JP6764231B2 - 半導体ナノ粒子の製造方法、および、半導体ナノ粒子 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ナノ粒子の製造方法および半導体ナノ粒子に関する。

数ｎｍ〜十数ｎｍ程度にまで小さく（細く，薄く）された物質は、バルク状態とは異なる物性を示すようになる。このような現象・効果は、（３次元〜１次元）キャリア閉じ込め効果や量子サイズ効果などと呼ばれ、また、このような効果が発現する物質は、量子ドット（量子ワイヤ，量子ウェル）と呼ばれる。

たとえば、特許文献１には、発光性を有するコアおよび当該コアを被覆するシェル層を有し、窒化物系半導体を含む半導体ナノ粒子（量子ドット）が開示されている。このような半導体ナノ粒子は、サイズ（全体的な大きさ）を変化させることで、そのバンドギャップ（光吸収波長や発光波長）を調整することができる。なお、このような半導体ナノ粒子は、たとえば液相成長法により、製造することができる（特許文献１〜３）。

特許第４３１８７１０号公報 特許第４５０２７５８号公報 特許第４９３６３３８号公報

本発明の主な目的は、効率的に半導体ナノ粒子を製造する方法を提供することにある。

本発明の主な観点によれば、工程ａ）溶媒中に、所定の結晶面が露出するシード粒子を分散させる工程と、工程ｂ）溶媒中において、前記シード粒子の結晶面に、平板状の第１の半導体層、該シード粒子と同じ部材により構成される平板状のシード層、および平板状の第２の半導体層、を順次エピタキシャル成長する工程と、工程ｃ）前記シード粒子および前記シード層をエッチング処理により除去して、前記第１および第２の半導体層を相互に分離する工程と、を有する半導体ナノ粒子の製造方法、が提供される。

本発明のさらに他の観点によれば、ＺｎＯＳを含むシード粒子であって、粒径が２０ｎｍ以下であり、所定の結晶面が露出するシード粒子と、前記シード粒子の結晶面上にエピタキシャル成長した、窒化物半導体を含む平板状の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上にエピタキシャル成長した、前記シード粒子と同じ部材により構成される平板状のシード層と、前記シード層上にエピタキシャル成長した、窒化物半導体を含む平板状の第２の半導体層と、を含む半導体ナノ粒子、が提供される。

より効率的に半導体ナノ粒子を製造することができる。

図１は、シード粒子を作製する様子を示す模式図である。 図２Ａは、シード粒子に選択的光エッチング処理を施す様子を示す模式図であり、図２Ｂは、選択的光エッチング処理が施されたシード粒子を示す概略斜視図である。 図３Ａは、シード粒子の露出した結晶面に、第１発光層を成長する様子を示す模式図であり、図３Ｂは、シード粒子の結晶面に成長した第１発光層を示す断面図である。 図４Ａは、第１発光層の主面に成長したシード層を示す断面図であり、図４Ｂは、シード層の主面に成長した第２発光層を示す断面図である。 図５Ａは、シード粒子およびシード層を除去した後に残される第１および第２発光層を示す断面図であり、図５Ｂは、第１および第２発光層の各々を被覆するシェル層を示す断面図である。

以下、図面を参照して、実施例による半導体ナノ粒子の製造方法および基本構造について説明する。実施例による半導体ナノ粒子は、複数のシード粒子を作製する工程（図１）と、シード粒子の粒径を揃えるとともに、特定の結晶面を露出する工程（図２）と、溶媒中において、シード粒子の特定の結晶面に第１発光層を成長する工程（図３）と、第１発光層の主面にシード層および第２発光層を順次積層する工程（図４）と、シード粒子およびシード層を除去して第１および第２発光層を残し、さらに、第１および第２発光層の各々を、シェル層により被覆する工程（図５）と、を経て製造される。

