JP6332301B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る発光素子100の上面視を示す図である。図2は、発光素子100の構成を説明するための部分断面図である。図3は、発光素子100において半導体積層体10の上面及び下面に設けられている部材が配置された領域を説明するための上面図である。図4は、発光素子100の一部を拡大し、発光素子100において半導体積層体10の上面及び下面に設けられている部材の配置領域を説明するための部分拡大上面図である。図5は、実施形態2に係る発光素子200の構成を説明するための部分断面図である。なお、図3及び図4において、ハッチングで示す領域は、半導体積層体10の下面に設けられる下部電極12及び金属部材14の上面視から見たときに配置される領域を示すものであり、断面を示すものではない。
本実施形態に係る発光素子200について、図5を参照して説明する。
10n n側半導体層
10a 活性層
10p p側半導体層
11 上部電極
11a 外部接続部
11b 延伸部
12 下部電極
12R 第1領域
13 非導通部
14 金属部材
14R 第2領域
15 絶縁部材
15a 第1絶縁部材
15b 第2絶縁部材
16 保護膜
17 接合部材
18 基板
100、200 発光素子
Claims (6)
- 半導体積層体と、前記半導体積層体の下方に設けられた導電性の基板と、を有する発光素子であって、
前記半導体積層体の上面の一部に設けられた上部電極と、
前記半導体積層体の下面のうち前記上部電極の直下領域と離間した領域に設けられた、前記半導体積層体と前記基板とを導通させる下部電極と、
前記半導体積層体の下面のうち前記上部電極の直下領域と前記下部電極が設けられた領域との間の領域を含む領域に設けられた、前記半導体積層体と前記基板とを上下方向に導通させない非導通部と、を備え、
前記非導通部は、前記半導体積層体の下面に設けられた光反射性を有する金属部材と、前記金属部材の下面に設けられ、前記半導体積層体と前記基板とが前記金属部材を介して上下方向に導通しないように設けられた絶縁部材と、を有し、
前記金属部材は、前記半導体積層体の下面のうち前記上部電極の直下領域と前記下部電極が設けられた領域との間の領域に設けられ、
前記絶縁部材は、前記半導体積層体の下面のうち、前記上部電極の直下領域と、前記金属部材の下面と、に連続して設けられている発光素子。 - 前記非導通部は、前記半導体積層体の下面のうち、前記上部電極の直下領域と、前記上部電極の直下領域と前記下部電極が設けられた領域との間の領域と、に設けられている請求項1に記載の発光素子。
- 半導体積層体と、前記半導体積層体の下方に設けられた導電性の基板と、を有する発光素子であって、
前記半導体積層体の上面の一部に設けられた上部電極と、
前記半導体積層体の下面のうち前記上部電極の直下領域と離間した領域に設けられた、前記半導体積層体と前記基板とを導通させる下部電極と、
前記半導体積層体の下面のうち前記上部電極の直下領域と前記下部電極が設けられた領域との間の領域に設けられた、光反射性を有する金属部材と、
前記半導体積層体の下面のうち、前記上部電極の直下領域に設けられた第1絶縁部材と、
前記金属部材の下面に、前記半導体積層体と前記基板とが前記金属部材を介して上下方向に導通しないように設けられた第2絶縁部材と、を有する発光素子。 - 前記第2絶縁部材は、前記金属部材に含まれる金属を主成分とする酸化膜である請求項3に記載の発光素子。
- 前記酸化膜は、酸化アルミニウムから構成されている請求項4に記載の発光素子。
- 前記金属部材は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる請求項1乃至5の何れか一項に記載の発光素子。
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