JP2016122814A - 発光装置用基板及び発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光利用効率が向上できる高い発光装置用基板及び発光装置を提供する。【解決手段】本発明の実施形態によれば、発光装置用基板は、セラミックの基体と、第１電極と、第２電極と、第１金属層と、第２金属層と、を含む。前記基体は、第１面と、前記第１面とは反対であり第１領域と前記第１領域の周り第２領域とを含む第２面と、を有する。前記第１電極及び第２電極は、前記第１面に設けられる。前記第１金属層は、前記第１領域と接し、銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含み、前記第１面に対して垂直な第１方向において前記第１電極と前記第２電極との間の領域と重なる。前記第２金属層は、ニッケル、銅及びチタンの少なくとも１つを含む。前記第２金属層は、第１部分と、前記第２領域と接する第２部分と、を含む。前記第１部分と前記第１領域との間に前記第１金属層が配置される。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光装置用基板及び発光装置に関する。

ＬＥＤ（発光ダイオード）は、照明などの発光装置に用いられている。発光装置において、光利用効率の向上が求められている。

特開２０１１−９１１３５号公報

本発明の実施形態は、光利用効率が向上できる発光装置用基板及び発光装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、発光装置用基板は、セラミックの基体と、第１電極と、第２電極と、第１金属層と、第２金属層と、を含む。前記基体は、第１面と、前記第１面とは反対であり第１領域と前記第１領域の周り第２領域とを含む第２面と、を有する。前記第１電極及び第２電極は、前記第１面に設けられる。前記第１金属層は、前記第１領域と接し、銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含み、前記第１面に対して垂直な第１方向において前記第１電極と前記第２電極との間の領域と重なる。前記第２金属層は、ニッケル、銅及びチタンの少なくとも１つを含む。前記第２金属層は、第１部分と、前記第２領域と接する第２部分と、を含む。前記第１部分と前記第１領域との間に前記第１金属層が配置される。

本発明の実施形態によれば、光利用効率が向上できる発光装置用基板及び発光装置が提供される。

図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光装置用基板を例示する模式図である。 第２の実施形態に係る発光装置用基板を例示する模式的断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光装置用基板を例示する模式図である。
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す矢印ＡＡ方向からみた平面図である。図１（ｃ）は、発光装置用基板に含まれる第１金属層を例示する平面図である。図１（ｄ）は、発光装置用基板に含まれる第２金属層の一部を例示する平面図である。

図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光装置用基板１５は、基体１０と、電極層１１と、第１金属層１２ａと、第２金属層１２ｂと、を含む。この例では、第３金属層１２ｃがさらに設けられている。

基体１０には、セラミックが用いられる。基体１０には、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＮ）基板や窒化シリコン（ＳｉＮ）基板などが用いられる。基体１０の厚さは、例えば、３００マイクロメートル（μｍ）以上１０００μｍ以下である。基体１０は、光を透過可能である。

基体１０は、第１面１０ａと第２面１０ｂとを有する。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対の面である。第１面１０ａは、例えば、基体１０の上面である。第２面１０ｂは、例えば、基体１０の下面である。第２面１０ｂは、第１面１０ａに対して実質的に平行である。

第１面１０ａに対して平行な面をＸ−Ｙ平面とする。第１面１０ａに対して平行な１つの方向をＸ軸方向（第２方向）とする。第１面１０ａに対して平行でＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向（第３方向）とする。第１面１０ａに対して垂直な方向をＺ軸方向（第１方向）とする。

電極層１１は、基体１０の第１面１０ａ（例えば上面）に設けられる。電極層１１には、例えば、銅またはアルミニウムなどが用いられる。電極層１１の厚さは、例えば、４０μｍ以上１５０μｍ以下である。電極層１１の厚さが８０μｍ以上であることにより、例えば、電気抵抗を低くでき、高い熱伝導性が得られる。電極層１１は、実質的に遮光性である。

電極層１１は、第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂを含む。第２電極１１ｂは、第１電極１１ａと離間する。この例では、第２電極１１ｂは、Ｘ軸方向（第２方向）において第１電極１１ａと離間する。

電極層１１（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂなど）は、後述する発光素子（例えばＬＥＤ）と電気的に接続される。例えば、１つの発光素子が、第１電極１１ａの上に設けられ、発光素子の電極と、第１電極１１ａと、が接続される。例えば、別の発光素子が、第２電極１１ｂの上に設けられ、その発光素子の電極と、第２電極１１ｂと、が接続される。

基体１０は、実装領域１６及び周辺領域１７を含む。Ｘ−Ｙ平面内において、周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。

図１（ａ）には、発光装置用基板１５の上に設けられる周辺構造体３２が図示されている。例えば、第１面１０ａにおいて、周辺構造体３２で囲まれた領域が実装領域１６である。実装領域１６において第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂの上に発光素子が配置される。周辺構造体３２で囲まれた領域の内部において、発光素子を覆うように樹脂層（例えば封止層）が設けられる。

