JP2002335010A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色より波長の短い光を発光する発光素子チ
ップを用いて構成することができる発光ダイオードを提
供する。 【解決手段】 透光性基板の一方の主面上に、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と発光層とｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光
素子において、発光層が発光する光の一部を吸収してそ
の吸収した光の波長より長い波長の光を発光することが
できる蛍光体を含むＳｉＯ２層が透光性基板の他方の主
面上に形成され、ＳｉＯ２層を介して光を出力させるこ
とにより、蛍光体が発光する光のみにより発光色を得る
ことができると共に寿命の長い発光ダイオードが得られ
る。
ップを用いて構成することができる発光ダイオードを提
供する。 【解決手段】 透光性基板の一方の主面上に、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と発光層とｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光
素子において、発光層が発光する光の一部を吸収してそ
の吸収した光の波長より長い波長の光を発光することが
できる蛍光体を含むＳｉＯ２層が透光性基板の他方の主
面上に形成され、ＳｉＯ２層を介して光を出力させるこ
とにより、蛍光体が発光する光のみにより発光色を得る
ことができると共に寿命の長い発光ダイオードが得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体素子に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、窒化ガリウム系化合物半導体を用
いて構成された発光素子チップと蛍光体とを組み合わせ
た、白色光の発光が可能な発光ダイオード（白色発光ダ
イオード）が開発され、使用されるようになってきてい
る。この発光ダイオードは、発光素子チップから出力さ
れる青色の光の一部を蛍光体により波長変換して、その
波長変換された光と発光素子チップから青色の光との混
色により、白色の光を発光させるものであり、従来は、
例えば、発光素子チップがマウントされたパッケージ等
を蛍光体を含む樹脂でモールドすることにより作製され
ていた。
いて構成された発光素子チップと蛍光体とを組み合わせ
た、白色光の発光が可能な発光ダイオード（白色発光ダ
イオード）が開発され、使用されるようになってきてい
る。この発光ダイオードは、発光素子チップから出力さ
れる青色の光の一部を蛍光体により波長変換して、その
波長変換された光と発光素子チップから青色の光との混
色により、白色の光を発光させるものであり、従来は、
例えば、発光素子チップがマウントされたパッケージ等
を蛍光体を含む樹脂でモールドすることにより作製され
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
白色の発光ダイオードは、蛍光体を含む樹脂を用いて構
成しているので、より波長の短い光を用いると樹脂が劣
化するために、青色より波長の短い光の発光素子を用い
て十分な信頼性を有する発光ダイオードを構成すること
が困難であった。
白色の発光ダイオードは、蛍光体を含む樹脂を用いて構
成しているので、より波長の短い光を用いると樹脂が劣
化するために、青色より波長の短い光の発光素子を用い
て十分な信頼性を有する発光ダイオードを構成すること
が困難であった。
【０００４】そこで、本発明は青色より波長の短い光を
発光する発光素子チップと蛍光体とを用いて構成するこ
とも可能な発光ダイオードを提供することを目的とす
る。
発光する発光素子チップと蛍光体とを用いて構成するこ
とも可能な発光ダイオードを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、透光性基
板の一方の主面上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層と発光層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形
成されてなる窒化物半導体発光素子において、上記発光
層が発光する光の一部を吸収してその吸収した光の波長
より長い波長の光を発光することができる蛍光体を含む
ＳｉＯ２層が上記透光性基板の他方の主面上に形成さ
れ、該ＳｉＯ２層を介して光を出力することを特徴とす
る。
めに、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、透光性基
板の一方の主面上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層と発光層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形
成されてなる窒化物半導体発光素子において、上記発光
層が発光する光の一部を吸収してその吸収した光の波長
より長い波長の光を発光することができる蛍光体を含む
ＳｉＯ２層が上記透光性基板の他方の主面上に形成さ
れ、該ＳｉＯ２層を介して光を出力することを特徴とす
る。
【０００６】また、本発明に係る窒化物半導体発光素子
において、上記発光層を紫外領域の光を発光するように
構成し、上記蛍光体を、 （１）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ, Ｒｅ'（但し、Ｒ
ｅはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎから選択される少な
くとも１種と、Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
から選択される少なくとも１種と、Ｒｅ'はＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｓｎから選択される少なくとも１種とを有す
る。） （２）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ（但し、ＲｅはＳ
ｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから選択される少なくとも一種、
Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される
少なくとも１種とを有する。）、 （３）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、 （４）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ，Ｍｎ、 （５）（ＳｒＥｕ）Ｏ・Ａｌ２Ｏ３、 （６）３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍ
ｎ、 （７）Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、 （８）Ｍｇ６Ａｓ２Ｏ１１：Ｍｎ、 （９）Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ及び （１０）Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕからなる群から選択された
少なくとも１つの蛍光体とすることができる。このよう
にすると、蛍光体の発光のみが観測される発光素子を構
成することができる。
において、上記発光層を紫外領域の光を発光するように
構成し、上記蛍光体を、 （１）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ, Ｒｅ'（但し、Ｒ
ｅはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎから選択される少な
くとも１種と、Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
から選択される少なくとも１種と、Ｒｅ'はＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｓｎから選択される少なくとも１種とを有す
る。） （２）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ（但し、ＲｅはＳ
ｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから選択される少なくとも一種、
Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される
少なくとも１種とを有する。）、 （３）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、 （４）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ，Ｍｎ、 （５）（ＳｒＥｕ）Ｏ・Ａｌ２Ｏ３、 （６）３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍ
ｎ、 （７）Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、 （８）Ｍｇ６Ａｓ２Ｏ１１：Ｍｎ、 （９）Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ及び （１０）Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕからなる群から選択された
少なくとも１つの蛍光体とすることができる。このよう
にすると、蛍光体の発光のみが観測される発光素子を構
成することができる。
【０００７】また、本発明に係る窒化物半導体発光素子
において、上記発光層を青色の光を発光するように構成
し、上記蛍光体として、Ｃｅで付活されたイットリウム
・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体を用い
て構成してもよい。
において、上記発光層を青色の光を発光するように構成
し、上記蛍光体として、Ｃｅで付活されたイットリウム
・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体を用い
て構成してもよい。
【０００８】さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素
子においては、上記透光性基板の一方の主面上にそれぞ
れ上記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と上記発光層
と上記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を含んでなる
複数の発光領域を形成するようにしてもよい。
子においては、上記透光性基板の一方の主面上にそれぞ
れ上記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と上記発光層
と上記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を含んでなる
複数の発光領域を形成するようにしてもよい。
【０００９】また、本発明に係る窒化物半導体発光素子
においては、上記複数の発光領域をそれぞれ長方形に形
成し、各発光領域を短辺方向に並置するようにしてもよ
い。
においては、上記複数の発光領域をそれぞれ長方形に形
成し、各発光領域を短辺方向に並置するようにしてもよ
い。
【００１０】また、本発明に係る窒化物半導体発光素子
においては、上記複数の発光領域を直列に接続するよう
にしてもよいし、上記複数の発光領域を並列に接続する
ようにしてもよい。
においては、上記複数の発光領域を直列に接続するよう
にしてもよいし、上記複数の発光領域を並列に接続する
ようにしてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
に係る実施の形態の窒化物半導体発光素子について説明
する。 実施の形態１．本実施の形態１の窒化物半導体発光素子
は、図１に示すように、例えば、１０００μｍ×１００
０μｍのサファイア透光性基板１１の一方の面に長方形
の３つの発光素子１，２，３を互いに平行に配置して、
透光性基板１１を介して光を出力するように構成した発
光素子であって、透光性基板１１の他方の面（発光観測
面）に蛍光体７１を含むＳｉＯ２膜７０を形成したこと
を特徴とする。ここで、発光素子１，２，３はそれぞ
れ、紫外領域の波長を有する紫外光を発光する素子であ
り、蛍光体７１は紫外光を吸収して所定の色の光を発生
する蛍光体である。また、本実施の形態１の窒化物半導
体発光素子において、ＳｉＯ２膜７０に含まれる蛍光体
７１の量は、ＳｉＯ２膜７０を介して出力される光が実
質的に蛍光体７１によって波長変換された光のみになる
ように設定することが好ましい。
に係る実施の形態の窒化物半導体発光素子について説明
する。 実施の形態１．本実施の形態１の窒化物半導体発光素子
は、図１に示すように、例えば、１０００μｍ×１００
０μｍのサファイア透光性基板１１の一方の面に長方形
の３つの発光素子１，２，３を互いに平行に配置して、
透光性基板１１を介して光を出力するように構成した発
光素子であって、透光性基板１１の他方の面（発光観測
面）に蛍光体７１を含むＳｉＯ２膜７０を形成したこと
を特徴とする。ここで、発光素子１，２，３はそれぞ
れ、紫外領域の波長を有する紫外光を発光する素子であ
り、蛍光体７１は紫外光を吸収して所定の色の光を発生
する蛍光体である。また、本実施の形態１の窒化物半導
体発光素子において、ＳｉＯ２膜７０に含まれる蛍光体
７１の量は、ＳｉＯ２膜７０を介して出力される光が実
質的に蛍光体７１によって波長変換された光のみになる
