JP2014157948A - 半導体発光素子及び発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子は、基板上にn型半導体層、活性層及びp型半導体層を積層した半導体発光層が形成してあり、半導体発光層上に、n型半導体層に接続された第1の電極及びp型半導体層に接続された第2の電極を形成してある。第1の電極と半導体発光層とが重畳して配置された第1領域及び第2の電極と半導体発光層とが重畳して配置された第2領域の少なくとも一方の面積が半導体発光層の面積の50%以上である。
【選択図】図1
Description
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図1は実施の形態1の半導体発光素子の断面構造の一例を示す断面図であり、図2は実施の形態1の半導体発光素子の平面構造の一例を示す模式図である。なお、図1は半導体発光素子の断面構造を便宜的に示すものであり、実際の寸法を正確に表すものではない。
図7は実施の形態2の半導体発光素子の断面構造の一例を示す断面図であり、図8は実施の形態2の半導体発光素子の平面構造の一例を示す模式図である。なお、図7は半導体発光素子の断面構造を便宜的に示すものであり、実際の寸法を正確に表すものではない。実施の形態2は、実施の形態1のように、2つの半導体発光層を分離して基板上に形成した構成と異なり、基板上に1つの半導体発光層を形成し、形成した半導体発光層の上に第1の電極及び第2の電極を形成している。従って、第1の電極と第2の電極との間に非発光層を具備しない構成である。
2 n型半導体層
3 p型半導体層
31 第1の半導体発光層
32 第2の半導体発光層
33 半導体発光層
4 電流拡散層
7 第1の電極
71 第1領域
8 第2の電極
81 第2領域
Claims (8)
- 基板上にn型半導体層、活性層及びp型半導体層を積層した半導体発光層が形成してあり、該半導体発光層上に、前記n型半導体層に接続された第1の電極及び前記p型半導体層に接続された第2の電極を形成した半導体発光素子において、
前記第1の電極と前記半導体発光層とが重畳して配置された第1領域及び前記第2の電極と前記半導体発光層とが重畳して配置された第2領域の少なくとも一方の面積が前記半導体発光層の面積の50%以上であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1領域及び第2領域の面積の合計が前記半導体発光層の面積の70%以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1の電極及び第2の電極の間に非発光層を設けてあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光層は、
前記第1領域で前記第1の電極と重畳して配置された第1の半導体発光層と、
該第1の半導体発光層と分離され、前記第2領域で前記第2の電極と重畳して配置された第2の半導体発光層と
を備え、
前記第1領域の面積は、前記第1の半導体発光層の50%以上であり、
前記第2領域の面積は、前記第2の半導体発光層の50%以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記第1領域の面積は、
好ましくは前記第1の半導体発光層の70%以上であり、
前記第2領域の面積は、
好ましくは前記第2の半導体発光層の70%以上であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の電極は、前記第1の半導体発光層の内側に重畳して配置してあり、
前記第2の電極は、前記第2の半導体発光層の内側に重畳して配置してあることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体発光素子。 - 前記第1の電極及び第2の電極の形状それぞれは、前記第1の半導体発光層及び第2の半導体発光層の形状と略相似形をなすことを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体発光素子と、該半導体発光素子を実装した実装基板とを備えることを特徴とする発光装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016105146A1 (ko) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | 엘지이노텍(주) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 어레이 |
KR20160080264A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
KR20170010456A (ko) * | 2015-07-16 | 2017-02-01 | 서울반도체 주식회사 | Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
JP2018528598A (ja) * | 2015-06-26 | 2018-09-27 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット |
WO2019143222A1 (ko) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시 장치 |
JP2019149474A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021535584A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-12-16 | 廈門市三安光電科技有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 発光ダイオードデバイス及びその製作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11150298A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子 |
JP2002335010A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
WO2006082687A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN系発光ダイオードおよび発光装置 |
JP2012054423A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
-
2013
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11150298A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子 |
JP2002335010A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
WO2006082687A1 (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN系発光ダイオードおよび発光装置 |
JP2012054423A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10186640B2 (en) | 2014-12-24 | 2019-01-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode array comprising same |
WO2016105146A1 (ko) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | 엘지이노텍(주) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 어레이 |
KR102309092B1 (ko) | 2014-12-29 | 2021-10-06 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
US10062811B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-08-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting element array comprising the same |
WO2016108437A1 (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 엘지이노텍(주) | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
KR20160080264A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
JP2018528598A (ja) * | 2015-06-26 | 2018-09-27 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット |
KR20170010456A (ko) * | 2015-07-16 | 2017-02-01 | 서울반도체 주식회사 | Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
KR102429939B1 (ko) * | 2015-07-16 | 2022-08-08 | 서울반도체 주식회사 | Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
WO2019143222A1 (ko) * | 2018-01-22 | 2019-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 표시 장치 |
US11682751B2 (en) | 2018-01-22 | 2023-06-20 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus |
JP2019149474A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021535584A (ja) * | 2018-10-11 | 2021-12-16 | 廈門市三安光電科技有限公司Xiamen San’An Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 発光ダイオードデバイス及びその製作方法 |
JP7274511B2 (ja) | 2018-10-11 | 2023-05-16 | 廈門市三安光電科技有限公司 | 発光ダイオードデバイス及びその製作方法 |
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