JP2011258994A5 - - Google Patents

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  1. 下地層と、
    前記下地層上に形成され、Ｉｎ x Ａｌ y Ｇａ 1-x-y Ｎ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）で形成された障壁層とＩｎ x Ｇａ 1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）で形成された量子井戸層とが交互に積層された発光層と、
    互いに隣接する前記障壁層と前記量子井戸層との間に設けられ、Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）で形成され且つ前記量子井戸層よりも低いＩｎ組成を有する中間層と、
    を備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. １００Ａ／ｃｍ 2 以上の電流密度で作動させる
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記障壁層は、前記量子井戸層よりも低いＩｎ組成を有する
    ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記中間層は、前記障壁層と同じ、又は前記障壁層よりも高いＩｎ組成を有する
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 前記障壁層でＡｌ組成又はＩｎ組成が傾斜している
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 前記量子井戸層のＩｎ組成は、０．１〜０．３の範囲である
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 前記障壁層のＡｌ組成は、０．２〜０．４の範囲である
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 前記中間層のＩｎ組成は、０．０１〜０．０５の範囲である
    ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 前記障壁層のＩｎ組成は、０．０１〜０．０５の範囲である
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 前記発光層上に形成され、前記障壁層よりも高いＡｌ組成を有するオーバーフロー防止層をさらに備えた
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 前記発光層上に形成された、ｐ−ＩｎuＡｌvＧａ1-u-vＮ（０≦ｕ＜１，０＜ｖ＜１）層をさらに備えた
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 前記下地層は、基板の実質的に（０００１）面上に形成されている
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。
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