ように設定することが好ましい。
【００１２】以上のように、本実施の形態１の窒化物半
導体発光素子では、従来例のように発光素子チップが発
生する青色光と蛍光体により波長変換された光との混色
により白色光を得るのではなく、紫外線により励起され
た蛍光体７１が発生する所定の色の光のみを利用してい
るので、発光色のばらつきを非常に小さく抑えることが
できる。すなわち、従来の混色を利用した白色発光ダイ
オードは、発光素子チップの発光輝度が変化すると、青
色光と黄色光の割合が変化するので、青みを帯びた白色
になったり黄色を帯びた白色光になったりするなど、色
が変化する。これに対して、本実施の形態１の窒化物半
導体発光素子では、紫外線により励起された蛍光体７１
が発生する光のみを利用しているので、発光素子チップ
の発光輝度が変化しても蛍光体の発光色そのものはほと
んど変化することはなく、発光色の変化を極めて小さく
できる。
導体発光素子では、従来例のように発光素子チップが発
生する青色光と蛍光体により波長変換された光との混色
により白色光を得るのではなく、紫外線により励起され
た蛍光体７１が発生する所定の色の光のみを利用してい
るので、発光色のばらつきを非常に小さく抑えることが
できる。すなわち、従来の混色を利用した白色発光ダイ
オードは、発光素子チップの発光輝度が変化すると、青
色光と黄色光の割合が変化するので、青みを帯びた白色
になったり黄色を帯びた白色光になったりするなど、色
が変化する。これに対して、本実施の形態１の窒化物半
導体発光素子では、紫外線により励起された蛍光体７１
が発生する光のみを利用しているので、発光素子チップ
の発光輝度が変化しても蛍光体の発光色そのものはほと
んど変化することはなく、発光色の変化を極めて小さく
できる。
【００１３】また、従来の構成では、樹脂に含まれる蛍
光体の含有量がばらついた場合においても、青色光と黄
色光の割合が変化するので、色が変化するが、本実施の
形態１の窒化物半導体発光素子では、蛍光体の含有量が
変化しても蛍光体の発光色そのものはほとんど変化する
ことはなく、発光色の変化を極めて小さくできる。ま
た、従来の構成では、発光素子チップを基板等に実装し
た後に、蛍光体を含む樹脂をモールドしているので、例
えば、チップの実装位置がばらついた場合に、色むらや
色度ばらつきが生じるという問題があったが、本発明の
構成では、発光領域と蛍光体の位置関係は常に一定とで
きるので、かかる問題点を解決することができる。
光体の含有量がばらついた場合においても、青色光と黄
色光の割合が変化するので、色が変化するが、本実施の
形態１の窒化物半導体発光素子では、蛍光体の含有量が
変化しても蛍光体の発光色そのものはほとんど変化する
ことはなく、発光色の変化を極めて小さくできる。ま
た、従来の構成では、発光素子チップを基板等に実装し
た後に、蛍光体を含む樹脂をモールドしているので、例
えば、チップの実装位置がばらついた場合に、色むらや
色度ばらつきが生じるという問題があったが、本発明の
構成では、発光領域と蛍光体の位置関係は常に一定とで
きるので、かかる問題点を解決することができる。
【００１４】次に、本実施の形態１の窒化物半導体発光
素子における蛍光体７１、及びその蛍光体７１を含むＳ
ｉＯ２層７０について説明する。本実施の形態１におい
て、蛍光体７１として紫外光により励起されて所定の色
の光を発生する蛍光体であれば用いることができ、具体
例として、例えば、 （１）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ, Ｒｅ'（但し、Ｒ
ｅはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎから選択される少な
くとも１種と、Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
から選択される少なくとも１種と、Ｒｅ'はＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｓｎから選択される少なくとも１種とを有す
る。）（白色） （２）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ（但し、ＲｅはＳ
ｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから選択される少なくとも一種、
Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される
少なくとも１種とを有する。）（青色）、 （３）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ（青色）、 （４）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ，Ｍｎ（緑
色）、 （５）（ＳｒＥｕ）Ｏ・Ａｌ２Ｏ３（緑色）、 （６）３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ
（赤色）、 （７）Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（赤色）、 （８）Ｍｇ６Ａｓ２Ｏ１１：Ｍｎ（赤色）、 （９）Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（赤色）及び （１０）Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（赤色）等が挙げられる。
また、これらの蛍光体は、単独で用いても良いし、混合
して用いてもよい。
素子における蛍光体７１、及びその蛍光体７１を含むＳ
ｉＯ２層７０について説明する。本実施の形態１におい
て、蛍光体７１として紫外光により励起されて所定の色
の光を発生する蛍光体であれば用いることができ、具体
例として、例えば、 （１）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ, Ｒｅ'（但し、Ｒ
ｅはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎから選択される少な
くとも１種と、Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
から選択される少なくとも１種と、Ｒｅ'はＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｓｎから選択される少なくとも１種とを有す
る。）（白色） （２）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ（但し、ＲｅはＳ
ｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから選択される少なくとも一種、
Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される
少なくとも１種とを有する。）（青色）、 （３）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ（青色）、 （４）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ，Ｍｎ（緑
色）、 （５）（ＳｒＥｕ）Ｏ・Ａｌ２Ｏ３（緑色）、 （６）３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ
（赤色）、 （７）Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（赤色）、 （８）Ｍｇ６Ａｓ２Ｏ１１：Ｍｎ（赤色）、 （９）Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（赤色）及び （１０）Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（赤色）等が挙げられる。
また、これらの蛍光体は、単独で用いても良いし、混合
して用いてもよい。
【００１５】以下、紫外領域の光を発生する発光素子チ
ップと複数の蛍光体を組み合わせる場合についてより具
体的に説明する。本実施の形態では、１つのＳｉＯ２層
７０に異種の蛍光体（例えば、赤、緑、青の蛍光体）を
混合して分散させるようにしてもよく、このようにする
と、異なる蛍光体からの光の混色による白色光が得られ
る。この場合、各蛍光物質から発光される光をより良く
混色しかつ色ムラを減少させるために、各蛍光体の平均
粒径及び形状は類似していることが好ましく、また、各
蛍光体はＳｉＯ２層７０に均一に分散されていることが
好ましい。
ップと複数の蛍光体を組み合わせる場合についてより具
体的に説明する。本実施の形態では、１つのＳｉＯ２層
７０に異種の蛍光体（例えば、赤、緑、青の蛍光体）を
混合して分散させるようにしてもよく、このようにする
と、異なる蛍光体からの光の混色による白色光が得られ
る。この場合、各蛍光物質から発光される光をより良く
混色しかつ色ムラを減少させるために、各蛍光体の平均
粒径及び形状は類似していることが好ましく、また、各
蛍光体はＳｉＯ２層７０に均一に分散されていることが
好ましい。
【００１６】また、本発明では、各蛍光物質をそれぞれ
の別々のＳｉＯ２層に分散させ、それらを積層すること
により多重構造のＳｉＯ２層７０を形成するようにして
もよい。このようにＳｉＯ２層を多重薄膜として構成す
る場合、それぞれの蛍光物質の紫外光透過率を考慮し
て、素子上に赤色蛍光物質層、緑色蛍光物質層、及び青
色蛍光物質層という順に積層すると、全ての層に均等に
紫外光を吸収させることができ好ましい。更に、多重薄
層であるＳｉＯ２層７０において下層から上層にかけて
各層中の蛍光物質の粒径が小さくなるように、各蛍光物
質の平均粒径の大小関係を青色蛍光物質＞緑色蛍光物質
＞赤色蛍光物質とすると最上層まで良好に紫外光を透過
させることができると共に多重薄膜層であるＳｉＯ２層
７０に紫外光をもれなく吸収させることができる。
の別々のＳｉＯ２層に分散させ、それらを積層すること
により多重構造のＳｉＯ２層７０を形成するようにして
もよい。このようにＳｉＯ２層を多重薄膜として構成す
る場合、それぞれの蛍光物質の紫外光透過率を考慮し
て、素子上に赤色蛍光物質層、緑色蛍光物質層、及び青
色蛍光物質層という順に積層すると、全ての層に均等に
紫外光を吸収させることができ好ましい。更に、多重薄
層であるＳｉＯ２層７０において下層から上層にかけて
各層中の蛍光物質の粒径が小さくなるように、各蛍光物
質の平均粒径の大小関係を青色蛍光物質＞緑色蛍光物質
＞赤色蛍光物質とすると最上層まで良好に紫外光を透過
させることができると共に多重薄膜層であるＳｉＯ２層
７０に紫外光をもれなく吸収させることができる。
【００１７】そのほか、ストライプ状、格子状、または
トライアングル状となるように各蛍光体が含まれる各色
変換部を配置するようにしてＳｉＯ２層７０を形成する
ようにしてもよい。また、各色変換部の間に間隔を設け
て配置させるようにしてもよく、これにより混色性を良
好にできる。またさらに、素子の周囲を全て覆うように
ＳｉＯ２層を形成すると、紫外光の漏れを防止できるの
で好ましい。
トライアングル状となるように各蛍光体が含まれる各色
変換部を配置するようにしてＳｉＯ２層７０を形成する
ようにしてもよい。また、各色変換部の間に間隔を設け
て配置させるようにしてもよく、これにより混色性を良
好にできる。またさらに、素子の周囲を全て覆うように
ＳｉＯ２層を形成すると、紫外光の漏れを防止できるの
で好ましい。
【００１８】また、蛍光体７１を含むＳｉＯ２層７０
は、例えば、シラノール（Ｓｉ（ＯＥｔ）３ＯＨ）とエ
タノールとを所定の割合で混合してなるシリカゾル中に
蛍光体（粉体）７１を分散させて、その蛍光体が分散さ
れたシリカゾルを透光性基板１１の他方の主面にスピン
ナーによりコートした後、縮合重合することにより形成
することができる。このようにして形成されたＳｉＯ２
層７０は、従来の樹脂とは異なり無機物であるため、紫
外線による劣化が樹脂に比べて極めて小さく、紫外光を
発光する発光ダイオード（紫外域発光ダイオード）と組
み合わせて用いることができる。これに対して、従来例
のように樹脂の中に蛍光体を分散させた構成では、ほと
んどの樹脂が紫外線により劣化するために長時間の使用
に耐え得る素子を構成することができないので、紫外域
発光ダイオードを用いた白色発光ダイオードの実用化は
困難であった。
は、例えば、シラノール（Ｓｉ（ＯＥｔ）３ＯＨ）とエ
タノールとを所定の割合で混合してなるシリカゾル中に
蛍光体（粉体）７１を分散させて、その蛍光体が分散さ
れたシリカゾルを透光性基板１１の他方の主面にスピン
ナーによりコートした後、縮合重合することにより形成
することができる。このようにして形成されたＳｉＯ２
層７０は、従来の樹脂とは異なり無機物であるため、紫
外線による劣化が樹脂に比べて極めて小さく、紫外光を
発光する発光ダイオード（紫外域発光ダイオード）と組
み合わせて用いることができる。これに対して、従来例
のように樹脂の中に蛍光体を分散させた構成では、ほと
んどの樹脂が紫外線により劣化するために長時間の使用
に耐え得る素子を構成することができないので、紫外域
発光ダイオードを用いた白色発光ダイオードの実用化は
困難であった。
【００１９】ここで、本実施の形態１では、ＳｉＯ２膜
７０に含まれる蛍光体７１の含有量は、ＳｉＯ２膜７０
を介して出力される光が実質的に蛍光体７１によって波
長変換された白色光のみになるように、すなわち、発光
素子チップにより発光された紫外光のほとんどが蛍光体
７１に吸収されて該蛍光体７１を励起するように比較的
大きく設定することが好ましい。このようにすると発光
効率（発光素子に入力された電力に対する出力される光
の比）を高くすることができる。
７０に含まれる蛍光体７１の含有量は、ＳｉＯ２膜７０
を介して出力される光が実質的に蛍光体７１によって波
長変換された白色光のみになるように、すなわち、発光
