TW201806183A - 光電元件 - Google Patents
光電元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201806183A TW201806183A TW106139186A TW106139186A TW201806183A TW 201806183 A TW201806183 A TW 201806183A TW 106139186 A TW106139186 A TW 106139186A TW 106139186 A TW106139186 A TW 106139186A TW 201806183 A TW201806183 A TW 201806183A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- window layer
- window
- substrate
- optoelectronic semiconductor
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HOHAQBNFPZHTJB-UHFFFAOYSA-N beryllium gold Chemical compound [Be].[Au] HOHAQBNFPZHTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 101001034843 Mus musculus Interferon-induced transmembrane protein 1 Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- GPYPVKIFOKLUGD-UHFFFAOYSA-N gold indium Chemical compound [In].[Au] GPYPVKIFOKLUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- -1 silicon dioxide lithium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
一光電半導體元件,包括:一基板;一第一窗口層形成於所述之基板,具有第一片電阻值,第一厚度及第一雜質濃度;一第二窗口層,具有第二片電阻值,第二厚度及第二雜質濃度; 一半導體系統形成於所述之第一窗口層及所述之第二窗口層之間; 其中所述之第二窗口層和所述之半導體系統為不同的半導體材料;所述之第二片電阻值低於所述之第一片電阻值。
Description
本發明係關於一種光電元件及其製造方法。
近年來,節能減碳的議題益受重視,發光二極體在背光及照明的應用領域更顯重要,各種增加發光二極體光摘出效率的方法一一被提出。欲增進光摘出效率可以通過幾個方式,其一為改善磊晶成長的品質,藉由增加電子和電洞結合的機率,提升內部量子效率(IQE)。另一方面,發光二極體產生之光線若無法有效被取出,部份光線因全反射因素而侷限在發光二極體內部來回反射或折射,最終被電極或發光層吸收,使亮度無法提升,因此使用表面粗化或改變結構的幾何形狀等,提升外部量子效率(EQE)。藉由提升光摘出效率(LEE),使發光二極體的亮度增高。
本發明之目的在於提供一種光電半導體元件,其具有促進光摘出效率之結構。
本發明之發光元件包括:包括:一基板,一第一窗口層形成於所述之基板,具有第一片電阻值,第一厚度及第一雜質濃度;一第二窗口層,具有第二片電阻值,第二厚度及第二雜質濃度;一半導體系統形成於所述之第一窗口層及所述之第二窗口層之間;其中所述之第二窗口層和所述之半導體系統為不同的半導體材料;所述之第二片電阻值低於所述之第一片電阻值。
一種光電半導體元件,係包括:一基板;一金屬層具有一金屬元素形成於所述之基板上;一第一窗口層包括所述之金屬元素;一透明導電層形成於所述之金屬層和所述之第一窗口層之間,其中於所述之第一窗口層的所述之金屬元素濃度小於1*1019 cm-3。
一種光電半導體元件,包括:一基板;一n型窗口層形成於所述之基板上;一半導體系統形成於所述之n型窗口層上;一p型窗口層形成於所述之半導體系統上;其中,所述之光電半導體元件在驅動電流密度介於0.1~0.32 mA/mil2下,具70 流明/瓦的發光效率,發出之光源介於琥珀色光和紅光之間。
一種製造光電半導體元件的方法,包括以下步驟:提供一基板;形成一半導體系統於所述之基板上;形成一窗口層在所述之半導體系統上;其中所述之窗口層和所述之半導體層由不同的半導體材料所構成;移除所述之窗口層,藉以使所述之窗口層和所述之半導體層具有一寬度差,所述之寬度差大於1微米。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念,在圖式或說明中,相似或相同之部分係使用相同之標號,並且在圖式中,元件之形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是,圖中未繪示或描述之元件,可以是熟習此技藝之人士所知之形式。
第1A圖至第1H圖係分別為依本發明一實施例之製程方法於各步驟之對應結構示意圖。請先參閱第1A圖,利用本發明所揭露的光電半導體元件製程方式,先提供一基板101,基板101被當作成長基板,用以成長或承載一光電系統120於其上。構成所述成長基板101的材料包含但不限於鍺( Ge )、砷化鎵( GaAs )、磷化銦( InP )、磷化鎵 (GaP)、藍寶石(sapphire)、碳化矽( SiC )、矽 ( Si )、氧化二鋁鋰( LiAlO2
)、氧化鋅( ZnO )、氮化鎵( GaN )、氮化鋁 ( AlN )之一種或其組合。構成基板101的材料包含鍺( Ge )、砷化鎵( GaAs )、磷化銦( InP )、磷化鎵 (GaP)、藍寶石(sapphire)、碳化矽( SiC )、矽 ( Si )、氧化二鋁鋰( LiAlO2
)、氧化鋅( ZnO )、氮化鎵( GaN )、氮化鋁 ( AlN )、玻璃、鑽石(diamond)、CVD 鑽石、類鑽碳( DLC )之一種或及其組合。
於基板101之上,形成一第一窗口層111,第一窗口層111材料係包含至少一元素選自於鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、砷(As)、磷(P)及氮(N) 所構成之群組,或為其組合,例如為GaN或AlGaInP之半導體化合物或其它替代之材料。第一窗口層111為一導電薄膜,例如為n型或p型 (Alx
Ga(1-x)
)0.5
In0.5
P,其中0.5≦x≦0.8。第一窗口層111具有兩相對的表面,其中一第一表面和基板101接觸。
一過渡層(未顯示)可選擇性的形成在基板101及第一窗口層111之間。所述之過渡層可當作一緩衝層介於基板101及第一窗口層111。在發光二極體的結構中,所述之過渡層係為了減少二層材料間的晶格不匹配。另一方面,所述之過渡層可以為單層、多層、二種材料的結合或二分開的結構,其中所述之過渡層的材料可為有機金屬、無機金屬或半導體中的任一種。所述之過渡層也可作為反射層、熱傳導層、電傳導層、歐姆接觸層、抗形變層、應力釋放層、應力調整層、接合層、波長轉換層或固定結構等。