基体１０の第２面１０ｂは、第１領域１０ｐと、第２領域１０ｑと、を含む。第２領域１０ｑは、第１領域１０ｐの周りに設けられる。

第１金属層１２ａは、第１領域１０ｐと接する。第１金属層１２ａは、銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含む。すなわち、第２面１０ｂのうちで第１金属層１２ａと接する領域が、第１領域１０ｐとなる。

第１金属層１２ａは、Ｚ軸方向（第１方向）において、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と重なる。

第２金属層１２ｂは、ニッケル、銅及びチタンの少なくとも１つを含む。第２金属層１２ｂは、第１部分１２ｐと、第２部分１２ｑと、を含む。第１部分１２ｐと第１領域１０ｐとの間に第１金属層１２ａが配置される。第２部分１２ｑは、基体１０の第２面１０ｂの第２領域１０ｑと接する。第２面１０ｂのうちで、第２金属層１２ｂ（第２部分１２ｑ）と接する領域が、第２領域１０ｑとなる。第２部分１２ｑは、例えば、第１部分１２ｐと連続している。

例えば、第１金属層１２ａは、第３面１２ａａと、第４面１２ａｂと、側面１２ａｃと、を有する。第３面１２ａａは、基体１０と接する。第４面１２ａｂは、第３面１２ａａとは反対の面である。側面１２ａｃは、第２面１０ｂと交差する。第２金属層１２ｂは、第４面１２ａｂの外縁１２ａｂｒと接する。第２金属層１２ｂは、第１金属層１２ａの側面１２ａｃと接する。この例では、第２金属層１２ｂは、第４面１２ａｂの全てと接する。すなわち、第２金属層１２ｂは、第１金属層１２ａを覆う。

この例では、第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂは、Ｚ軸方向において第２領域１０ｑと重なる。すなわち、第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、Ｚ軸方向（第１方向）において、第１電極１１ａの少なくとも一部と重なり、第２電極１１ｂの少なくとも一部と重なる。

第２金属層１２ｂが第２面１０ｂと接する領域（第２部分１２ｑ）が、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａと重なる。そして、第１金属層１２ａの少なくとも一部は、Ｚ軸方向において第１電極１１ａと重ならない。例えば、電極層１１として、複数の電極が設けられており、１つの電極と、別の１つの電極と、の間の領域が、Ｚ軸方向において、第１金属層１２ａの少なくとも一部と重なる。

第２部分１２ｑは、周辺構造体３２が設けられる領域３２ｒと、Ｚ軸方向において重なる。

第３金属層１２ｃと基体１０との間に、第１金属層１２ａ及び第２金属層１２ｂが配置される。第３金属層１２ｃは、例えば、金及び銅の少なくともいずれかが用いられる。第２金属層１２ｂと第３金属層１２ｃとの間に、パラジウムを含む領域が設けられても良い。第３金属層１２ｃは、必要に応じて設けられ、省略しても良い。

図１（ｂ）に示すように、周辺構造体３２が形成される領域３２ｒの内側（実装領域１６）に、例えば、複数の電極（第１電極１１ａ、第２電極１１ｂ及び第３電極１１ｃなど）が設けられる。複数の電極のそれぞれは、島状である。この例では、複数の電極は、折り畳まれた線状（ジグザグ状の線状）の領域に沿って、並ぶ。例えば、第３電極１１ｃは、第１電極１１ａとＹ軸方向（第３方向）において離間する。

図１（ｃ）に示すように、第１金属層１２ａは、電極層１１の複数の電極が設けられる線状の領域を除くパターン形状（平面形状）を有している。

図１（ｄ）は、第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑのパターン形状を示している。第２部分１２ｑのパターン形状は、第２金属層１２ｂと基体１０とが接する領域のパターン形状に対応する。第２部分１２ｑは、電極層１１の複数の電極が設けられる線状の領域に沿うパターン形状（平面形状）を有している。

例えば、基体１０の第２面１０ｂと、第２金属層１２ｂと、の間の密着強度は、第２面１０ｂと第１金属層１２ａとの間の密着強度よりも高い。基体１０の第２面１０ｂと、第２金属層１２ｂと、の間の剥離強度は、第２面１０ｂと第１金属層１２ａとの間の剥離強度よりも高い。

すなわち、第２領域１０ｑと第２金属層１２ｂ（第２部分１２ｑ）との間の密着強度は、第１領域１０ｐと第１金属層１２ａとの間の密着強度よりも高い。

一方、発光素子から放出される光に対する、第１金属層１２ａの反射率は、その光に対する、第２金属層１２ｂの反射率よりも高い。

すなわち、密着強度が低い第１金属層１２ａが、密着強度が高い第２金属層１２ｂで覆われている。これにより、第１金属層１２ａの剥離を抑制することができる。

一方、既に説明したように、基体１０は、光透過性を有する。従って、発光素子から放出された光は、電極層１１（第１電極１１ａ及び第２電極１１ｂなど）が設けられていない領域において、基体１０を通過して、第２面１０ｂに到達する。