素子チップにより発光された紫外光のほとんどが蛍光体
７１に吸収されて該蛍光体７１を励起するように比較的
大きく設定することが好ましい。このようにすると発光
効率（発光素子に入力された電力に対する出力される光
の比）を高くすることができる。
【００２０】また、ＳｉＯ２膜７０に含有させる蛍光体
の量は、所望の色調に対応させて種々の値に設定される
ものであり、本発明は蛍光体の含有量により限定される
ものではないが、本発明者らの検討によると、ＳｉＯ２
膜７０に含まれる蛍光体７１の含有量が多くなると、透
光性基板１１に対するＳｉＯ２膜７０の付着強度が強く
なることが確認されている。かかる付着強度の面を考慮
すると、ＳｉＯ２膜７０における蛍光体の含有量は、３
０ｗｔ％〜８０ｗｔ％に設定することが好ましく、基板
１１に対するＳｉＯ２膜７０のより高い付着強度を得る
ためには、４０ｗｔ％〜８０ｗｔ％に設定することがさ
らに好ましい。
の量は、所望の色調に対応させて種々の値に設定される
ものであり、本発明は蛍光体の含有量により限定される
ものではないが、本発明者らの検討によると、ＳｉＯ２
膜７０に含まれる蛍光体７１の含有量が多くなると、透
光性基板１１に対するＳｉＯ２膜７０の付着強度が強く
なることが確認されている。かかる付着強度の面を考慮
すると、ＳｉＯ２膜７０における蛍光体の含有量は、３
０ｗｔ％〜８０ｗｔ％に設定することが好ましく、基板
１１に対するＳｉＯ２膜７０のより高い付着強度を得る
ためには、４０ｗｔ％〜８０ｗｔ％に設定することがさ
らに好ましい。
【００２１】また、本実施の形態１の窒化物半導体発光
素子の発光素子１，２，３において、各半導体層及び電
極はそれぞれ以下のように形成される。 （１）ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２（ｎ層１
２）は、例えば、サファイアからなる透光性基板１１上
のほぼ全面に成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層が分離溝４１により分離されて、平面形状が長方形
になるように形成される。
素子の発光素子１，２，３において、各半導体層及び電
極はそれぞれ以下のように形成される。 （１）ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２（ｎ層１
２）は、例えば、サファイアからなる透光性基板１１上
のほぼ全面に成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体層が分離溝４１により分離されて、平面形状が長方形
になるように形成される。
【００２２】（２）活性層１０は、ｎ層１２とほぼ同一
の長さとｎ層１２より狭い幅を有する長方形であって、
その１つの長辺がｎ層１２の１つの長辺に実質的に一致
するようにｎ層１２上に形成される。このように形成す
ることにより、ｎ層１２上に活性層１０に沿ってｎ側オ
ーミック電極を形成するための領域が確保される。ここ
で、本実施の形態１では、活性層１０の幅は、ｎ側オー
ミック電極から離れた側に位置する長辺とｎ側オーミッ
ク電極との距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が２２０μｍになるよ
うに設定した。このように、距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を２
２０μｍに設定した理由は、ｎ側オーミック電極から２
２０μｍ以上離れた位置にある活性層に注入される電流
は減少するからである。ここで、本実施の形態１におい
て、活性層１０はＩｎの含有量を変化させることにより
発光波長を変えることができるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に
より構成し、このＩｎの量を紫外光の発光が可能な値に
設定する。
の長さとｎ層１２より狭い幅を有する長方形であって、
その１つの長辺がｎ層１２の１つの長辺に実質的に一致
するようにｎ層１２上に形成される。このように形成す
ることにより、ｎ層１２上に活性層１０に沿ってｎ側オ
ーミック電極を形成するための領域が確保される。ここ
で、本実施の形態１では、活性層１０の幅は、ｎ側オー
ミック電極から離れた側に位置する長辺とｎ側オーミッ
ク電極との距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が２２０μｍになるよ
うに設定した。このように、距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を２
２０μｍに設定した理由は、ｎ側オーミック電極から２
２０μｍ以上離れた位置にある活性層に注入される電流
は減少するからである。ここで、本実施の形態１におい
て、活性層１０はＩｎの含有量を変化させることにより
発光波長を変えることができるＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に
より構成し、このＩｎの量を紫外光の発光が可能な値に
設定する。
【００２３】（３）ｎ側オーミック電極１４（１４ａ）
は、活性層１０とほぼ同一の長さを有し、ｎ層１２上
に、活性層１０に沿ってかつ活性層１０と近接して形成
される。また、ｎ側オーミック電極１４（１４ａ）は、
例えば、ｎ層１２とのオーミック接触を良好にできるＷ
とＡｌを含む層により構成する。一例を挙げれば、Ｗ層
（２００Å）、Ａｌ層（１０００Å）、Ｗ層（５００
Å）、Ｐｔ層（３０００Å）、Ｎｉ層（６０Å）を順次
積層することによりｎ側オーミック電極１４（１４ａ）
を形成する。
は、活性層１０とほぼ同一の長さを有し、ｎ層１２上
に、活性層１０に沿ってかつ活性層１０と近接して形成
される。また、ｎ側オーミック電極１４（１４ａ）は、
例えば、ｎ層１２とのオーミック接触を良好にできるＷ
とＡｌを含む層により構成する。一例を挙げれば、Ｗ層
（２００Å）、Ａｌ層（１０００Å）、Ｗ層（５００
Å）、Ｐｔ層（３０００Å）、Ｎｉ層（６０Å）を順次
積層することによりｎ側オーミック電極１４（１４ａ）
を形成する。
【００２４】（４）ｐ型窒化ガリウム系半導体層１３
は、活性層１０と同一平面形状を有し活性層１０上に重
ねて形成される。実際には、活性層１０及びｐ型窒化ガ
リウム系半導体層１３は、ｎ層１２上に活性層１０及び
ｐ層１３を重ねて形成した後、ｎ側オーミック電極１４
を形成するｎ層１２表面を露出させるために一括してエ
ッチングすることにより形成する。
は、活性層１０と同一平面形状を有し活性層１０上に重
ねて形成される。実際には、活性層１０及びｐ型窒化ガ
リウム系半導体層１３は、ｎ層１２上に活性層１０及び
ｐ層１３を重ねて形成した後、ｎ側オーミック電極１４
を形成するｎ層１２表面を露出させるために一括してエ
ッチングすることにより形成する。
【００２５】（５）ｐ側オーミック電極１５は、ｐ型窒
化ガリウム系半導体層１３上のほぼ全面に形成され、ｐ
層１３と良好なオーミック接触を得るために、例えば、
Ｎｉ層とＰｔ層とを積層することにより構成する。
化ガリウム系半導体層１３上のほぼ全面に形成され、ｐ
層１３と良好なオーミック接触を得るために、例えば、
Ｎｉ層とＰｔ層とを積層することにより構成する。
【００２６】（６）そして、ｐパッド電極１６（１６
ａ）は、例えば、膜厚３０００ÅのＰｔからなり、ｐ側
オーミック電極１５上において、ｎ側オーミック電極１
４とは離れた側に位置するｐ側オーミック電極１５の長
辺に沿って形成される。
ａ）は、例えば、膜厚３０００ÅのＰｔからなり、ｐ側
オーミック電極１５上において、ｎ側オーミック電極１
４とは離れた側に位置するｐ側オーミック電極１５の長
辺に沿って形成される。
【００２７】さらに、本実施の形態１の集積型窒化物半
導体発光素子において、上述のように構成された発光素
子１，２，３は、絶縁保護膜１７により素子間が分離さ
れ、接続電極２１により以下のように接続される。絶縁
保護膜１７は、各発光素子のｐパッド電極１６（１６
ａ）上及びｎ側オーミック電極１４（１４ａ）上を除い
て素子全体を覆うように形成される。接続電極２１は、
発光素子１のｎ側オーミック電極１４ａ上、分離溝４１
に形成された絶縁膜１７上及び発光素子２のｐ側オーミ
ック電極１６ａ上に連続して間の形成され、これによ
り、発光素子１のｎ側オーミック電極１４ａと発光素子
２のｐ側オーミック電極１６ａが接続される。また、接
続電極２１は、発光素子２と発光素子３との間において
も同様に形成され、これにより、発光素子２のｎ側オー
ミック電極１４ａと発光素子３のｐ側オーミック電極１
６ａが接続される。接続電極２１は、Ｐｔ又はＡｕ等、
種々の金属で構成することができる。
導体発光素子において、上述のように構成された発光素
子１，２，３は、絶縁保護膜１７により素子間が分離さ
れ、接続電極２１により以下のように接続される。絶縁
保護膜１７は、各発光素子のｐパッド電極１６（１６
ａ）上及びｎ側オーミック電極１４（１４ａ）上を除い
て素子全体を覆うように形成される。接続電極２１は、
発光素子１のｎ側オーミック電極１４ａ上、分離溝４１
に形成された絶縁膜１７上及び発光素子２のｐ側オーミ
ック電極１６ａ上に連続して間の形成され、これによ
り、発光素子１のｎ側オーミック電極１４ａと発光素子
２のｐ側オーミック電極１６ａが接続される。また、接
続電極２１は、発光素子２と発光素子３との間において
も同様に形成され、これにより、発光素子２のｎ側オー
ミック電極１４ａと発光素子３のｐ側オーミック電極１
６ａが接続される。接続電極２１は、Ｐｔ又はＡｕ等、
種々の金属で構成することができる。
【００２８】尚、本実施の形態１ではさらに、発光素子
１のｐパッド電極１６上に接続電極２１と同様の材料か
らなる外部接続用電極２６が形成され、発光素子３のｎ
パッド電極１４上に接続電極２１と同様の材料からなる
外部接続用電極２４が形成される。
１のｐパッド電極１６上に接続電極２１と同様の材料か
らなる外部接続用電極２６が形成され、発光素子３のｎ
パッド電極１４上に接続電極２１と同様の材料からなる
外部接続用電極２４が形成される。
【００２９】以上のように構成された実施の形態１の窒
化物半導体発光素子は、透光性基板１１の他方の面に、
無機物でありかつ紫外線による劣化がほとんどないＳｉ
Ｏ２層７０に蛍光体を含有させて形成しているので、発
光素子チップとして紫外域発光ダイオードを用いること
が可能となる。これにより、発光素子チップの光と蛍光
体の光との混色によらず、蛍光体からの光のみを利用し
て発光ダイオードを構成することができ、色変化の極め
て少ない発光ダイオードを実現できる。また、本実施の
形態１の窒化物半導体発光素子は、蛍光体を含む無機物
であるＳｉＯ２層７０を用いて構成しているので、蛍光
体を含む層を従来の樹脂層に比較して耐環境特性を良好
にできるので、素子の寿命を長くできる。
化物半導体発光素子は、透光性基板１１の他方の面に、
無機物でありかつ紫外線による劣化がほとんどないＳｉ
Ｏ２層７０に蛍光体を含有させて形成しているので、発
光素子チップとして紫外域発光ダイオードを用いること
が可能となる。これにより、発光素子チップの光と蛍光
体の光との混色によらず、蛍光体からの光のみを利用し
て発光ダイオードを構成することができ、色変化の極め
て少ない発光ダイオードを実現できる。また、本実施の
形態１の窒化物半導体発光素子は、蛍光体を含む無機物
であるＳｉＯ２層７０を用いて構成しているので、蛍光
体を含む層を従来の樹脂層に比較して耐環境特性を良好
にできるので、素子の寿命を長くできる。
【００３０】応用例．本実施の形態１の窒化物半導体発
光素子と同様の構成において、紫外光を発光する発光素
子を３５個に増やしてそれらの素子を直列に接続し、蛍
光体７１として、例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６ＦＣ
ｌ：Ｅｕ，Ｍｎを用いることにより、比較的広い発光面
積を有する照明用の窒化物半導体発光素子を構成でき
る。このように構成された照明用の窒化物半導体発光素
子は、１００Ｖの一般家庭電源に直接接続して使用した
ときに、各素子の電流値を、発光効率及び寿命の点でほ
ぼ最適な２０ｍＡ程度に設定でき、信号機や家庭用の照
明等に利用できる。
光素子と同様の構成において、紫外光を発光する発光素
子を３５個に増やしてそれらの素子を直列に接続し、蛍
光体７１として、例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６ＦＣ
ｌ：Ｅｕ，Ｍｎを用いることにより、比較的広い発光面
積を有する照明用の窒化物半導体発光素子を構成でき
る。このように構成された照明用の窒化物半導体発光素
子は、１００Ｖの一般家庭電源に直接接続して使用した
ときに、各素子の電流値を、発光効率及び寿命の点でほ
ぼ最適な２０ｍＡ程度に設定でき、信号機や家庭用の照
明等に利用できる。
【００３１】実施の形態２．次に、本発明に係る実施の
形態２の窒化物半導体発光素子について、図４を参照し
ながら説明する。本実施の形態２の集積型窒化物半導体
発光素子は、以下の点で実施の形態１の窒化物半導体発
光素子と異なる。 相違点１．実施の形態１の集積型窒化物半導体発光素子
において、接続電極２１及び外部接続電極２４，２６を
形成することなく、素子全体を覆うように絶縁保護膜３
０を形成し、発光素子１，２，３のｐパッド電極上にそ
れぞれ絶縁保護膜３０を貫通するスルーホール６１を形
成し、発光素子１，２，３の各ｎ側オーミック電極上に
それぞれ絶縁保護膜３０を貫通するスルーホール６２を
形成する。
形態２の窒化物半導体発光素子について、図４を参照し
ながら説明する。本実施の形態２の集積型窒化物半導体
発光素子は、以下の点で実施の形態１の窒化物半導体発
光素子と異なる。 相違点１．実施の形態１の集積型窒化物半導体発光素子
において、接続電極２１及び外部接続電極２４，２６を
形成することなく、素子全体を覆うように絶縁保護膜３
０を形成し、発光素子１，２，３のｐパッド電極上にそ
れぞれ絶縁保護膜３０を貫通するスルーホール６１を形