一光電系統120形成於第一窗口層111的第二表面上,光電系統120包括至少一第一層121具有第一導電型態,一轉換單元122以及一第二層123具有第二導電型態,依序形成於第一窗口層111之上。第一層121和第二層123可為兩個單層結構或兩個多層結構(多層結構係指兩層或兩層以上)。第一層121和第二層123具有不同的導電型態、電性、極性或依摻雜的元素為以提供電子或電洞。若第一層121和第二層123為半導體材料的組合,例如,(Alx
Ga(1-x)
)0.5
In0.5
P ,其中 0.5≦x≦0.8,所述之導電型態可為n型或p型。第一窗口層111和第一層121具有相同的導電型態,例如,都為n型導電型態。第一窗口層111的雜質濃度大於第一層121的雜質濃度,具有較高的導電率。轉換單元122沉積在第一層121和第二層123之間,轉換單元122係將光能和電能相互轉換或導致轉換。光電系統120可應用於一半導體元件、設備、產品、電路,以進行或導致光能和電能相互轉換。具體的說,光電系統120可包括一發光二極體(LED)、一雷射二極體(LD)、一太陽能電池,一液晶顯示器或一有機發光二極體其中之一。轉換單元122將電能轉換成光能,光電系統120可為一發光二極體、一液晶顯示器、一有機發光二極體。轉換單元122將光能轉換成電能,光電系統120可為一太陽能電池或一個光電二極體。本說明書中的”光電系統”,不限定其每一層都為半導體材料所構成,也可以為非半導體材料,例如,金屬、氧化物、絕緣材料等。
以發光二極體為例,可以藉由改變光電系統120裡的其中一層或多層的物理及化學組成,調整發出的光波長。常用的材料為磷化鋁鎵銦(aluminum gallium indium phosphide, AlGaInP)系列、氮化鋁鎵銦(aluminum gallium indium nitride, AlGaInN) 系列、氧化鋅系列(zinc oxide, ZnO)。轉換單元122可為單異質結構(single heterostructure, SH ),雙異質結構(double heterostructure, DH ),雙側雙異質結( double-side double heterostructure, DDH ),多層量子井(multi-quantum well, MWQ ) 。具體來說,轉換單元122包括一多層量子井結構具有多個阻障層及量子井層交替堆疊,每一個阻障層包括(Aly
Ga(1 – y )
)0.5
In0.5
P,其中,0.5≦y≦0.8;及每一量子井層包括In0.5
Ga0.5
P。此外,發光波長的調整,也可以通過改變阻障層和量子井層對的數目或改變阻障層的組成,例如紅色的發光波長介於600至630nm,其y組成約 0.7;琥珀色光波長介於 580至600nm,其y組成約 0.55左右。
形成一第二個窗口層112在光電系統120的第一表面,其材料包含至少一個元素選自鋁(Al),鎵(Ga),銦(In),砷(As),磷(P),氮(N),或其組合物,例如,氮化鎵(GaN),磷化鋁鎵銦( AlGaInP)或任何其他合適的材料。第二窗口層112包括至少一種材料不同於光電系統120或第二層123。較佳地,第二窗口層112具有和第二層123相同的導電類型,如p型磷化鎵(GaP)層。在另一實施例,第二窗口層112的側壁及/或光電系統120不必為正交,而是可以具有一斜角如圖3所示。
然後,形成一第一歐姆接觸層130於第二窗口層112上,第一歐姆接觸層130的材質為導電材料,如鈹金(BeAu)或鍺金(GeAu)之合金層,形成圖1A所示的第一堆疊結構10,其中第一歐姆接觸層130包括複數個指狀電極 132自一電極131向邊界延伸,如圖4所示。 第一個合金化過程溫度在300〜500℃或以上,形成在第一歐姆接觸層130和第二窗口層112間的歐姆接觸。所述之合金化細節過程是在合金技術領域中所習知。
接下來,如圖1B所示,在第一歐姆接觸130及第二窗口層112上接合一個臨時基板102,其材質如玻璃。並移除基板101,使第一窗口層111的第一表面曝露出來,如圖 1C所示。
接下來,形成一第二歐姆接觸層140在第一窗口層111的第一表面。第二歐姆接觸層140的材質為導電材料,如鈹金(BeAu)或鍺金(GeAu)之合金層,如圖1D所示。 其中第二歐姆接觸層140包括複數個二維點電極陣列,這些點電極陣列,較佳地,在垂直方向不和第一歐姆接觸層130的第一堆疊結構10和指狀電極 132重疊,具有較佳的電流分散效果,如圖1D所示。 第二合金化過程溫度在300〜500℃或以上,形成在第二歐姆接觸層140和第一窗口層111間的歐姆接觸。所述之合金化細節過程是在合金技術領域中所習知。
利用電子束或濺射形成一透明導電層141覆蓋第二歐姆接觸層140,其中透明導電層141的材質包括金屬氧化物,至少一種材料選自銦錫氧化物(ITO),鎘錫氧化物(CTO)、銻氧化錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、及鋅錫氧化物;其厚度約為0.005μm〜0.6μm,0.005μm〜0.5μm,0.005μm〜0.4μm,0.005μm〜0.3μm,0.005μm〜0.2μm,0.2μm〜0.5μm,0.3μm〜0.5μm,0.5μm〜0.4μm,0.2μm〜0.4μm,或為0.3μm〜0.2μm。
如圖1E所示,一反射層150形成在透明導電層141上,其材質為一導電材料,包括金屬,如銀。 然後,利用一金屬層160作為結合層,將反射層150接合在一支撐基板103上,如圖1F所示。在本實施例中,支撐基板103包括矽。金屬層160包括至少一種材料選自以下群組,如金、錫、鉛、銦金(InAu),錫金(SnAu)和及其合金。
移除臨時基板102 ,將第一歐姆接觸層130和第二窗口層112曝露出來,利用微影蝕刻出複數個晶粒區(未顯示)在支撐基板103上。其中,蝕刻所用的蝕刻劑,如乾式蝕刻包括氟或氯,蝕刻第二窗口層112的速度相對超過了所述之蝕刻劑蝕刻光電系統120的速度,這樣會在光電系統120或第二導電型123的表面形成一第一蝕刻平台 S1。光電系統120和第二導電型層123的寬度大於第二窗口層112的寬度,如圖 1G所示。形成一第二蝕刻平台 S2於第一窗口層111上,第一窗口層111的底部寬度大於光電系統120或第一導電型層121。
再接下來,將第二窗口層112進行濕蝕刻,至少第二窗口層112的曝露表面及側壁會形成粗糙結構,其中蝕刻液,如混合氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和乙酸(冰醋酸),對第二窗口層112的蝕刻速度相對超過了光電系統120的蝕刻速度,形成一寬度差L1,L1較第一蝕刻平台 S2的寬度更進一步擴大。第二窗口層112比光電系統120具有一個更增大的表面粗糙度,其中寬度差 L1大於1微米及/或小於10微米,如圖1H或圖 3所示。
最後,第一襯墊171形成於第一歐姆接觸層130上,第二襯墊172形成於支撐基板103。一鈍化層180覆蓋在第二窗口層112及第一歐姆接觸層130,形成一光電半導體元件,如圖 2所示。鈍化層180作為一個保護層,以保護光電半導體元件避免環境的破壞,如水分或機械損傷。光電半導體元件的掃描電子顯微鏡照片,如圖3所示
根據本發明所揭露的一實施例,第一窗口層111包括一半導體材料,如(Alx
Ga(1 - x)
)0.5
In0.5
P,其中0.5≦x≦0.8。反射層150包括一金屬元素,例如銀,是在第一和第二合金化處理過程後才形成,以避免反射層的金屬元素擴散到第一窗口層111。第一窗口層111包括一個半導體材料,較佳的和第一層121的材料具有相同的組成。根據本發明所揭露的另一實施例,其中在第一窗口層111金屬元素的濃度小於1 *1019