実施形態においては、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域が、第１金属層１２ａと重なる。第１金属層１２ａにより、第１面１０ａに向けて光を反射させることができる。これにより、光の利用効率を向上できる。

すなわち、遮光性の電極層１１の電極どうしの間の領域において基体１０を通過した光を反射するように、反射率の高い第１金属層１２ａが設けられる。これにより、高い光利用効率が得られる。

第１金属層１２ａが、銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含むことで、光をより高い効率で反射させることできる。すなわち、これらの金属においては、特に４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長の光に対する反射率が特に高い。発光素子からこのような波長の光が放出され、後述するように、波長変換層により波長を変換して白色の光を得る構成がある。このような構成において、第１金属層１２ａが、この波長に対しての反射率が高い銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含む場合に、特に高い光利用効率が得られる。

このように、第１金属層１２ａとして、反射率が高い材料（銀、アルミニウム、ロジウム及び白金）を用いることで、光利用効率をより高めることができる。しかしながら、これらの反射率が高い材料においては、基体１０に対する密着強度が低い場合があることが、実験により分かった。特に、発光装置の光束発散度が高く、発光素子の配置密度が高い場合、基体１０の温度が局所的に非常に高温になる。この熱により、基体１０と第１金属層１２ａとの間に大きな歪みが生じる。このため、クラックや剥離が発生しやすい。さらに、例えば、第１金属層１２ａの面積が大きいと、熱による歪みの蓄積が大きくなり、クラックや剥離がより発生しやすい。

第１金属層１２ａの面積を比較的小さくすることで、熱による歪みが緩和され、クラックや剥離を抑制し易くなる。

このため、本実施形態においては、第１金属層１２ａの面積を比較的小さくする。基体１０を通過した光を反射させる領域に選択的に第１金属層１２ａを設ける。これにより、クラックや剥離を抑制しつつ、高い光利用効率が得られる。そして、第１金属層１２ａを覆うように密着強度が高い第２金属層１２ｂを設けることで、クラックや剥離が抑制される。

このように、本実施形態においては、第１金属層１２ａを第２金属層１２ｂで覆うことで、高い光利用効率を得つつ、剥がれが抑制でき、高い信頼性が得られる。実用的な発光装置を提供できる。

例えば、多数のＬＥＤチップを基板上に実装したＣＯＢ（チップオンボード）構造の発光装置がある。ＬＥＤチップの上に蛍光体層を設け、ＬＥＤチップから放出された光の波長を変換して、例えば白色光を得る。発光装置において、基体１０としてＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）基板が用いられる構成がある。酸化アルミニウム基板が白色であり比較的高い反射率を有するため、光の利用効率を高めることができる。一方、Ａｌ_２Ｏ_３の熱伝導性がＣｕなどの金属よりも低いため、熱伝導性を高めるために、基体１０を薄くする。しかしながら、基体１０が薄い場合、ＬＥＤから放出された光及び蛍光体層で波長変換された光は基体１０を透過し、基体１０の下面まで到達する。一方、基体１０の下面には、照明器具などの放熱部材と接続するためのＣｕなど金属層（例えば第３金属層１２ｃ）が設けられる。Ｃｕの反射率は低いため、この金属層に到達した光は吸収され損失となる。したがって、良好な熱伝導性と高い光利用効率の両立が困難である。

本実施形態に係る発光装置用基板１５においては、基体１０の下面に、アルミニウム、銀、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含む高反射性の第１金属層１２ａが設けられている。これにより、発光装置の熱伝導率を向上させるために基体１０を薄くした場合においても、高い光利用効率を得ることができる。

図１（ｂ）に示すように、本実施形態においては、第２電極１１ｂは、第１電極１１ａと、Ｘ軸方向において離間する。第３電極１１ｃは、第１電極１１ａと、Ｙ軸方向において離間する。第１金属層１２ａは、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と、Ｚ軸方向において重なる。第１金属層１２ａは、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と、Ｚ軸方向において重ならない。

第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と、Ｚ軸方向において重ならない。第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、第１電極１１ａの少なくとも一部及び第２電極１１ｂの少なくとも一部と、Ｚ軸方向において重なる。第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と、Ｚ軸方向において重なる。

実施形態は、これに限らず、第１金属層１２ａは、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と、Ｚ軸方向において重なっても良い。すなわち、第１金属層１２ａは、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、複数の島状の電極のそれぞれを囲むパターン形状を有していても良い。そして、第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、第１電極１１ａ及び第３電極１１ｃと、Ｚ軸方向において重ならなくても良い。