図１に、シード粒子を作製する様子を示す。実施例において、シード粒子は、ウルツ鉱型のＺｎＯＳ（より具体的にはＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８）から構成され、また、ホットインジェクション法により作製される。なお、シード粒子を構成するＺｎＯＳは、ウルツ鉱型の結晶構造に限らず、閃亜鉛鉱型の結晶構造であってもかまわない。また、シード粒子は、ホットインジェクション法に限らず、たとえば、ソルボサーマル法を用いて作製してもかまわないし、また、バルク状態のシード部材を、超音波の印加などにより、微粒子状（ナノサイズ）に粉砕して作製してもかまわない。

まず、石英製の反応容器（フラスコ）８１を用意する。反応容器８１には、たとえば３つの開口ポート８２ａ〜８２ｃが設けられている。

ポート８２ａには、反応容器８１内の収容物の温度を測定することができる温度センサ（熱電対）８３が挿入される。他のポート８２ｂには、反応容器８１内の雰囲気をたとえば不活性ガス（Ａｒガス）に置換することができる雰囲気置換装置が接続される。また、さらに他のポート８２ｃからは、シード粒子の作製（ないし後工程の光エッチング処理等）に必要な原料（試薬）などが注入される。

また、反応容器８１には、収容物を加熱することができるヒータ８４が取り付けられている。ヒータ８４と併せて、たとえばポート８２ｂに、還流装置（冷却器）が取り付けられていてもよい。

反応容器８１内に、反応溶媒１１を注入する。反応溶媒１１は、たとえば、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ，８ｇ）およびヘキサデシルアミン（ＨＤＡ，４ｇ）を混合したものである。続いて、不活性（Ａｒ）ガス雰囲気下において、反応溶媒１１を約３００℃まで加熱する。なお、このとき、反応溶媒１１に加熱ムラが生じないように、反応溶媒１１を撹拌しながら加熱することが好ましい。

次に、不活性（Ａｒ）ガス雰囲気下において、反応溶媒１１に、反応前駆体として、ジエチル亜鉛（４．０ｍｍｏｌ）、オクチルアミン（２．８ｍｍｏｌ）およびビス（トリメチルシリル）スルフィド（１．２ｍｍｏｌ）を添加する。なお、オクチルアミンについては、予め２分程度、酸素によるバブリング処理を施しておく。これにより、溶媒１１中において、ウルツ鉱型のＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８の結晶核が生成する。

反応前駆体を注入した直後に、溶媒１１を約２００℃まで急冷する。これにより、新たな結晶核が生成されなくなり、結晶核のサイズが均一化される。

続いて、溶媒１１を約２４０℃まで加熱し、その温度を約４時間保持する。これにより、溶媒中においてＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８が粒径１０ｎｍ程度にまで成長する。なお、以降では、ここまでの一連の処理を、ＺｎＯＳ成長処理と呼ぶこととする。

続いて、溶媒１１を約１００℃まで自然冷却し、その温度を約１時間保持する。これにより、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子の表面状態が安定化される。以降、このような処理を、表面安定化処理と呼ぶこととする。

その後、溶媒１１を室温程度に戻し、そこにブタノールを添加して約１０時間撹拌する。これにより、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子相互間の凝集を防ぐことができる。以降、このような処理を、凝集防止処理と呼ぶこととする。

次に、一般的な遠心分離装置（セパレータ）により、溶媒１１に、脱水メタノールとトルエンとを交互に用いた遠心分離処理（４０００ｒｐｍで１０分間）を繰り返し施す。これにより、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子から不要な物質・材料などが概ね除去される。以降、このような処理を、精製処理と呼ぶこととする。最終的に、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子がメタノール中に分散する状態とする（粒子分散溶液１２，図２Ａ参照）。