cm- 3
。較佳的金屬元素濃度小於1 *1017
cm- 3
,大於1 *1016
cm- 3
。降低反射層150的劣化,使反射層150具有大於90%的反射率。
表1顯示本發明實施例所揭露的光電元件測試的光學效率,光電元件為小尺寸的晶片,如10 mil2
。在20 mA或0.2mA/mil2
的驅動電流下,光學效率高達70流明/瓦。對於光電元件尺寸為14 mil2
的晶片,在20 mA或0.1mA/mil2
的驅動電流下,光學效率高達100流明/瓦。對於光電元件尺寸為28 mil2
的晶片,在250 mA或0.32 mA/mil2
的驅動電流下,光學效率高達約106流明/瓦。對於光電元件為大尺寸的晶片,如42 mil2
,在350mA或0.2 mA/mil2
的驅動電流下,光學效率高達約 121流明/瓦。可以從表1中的光電元件看出,根據目前揭露的光學效率,在驅動電流密度從 0.1〜0.32mA/ mil2
下,達到至少70流明/瓦,或至少100流明/瓦。
表一 根據本發明所揭露的光電元件的光學效率表。
本發明實施例所揭露的光電元件,第一窗口層111的薄膜片電阻值高於第二窗口層112的薄膜片電阻值。此外,第二歐姆接觸層140與第一歐姆接觸層130在垂直方向不重疊。因此,驅動電流聚集在第二歐姆接觸層140的附近。光電半導體元件發出之光線對應到第二歐姆接觸層140區域,因此不會被第一歐姆接觸層130之區域所阻擋,因此具有電流阻斷作用,有利於橫向電流的擴散。
另根據本發明所揭露的實施例,第一個窗口層111的雜質濃度較低於第二窗口層112,第一個窗口層111的片電阻值較低於第二窗口層112。根據本發明所揭露的另一實施例,第一個窗口層111包含一個 n型雜質其雜質濃度1*1017
〜5*1017
cm- 3
左右;第二窗口層112包含 p型雜質其雜質濃度約1*1018
〜5*1018
cm- 3
,高於第一窗口層111。 根據本發明所揭露的再一實施例,第一個窗口層111的厚度約1〜5微米小於第二窗口層112的厚度5〜 20微米。
根據本發明所揭露的一實施例,因為第二窗口層112側壁表面具有粗糙結構,光可橫向摘取。所述之晶片區域可為矩形的形狀,會有更好的發光效率。所述之矩形長度和寬度的比率從1.5:1到10:1。
應注意的是,以上各實施例並未依照實際製品之比例繪製。本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明,並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
10‧‧‧第一堆疊結構
101‧‧‧基板
102‧‧‧支撐基板
103‧‧‧支撐基板
111‧‧‧第一窗口層
112‧‧‧第二窗口層
120‧‧‧光電系統
121‧‧‧第一層
122‧‧‧轉換單元
123‧‧‧第二層
130‧‧‧第一歐姆接觸層
131‧‧‧電極
132‧‧‧指狀電極
140‧‧‧第二歐姆接觸層
141‧‧‧透明導電層
150‧‧‧反射層
160‧‧‧金屬層
171‧‧‧第一襯墊
172‧‧‧第二襯墊
180‧‧‧鈍化層
S1‧‧‧第一蝕刻平台
S2‧‧‧第二蝕刻平台
L1‧‧‧寬度差
101‧‧‧基板
102‧‧‧支撐基板
103‧‧‧支撐基板
111‧‧‧第一窗口層
112‧‧‧第二窗口層
120‧‧‧光電系統
121‧‧‧第一層
122‧‧‧轉換單元
123‧‧‧第二層
130‧‧‧第一歐姆接觸層
131‧‧‧電極
132‧‧‧指狀電極
140‧‧‧第二歐姆接觸層
141‧‧‧透明導電層
150‧‧‧反射層
160‧‧‧金屬層
171‧‧‧第一襯墊
172‧‧‧第二襯墊
180‧‧‧鈍化層
S1‧‧‧第一蝕刻平台
S2‧‧‧第二蝕刻平台
L1‧‧‧寬度差
第1A圖~第1H圖係分別為本發明光電半導體元件依本發明所揭露的製程方式,依每一個製程步驟所對應的結構側視剖面示意圖;
第2 圖係為本發明光電半導體元件之一實施例側視剖面示意圖;
第3 圖係為本發明光電半導體元件之一實施例之SEM圖;
第4圖係本發明光電半導體元件之第一歐姆接觸層之上視圖。
103‧‧‧支撐基板
111‧‧‧第一窗口層
112‧‧‧第二窗口層
120‧‧‧光電系統
121‧‧‧第一層
122‧‧‧轉換單元
123‧‧‧第二層
130;131‧‧‧第一歐姆接觸層
132‧‧‧指狀電極
140‧‧‧第二歐姆接觸層
141‧‧‧透明導電層
150‧‧‧反射層
160‧‧‧金屬層
171‧‧‧第一襯墊
172‧‧‧第二襯墊
Claims (10)
- 一種光電半導體元件,係包含: 一基板; 一第一窗口層位於該基板上; 一光電系統位於該第一窗口層上;以及 一第二窗口層位於該光電系統上; 其中,該第一窗口層的厚度小於該第二窗口層。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體元件,其中該第一窗口層和該光電系統包含不同的半導體材料。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體元件,其中該第一窗口層的厚度介於1〜5微米之間。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體元件,其中該第二窗口層的厚度介於5〜 20微米之間。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體元件,其中該為第二窗口包含一側壁表面,且該側壁表面具有粗糙結構。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體元件,更包含一接觸層位於該基板與該第一窗口層之間且與該第一窗口層接觸。
- 如申請專利範圍第6項之光電半導體元件,其中該接觸層包含金屬。
- 如申請專利範圍第6項之光電半導體元件,更包含一透明導電層在該基板以及該第一窗口層之間且覆蓋該接觸層,其中該透明導電層的厚度介於0.005μm〜0.6μm之間。
- 一種光電半導體元件,係包含: 一接觸層; 一第一窗口層位於該接觸層上; 一光電系統於該第一窗口層上;以及 一第二窗口層在該光電系統上; 其中,該接觸層與該光電系統之間的距離介於1〜5微米之間。
- 如申請專利範圍第9項之光電半導體元件,其中該接觸層包含複數個二維點電極,該複數個二維點電極彼此分離。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30266210P | 2010-02-09 | 2010-02-09 | |
US61/302,662 | 2010-02-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201806183A true TW201806183A (zh) | 2018-02-16 |
TWI697133B TWI697133B (zh) | 2020-06-21 |
Family
ID=44352986
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106106031A TWI609505B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
TW100104064A TWI395352B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件及其製造方法 |
