JP2011166139A - 光電素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による光電半導体素子は、基板と、前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい。
【選択図】図2
Description
101 基板
102 保持基板
103 保持基板
111 第一ウィンドウ層
112 第二ウィンドウ層
120 光電システム
121 第一層
122 変換ユニット
123 第二層
130 第一オーミック接触層
131 電極
132 指状電極
140 第二オーミック接触層
141 透明導電層
150 反射層
160 金属層
171 第一パッド
172 第二パッド
180 鈍化層
S1 第一エッチングプラットホーム
S2 第二エッチングプラットホーム
L1 幅差
Claims (12)
- 光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、
第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、
前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、
を含み、
前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、
前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、
前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい、
光電半導体素子。 - 前記半導体システムは、第一導電型を有する第一半導体層と、第二導電型を有する第二半導体層と、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間に形成される変換ユニットと、を含み、
前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、幅差を有し、前記第二ウィンドウ層の幅は、前記半導体システムの幅より小さく、前記幅差は、1μmより大きい、
請求項1に記載の光電半導体素子。 - 前記第二ウィンドウ層の上表面及び側壁は、不平坦な構造を有する、
請求項1に記載の光電半導体素子。 - さらに、前記基板と前記第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層を含む、
請求項1に記載の光電半導体素子。 - さらに、前記基板と前記透明導電層との間に形成される金属反射層を含む、
請求項4に記載の光電半導体素子。 - 光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、金属元素を含む金属層と、
前記金属元素を含む第一ウィンドウ層と、
前記金属層と前記第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層と、
を含み、
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の濃度は、1×1019cm−3より小さく、1×1016cm−3より大きい、
光電半導体素子。 - さらに、前記第一ウィンドウ層に形成される半導体システムを含み、
前記半導体システムは、第一導電型の第一半導体層と、第二導電型の第二半導体層と、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間に形成される変換ユニットと、を含む、
請求項6に記載の光電半導体素子。 - 前記金属元素は、銀を含む、
請求項6に記載の光電半導体素子。 - 前記金属層の反射率は、90%を超える、
請求項6に記載の光電半導体素子。 - さらに、前記半導体システムに形成される第二ウィンドウ層を含み、
前記第二ウィンドウ層は、不平坦な構造を有し、
前記第一ウィンドウ層及び前記半導体システムは、幅差を有し、前記第一ウィンドウ層の幅は、前記半導体システムの幅より小さく、前記幅差は、1μmより大きい、
請求項6に記載の光電半導体素子。 - 光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成されるn型ウィンドウ層と、
前記n型ウィンドウ層に形成される半導体システムと、
前記半導体システムに形成されるp型ウィンドウ層と、
を含み、
前記光電半導体素子は、琥珀色の光及び赤色の光を発し、駆動電流の密度が0.1〜0.32mA/mil2の下で70ルーメン/ワットの発光効率を有する、
光電半導体素子。 - 光電半導体素子の製造方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板に半導体システムを形成するステップと、
前記半導体システムにウィンドウ層を形成するステップであって、前記ウィンドウ層及前記半導体システムは、異なる半導体材料を含むステップと、
前記ウィンドウ層の一部を除去し、前記ウィンドウ層及び前記半導体システムに幅差を持たせ、前記幅差は、1μmより大きい、
光電半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30266210P | 2010-02-09 | 2010-02-09 | |
US61/302,662 | 2010-02-09 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014211281A Division JP5908558B2 (ja) | 2010-02-09 | 2014-10-16 | 光電素子及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011166139A true JP2011166139A (ja) | 2011-08-25 |
JP2011166139A5 JP2011166139A5 (ja) | 2014-03-20 |
JP5635432B2 JP5635432B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=44352986
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011022205A Active JP5635432B2 (ja) | 2010-02-09 | 2011-02-04 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2014211281A Active JP5908558B2 (ja) | 2010-02-09 | 2014-10-16 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2016057950A Pending JP2016154244A (ja) | 2010-02-09 | 2016-03-23 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2017233869A Pending JP2018056586A (ja) | 2010-02-09 | 2017-12-06 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2019140478A Active JP6917417B2 (ja) | 2010-02-09 | 2019-07-31 | 光電素子及びその製造方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014211281A Active JP5908558B2 (ja) | 2010-02-09 | 2014-10-16 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2016057950A Pending JP2016154244A (ja) | 2010-02-09 | 2016-03-23 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2017233869A Pending JP2018056586A (ja) | 2010-02-09 | 2017-12-06 | 光電素子及びその製造方法 |
JP2019140478A Active JP6917417B2 (ja) | 2010-02-09 | 2019-07-31 | 光電素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8207550B2 (ja) |
JP (5) | JP5635432B2 (ja) |
KR (2) | KR101280400B1 (ja) |
CN (2) | CN103715320B (ja) |
DE (1) | DE102011010629B4 (ja) |
TW (6) | TWI580068B (ja) |
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- 2011-02-01 TW TW106106031A patent/TWI609505B/zh active
- 2011-02-01 TW TW102105143A patent/TWI513040B/zh active
- 2011-02-01 TW TW100104064A patent/TWI395352B/zh active
- 2011-02-01 TW TW106139186A patent/TWI697133B/zh active
- 2011-02-04 US US13/021,307 patent/US8207550B2/en active Active
- 2011-02-04 JP JP2011022205A patent/JP5635432B2/ja active Active
- 2011-02-08 DE DE102011010629.4A patent/DE102011010629B4/de active Active
- 2011-02-09 CN CN201410005213.3A patent/CN103715320B/zh active Active
- 2011-02-09 CN CN201110034959.3A patent/CN102148301B/zh active Active
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JP6917417B2 (ja) | 2021-08-11 |
CN103715320A (zh) | 2014-04-09 |
TW201143135A (en) | 2011-12-01 |
TWI697133B (zh) | 2020-06-21 |
TWI513040B (zh) | 2015-12-11 |
JP2016154244A (ja) | 2016-08-25 |
KR101290629B1 (ko) | 2013-07-29 |
TW201620151A (zh) | 2016-06-01 |
US20110193119A1 (en) | 2011-08-11 |
TWI609505B (zh) | 2017-12-21 |
TW201334219A (zh) | 2013-08-16 |
TW202032815A (zh) | 2020-09-01 |
KR20110093672A (ko) | 2011-08-18 |
TWI580068B (zh) | 2017-04-21 |
JP2015039022A (ja) | 2015-02-26 |
TW201806183A (zh) | 2018-02-16 |
KR101280400B1 (ko) | 2013-07-01 |
KR20130006408A (ko) | 2013-01-16 |
CN103715320B (zh) | 2017-06-13 |
DE102011010629A1 (de) | 2014-02-06 |
US20120256164A1 (en) | 2012-10-11 |
CN102148301A (zh) | 2011-08-10 |
TW201719931A (zh) | 2017-06-01 |
US8474233B2 (en) | 2013-07-02 |
CN102148301B (zh) | 2014-02-12 |
DE102011010629B4 (de) | 2021-02-25 |
TWI762930B (zh) | 2022-05-01 |
JP2019216254A (ja) | 2019-12-19 |
JP2018056586A (ja) | 2018-04-05 |
JP5635432B2 (ja) | 2014-12-03 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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|
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|
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