以上により、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８からなるシード粒子が作製される。

図２Ａおよび図２Ｂに、シード粒子の粒径を均一化するとともに、特定の結晶面を露出する様子を示す。実施例では、シード粒子に、選択的光エッチング処理を施す。

光エッチング処理とは、光吸収によってシード粒子に生成された正孔を酸素と反応させて、シード粒子自体を溶解（エッチング）する処理をいう。光エッチング処理により、溶媒中に分散するシード粒子を、照射光の波長に対応する粒径に均一化することができる。なお、適当なエッチング液を用いることにより、シード粒子の特定の結晶面を選択的にエッチングすることも可能である。

まず、メタノール中にＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子が分散する粒子分散溶液１２に、エッチング液１３を添加する。エッチング液１３は、たとえば超純水および硝酸（濃度：６１容量％）を容量比６００：１で混合したものである。その後、粒子分散溶液１２およびエッチング液１３が混合した溶液を２５℃に保持し、当該溶液に酸素によるバブリング処理を５分間施す。

図２Ａに示すように、次に、粒子分散溶液１２およびエッチング液１３が混合した溶液を密閉容器８５に収容して光照射する。たとえば水銀ランプと分光器とを含む光源８６から、波長４０５ｎｍ（半値幅６ｎｍ）の光を出射させ、その光を粒子分散溶液１２およびエッチング液１３が混合した溶液に２０時間程度照射する。

次に、分散媒（メタノールおよびエッチング液）を水に置換して、シード粒子を洗浄（水洗）する。その後、凍結乾燥により、シード粒子を抽出する。以降、このような処理を、抽出処理と呼ぶこととする。

図２Ｂに示すように、選択的光エッチング処理を施した後、シード粒子（ウルツ鉱型ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子）２１は、たとえば、ｃ面（結晶面２１Ｃ）が露出した粒状の形状を有する。なお、シード粒子（ウルツ鉱型ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子）において露出させる結晶面はｃ面に限らず、いずれの結晶面であってもよい。たとえば、選択的光エッチング処理に用いるエッチング液を王水にすることにより、ウルツ鉱型ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子のｍ面を露出させることができる。

シード粒子２１の粒径ないし露出する結晶面２１Ｃ内における最長の幅は、２０ｎｍ以下であることが好ましい。実施例において、シード粒子２１の粒径ないし露出する結晶面２１Ｃ内における最長の幅は、７ｎｍ程度である。

図３Ａおよび図３Ｂに、溶媒中に分散するシード粒子２１のｃ面に、第１発光層２２を積層する様子を示す。実施例において、第１発光層２２は、シード粒子２１（ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８）と格子整合し、相対的にバンドギャップが狭い（小さい）Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層を含む。なお、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８ないしＩｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎの格子定数（ａ軸方向）は、およそ３．４Åである。

図３Ａに示すように、まず、反応容器９１を用意する。反応容器９１は、外側がステンレス、内側がハステロイにより構成される。反応容器９１には、少なくとも２つの給気口９２ａ，９２ｂと、排気口９２ｃと、が設けられている。

給気口９２ａ，９２ｂには、それぞれバルブを介して、たとえばＡｒガス供給源およびＮ_２ガス供給源に接続されており、給気口９２ａ，９２ｂから反応容器９１内に、ＡｒガスおよびＮ_２ガスを供給することができる。また、排気口９２ｃには、バルブを介して、排気ポンプが接続されており、反応容器９１内の雰囲気（ガス）を排気することができる。各バルブの調整により、反応容器９１内における各種ガスの分圧、特にＮ_２ガスの分圧を、精確に制御することができる。

また、反応容器９１には、温度センサ９３，ヒータ９４，撹拌機構９５等が取り付けられている。温度センサ９３は、反応容器９１内の収容物の温度を測定することができる。ヒータ９４は、当該収容物を加熱することができる。撹拌機構９５（回転羽根）は、当該収容物を撹拌することができる。