図１（ａ）〜図１（ｄ）に示す例においては、例えば、発光素子の１つの電極が第１電極１１ａと接続され、その発光素子の別の１つの電極が第３電極１１ｃと接続される。発光素子の一部が、Ｚ軸方向において第１電極１１ａと重なり、発光素子の別の一部が、Ｚ軸方向において第２電極１１ｂと重なる。そして、発光素子のさらに別の一部が、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と重なる。一方、第２電極１１ｂの上に別の発光素子が配置される。すなわち、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域には、発光素子が配置される。一方、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域には、発光素子が配置されない。そして、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の距離は、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の距離よりも短い。第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域の面積は、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域の面積よりも小さい。

従って、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域において、第１面１０ａから第２面１０ｂに向かって進む光の量は、少ない。第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域において、第１面１０ａから第２面１０ｂに向かって進む光の量は、多い。従って、第１金属層１２ａは、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と、Ｚ軸方向において重なることが望ましい。そして、第１金属層１２ａは、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と、Ｚ軸方向において重ならなくても、高い光利用効率が実質的に得られる。すなわち、この例のように、第１金属層１２ａは、複数の電極の一部が線状に並ぶＹ軸方向に沿う部分を有していてもよい。そして、第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、複数の電極の一部が線状に並ぶＹ軸方向に沿う部分を有していても良い。

例えば、第１金属層１２ａが、第１電極１１ａ及び第３電極１１ｃと重ならず、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と、Ｚ軸方向において重なる場合は、この領域において、第１金属層１２ａは、Ｙ軸方向において独立している。そして、第１金属層１２ａのうちのこの領域の面積は、非常に小さい。第１金属層１２ａの面積が過度に小さいと、剥がれが生じ易くなる場合がある。

図１（ａ）〜図１（ｄ）に示す例のように、第１金属層１２ａが、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａ及び第３電極１１ｃと重ならず、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と重ない場合、第１金属層１２ａにおいて、Ｙ軸方向において独立した面積が過度に小さい部分が生じない。これにより、剥がれが抑制できる場合がある。この場合、第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、Ｚ軸方向（第１方向）において、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と重なる。上記のようにこの領域の面積は小さいので、高い光利用効率は、実質的に維持できる。

図１（ａ）に示すように、実施形態において、第１領域１０ｐの外縁の一部は、Ｚ軸方向において第１電極１１ａと重なる。第１領域１０ｐの外縁の別の一部は、Ｚ軸方向において第２電極１１ｂと重なる。すなわち、第１金属層１２ａの外縁の一部は、Ｚ軸方向において第１電極１１ａと重なる。第１金属層１２ａの外縁の別の一部は、Ｚ軸方向において第２電極１１ｂと重なる。第１金属層１２ａの一部が、電極層１１と重なることで、傾斜した角度で第２面１０ｂに到達する光も効率良く反射させることができる。これにより、より高い光利用効率が得られる。

本実施形態において、基体１０の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、３００μｍ以上１０００μｍ以下である。３００μｍ未満の場合は、機械的強度が弱く割れやすい。１０００μｍを超えると、熱抵抗が大きくなる。

第１金属層１２ａの厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、１００ｎｍ以上２μｍ以下である。１００ｎｍ未満の場合は反射率が低くなる。２μｍを超えると、基体１０からの剥がれが生じやすくなる場合がある。

第２金属層１２ｂの厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下である。1μｍ未満の場合は第１金属層１２ａの埋め込み部分で段差が生じる。このとき、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂの間に部分的に空隙が生じ、剥がれが生じやすくなる。１００μｍを超えると、基体１０の剥がれが生じやすくなる場合がある。

本実施形態に係る発光装置用基板１５の製造方法の例を説明する。
基体１０の第１面１０ａに電極層１１となるＣｕ膜を形成する。Ｃｕ膜の形成は、例えば第１のＣｕ膜をスパッタリングで形成し、その上に第２のＣｕ膜をめっきにより形成する。その後、Ｃｕの表面に研磨処理を施すことで平坦化する。Ｃｕ膜の上に、所定の形状のレジスト膜を形成し、エッチングによりＣｕ膜の一部を除去する。これにより配線パターンが形成される。その後、無電解めっきにより、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜及びＡｕ膜をこの順で形成する。これにより、電極層１１が形成される。

基体１０の第２面１０ｂに第１金属層１２ａを形成する。例えば、第１金属層１２ａとなる第１金属膜（アルミニウム、銀、ロジウム及び白金の少なくとも１つの膜）を形成する。この第１金属膜は、例えば、スパッタリングなどの方法によって形成される。第１金属膜の上に所定の形状のレジスト層を形成し、エッチングにより第１金属膜の一部を除去する。これにより、第１金属層１２ａが形成される。