成し、発光素子１，２，３の各ｎ側オーミック電極上に
それぞれ絶縁保護膜３０を貫通するスルーホール６２を
形成する。
【００３２】相違点２．絶縁保護膜３０に形成されたス
ルーホール６１を介して、発光素子１，２，３のｐパッ
ド電極間を互いに接続電極５１で接続する。 相違点３．絶縁保護膜３０に形成されたスルーホール６
２を介して、発光素子１，２，３のｎ側オーミック電極
間を互いに接続電極５２で接続する。以上の相違点１，
２，３以外は、実施の形態１の集積型窒化物半導体発光
素子と同様に構成する。すなわち、実施の形態２の集積
型窒化物半導体発光素子は、実施の形態１の素子におい
て発光素子１，２，３を並列に接続したものである。以
上のように構成された実施の形態２の窒化物半導体発光
素子は、実施の形態１と同様の作用効果を有する。
ルーホール６１を介して、発光素子１，２，３のｐパッ
ド電極間を互いに接続電極５１で接続する。 相違点３．絶縁保護膜３０に形成されたスルーホール６
２を介して、発光素子１，２，３のｎ側オーミック電極
間を互いに接続電極５２で接続する。以上の相違点１，
２，３以外は、実施の形態１の集積型窒化物半導体発光
素子と同様に構成する。すなわち、実施の形態２の集積
型窒化物半導体発光素子は、実施の形態１の素子におい
て発光素子１，２，３を並列に接続したものである。以
上のように構成された実施の形態２の窒化物半導体発光
素子は、実施の形態１と同様の作用効果を有する。
【００３３】以上の実施の形態１，２では、発光領域が
３つの場合について説明したが、本発明はこれに限られ
るものではなく、４以上の発光領域で構成したものであ
ってもよい。例えば、図５に示すように、多数（ｍ個）
の発光領域１〜ｍを各領域の短辺方向に並置して形成す
ることにより、輝度が高くかつ発光色のばらつきが少な
くしかも広い面積の面発光が可能な発光ダイオードを実
現できる。
３つの場合について説明したが、本発明はこれに限られ
るものではなく、４以上の発光領域で構成したものであ
ってもよい。例えば、図５に示すように、多数（ｍ個）
の発光領域１〜ｍを各領域の短辺方向に並置して形成す
ることにより、輝度が高くかつ発光色のばらつきが少な
くしかも広い面積の面発光が可能な発光ダイオードを実
現できる。
【００３４】以上の実施の形態１，２では、発光領域が
３つの場合について説明したが、本発明はこれに限られ
るものではなく、１つの発光領域のみを有する例えば、
３００μｍ×３００μｍの一般的に良く用いられる大き
さの発光ダイオードに適用することもできることはいう
までもない。この場合、個々の素子への分離は、例え
ば、図６に示すように、分割すべき素子と素子との間の
ＳｉＯ２層７０を除去して、溝７２を形成し、その溝７
２において、スクライビング又はダイシングにより分割
するようにすればよい。
３つの場合について説明したが、本発明はこれに限られ
るものではなく、１つの発光領域のみを有する例えば、
３００μｍ×３００μｍの一般的に良く用いられる大き
さの発光ダイオードに適用することもできることはいう
までもない。この場合、個々の素子への分離は、例え
ば、図６に示すように、分割すべき素子と素子との間の
ＳｉＯ２層７０を除去して、溝７２を形成し、その溝７
２において、スクライビング又はダイシングにより分割
するようにすればよい。
【００３５】以上の実施の形態１及び２では、紫外域発
光素子チップを用いた本発明に係るより好ましい実施の
形態について説明したが、本発明はこれに限られるもの
ではなく、青色の発光素子チップと該チップの青色光に
より励起され黄色の光を発生する、以下に説明するイッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系の蛍
光体とを組み合わせて白色発光ダイオードを構成しても
よい。
光素子チップを用いた本発明に係るより好ましい実施の
形態について説明したが、本発明はこれに限られるもの
ではなく、青色の発光素子チップと該チップの青色光に
より励起され黄色の光を発生する、以下に説明するイッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系の蛍
光体とを組み合わせて白色発光ダイオードを構成しても
よい。
【００３６】本発明に用いられるＹＡＧ系蛍光体は、窒
化物系半導体を発光層とする半導体発光素子から発光さ
れた光を励起させて発光できるセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベースと
したものである。具体的なイットリウム・アルミニウム
酸化物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ３：Ｃｅ、Ｙ３Ａ
ｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）やＹ４Ａｌ２Ｏ９：
Ｃｅ、更にはこれらの混合物などが挙げられる。イット
リウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種が含有されていても
よい。また、Ｓｉを含有させることによって、結晶成長
の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃えることができる。
化物系半導体を発光層とする半導体発光素子から発光さ
れた光を励起させて発光できるセリウムで付活されたイ
ットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベースと
したものである。具体的なイットリウム・アルミニウム
酸化物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ３：Ｃｅ、Ｙ３Ａ
ｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）やＹ４Ａｌ２Ｏ９：
Ｃｅ、更にはこれらの混合物などが挙げられる。イット
リウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種が含有されていても
よい。また、Ｓｉを含有させることによって、結晶成長
の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃えることができる。
【００３７】本明細書において、Ｃｅで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質は特に広義に
解釈するものとし、イットリウムの一部あるいは全体
を、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも１つの元素に置換したもの、あるい
は、アルミニウムの一部あるいは全体をＢａ、Ｔｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎの何れが又は両方で置換したものなどの蛍光作
用を有する蛍光体を含む広い意味に使用する。
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質は特に広義に
解釈するものとし、イットリウムの一部あるいは全体
を、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも１つの元素に置換したもの、あるい
は、アルミニウムの一部あるいは全体をＢａ、Ｔｌ、Ｇ
ａ、Ｉｎの何れが又は両方で置換したものなどの蛍光作
用を有する蛍光体を含む広い意味に使用する。
【００３８】すなわち、本発明では、一般式（ＹｚＧｄ
１−ｚ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０＜ｚ≦１）で
示されるフォトルミネッセンス蛍光体や一般式（Ｒｅ
１−ａＳｍａ）３Ｒｅ’５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ａ
＜１、０≦ｂ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｓｃから
選択される少なくとも一種、Ｒｅ’は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎから選択される少なくとも一種である。）で示される
フォトルミネッセンス蛍光体を用いることができる。
１−ｚ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０＜ｚ≦１）で
示されるフォトルミネッセンス蛍光体や一般式（Ｒｅ
１−ａＳｍａ）３Ｒｅ’５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ａ
＜１、０≦ｂ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｓｃから
選択される少なくとも一種、Ｒｅ’は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎから選択される少なくとも一種である。）で示される
フォトルミネッセンス蛍光体を用いることができる。
【００３９】これらの蛍光物質は、ガーネット構造のた
め、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークを
４５０ｎｍ付近に設定することができる。また、発光ピ
ークも、５８０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまですそを引
くブロードな発光スペクトルを持つ。さらに、所望に応
じてＣｅに加えＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、
Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｅｕ、およびＰｒ等を
含有させてもよい。
め、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークを
４５０ｎｍ付近に設定することができる。また、発光ピ
ークも、５８０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまですそを引
くブロードな発光スペクトルを持つ。さらに、所望に応
じてＣｅに加えＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、
Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｅｕ、およびＰｒ等を
含有させてもよい。
【００４０】またフォトルミネセンス蛍光体は、結晶中
にＧｄ（ガドリニウム）を含有することにより、４６０
ｎｍ以上の長波長域の励起発光効率を高くすることがで
きる。Ｇｄの含有量の増加により、発光ピーク波長が長
波長に移動し全体の発光波長も長波長側にシフトする。
すなわち、赤みの強い発光色が必要な場合、Ｇｄの置換
量を多くすることで達成できる。一方、Ｇｄが増加する
と共に、青色光によるフォトルミネセンスの発光輝度は
低下する傾向にある。
にＧｄ（ガドリニウム）を含有することにより、４６０
ｎｍ以上の長波長域の励起発光効率を高くすることがで
きる。Ｇｄの含有量の増加により、発光ピーク波長が長
波長に移動し全体の発光波長も長波長側にシフトする。
すなわち、赤みの強い発光色が必要な場合、Ｇｄの置換
量を多くすることで達成できる。一方、Ｇｄが増加する
と共に、青色光によるフォトルミネセンスの発光輝度は
低下する傾向にある。
【００４１】しかも、ガーネット構造を持ったイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の組成のう
ち、Ａｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波
長側にシフトする。また、組成のＹの一部をＧｄで置換
することで、発光波長が長波長側にシフトする。
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の組成のう
ち、Ａｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波
長側にシフトする。また、組成のＹの一部をＧｄで置換
することで、発光波長が長波長側にシフトする。
【００４２】Ｙの一部をＧｄで置換する場合、Ｇｄへの
置換を１割未満にし、且つＣｅの含有（置換）を０．０
３から１．０に設定することが好ましい。Ｇｄへの置換
が２割未満では緑色成分が大きく赤色成分が少なくなる
が、Ｃｅの含有量を増やすことで赤色成分を補え、輝度
を低下させることなく所望の色調を得ることができる。
このような組成にすると温度特性が良好となり発光ダイ
オードの信頼性を向上させることができる。また、赤色
成分を多く有するように調整されたフォトルミネセンス
蛍光体を使用すると、ピンク等の中間色を発光すること
が可能な発光装置を形成することができる。
置換を１割未満にし、且つＣｅの含有（置換）を０．０
３から１．０に設定することが好ましい。Ｇｄへの置換
が２割未満では緑色成分が大きく赤色成分が少なくなる
が、Ｃｅの含有量を増やすことで赤色成分を補え、輝度
を低下させることなく所望の色調を得ることができる。
このような組成にすると温度特性が良好となり発光ダイ
オードの信頼性を向上させることができる。また、赤色
成分を多く有するように調整されたフォトルミネセンス
蛍光体を使用すると、ピンク等の中間色を発光すること
が可能な発光装置を形成することができる。
【００４３】このようなフォトルミネセンス蛍光体は、
Ｙ、Ｇｄ、Ａｌ、及びＣｅの原料として酸化物、又は高
温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学
量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、
Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を
蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、
酸化アルミニウムとを混合して混合原料を得る。これに
フラックスとしてフッ化バリウムやフッ化アンモニウム
等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３５
０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼成
品を得、つぎに焼成品を水中でボールミルして、洗浄、
分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ることができる。
Ｙ、Ｇｄ、Ａｌ、及びＣｅの原料として酸化物、又は高
温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学
量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、
Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を
蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、
酸化アルミニウムとを混合して混合原料を得る。これに
フラックスとしてフッ化バリウムやフッ化アンモニウム
等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３５
０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼成
品を得、つぎに焼成品を水中でボールミルして、洗浄、
分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ることができる。
【００４４】本願発明の発光ダイオードにおいて、この
ようなフォトルミネセンス蛍光体は、２種類以上のセリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット（ざくろ石型）蛍光体や他の蛍光体を混合してもよ
い。
ようなフォトルミネセンス蛍光体は、２種類以上のセリ
ウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネ
ット（ざくろ石型）蛍光体や他の蛍光体を混合してもよ
い。
【００４５】他にも青色、青緑色や緑色を吸収して赤色
が発光可能な蛍光体としては、Ｅｕ及び／又はＣｒで付
活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体やＥｕ
及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ−Ａｌ２Ｏ３
−ＳｉＯ２蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）等が
挙げられる。これらの蛍光体を利用して発光素子からの
光と蛍光体からの光の混色により白色光を得ることもで
きる。
が発光可能な蛍光体としては、Ｅｕ及び／又はＣｒで付
活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体やＥｕ
及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ−Ａｌ２Ｏ３
−ＳｉＯ２蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）等が
挙げられる。これらの蛍光体を利用して発光素子からの
光と蛍光体からの光の混色により白色光を得ることもで
きる。
【００４６】また、発光出力を向上させるためには、本
発明で用いられる蛍光物質の平均粒径は１０μｍ〜５０
μｍが好ましく、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍで
ある。ここで平均粒径とは、空気透過法を基本原理とし
てサブシーブサイザーにて測定された平均粒子径を示
す。このような粒径を有する蛍光物質は光の吸収率及び
変換効率が高く且つ励起波長の幅が広い。このように、
光学的に優れた特徴を有する大粒径蛍光物質を含有させ
ることにより、発光素子の主波長周辺の光をも良好に変
換し発光することが可能となり、発光装置の量産性が向
上される。
発明で用いられる蛍光物質の平均粒径は１０μｍ〜５０
μｍが好ましく、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍで
ある。ここで平均粒径とは、空気透過法を基本原理とし
てサブシーブサイザーにて測定された平均粒子径を示
す。このような粒径を有する蛍光物質は光の吸収率及び
変換効率が高く且つ励起波長の幅が広い。このように、
光学的に優れた特徴を有する大粒径蛍光物質を含有させ
ることにより、発光素子の主波長周辺の光をも良好に変
換し発光することが可能となり、発光装置の量産性が向
上される。
【００４７】また、この平均粒径値を有する蛍光物質が
頻度高く含有されていることが好ましく、頻度値は２０
％〜５０％が好ましい。このように粒径のバラツキが小
さい蛍光物質を用いることにより色ムラが抑制され良好
な色調を有する発光装置が得られる。
頻度高く含有されていることが好ましく、頻度値は２０
％〜５０％が好ましい。このように粒径のバラツキが小
さい蛍光物質を用いることにより色ムラが抑制され良好
な色調を有する発光装置が得られる。
【００４８】同様に、本発明に用いられる他の具体的蛍
光体として、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有
ＣａＯ-Ａｌ２Ｏ３-ＳｉＯ２蛍光体が挙げられる。この
Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有ＣａＯ-Ａｌ
２Ｏ３-ＳｉＯ２蛍光体は、酸化アルミニウム、酸化イ
ットリウム、窒化珪素及び酸化カルシウムなどの原料に
希土類原料を所定比に混合した粉末を窒素雰囲気下にお
いて１３００℃から１９００℃（より好ましくは１５０
０℃から１７５０℃）において溶融し成形させる。成形
品をボールミルして洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通し
て蛍光体を形成させることができる。これにより４５０
ｎｍにピークをもった励起スペクトルと約６５０ｎｍに
ピークがある青色光により赤色発光が発光可能なＥｕ及
び／又はＣｒで付活されたＣａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキ
シナイトライド蛍光硝子とすることができる。
光体として、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有
ＣａＯ-Ａｌ２Ｏ３-ＳｉＯ２蛍光体が挙げられる。この
Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有ＣａＯ-Ａｌ
２Ｏ３-ＳｉＯ２蛍光体は、酸化アルミニウム、酸化イ
ットリウム、窒化珪素及び酸化カルシウムなどの原料に
希土類原料を所定比に混合した粉末を窒素雰囲気下にお
いて１３００℃から１９００℃（より好ましくは１５０
０℃から１７５０℃）において溶融し成形させる。成形
品をボールミルして洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通し
て蛍光体を形成させることができる。これにより４５０
ｎｍにピークをもった励起スペクトルと約６５０ｎｍに
ピークがある青色光により赤色発光が発光可能なＥｕ及
び／又はＣｒで付活されたＣａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキ
シナイトライド蛍光硝子とすることができる。
【００４９】なお、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活されたＣ
ａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子の窒
素含有量を増減することによって発光スペクトルのピー
クを５７５ｎｍから６９０ｎｍに連続的にシフトするこ
とができる。同様に、励起スペクトルも連続的にシフト
させることができる。そのため、Ｍｇ、Ｚｎなどの不純
物がドープされたＧａＮやＩｎＧａＮを発光層に含む窒
化ガリウム系化合物半導体からの光と、約５８０ｎｍの
蛍光体の光の合成光により白色系を発光させることがで
きる。特に、約４９０ｎｍの光が高輝度に発光可能なＩ
ｎＧａＮを発光層に含む窒化ガリウム系化合物半導体か
らなる発光素子との組合せに理想的に発光を得ることも
できる。
ａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子の窒
素含有量を増減することによって発光スペクトルのピー
クを５７５ｎｍから６９０ｎｍに連続的にシフトするこ
とができる。同様に、励起スペクトルも連続的にシフト
させることができる。そのため、Ｍｇ、Ｚｎなどの不純
物がドープされたＧａＮやＩｎＧａＮを発光層に含む窒
化ガリウム系化合物半導体からの光と、約５８０ｎｍの
蛍光体の光の合成光により白色系を発光させることがで
きる。特に、約４９０ｎｍの光が高輝度に発光可能なＩ
ｎＧａＮを発光層に含む窒化ガリウム系化合物半導体か
らなる発光素子との組合せに理想的に発光を得ることも
できる。
【００５０】また、上述のＣｅで付活されたＹＡＧ系蛍
光体とＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ-
Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子とを組
み合わせることにより青色系が発光可能な発光素子を利
用してＲＧＢ（赤色、緑色、青色）成分を高輝度に含む
極めて演色性の高い発光ダイオードを形成させることも
できる。このため、所望の顔料を添加するだけで任意の
中間色も極めて簡単に形成させることができる。本発明
においては何れの蛍光体も無機蛍光体であり、有機の光
散乱剤やＳｉＯ２などを利用して高コントラストを有し
かつ量産性に優れた発光ダイオードを構成することがで
きる。
光体とＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ-
Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子とを組
み合わせることにより青色系が発光可能な発光素子を利
用してＲＧＢ（赤色、緑色、青色）成分を高輝度に含む
極めて演色性の高い発光ダイオードを形成させることも
できる。このため、所望の顔料を添加するだけで任意の
中間色も極めて簡単に形成させることができる。本発明
においては何れの蛍光体も無機蛍光体であり、有機の光
散乱剤やＳｉＯ２などを利用して高コントラストを有し
かつ量産性に優れた発光ダイオードを構成することがで
きる。
【００５１】以上のように構成されたＹＡＧ系蛍光体を
用いた窒化物半導体発光素子は、蛍光体を含む無機物で
あるＳｉＯ２層７０を用いて構成しているので、蛍光体
を含む層を従来の樹脂層に比較して耐環境特性を良好に
でき、素子の寿命を長くできる。
用いた窒化物半導体発光素子は、蛍光体を含む無機物で
あるＳｉＯ２層７０を用いて構成しているので、蛍光体
を含む層を従来の樹脂層に比較して耐環境特性を良好に
でき、素子の寿命を長くできる。
【００５２】
【実施例】以下、本発明に係る実施例を示す。尚、本発
明はこれに限定されるものではない。 ［実施例１］ （透光性基板１１）サファイア（Ｃ面）よりなる透光性
基板１１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、水素を
流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基
板のクリーニングを行う。この透光性基板１１としては
他にＲ面、Ａ面を主面とするサファイア基板、スピネル
（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＧａＮ基板な
どでもよい。
明はこれに限定されるものではない。 ［実施例１］ （透光性基板１１）サファイア（Ｃ面）よりなる透光性
基板１１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、水素を
流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基
板のクリーニングを行う。この透光性基板１１としては
他にＲ面、Ａ面を主面とするサファイア基板、スピネル
（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＧａＮ基板な
どでもよい。
【００５３】（ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１
２）基板をクリーニング後、ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１２を次の構成で成長させる。基板の温度を５
１０℃まで下げ、透光性基板１１上にＧａＮよりなるバ
ッファ層を１００Å成長させる。次にバッファ層成長
後、温度を１０５０℃まで上昇させ、アンドープＧａＮ
層１２１を１．５μｍの膜厚で成長させる。続いて１０
５０℃で、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３ドープした
ＧａＮ層１２２を２．２μｍの膜厚で成長させる。
２）基板をクリーニング後、ｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層１２を次の構成で成長させる。基板の温度を５
１０℃まで下げ、透光性基板１１上にＧａＮよりなるバ
ッファ層を１００Å成長させる。次にバッファ層成長
後、温度を１０５０℃まで上昇させ、アンドープＧａＮ
層１２１を１．５μｍの膜厚で成長させる。続いて１０