TW109116376A TWI762930B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
TW102105143A TWI513040B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件及其製造方法 |
TW104136135A TWI580068B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
TW106139186A TWI697133B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106106031A TWI609505B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
TW100104064A TWI395352B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件及其製造方法 |
TW109116376A TWI762930B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
TW102105143A TWI513040B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件及其製造方法 |
TW104136135A TWI580068B (zh) | 2010-02-09 | 2011-02-01 | 光電元件 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8207550B2 (zh) |
JP (5) | JP5635432B2 (zh) |
KR (2) | KR101280400B1 (zh) |
CN (2) | CN102148301B (zh) |
DE (1) | DE102011010629B4 (zh) |
TW (6) | TWI609505B (zh) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090022700A (ko) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US7985979B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-07-26 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Semiconductor light emitting device with light extraction structures |
US10205059B2 (en) | 2010-02-09 | 2019-02-12 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
TWI609505B (zh) * | 2010-02-09 | 2017-12-21 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件 |
US9640728B2 (en) | 2010-02-09 | 2017-05-02 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
JP5727271B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-06-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子 |
TWI458122B (zh) * | 2011-11-23 | 2014-10-21 | Toshiba Kk | 半導體發光元件 |
KR101984698B1 (ko) * | 2012-01-11 | 2019-05-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 구조체, 이로부터 제조된 반도체소자 및 그 제조방법 |
CN108054261A (zh) * | 2012-02-14 | 2018-05-18 | 晶元光电股份有限公司 | 具有平整表面的电流扩散层的发光元件 |
US20130234149A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Sidewall texturing of light emitting diode structures |
CN103367585B (zh) | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103367383B (zh) | 2012-03-30 | 2016-04-13 | 清华大学 | 发光二极管 |
CN103367561B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-08-17 | 清华大学 | 发光二极管的制备方法 |
CA2818145C (en) | 2012-06-08 | 2021-01-05 | Wulftec International Inc. | Apparatuses for wrapping a load and supplying film for wrapping a load and associated methods |
KR101393605B1 (ko) * | 2012-08-01 | 2014-05-09 | 광전자 주식회사 | 요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
KR101412142B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2014-06-25 | 광전자 주식회사 | 엔형 질화갈륨 윈도우층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
TWI591848B (zh) | 2013-11-28 | 2017-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
US10236282B2 (en) | 2013-12-18 | 2019-03-19 | Intel Corporation | Partial layer transfer system and method |
TWI552382B (zh) * | 2014-01-24 | 2016-10-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體裝置及其製造方法 |
CN103872203A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-06-18 | 三安光电股份有限公司 | 具有表面微结构的高亮度发光二极管及其制备和筛选方法 |