第１金属層１２ａを覆うように、第２金属層１２ｂとなる第２金属膜を形成する。第２金属膜は、例えば、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜及び、Ａｕ膜をこの順で形成することで形成される。または、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜及びＣｕ膜をこの順で形成することで形成される。第２金属層１２ｂを覆うように第３金属層１２ｃを形成する。以上により、発光装置用基板１５が形成される。

ＬＥＤ（発光ダイオード）は、照明などの発光装置に用いられている。発光装置において、高密度な光源の実装が求められている。落雷などの電気的な故障要因を受けにくい絶縁性も求められている。これに加え、高い放熱性と共に、高い光利用効率が求められる。ＬＥＤなどの発光素子を実装する基板として熱伝導性が比較的高いセラミック基板を用いることで、熱伝導性と絶縁性とを得ている。しかしながら、セラミック基板の熱伝導性は、金属と比較すると低い。このため、特に、高光収束密度の光源においては、高い熱伝導性を得ることが困難である。熱伝導性を向上させるために薄いセラミック基板を用いると、光源から発生した光が基板を透過してしまう。このため、光利用効率が悪化する。本実施形態に係る発光装置用基板１５によれば、光利用効率が向上できる発光装置用基板が提供できる。

（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態に係る発光装置用基板を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、本実施形態に係る発光装置用基板１５ａも、基体１０と、電極層１１と、第１金属層１２ａと、第２金属層１２ｂと、を含む。

この例においても、第１金属層１２ａは、基体１０の第２面の第１領域１０ｑと接する。第１金属層１２ａは、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と重なる。第２金属層１２ｂの第１部分１２ｐと第１領域１０ｐとの間に第１金属層１２ａが配置される。第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、第１領域１０ｐの周りの第２領域１０ｑと接する。この例では、第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａと重ならず、第２電極１１ｂと重ならない。これ以外は、第１の実施形態と同様なので説明を省略する。

この例においても、第１金属層１２ａは、銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含む。そして、第２金属層１２ｂは、ニッケル、銅及びチタンの少なくとも１つを含む。そして、第２領域１０ｑと第２金属層１２ｂとの間の密着強度は、第１領域１０ｐと第１金属層１２ａとの間の密着強度よりも高い。第１金属層１２ａの反射率は、第２金属層１２ｂの反射率よりも高い。

本実施形態においても、第１金属層１２ａは、Ｚ軸方向において、第１電極１１ａと第２電極１１ｂとの間の領域と重なる。これにより、高い光利用効率が得られる、そして、第１金属層１２ａを第２金属層１２ｂで覆うことで、剥離が抑制できる。

（第３の実施形態）
以下、上記の実施形態に係る発光装置用基板を用いた発光装置の例について説明する。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図３（ａ）は平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ１−Ａ２線断面を例示す断面図である。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に表したように、実施形態に係る発光装置１１０（発光モジュール）は、発光部４０と、放熱部材５１と、熱伝導部材５２と、を含む。

放熱部材５１の上に、発光部４０が設けられる。放熱部材５１と発光部４０との間に、熱伝導部材５２が設けられる。

図３（ａ）に表したように、放熱部材５１は、例えば板状である。放熱部材５１の平面形状は、例えば矩形である。放熱部材５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。放熱部材５１の平面形状のコーナー部は、曲線状でも良い。放熱部材５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。放熱部材５１の縁部５１ｒは、例えば、曲線状でも良い。

放熱部材５１には、例えば、金属などの基板が用いられる。放熱部材５１には、例えば、銅やアルミニウムなどが用いられる。

発光部４０は、光を放出する。発光部４０は熱を発生する。熱伝導部材５２は、発光部４０で発生した熱を、放熱部材５１に効率良く伝導する。熱伝導部材５２には、例えば、はんだなどが用いられる。この場合、熱伝導部材５２は、発光部４０と放熱部材５１とを接合する。例えば、熱伝導部材５２には、例えば、ＡｕＳｎ合金などが用いられる。熱伝導部材５２の厚さｔ５２は、例えば、１０μｍ以下である。

熱伝導部材５２には、液体状または固体状の潤滑油（グリース）などを用いても良い。熱伝導部材５２には、シリコーンにアルミナなどの金属粒子を混合した導電性を有する潤滑油（導電性グリース）などを用いても良い。

発光部４０は、発光装置用基板１５と、発光素子部３５と、を含む。発光装置用基板１５は、基体１０と、電極層１１と、裏面金属層（第１金属層１２ａ及び第２金属層１２ｂなど）と、を含む。基体１０は、Ａｌ及びＣｕの少なくともいずれかを含む。基体１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂと、を有する。第２面１０ｂは、第１面１０ａとは反対側の面である。放熱部材５１は、基体１０の第２面１０ｂと対向する。第１面１０ａは、実装領域１６を含む。実装領域１６は、第１面１０ａの外縁１０ｒ（縁部１０ｕｅ）から離間している。この例では、実装領域１６は、第１面１０ａの中央部分に設けられる。第１面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。電極層１１は、実装領域１６において、第１面１０ａに設けられる。裏面金属層は、第２面１０ｂに設けられる。