５０℃で、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３ドープした
ＧａＮ層１２２を２．２μｍの膜厚で成長させる。
【００５４】続いて１０５０℃で、アンドープＧａＮ層
１２３を３０００Åの膜厚で、さらにＳｉを４．５×１
０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮ層１２４を３００Å、
さらにアンドープＧａＮ層１２５を５０Åの膜厚で成長
させる。
１２３を３０００Åの膜厚で、さらにＳｉを４．５×１
０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮ層１２４を３００Å、
さらにアンドープＧａＮ層１２５を５０Åの膜厚で成長
させる。
【００５５】続いて同様の温度で、アンドープＧａＮよ
りなる第１の層を４０Å、温度を８００℃にして、続い
てアンドープＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第２
の層を２０Åの膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返
し、第１＋第２＋の順で交互に１０層ずつ積層させ、最
後に第１の層を積層させた、ｎ型多層膜層１２６を成長
させる。
りなる第１の層を４０Å、温度を８００℃にして、続い
てアンドープＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第２
の層を２０Åの膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返
し、第１＋第２＋の順で交互に１０層ずつ積層させ、最
後に第１の層を積層させた、ｎ型多層膜層１２６を成長
させる。
【００５６】（活性層１３）次にｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層１２を成長後、アンドープＧａＮよりなる
障壁層を２００Åの膜厚で成長させ、続いて温度を８０
０℃にして、Ｓｉを５×１０１７／ｃｍ３ドープしたＩ
ｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎよりなる井戸層を３０Åの膜
厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・
・の順で障壁層を６層と、井戸層５層を交互に積層し
て、総膜厚１３５０Åの多重量子井戸よりなる活性層１
３を積層させる。以上のようにして、３７０ｎｍの紫外
領域の光を発光する活性層を形成する。
合物半導体層１２を成長後、アンドープＧａＮよりなる
障壁層を２００Åの膜厚で成長させ、続いて温度を８０
０℃にして、Ｓｉを５×１０１７／ｃｍ３ドープしたＩ
ｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎよりなる井戸層を３０Åの膜
厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・
・の順で障壁層を６層と、井戸層５層を交互に積層し
て、総膜厚１３５０Åの多重量子井戸よりなる活性層１
３を積層させる。以上のようにして、３７０ｎｍの紫外
領域の光を発光する活性層を形成する。
【００５７】（ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１
４）活性層１３成長後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体１４を次の構成で成長させる。次に１０５０℃で、Ｍ
ｇを５×１０１９／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．１Ｇ
ａ０．９Ｎよりなる第３の層を２５Åの膜厚で成長さ
せ、続いてアンドープＧａＮよりなる第４の層を２５Å
の膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返し、第３＋第
４の順で交互に４層ずつ積層した超格子よりなるｐ型多
層膜層を２００Åの膜厚で成長させる。続いて１０５０
℃で、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型Ｇａ
Ｎよりなる層を２７００Åの膜厚で成長させる。反応終
了後、温度を室温まで下げ、窒素雰囲気中で７００℃で
アニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。
４）活性層１３成長後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体１４を次の構成で成長させる。次に１０５０℃で、Ｍ
ｇを５×１０１９／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．１Ｇ
ａ０．９Ｎよりなる第３の層を２５Åの膜厚で成長さ
せ、続いてアンドープＧａＮよりなる第４の層を２５Å
の膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返し、第３＋第
４の順で交互に４層ずつ積層した超格子よりなるｐ型多
層膜層を２００Åの膜厚で成長させる。続いて１０５０
℃で、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型Ｇａ
Ｎよりなる層を２７００Åの膜厚で成長させる。反応終
了後、温度を室温まで下げ、窒素雰囲気中で７００℃で
アニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。
【００５８】以上のようにして窒化ガリウム系化合物半
導体を成長させたウエハーを反応容器から取り出し、分
離溝を形成する部分を除きウエハ全体にＳｉＯ２マスク
を形成し、ＲＩＥによって、サファイア基板に到達する
までエッチングを行うことにより分離溝を形成する。ま
た、上記のような窒化ガリウム系化合物半導体は、所望
に応じてボロンやリンを含有させることも可能である。
さらに分離溝の形成に用いたＳｉＯ２マスクを剥離し、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を露出するため
に、露出させる部分を除くｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層１４の上にＳｉＯ２マスクを形成し、ＲＩＥによ
って、エッチングを行い、ｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体層１２（ＳｉドープＧａＮ層１２２）の表面を露出
させる。
導体を成長させたウエハーを反応容器から取り出し、分
離溝を形成する部分を除きウエハ全体にＳｉＯ２マスク
を形成し、ＲＩＥによって、サファイア基板に到達する
までエッチングを行うことにより分離溝を形成する。ま
た、上記のような窒化ガリウム系化合物半導体は、所望
に応じてボロンやリンを含有させることも可能である。
さらに分離溝の形成に用いたＳｉＯ２マスクを剥離し、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を露出するため
に、露出させる部分を除くｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層１４の上にＳｉＯ２マスクを形成し、ＲＩＥによ
って、エッチングを行い、ｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体層１２（ＳｉドープＧａＮ層１２２）の表面を露出
させる。
【００５９】次にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１
４のほぼ全面を開口させ、他の部分を覆うようにレジス
ト塗布し、開口させたｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層上にＮｉを１００Å、Ｐｔを５００Å積層後、アニー
ルしてｐ側オーミック電極１５を形成する。さらにｐ側
オーミック電極の一部にＰｔを３０００Å、Ｎｉを６０
Åからなるｐ側パッド電極１６ａ（１６）を形成する。
次にレジストを除去し、今度はｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層上にＷを２００Å、Ａｌを１０００Å、Ｗを
５００Å、Ｐｔを３０００Å、Ｎｉを６０Åの順で積層
したｎ側オーミック電極１４を形成する。
４のほぼ全面を開口させ、他の部分を覆うようにレジス
ト塗布し、開口させたｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層上にＮｉを１００Å、Ｐｔを５００Å積層後、アニー
ルしてｐ側オーミック電極１５を形成する。さらにｐ側
オーミック電極の一部にＰｔを３０００Å、Ｎｉを６０
Åからなるｐ側パッド電極１６ａ（１６）を形成する。
次にレジストを除去し、今度はｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層上にＷを２００Å、Ａｌを１０００Å、Ｗを
５００Å、Ｐｔを３０００Å、Ｎｉを６０Åの順で積層
したｎ側オーミック電極１４を形成する。
【００６０】次に全面にＳｉＯ２よりなる絶縁保護膜１
７を１．５μｍの膜厚で形成し、ｐ側パッド電極とｎ側
オーミック電極の一部をＲＩＥにより露出させる。さら
に表面に接続電極を形成する部分を開口させるようにマ
スク形成して分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミ
ック電極とを電気的に接続する接続電極として、Ｔｉを
４００Å、Ｐｔを６０００Å、Ａｕを１０００Å、Ｎｉ
を６０Åの膜厚で形成する。最後にＳｉＯ２からなる絶
縁保護膜３０を１．５μｍの膜厚で形成し、外部と電気
的に接続できるように接続電極２４、２６上の絶縁保護
膜３０をＲＩＥでエッチングすることにより除去する。
７を１．５μｍの膜厚で形成し、ｐ側パッド電極とｎ側
オーミック電極の一部をＲＩＥにより露出させる。さら
に表面に接続電極を形成する部分を開口させるようにマ
スク形成して分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミ
ック電極とを電気的に接続する接続電極として、Ｔｉを
４００Å、Ｐｔを６０００Å、Ａｕを１０００Å、Ｎｉ
を６０Åの膜厚で形成する。最後にＳｉＯ２からなる絶
縁保護膜３０を１．５μｍの膜厚で形成し、外部と電気
的に接続できるように接続電極２４、２６上の絶縁保護
膜３０をＲＩＥでエッチングすることにより除去する。
【００６１】（蛍光体７１を含むＳｉＯ２層７０の形
成）次に、蛍光体｛Ｃａ１０（ＰＯ４）６ＦＣｌ：Ｅ
ｕ，Ｍｎ｝、シラノール（Ｓｉ（ＯＥｔ）３ＯＨ）及び
エタノールを混合したスラリーを作製する。ここで、実
施例１において、スラリーは、蛍光体：シラノール：エ
タノールが重量比で４：１：２となるように混合した。
すなわち、本実施例１において、スラリーに対する蛍光
体の含有量は、５７％に設定した。次に、そのスラリー
をノズルからサファイア基板の裏面に滴下して基板を高
速で回転させることにより、基板の裏面全体に均一な膜
厚を有する、蛍光体、シラノール、エタノールからなる
スラリー膜を形成する。そして、スラリー膜が形成され
た基板を３００℃のオーブン内で３時間加熱することに
より、スラリー膜内のシラノールを縮合重合して蛍光体
が分散含有されたＳｉＯ２膜とする。このようにして、
蛍光体７１を含むＳｉＯ２層７０が形成される。
成）次に、蛍光体｛Ｃａ１０（ＰＯ４）６ＦＣｌ：Ｅ
ｕ，Ｍｎ｝、シラノール（Ｓｉ（ＯＥｔ）３ＯＨ）及び
エタノールを混合したスラリーを作製する。ここで、実
施例１において、スラリーは、蛍光体：シラノール：エ
タノールが重量比で４：１：２となるように混合した。
すなわち、本実施例１において、スラリーに対する蛍光
体の含有量は、５７％に設定した。次に、そのスラリー
をノズルからサファイア基板の裏面に滴下して基板を高
速で回転させることにより、基板の裏面全体に均一な膜
厚を有する、蛍光体、シラノール、エタノールからなる
スラリー膜を形成する。そして、スラリー膜が形成され
た基板を３００℃のオーブン内で３時間加熱することに
より、スラリー膜内のシラノールを縮合重合して蛍光体
が分散含有されたＳｉＯ２膜とする。このようにして、
蛍光体７１を含むＳｉＯ２層７０が形成される。
【００６２】このようにして作製された複数の素子領域
を有するサファイア基板（ウエハ）を、スクライビング
及びダイシングを用いて個々の素子ごとに分割して、３
５０×４００μｍの発光素子チップを作製する。次に、
その発光素子チップ８０を図７に示すように、パッケー
ジ８１に発光素子チップ８０の正負の電極それぞれパッ
ケージ８１の正負の電極に対向させてフリップチップ実
装を行う。そして、発光素子チップを覆うように透光性
のエポキシ樹脂８３を形成して、発光素子チップを保護
する。以上のようにして紫外光を発光する発光素子チッ
プを用いた白色発光ダイオードを形成することができ
る。
を有するサファイア基板（ウエハ）を、スクライビング
及びダイシングを用いて個々の素子ごとに分割して、３
５０×４００μｍの発光素子チップを作製する。次に、
その発光素子チップ８０を図７に示すように、パッケー
ジ８１に発光素子チップ８０の正負の電極それぞれパッ
ケージ８１の正負の電極に対向させてフリップチップ実
装を行う。そして、発光素子チップを覆うように透光性
のエポキシ樹脂８３を形成して、発光素子チップを保護
する。以上のようにして紫外光を発光する発光素子チッ
プを用いた白色発光ダイオードを形成することができ
る。
【００６３】[実施例２]実施例１において、スラリーに
対する蛍光体の含有量を３０％に変更した以外は実施例
１と同様に構成した。以上の実施例２の発光ダイオード
は、製造歩留まりが実施例１に比較して若干低くなった
ものの、実施例１と同等の性能が得られた。