KR102153111B1 (ko) * | 2014-04-10 | 2020-09-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP6285573B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2018-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
KR102237105B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP6595801B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2019-10-23 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
KR102164070B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102199995B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2021-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US9871171B2 (en) * | 2014-11-07 | 2018-01-16 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
CN107078187B (zh) | 2014-11-07 | 2019-10-25 | 信越半导体株式会社 | 发光组件以及发光组件的制造方法 |
JP6468459B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-02-13 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
JP6650143B2 (ja) | 2015-09-30 | 2020-02-19 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US9847454B2 (en) * | 2015-10-02 | 2017-12-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
CN105185883B (zh) * | 2015-10-12 | 2019-05-10 | 扬州乾照光电有限公司 | 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 |
CN105428485B (zh) * | 2015-12-21 | 2019-06-21 | 扬州乾照光电有限公司 | GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 |
JP6332301B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
CN105914274A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-31 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种侧壁粗化高亮度发光二极管及其制备方法 |
TWI622188B (zh) * | 2016-12-08 | 2018-04-21 | 錼創科技股份有限公司 | 發光二極體晶片 |
CN106784223B (zh) * | 2016-12-22 | 2019-05-14 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
TWI626766B (zh) * | 2017-06-01 | 2018-06-11 | 錼創科技股份有限公司 | 發光元件 |
CN115312646A (zh) * | 2019-01-17 | 2022-11-08 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 一种半导体发光元件 |
CN112152085B (zh) * | 2020-11-24 | 2021-02-12 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 | 半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件 |
CN112885718B (zh) * | 2021-01-20 | 2022-07-05 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种复合导电薄膜的制备方法 |
KR102629307B1 (ko) * | 2022-04-26 | 2024-01-29 | 숭실대학교산학협력단 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 |
Family Cites Families (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4933910B1 (zh) * | 1969-10-31 | 1974-09-10 | ||
JPS577131A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-14 | Junichi Nishizawa | Manufacture of p-n junction |
JPH077847B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1995-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US5413956A (en) * | 1992-03-04 | 1995-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
JPH05251739A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 半導体発光デバイス |
JP3234993B2 (ja) * | 1992-09-24 | 2001-12-04 | ローム株式会社 | 発光ダイオードチップ、およびこれを用いた発光ダイオードチップアレイ |
JPH07153993A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオード |
US5606572A (en) * | 1994-03-24 | 1997-02-25 | Vixel Corporation | Integration of laser with photodiode for feedback control |
US5585648A (en) * | 1995-02-03 | 1996-12-17 | Tischler; Michael A. | High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same |
WO1996031909A1 (en) * | 1995-04-05 | 1996-10-10 | Uniax Corporation | Smart polymer image processor |