先に作製したシード粒子（ｃ面が露出したウルツ鉱型ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子）をジフェニルエーテルに分散させ、そのジフェニルエーテル（２０ｍｌ）を反応容器９１内に注入する。続いて、ヨウ化ガリウム（０．２４ｍｍｏｌ），ヨウ化インジウム（０．３６ｍｍｏｌ），ナトリウムアミド（１２．８ｍｍｏｌ）およびキャッピング剤（ヘキサデカンチオール１．０ｍｍｏｌおよびステアリン酸亜鉛０．６ｍｏｌ）を注入する（混合溶液１４）。その後、反応容器９１内の窒素分圧を１５００Ｔｏｒｒとして、混合溶液１４を２２５℃まで加熱し、その温度を約８０分間保持する。以降、このような処理を、ＩｎＧａＮ成長処理と呼ぶこととする。なお、キャッピング剤であるステアリン酸亜鉛から亜鉛がＩｎＧａＮに混入することがあるが、それも含めてＩｎＧａＮと呼ぶ。

図３Ｂに示すように、このような処理により、溶媒中に分散するシード粒子２１の露出面（ｃ面）に、Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層（第１発光層）２２がエピタキシャル成長する。第１発光層２２は、シード粒子２１のｃ面に成長するため、第１発光層２２の主面（露出面）もｃ面（結晶面２２Ｃ）を構成する。なお、シード粒子２１の結晶面２１Ｃ内における最長の幅は、２０ｎｍ以下であることが好ましいから、第１発光層２２の平面サイズ（面内方向における最大幅）も、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

実施例において、第１発光層２２の厚みは、４ｎｍ程度である。第１発光層２２の厚みは、混合溶液１４の加熱時間を調整することにより、制御することができる。

その後、第１発光層が積層したシード粒子に、表面安定化処理，凝集防止処理および精製処理を順次施す。最終的に、第１発光層を含むシード粒子がメタノール中に分散する状態とする。

なお、発光層２２は、たとえばＩｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２２ａ／Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層２２ｂの積層構造としてもよい。Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２２ａを設けることにより、後工程で形成されるシェル層（Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層）の厚みを、より均一にすることができる。このような発光層２２は、以下のように形成される。

先に作製したシード粒子（ｃ面が露出したウルツ鉱型ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８粒子）をジフェニルエーテルに分散させ、そのジフェニルエーテル（２０ｍｌ）を反応容器９１内に注入する。続いて、反応容器９１内に、ヨウ化アルミニウム（０．２０ｍｍｏｌ），ヨウ化インジウム（０．４０ｍｍｏｌ），ナトリウムアミド（１２．８ｍｍｏｌ）およびキャッピング剤（ヘキサデカンチオール１．０ｍｍｏｌおよびステアリン酸亜鉛０．６ｍｏｌ）を注入する。その後、反応容器９１内の窒素分圧を１５００Ｔｏｒｒとして、当該混合溶液を２２５℃まで加熱し、その温度を約４０分間保持する。これにより、溶媒中に分散するシード粒子２１の露出面（ｃ面）に、層厚が約２ｎｍ程度であるＩｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２２ａがエピタキシャル成長する。以降、このような処理を、ＩｎＡｌＮ成長処理と呼ぶこととする。なお、キャッピング剤であるステアリン酸亜鉛から亜鉛がＩｎＡｌＮに混入することがあるが、それも含めてＩｎＡｌＮと呼ぶ。

その後、Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２２ａが積層したシード粒子２１に、表面安定化処理，凝集防止処理および精製処理を順次施す。そして、さらにＩｎＧａＮ成長処理を施して、Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２２ａの主面に、Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層２２ｂを成長させる。これにより、Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２２ａおよびＩｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層２２ｂが積層する発光層２２が形成される。

図４Ａおよび図４Ｂに、溶媒中において第１発光層２２の主面にシード層２３および第２発光層２４を順次積層する様子を示す。シード層２３は、シード粒子と同じＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８から構成され、第２発光層２４は、第１発光層２２と同じＩｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎから構成される。なお、シード層２３は、シード粒子２１を作製した設備・装置（図１）を用いて成長させることができる。また、第２発光層層２４は、第１発光層２２を作製した設備・装置（図３Ａ）を用いて成長させることができる。