対する蛍光体の含有量を３０％に変更した以外は実施例
１と同様に構成した。以上の実施例２の発光ダイオード
は、製造歩留まりが実施例１に比較して若干低くなった
ものの、実施例１と同等の性能が得られた。
【００６４】[実施例３]スラリーに対する蛍光体の含有
量を４０％に変更した以外は実施例１と同様に構成し
た。以上の実施例３の発光ダイオードは、実施例１と同
等の性能が得られ、かつ実施例２に比較して製造歩留ま
りが向上した。
量を４０％に変更した以外は実施例１と同様に構成し
た。以上の実施例３の発光ダイオードは、実施例１と同
等の性能が得られ、かつ実施例２に比較して製造歩留ま
りが向上した。
【００６５】[実施例４]スラリーに対する蛍光体の含有
量を７０％に変更した以外は実施例１と同様に構成し
た。以上の実施例４の発光ダイオードは、実施例１と同
等の性能が得られ、かつ実施例１に比較して製造歩留ま
りが向上した。
量を７０％に変更した以外は実施例１と同様に構成し
た。以上の実施例４の発光ダイオードは、実施例１と同
等の性能が得られ、かつ実施例１に比較して製造歩留ま
りが向上した。
【００６６】[実施例５]実施例１において、以下の点が
異なる以外は実施例１と同様に構成される。 （１）実施例１において、紫外領域発光素子チップに代
えて、青色発光が可能な発光素子チップを用いる。 （２）蛍光体７１として、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａ
ｌ５Ｏ１２：Ｃｅを用いる。 以下、本実施例５の発光ダイオードについて詳細に説明
する。本実施例５では、発光素子チップとして、ＩｎＧ
ａＮからなる発光層を有し主発光ピークが４７０ｎｍの
ＬＥＤチップを用いる。このＬＥＤチップは、ＭＯＣＶ
Ｄ法を利用して形成する。具体的には、反応室内に洗浄
したサファイア基板を配置して、反応ガスとして、ＴＭ
Ｇ（トリメチル）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウ
ム）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ア
ンモニアガス及びキャリアガスとして水素ガス、さらに
は不純物ガスとしてシランガス及びシクロペンタジアマ
グネシウムを利用して成膜する。
異なる以外は実施例１と同様に構成される。 （１）実施例１において、紫外領域発光素子チップに代
えて、青色発光が可能な発光素子チップを用いる。 （２）蛍光体７１として、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａ
ｌ５Ｏ１２：Ｃｅを用いる。 以下、本実施例５の発光ダイオードについて詳細に説明
する。本実施例５では、発光素子チップとして、ＩｎＧ
ａＮからなる発光層を有し主発光ピークが４７０ｎｍの
ＬＥＤチップを用いる。このＬＥＤチップは、ＭＯＣＶ
Ｄ法を利用して形成する。具体的には、反応室内に洗浄
したサファイア基板を配置して、反応ガスとして、ＴＭ
Ｇ（トリメチル）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウ
ム）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ア
ンモニアガス及びキャリアガスとして水素ガス、さらに
は不純物ガスとしてシランガス及びシクロペンタジアマ
グネシウムを利用して成膜する。
【００６７】発光素子チップの層構成として、サファイ
ア基板上に低温バッファ層であるＡｌＧａＮ、結晶性を
向上させるノンドープＧａＮ（厚さ約１５０００Å）、
電極が形成されｎ型コンタクト層として働くＳｉドープ
のＧａＮ（厚さ約２１６５０Å）、結晶性を向上させる
ノンドープのＧａＮ（厚さ約３０００Å）、ｎ型クラッ
ド層としてノンドープのＧａＮ（厚さ約５０Å）、Ｓｉ
をドープしたＧａＮ（厚さ約３００Å）の超格子からな
る多層膜、その上に形成される発光層の結晶性を向上さ
せる、ノンドープのＧａＮ（厚さ約４０Å）と、ノンド
ープのＩｎＧａＮ（厚さ約２０Å）の超格子からなる多
層膜、多重量子井戸構造からなる発光層として、ノンド
ープのＧａＮ（厚さ約２５０Å）と、ＩｎＧａＮ（厚さ
約３０Å）の多層膜、ｐ型コンタクト層として働くＭｇ
がドープされたＩｎＧａＮ（厚さ約２５Å）とＭｇがド
ープされたＧａＡｌＮ（厚さ約４０Å）の超格子からな
る多層膜及びｐ型コンタクト層であるＭｇがドープされ
たＧａＮ（厚さ約１２００Å）を成膜する。
ア基板上に低温バッファ層であるＡｌＧａＮ、結晶性を
向上させるノンドープＧａＮ（厚さ約１５０００Å）、
電極が形成されｎ型コンタクト層として働くＳｉドープ
のＧａＮ（厚さ約２１６５０Å）、結晶性を向上させる
ノンドープのＧａＮ（厚さ約３０００Å）、ｎ型クラッ
ド層としてノンドープのＧａＮ（厚さ約５０Å）、Ｓｉ
をドープしたＧａＮ（厚さ約３００Å）の超格子からな
る多層膜、その上に形成される発光層の結晶性を向上さ
せる、ノンドープのＧａＮ（厚さ約４０Å）と、ノンド
ープのＩｎＧａＮ（厚さ約２０Å）の超格子からなる多
層膜、多重量子井戸構造からなる発光層として、ノンド
ープのＧａＮ（厚さ約２５０Å）と、ＩｎＧａＮ（厚さ
約３０Å）の多層膜、ｐ型コンタクト層として働くＭｇ
がドープされたＩｎＧａＮ（厚さ約２５Å）とＭｇがド
ープされたＧａＡｌＮ（厚さ約４０Å）の超格子からな
る多層膜及びｐ型コンタクト層であるＭｇがドープされ
たＧａＮ（厚さ約１２００Å）を成膜する。
【００６８】こうして成膜した窒化物半導体が成膜され
た半導体ウエハを部分的にエッチングして、ｐ型及びｎ
型コンタクト層を露出させる。スパッタリング法を利用
して、各コンタクト層上にｎ型及びｐ型の電極を形成さ
せた後に、個々の発光素子に分割して青色が発光可能な
発光素子チップを作製する。そして、このようにして作
製した発光素子チップと、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２） ３Ａ
ｌ５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体とを用いて、実施例１と同様に
して発光ダイオードを作製する。
た半導体ウエハを部分的にエッチングして、ｐ型及びｎ
型コンタクト層を露出させる。スパッタリング法を利用
して、各コンタクト層上にｎ型及びｐ型の電極を形成さ
せた後に、個々の発光素子に分割して青色が発光可能な
発光素子チップを作製する。そして、このようにして作
製した発光素子チップと、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２） ３Ａ
ｌ５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体とを用いて、実施例１と同様に
して発光ダイオードを作製する。
【００６９】以上のようにして、作製された発光ダイオ
ードは、混色により白色光が得られ、従来例とは異なり
蛍光体を含む層を無機物で構成しているので、従来例に
比較して耐環境特性が優れている。
ードは、混色により白色光が得られ、従来例とは異なり
蛍光体を含む層を無機物で構成しているので、従来例に
比較して耐環境特性が優れている。
【００７０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、紫外光を発光する発光ダイオードを用い、蛍光体
が発光する光のみにより発光色が白色の発光ダイオード
を構成できるので、発光色のバラツキの少ない白色発光
ダイオードを提供できる。また、本発明によれば青色光
を発光する発光ダイオードを用い、蛍光体との混色によ
る発光色が白色の発光ダイオードを構成すると、蛍光体
を含有する層の劣化を極めて小さくできるので、従来例
に比較して寿命の長い白色発光ダイオードを提供でき
る。
れば、紫外光を発光する発光ダイオードを用い、蛍光体
が発光する光のみにより発光色が白色の発光ダイオード
を構成できるので、発光色のバラツキの少ない白色発光
ダイオードを提供できる。また、本発明によれば青色光
を発光する発光ダイオードを用い、蛍光体との混色によ
る発光色が白色の発光ダイオードを構成すると、蛍光体
を含有する層の劣化を極めて小さくできるので、従来例
に比較して寿命の長い白色発光ダイオードを提供でき
る。
【図１】 本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発
光素子の平面図である。
光素子の平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線についての部分断面図（発
光素子１，２の部分）である。
光素子１，２の部分）である。
【図３】 図１のＡ−Ａ’線についての部分断面図（発
光素子３の部分）である。
光素子３の部分）である。
【図４】 本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発
光素子の平面図である。
光素子の平面図である。
【図５】 本発明に係る変形例の窒化物半導体発光素子
の平面図である。
の平面図である。
【図６】 実施の形態の窒化物半導体発光素子におい
て、スクライブ又はダイシングする部分のＳｉＯ２層を
除去した時の様子を示す図である。
て、スクライブ又はダイシングする部分のＳｉＯ２層を
除去した時の様子を示す図である。
【図７】 本発明に係る実施例の窒化物半導体発光素子
の断面図である。
の断面図である。
１，２，３…発光素子、 １０…活性層、 １１…サファイア基板、 １２…ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、 １３…ｐ型窒化ガリウム系半導体層、 １４，１４ａ…ｎ側オーミック電極、 １５…ｐ側オーミック電極、 １６，１６ａ…ｐパッド電極、 １７…絶縁保護膜、 ２１，５１，５２…接続電極、 ２４，２６…外部接続電極、 ３０…絶縁保護膜、 ６１，６２…スルーホール、 ４１…分離溝、 ７０…ＳｉＯ２層、 ７１…蛍光体。
Claims (7)
- 【請求項１】 透光性基板の一方の主面上に、ｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層と発光層とｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層とが形成されてなる窒化物半導体発光
素子において、 上記発光層が発光する光の一部を吸収してその吸収した
光の波長より長い波長の光を発光することができる蛍光
体を含むＳｉＯ２層が上記透光性基板の他方の主面上に
形成され、該ＳｉＯ２層を介して光を出力することを特
徴とする窒化物半導体発光素子。 - 【請求項２】 上記発光層は紫外領域の光を発光し、か
つ上記蛍光体は、 （１）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ, Ｒｅ'（但し、Ｒ
ｅはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎから選択される少な
くとも１種と、Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
から選択される少なくとも１種と、Ｒｅ'はＭｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｓｎから選択される少なくとも１種とを有す
る。） （２）Ｒｅ５（ＰＯ４）３Ｑ：Ｅｕ（但し、ＲｅはＳ
ｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから選択される少なくとも一種、
Ｑはハロゲン元素のＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選択される
少なくとも１種とを有する。）、 （３）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、 （４）ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ，Ｍｎ、 （５）（ＳｒＥｕ）Ｏ・Ａｌ２Ｏ３、 （６）３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍ
ｎ、 （７）Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、 （８）Ｍｇ６Ａｓ２Ｏ１１：Ｍｎ、 （９）Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ及び （１０）Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕからなる群から選択された
少なくとも１つの蛍光体を含む請求項１記載の窒化物半
導体発光素子。 - 【請求項３】 上記発光層は青色の光を発光し、かつ上
記蛍光体は、Ｃｅで付活されたイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体である請求項１記
載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項４】 上記透光性基板の一方の主面上に複数の
発光領域が形成され、その発光領域がそれぞれ、上記ｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層と上記発光層と上記ｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層を含んでなる請求項１
〜３のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素
子。 - 【請求項５】 上記複数の発光領域はそれぞれ長方形に
形成され、かつその短辺方向に並置された請求項４記載
の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項６】 上記複数の発光領域が直列に接続された