図４（ａ）〜図４（ｃ）は、第３の実施形態に係る発光装置を例示する模式的平面図である。
図４（ａ）は、基体１０の第１面１０ａを例示する。図４（ｂ）は、電極層１１のパターンを例示する。図４（ｃ）は、裏面金属層（第２金属層１２ｂ）のパターンを例示する。
図４（ｂ）に示したように、電極層１１は、第１面１０ａ上に設けられる。電極層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに離間している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ（例えば第３電極１１ｃに対応）及び第２実装パターン１１ｐｂ（例えば第１電極１１ａに対応）などを含む。

この例では、第１金属層１２ａは、第１電極１１ａと第３電極１１ｃとの間の領域と、Ｚ軸方向において重なる。第１金属層１２ａは、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、複数の島状の電極のそれぞれを囲むパターン形状を有している。第２金属層１２ｂの第２部分１２ｑは、第１電極１１ａ及び第３電極１１ｃと、Ｚ軸方向において重ならない。

複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分ｅ１と、第２実装部分ｅ２と、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分ｅ３をさらに含む。第３実装部分ｅ３は、第１実装部分ｅ１と第２実装部分ｅ２との間に設けられ、第１実装部分ｅ１と第２実装部分ｅ２とを繋ぐ。

電極層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。この例では、電極層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのその１つとは別の１つと電気的に接続される。１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子が配置される。この半導体発光素子により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子が配置される。この半導体発光素子により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。

この例では、発光部４０は、第１面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。この例では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光素子部３５が配置される。これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。

図４（ｃ）に例示したように、裏面金属層（第２金属層１２ｂ）は、Ｚ軸方向において、実装領域１６及び周辺領域１７と重なる。裏面金属層の外縁１２ｒは、基体１０の第２面１０ｂの外縁に沿う。裏面金属層の面積を大きくすることで放熱性が高まる。

発光素子部３５は、基体１０の第１面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の発光素子２０（半導体発光素子）と、樹脂層３０と、を含む。発光素子部３５の上面３５ｕは、例えば、平面である。樹脂層３０として、波長変換層３１が用いられる。

複数の発光素子２０は、第１面１０ａ上に設けられる。複数の発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。発光素子２０は、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。

複数の発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。複数の発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。

例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。

例えば、複数の発光素子２０の１つは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。

第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、Ｚ軸方向と交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。

第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと発光装置用基板１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。発光素子２０は、例えばフリップチップ型のＬＥＤである。

例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分ｅ１と対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分ｅ２と対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、第１実装部分ｅ１と電気的に接続される。第２半導体層２２が、第２実装部分ｅ２と電気的に接続される。この接続には、例えば、はんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。

例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、を含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分ｅ１）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、発光装置用基板１５に伝えることができ、放熱性が高まる。

樹脂層３０（波長変換層３１）は、複数の発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の粒子と、複数の粒子が分散された樹脂母体と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。波長変換層３１の樹脂母体として、例えば、シリコーン樹脂が用いられる。樹脂層３０として、酸化シリコンを含む光透過性の材料を用いても良い。

この例では、発光素子部３５は、光反射性の周辺構造体３２をさらに含む。周辺構造体３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。周辺構造体３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された樹脂母体と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくともいずれか用いることができる。周辺構造体３２を設けることで、発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。

発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。

本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の光束発散度は、１０ルーメン/平方ミリメートル（ｌｍ／ｍｍ^２）以上、１００ルーメン/平方ミリメートル以下である。望ましくは、２０ルーメン/平方ミリメートル以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などに利用される。

図３（ｂ）に表したように、発光装置１１０は、例えば、照明装置部材７１の上に配置される。照明装置部材７１と発光装置１１０との間に、照明装置用接続部材５３が設けられる。照明装置用接続部材５３には、例えば、はんだ、または、グリースなどが用いられる。例えば、発光装置１１０の熱は、照明装置用接続部材５３により、照明装置部材７１に伝導されて、放熱される。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、発光装置１１０を含む照明装置２１０（照明器具）の構成の例も表している。照明装置２１０は、照明装置部材７１と、発光装置１１０と、を含む。照明装置２１０は、照明装置用接続部材５３をさらに含んでも良い。照明装置用接続部材５３は、照明装置部材７１と発光装置１１０との間に設けられ、発光装置１１０の放熱部材５１と、照明装置部材７１と、に接する。照明装置用接続部材５３は、発光装置１１０に含めても良い。