メタノール中に分散する、第１発光層２２を含むシード粒子２１に、ＺｎＯＳ成長処理を施す。すなわち、第１発光層２２を含むシード粒子２１が分散するメタノールに、反応前駆体（ジエチル亜鉛，オクチルアミンおよびビス（トリメチルシリル）スルフィド）を添加した後、２００℃に急冷して、再度２４０℃に加熱し、その温度を約２０分間保持する。

図４Ａに示すように、このような処理により、第１発光層２２の主面（ｃ面）に、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８層（シード層）２３がエピタキシャル成長する。シード層２３の厚みは、２ｎｍ程度である。その後、第１発光層／シード層の積層体を含むシード粒子２１に、表面安定化処理，凝集防止処理，精製処理および抽出処理を施す。

図４Ｂに示すように、さらにＩｎＧａＮ成長処理を施して、シード層２３の主面に、Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層（第２発光層）２４を成長させる。以上の処理により、第１発光層２２の主面に、シード層２３および第２発光層２４が積層される。なお、第２発光層２４は、第１発光層２２と同様に、Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層２４ａ／Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ層２４ｂの積層構造としてもよい。

第１発光層／シード層／第２発光層の積層体を含むシード粒子に、表面安定化処理，凝集防止処理および精製処理を順次施す。最終的に、当該シード粒子がメタノール中に分散する状態とする。

図５Ａに、シード粒子２１およびシード層２３を除去し、第１および第２発光層２２，２４を残す様子を示す。同じ部材で構成されるシード粒子２１およびシード層２３は、たとえばエッチング処理により、同時に除去される。

第１発光層／シード層／第２発光層の積層体を含むシード粒子が分散するメタノールに、エッチング液を添加する。エッチング液は、たとえば純水および塩酸（濃度：３６容量％）を容量比１００：１で混合したもの（希塩酸）を用いる。これにより、ＺｎＯ_０．７２Ｓ_０．２８により構成されるシード粒子２１およびシード層２３が除去され、第１発光層２２と第２発光層２４とが相互に分離して残される。その後、第１および第２発光層２２，２４各々の単層体に、表面安定化処理，凝集防止処理，精製処理および抽出処理を施す。以降、第１および第２発光層を、単に発光層ないしコア層と呼ぶこととする。

図５Ｂに、発光層２２，２４の単層体を、シェル層２５により被覆する様子を示す。実施例において、シェル層２５は、発光層（Ｉｎ_０．６０Ｇａ_０．４０Ｎ）と格子整合し、相対的にバンドギャップが広い（大きい）Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層を含む。

発光層２２，２４の単層体に、ＩｎＡｌＮ成長処理を施す。すなわち、発光層２２，２４の単層体をジフェニルエーテルに分散させ、そのジフェニルエーテルに、ヨウ化アルミニウム，ヨウ化インジウム，ナトリウムアミドおよびキャッピング剤を添加する。そして、当該混合溶液を２２５℃まで加熱し、その温度を約１００分間保持する。

このような処理により、発光層（コア層）２２，２４を覆うように、Ｉｎ_０．６７Ａｌ_０．３３Ｎ層（シェル層）２５がエピタキシャル成長する。シェル層２５の厚みは、５ｎｍ程度である。以上により、コア層（発光層）、および、当該コア層を被覆するシェル層、を含む半導体ナノ粒子２０が作製される。その後、半導体ナノ粒子（コア／シェル構造体）２０に、表面安定化処理，凝集防止処理，精製処理および抽出処理を施す。

なお、半導体ナノ粒子は、以下のような参考例による製造方法でも作製することができる。すなわち、シード粒子を作製し（図１）、当該シード粒子の所定の結晶面を露出し（図２）、当該結晶面に発光層を成長した（図３）後に、シード粒子を除去して、残された発光層にシェル層を被覆する（図５）ことでも作製することができる。

