウィンドウ層及び前記半導体システムに幅差を持たせ、前記幅差は、１μｍよりも大きい、光電半導体素子の製造方法。