請求項４又は５記載の窒化物半導体発光素子。 - 【請求項７】 上記複数の発光領域が並列に接続された
請求項４又は５記載の窒化物半導体発光素子。
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002335010A true JP2002335010A (ja) | 2002-11-22 |
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Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004065324A1 (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-05 | Ube Industries, Ltd. | 光変換用セラミックス複合材料およびその用途 |
| JP2004253747A (ja) * | 2002-02-27 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| JP2005191514A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-07-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
| JP2005197476A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び車両用灯具 |
| US7075116B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-07-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP2007095807A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2008533716A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ |
| JP2008219057A (ja) * | 2002-10-30 | 2008-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法 |
| JP2009088482A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 交流駆動型の発光ダイオード |
| JP2011044738A (ja) * | 2010-11-16 | 2011-03-03 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2011513959A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
| US20120091478A1 (en) * | 2004-12-14 | 2012-04-19 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
| EP2639284A1 (en) * | 2012-03-13 | 2013-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Luminaire |
| US8608978B2 (en) | 2006-01-19 | 2013-12-17 | Ube Industries, Ltd. | Ceramic composite light-converting member and light-emitting device using the same |
| US8643034B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-02-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Monolithic, optoelectronic semiconductor body and method for the production thereof |
| JP2014157948A (ja) * | 2013-02-16 | 2014-08-28 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子及び発光装置 |
| KR20150110611A (ko) * | 2013-01-16 | 2015-10-02 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 사파이어를 하향-변환기로 사용하는 led |
| KR20160024522A (ko) * | 2014-08-26 | 2016-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
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-
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Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253747A (ja) * | 2002-02-27 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| JP2008219057A (ja) * | 2002-10-30 | 2008-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法 |
| US8900480B2 (en) | 2003-01-20 | 2014-12-02 | Ube Industries, Ltd. | Ceramic composite material for light conversion and use thereof |
| WO2004065324A1 (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-05 | Ube Industries, Ltd. | 光変換用セラミックス複合材料およびその用途 |
| US7075116B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-07-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP4590905B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-12-01 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光装置 |
| JP2005191514A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-07-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
| JP2005197476A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール及び車両用灯具 |
| US8183592B2 (en) * | 2004-12-14 | 2012-05-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
| US20120091478A1 (en) * | 2004-12-14 | 2012-04-19 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
| US8937326B2 (en) | 2005-03-11 | 2015-01-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8076680B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-12-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US8159000B2 (en) | 2005-03-11 | 2012-04-17 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| JP2008533716A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ |
| US8368190B2 (en) | 2005-03-11 | 2013-02-05 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US7750551B2 (en) | 2005-09-27 | 2010-07-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2007095807A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| US8608978B2 (en) | 2006-01-19 | 2013-12-17 | Ube Industries, Ltd. | Ceramic composite light-converting member and light-emitting device using the same |
| JP2009088482A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 交流駆動型の発光ダイオード |
| KR101577846B1 (ko) | 2008-02-29 | 2015-12-15 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 광전자 반도체 몸체 및 이의 제조 방법 |
| US8643034B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-02-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Monolithic, optoelectronic semiconductor body and method for the production thereof |
| US8823024B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor body and method for the production thereof |
| JP2014160854A (ja) * | 2008-02-29 | 2014-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
| JP2011513959A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
| JP2011044738A (ja) * | 2010-11-16 | 2011-03-03 | Nichia Corp | 発光装置 |
| EP2639284A1 (en) * | 2012-03-13 | 2013-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Luminaire |
| KR20150110611A (ko) * | 2013-01-16 | 2015-10-02 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 사파이어를 하향-변환기로 사용하는 led |
| JP2016508294A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-03-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 発光サファイアをダウンコンバータとして使用するｌｅｄ |
| US10181551B2 (en) | 2013-01-16 | 2019-01-15 | Lumileds Llc | LED using luminescent sapphire as down-converter |
| KR102145647B1 (ko) * | 2013-01-16 | 2020-08-19 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 발광 사파이어를 하향-변환기로 사용하는 led |
| JP2014157948A (ja) * | 2013-02-16 | 2014-08-28 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子及び発光装置 |
| KR20160024522A (ko) * | 2014-08-26 | 2016-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
| KR102209036B1 (ko) * | 2014-08-26 | 2021-01-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| US11367819B2 (en) | 2014-08-26 | 2022-06-21 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Light-emitting device array and light-emitting apparatus including light-emitting device array |
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