US20010013609A1 (en) * | 1996-05-30 | 2001-08-16 | Hiromitsu Abe | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2907170B2 (ja) * | 1996-12-28 | 1999-06-21 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
JPH10256602A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
JPH1187750A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 不純物半導体の製造方法、p型半導体、n型半導体、半導体装置 |
US6097041A (en) * | 1998-08-24 | 2000-08-01 | Kingmax Technology Inc. | Light-emitting diode with anti-reflector |
JP4189710B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2008-12-03 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
CN2413388Y (zh) * | 2000-02-29 | 2001-01-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | DH-Ga1-xAlxAsLED液相外延片 |
US6888171B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-05-03 | Dallan Luming Science & Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode |
TWI294699B (en) * | 2006-01-27 | 2008-03-11 | Epistar Corp | Light emitting device and method of forming the same |
US6797990B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-09-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Boron phosphide-based semiconductor device and production method thereof |
JP2003069074A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-03-07 | Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi | 半導体装置 |
US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
TW577178B (en) * | 2002-03-04 | 2004-02-21 | United Epitaxy Co Ltd | High efficient reflective metal layer of light emitting diode |
KR100942038B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2010-02-11 | 쇼오트 아게 | 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법 |
JP2004047760A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオード |
JP3787321B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2006-06-21 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP4004378B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2007-11-07 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3997523B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2007-10-24 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
JP2004207441A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
CN1510765A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-07-07 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法 |
US20040211972A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-28 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode |
JP2004349584A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
JP4325471B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2009-09-02 | ソニー株式会社 | エッチング方法および素子分離方法 |
JP4164689B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2008-10-15 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
KR20050066970A (ko) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 전자발광 장치, 이를 사용하는 면광원 및 디스플레이 |
JP2005203516A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード素子とその製造方法 |
JP4868709B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2012-02-01 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
JP2005277218A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