本実施形態に係る発光装置１１０においては、放熱部材５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、放熱部材５１は、実装領域１６の面積の５倍以上の面積を有する。実装領域１６の面積に対して、放熱部材５１の面積が非常に大きく設定されている。これにより、実装領域１６の上に設けられた発光素子部３５で生じる熱を、面積の大きい放熱部材５１により、Ｘ−Ｙ面内に広げる。そして、面内方向に拡がった熱が、例えば、照明装置部材７１に向けて、伝達され、効率良く放熱される。

図４（ａ）に表したように、例えば、実装領域１６のパターンは、実質的に円形である。実装領域１６の中心は、例えば、基体１０の中心に実質的に一致する。例えば、周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積の４倍以上である。周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積の９倍以下である。

例えば、第１面１０ａに対して平行で実装領域１６の中心を通る１つの方向（例えばＸ軸方向）に沿った、第１面１０ａの端（外縁１０ｒ）と、実装領域１６との間の距離（最短距離）は、上記の中心を通る方向（Ｘ軸方向）に沿った実装領域１６の幅の１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｘａは、実装領域１６の幅１６ｘの１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｘｂは、実装領域１６の幅１６ｘの１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｙａは、実装領域１６の幅１６ｙの１／２以上である。例えば、外縁１０ｒと実装領域１６との間の距離１７ｙｂは、実装領域１６の幅１６ｙの１／２以上である。

これにより、周辺領域１７の面積は、実装領域１６の面積よりも大きくなる。熱が発生する実装領域１６の面積よりも、周辺領域１７の面積を大きくすることで、発生した熱は、面内方向に沿って効率良く広がる。これにより放熱性が高まる。

図４（ｂ）に表したように、電極層１１の一部である複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６内に設けられる。この例では、複数の実装パターン１１ｐは、円形の領域内に設けられている。複数の実装パターン１１ｐが設けられている領域が、実装領域１６となる。実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの複数の実装パターン１１ｐを内包する領域である。複数の実装パターン１１ｐどうしの間の領域は、実装領域１６に含まれる。複数の実装パターン１１ｐのうちの外側に配置される実装パターン１１ｐの外縁を最短距離で繋いだ線の内側が、実装領域１６となる。

図４（ｂ）に表したように、複数の実装パターン１１ｐは、例えば、略円形の領域内に配置される。これにより、光束発散度が高まる。実用的には、複数の実装パターン１１ｐを内包する略円形の領域を実装領域１６として用いても良い。

実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの、複数に実装パターン１１ｐが設けられる領域を含む。実装領域１６は、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの、接続部４４、第１コネクタ用電極部４５ｅ及び第２コネクタ用電極部４６ｅが設けられる領域を含まない。この領域は、周辺領域１７に含まれる。

互いに隣接する独立した２つの実装パターン１１ｐは、それらの上に配置される発光素子２０により電気的に接続される。複数の発光素子２０の一部は、例えば、直列に接続される。直列に接続された複数の発光素子２０は、例えば、Ｘ軸方向に沿って並ぶ。

例えば、複数の実装パターン１１ｐの２つは、接続部４４により接続される。これにより、直列に接続された複数の発光素子２０の群が、さらに接続される。Ｘ軸に沿って並び直列に接続された複数の半導体発光素子の群が、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。直列に接続された複数の半導体発光素子の群は、互いに並列に接続される。

さらに、実装パターン１１ｐは、配線パターン４４ｃを介して、第１コネクタ用電極部４５ｅまたは第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。第１コネクタ用電極部４５ｅの上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ用電極部４６ｅの上に設けられた第２コネクタ４６と、を介して、実装パターン１１ｐに電流が供給される。その電流が発光素子２０に供給され、光が生じる。

図４（ｃ）に表したように、裏面金属層の面積は、大きく設計される。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの裏面金属層の外縁１２ｒは、実装領域１６の外縁１６ｒの外側に位置する。裏面金属層の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。例えば、裏面金属層の面積は、第２面１０ｂの面積の９５％以上である。裏面金属層の面積を大きくすることで、熱の放熱の効率が高まる。

熱伝導部材５２の平面パターンは、実質的に裏面金属層のパターンに沿っている。裏面金属層の面積を大きくすることで、熱伝導部材５２の面積を広げることができる。これにより、熱伝導部材５２を介した熱伝導の効率が向上できる。