１つのシード粒子に設けられる発光層の層数は、実施例による製造方法では２層であり、参考例による製造方法では１層である。同じシード粒子に設けられる発光層の平面サイズはほぼ等しいと考えられる。このため、発光層（コア層）の平面サイズの総合的なバラつきは、実施例による製造方法の方が参考例による製造方法よりも少ないと考えられる。

また、実施例および参考例による製造方法において、シード粒子の所定の結晶面を露出する工程（図２，シード粒子加工工程）に、特に時間・手間がかかる。このため、一度のシード粒子加工工程の実施で、より多くの発光層を得ることができる実施例による製造方法の方が、参考例よる製造方法よりも生産的ないし効率的である。

以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、発光層を３層以上、また、シード層を２層以上含む半導体ナノ粒子を作製してもかまわない。また、シード粒子およびシード層，発光層（コア層）ならびにシェル層に用いられる部材は、製造環境・条件や半導体ナノ粒子の用途などに応じて、適宜変更してもかまわないであろう。たとえば、シード粒子の材料として硫黄を含む材料ビス（トリメチルシリル）スルフィドの一部もしくは全部を、セレンを含む材料トリ−ｎ−オクチルホスフィンセレニドに換えれば、同様の手順でＺｎＯＳＳｅもしくはＺｎＯＳｅを作製できるであろう。その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１１〜１４…溶媒、２０…半導体ナノ粒子、２１…シード粒子、２２…第１発光層（コア層）、２３…シード層、２４…第２発光層、２５…シェル層（障壁層）、８１…反応容器（フラスコ）、８２…ポート、８３…温度センサ（熱電対）、８４…ヒータ、８５…密閉容器、８６…光源、９１…反応容器、９２…給気口／排気口、９３…温度センサ（熱電対）、９４…ヒータ、９５…撹拌機構（回転羽根）。

Claims (9)

1. 工程ａ）溶媒中に、所定の結晶面が露出するシード粒子を分散させる工程と、
   工程ｂ）溶媒中において、前記シード粒子の結晶面に、平板状の第１の半導体層、該シード粒子と同じ部材により構成される平板状のシード層、および平板状の第２の半導体層、を順次エピタキシャル成長する工程と、
   工程ｃ）前記シード粒子および前記シード層をエッチング処理により除去して、前記第１および第２の半導体層を相互に分離する工程と、
   を有する半導体ナノ粒子の製造方法。
2. 前記第１および第２の半導体層の面内方向における最大幅は、２０ｎｍ以下である請求項１記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
3. 前記シード粒子および前記シード層は、ＺｎＯＳを含み、
   前記第１および第２の半導体層各々は、窒化物半導体を含む、請求項１または２記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
4. 前記第１および第２の半導体層各々は、ＩｎＧａＮを含む請求項３記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
5. 前記第１および第２の半導体層各々は、さらにＩｎＡｌＮを含む請求項４記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
6. 前記工程ａ）において、選択的光エッチング処理により、前記シード粒子の所定の結晶面を露出する請求項１〜５いずれか１項記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
7. さらに、工程ｄ）溶媒中において、相互に分離した前記第１および第２の半導体層各々を、第３の半導体層により被覆する工程と、を有する請求項１〜６いずれか１項記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
8. 前記第３の半導体層は、ＩｎＡｌＮを含む請求項７記載の半導体ナノ粒子の製造方法。
9. ＺｎＯＳを含むシード粒子であって、粒径が２０ｎｍ以下であり、所定の結晶面が露出するシード粒子と、
   前記シード粒子の結晶面上にエピタキシャル成長した、窒化物半導体を含む平板状の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上にエピタキシャル成長した、前記シード粒子と同じ部材により構成される平板状のシード層と、
   前記シード層上にエピタキシャル成長した、窒化物半導体を含む平板状の第２の半導体層と、
   を含む半導体ナノ粒子。
   

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