US7061026B2 (en) * | 2004-04-16 | 2006-06-13 | Arima Optoelectronics Corp. | High brightness gallium nitride-based light emitting diode with transparent conducting oxide spreading layer |
US20050236636A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Supernova Optoelectronics Corp. | GaN-based light-emitting diode structure |
JP4092658B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2008-05-28 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
DE102004021175B4 (de) * | 2004-04-30 | 2023-06-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung |
US7821019B2 (en) * | 2004-10-04 | 2010-10-26 | Svt Associates, Inc. | Triple heterostructure incorporating a strained zinc oxide layer for emitting light at high temperatures |
TWI320294B (en) * | 2005-02-23 | 2010-02-01 | Organic semiconductor light-emitting element and display device | |
JP4899348B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2012-03-21 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP2007042751A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP4970265B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2012-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4933130B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-05-16 | 昭和電工株式会社 | GaN系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4852322B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-01-11 | ローム株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008004587A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Sharp Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに化合物半導体発光ダイオード |
US7777240B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-08-17 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
US7692203B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Semiconductor light emitting device |
TWI370555B (en) * | 2006-12-29 | 2012-08-11 | Epistar Corp | Light-emitting diode and method for manufacturing the same |
JP2008288248A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
TWI348230B (en) * | 2007-08-08 | 2011-09-01 | Huga Optotech Inc | Semiconductor light-emitting device with high heat-dissipation efficiency and method of fabricating the same |
KR100897595B1 (ko) * | 2007-08-14 | 2009-05-14 | 한국광기술원 | 인듐주석산화물 투명전극 직접 접촉층을 포함하는 발광다이오드 및 그의 제조방법 |
JP4985260B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-07-25 | 日立電線株式会社 | 発光装置 |
KR20090032207A (ko) * | 2007-09-27 | 2009-04-01 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광다이오드 소자 |
GB0719554D0 (en) * | 2007-10-05 | 2007-11-14 | Univ Glasgow | semiconductor optoelectronic devices and methods for making semiconductor optoelectronic devices |
KR101413273B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2014-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 검출 장치 |
JP2009123754A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP5083817B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2012-11-28 | シャープ株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
CN101471413B (zh) * | 2007-12-28 | 2012-06-27 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
JP2009200178A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2009206265A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
TWI392114B (zh) * | 2008-03-04 | 2013-04-01 | Huga Optotech Inc | 發光二極體及其形成方法 |