実施形態に係る発光装置は、例えば、投光器などの照明装置として利用することができる。

実施形態によれば、光利用効率が高い発光装置用基板及び照明器具が提供される。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置用基板に含まれる基体、電極及び絶縁層、並びに、発光装置に含まれる発光素子及び樹脂層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置用基板及び発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置用基板及び発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…基体、 １０ａ…第１面、 １０ｂ…第２面、 １０ｐ…第１領域、 １０ｑ…第２領域、 １０ｒ…外縁、 １０ｕｅ…縁部、 １１…電極層、 １１ａ…第１電極、 １１ｂ…第２電極、 １１ｃ…第３電極、 １１ｐ…実装パターン、 １１ｐａ…第１実装パターン、 １１ｐｂ…第２実装パターン、 １２ａ…第１金属層、 １２ａａ…第３面、 １２ａｂ…第４面、 １２ａｂｒ…外縁、 １２ａｃ…側面、 １２ｂ…第２金属層、 １２ｃ…第３金属層、 １２ｐ…第１部分、 １２ｑ…第２部分、 １２ｒ…外縁、 １５、１５ａ…発光装置用基板、 １６…実装領域、 １６ｒ…外縁、 １６ｘ、１６ｙ…幅、 １７…周辺領域、 １７ｘａ、１７ｘｂ、１７ｙａ、１７ｙｂ…距離、 ２０…発光素子、 ２０ａ…第１半導体発光素子、 ２０ｂ…第２半導体発光素子、 ２１…第１半導体層、 ２１ａ…第１半導体部分、 ２１ｂ…第２半導体部分、 ２１ｅ…第１接合金属部材、 ２２…第２半導体層、 ２２ｅ…第２接合金属部材、 ２３…発光層、 ３０…樹脂層、 ３１…波長変換層、 ３２…周辺部構造体、 ３２ｒ…領域、 ３５…発光素子部、 ３５ｕ…上面、 ４０…発光部、 ４４…接続部、 ４４ｃ…配線パターン、 ４５…第１コネクタ、 ４５ｅ…第１コネクタ用電極部、 ４６…第２コネクタ、 ４６ｅ…第２コネクタ用電極部、 ５１…放熱部材、 ５１ｒ…縁部、 ５２…熱伝導部材、 ５３…照明装置用接続部材、 ５５ａ〜５５ｄ…第１〜第４辺、 ７１…照明装置部材、 １１０…発光装置、 ２１０…照明装置、 ＡＡ…矢印、 ｅ１〜ｅ３…第１〜第３実装部分、 ｔ５２…厚さ

Claims (7)

1. 第１面と、前記第１面とは反対であり第１領域と前記第１領域の周り第２領域とを含む第２面と、を有するセラミックの基体と、
   前記第１面に設けられ第１電極及び第２電極と、
   前記第１領域と接し、銀、アルミニウム、ロジウム及び白金の少なくとも１つを含み、前記第１面に対して垂直な第１方向において前記第１電極と前記第２電極との間の領域と重なる第１金属層と、
   ニッケル、銅及びチタンの少なくとも１つを含む第２金属層であって、第１部分と、前記第２領域と接する第２部分と、を含み、前記第１部分と前記第１領域との間に前記第１金属層が配置される前記第２金属層と、
   を備えた発光装置用基板。
2. 前記第２領域と前記第２金属層との間の密着強度は、前記第１領域と前記第１金属層との間の密着強度よりも高く、
   前記第１金属層の反射率は、前記第２金属層の反射率よりも高い請求項１記載の発光装置用基板。
3. 第１面と、前記第１面とは反対であり第１領域と前記第１領域の周り第２領域とを含む第２面と、を有するセラミックの基体と、
   前記第１面に設けられ第１電極及び第２電極と、
   前記第１領域と接し、前記第１面に対して垂直な第１方向において前記第１電極と前記第２電極との間の領域と重なる第１金属層と、
   第２金属層であって、第１部分と、前記第２領域と接する第２部分と、を含み、前記第１部分と前記第１領域との間に前記第１金属層が配置される前記第２金属層と、
   を備え、
   前記第２領域と前記第２金属層との間の密着強度は、前記第１領域と前記第１金属層との間の密着強度よりも高く、
   前記第１金属層の反射率は、前記第２金属層の反射率よりも高い発光装置用基板。
4. 前記第１金属層は、前記基体と接する第３面と、前記第３面とは反対の第４面と、前記第２面と交差する側面と、を有し、
   前記第２金属層は、前記第４面の外縁と接し、前記側面と接する請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置用基板。
5. 前記第１金属層の外縁の一部は、前記第１方向において前記第１電極と重なり、
   前記第１金属層の外縁の別の一部は、前記第１方向において前記第２電極と重なる請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置用基板。
6. 前記第１面に設けられた第３電極をさらに備え、
   前記第２電極は、前記第１面に沿う第２方向において前記第１電極と離間し、
   前記第３電極は、前記第２面に沿い前記第２方向と交差する第３方向において前記第１電極と離間し、
   前記第２金属層の前記第２部分は、前記第１方向において、前記第１電極と前記第３電極との間の領域と重なる請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置用基板。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置用基板と、
   前記第１電極と電気的に接続された発光素子と、
   を備えた発光装置。

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