JP2010080817A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
WO2010042871A1 (en) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | The Regents Of The University Of California | Photoelectrochemical etching for chip shaping of light emitting diodes |
CN201340857Y (zh) * | 2008-11-14 | 2009-11-04 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种高亮度发光二极管 |
TWI478372B (zh) * | 2009-03-20 | 2015-03-21 | Huga Optotech Inc | 具有中空結構之柱狀結構之發光元件及其形成方法 |
TWI408832B (zh) * | 2009-03-30 | 2013-09-11 | Huga Optotech Inc | 具有中空結構之柱狀結構之發光元件及其形成方法 |
JP2010263050A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
US8450767B2 (en) * | 2009-05-08 | 2013-05-28 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US7906795B2 (en) * | 2009-05-08 | 2011-03-15 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP5257231B2 (ja) * | 2009-05-13 | 2013-08-07 | ソニー株式会社 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2011035017A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
US8513688B2 (en) * | 2009-12-02 | 2013-08-20 | Walsin Lihwa Corporation | Method for enhancing electrical injection efficiency and light extraction efficiency of light-emitting devices |
TWI609505B (zh) * | 2010-02-09 | 2017-12-21 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件 |
-
2011
- 2011-02-01 TW TW106106031A patent/TWI609505B/zh active
- 2011-02-01 TW TW100104064A patent/TWI395352B/zh active
- 2011-02-01 TW TW109116376A patent/TWI762930B/zh active
- 2011-02-01 TW TW102105143A patent/TWI513040B/zh active
- 2011-02-01 TW TW104136135A patent/TWI580068B/zh active
- 2011-02-01 TW TW106139186A patent/TWI697133B/zh active
- 2011-02-04 US US13/021,307 patent/US8207550B2/en active Active
- 2011-02-04 JP JP2011022205A patent/JP5635432B2/ja active Active
- 2011-02-08 DE DE102011010629.4A patent/DE102011010629B4/de active Active
- 2011-02-09 CN CN201110034959.3A patent/CN102148301B/zh active Active
- 2011-02-09 CN CN201410005213.3A patent/CN103715320B/zh active Active
- 2011-02-09 KR KR1020110011432A patent/KR101280400B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-06-20 US US13/528,059 patent/US8474233B2/en active Active
- 2012-12-18 KR KR1020120148460A patent/KR101290629B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-10-16 JP JP2014211281A patent/JP5908558B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-23 JP JP2016057950A patent/JP2016154244A/ja active Pending
-
2017
- 2017-12-06 JP JP2017233869A patent/JP2018056586A/ja active Pending
-
2019
- 2019-07-31 JP JP2019140478A patent/JP6917417B2/ja active Active
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI697133B (zh) | 光電元件 | |
US10205059B2 (en) | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof | |
US9385272B2 (en) | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof | |
US10084115B2 (en) | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof | |
US9006774B2 (en) | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof | |
KR101499954B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및제조방법 | |
JP2009094108A (ja) | GaN系LED素子の製造方法 | |
KR20090103343A (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및제조방법 | |
KR20090115903A (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및제조방법 |