JP2011513959A - オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4A
Description
− 放射を発生させる半導体積層体(特に、放射を発生させるエピタキシャル積層体)の主領域(キャリア要素、特にキャリア基板に面している領域)に、反射層が堆積または形成されている。反射層は、半導体積層体において発生した電磁放射の少なくとも一部分を反射して半導体積層体に戻す。
− 薄膜発光ダイオードチップはキャリア要素を有し、このキャリア要素は、半導体積層体を上にエピタキシャル成長させた成長基板ではなく、後から半導体積層体に固定された個別のキャリア要素である。
− 半導体積層体の厚さは、20μm以下の範囲、特に10μm以下の範囲である。
− 半導体積層体が成長基板を備えていない。この場合、「成長基板を備えていない」とは、成長を目的として使用された(該当時)成長基板が、半導体積層体から除去されている、または少なくとも大幅に薄くされていることを意味する。具体的には、成長基板が、単独では、またはエピタキシャル積層体のみとの組合せでは自身を支持できない程度まで薄くされている。大幅に薄くした後に残る成長基板の残留部分は、特に、成長基板として機能するには適さない。
− 半導体積層体は、混合構造(intermixing structure)を有する少なくとも1つの領域を備えた少なくとも1つの半導体層を含んでおり、この混合構造によって、理想的には半導体積層体における光のほぼエルゴード分布につながり、すなわち、この混合構造は、実質的にエルゴード確率過程である散乱挙動を示す。
Claims (15)
- オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
− 実質的に平坦な半導体積層体であって、第1の主面および第2の主面と、電磁放射を発生させるのに適する活性層とを有する、前記半導体積層体と、
− 少なくとも前記半導体積層体の前記活性層を分断している溝であって、前記半導体積層体の前記活性層を少なくとも2つの電気的に絶縁されている部分活性層に分割する役割を果たしている、前記溝と、
− 前記第2の主面上に配置されており、前記部分活性層との接続を形成する役割を果たしている第1の接続層および第2の接続層であって、それぞれが前記少なくとも2つの部分活性層との接続を形成している第1の接続層および第2の接続層が、前記少なくとも2つの部分活性層が直列回路を形成するように、互いに導電的に結合されている、前記第1の接続層および前記第2の接続層と、
を備えており、
− 前記第1の主面が、電磁放射を放出するように構成されている、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。 - 前記少なくとも2つの部分活性層のうちの第1の部分活性層との接続を形成するための前記第1の接続層が、前記少なくとも2つの部分活性層のうちの第2の部分活性層との接続を形成するための前記第2の接続層に、導電接続されている、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の接続層および前記第2の接続層と、分離層とが、横方向に重なり合っている、請求項1または請求項2に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の接続層もしくは前記第2の接続層またはその両方が、前記少なくとも2つの部分活性層のうちの1つによって、前記第2の主面に向かう方向に放出される前記電磁放射の一部を、前記第1の主面の方向に反射する、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 半導体性または電気絶縁性のミラー層が、前記半導体積層体と、前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方との間の少なくとも一部分に配置されている、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体性または電気絶縁性のミラー層が複数の開口を有し、前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、前記開口の中を前記半導体積層体まで延在している、請求項5に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体性または電気絶縁性のミラー層が、前記半導体積層体の前記第2の主面の50%またはそれ以上を覆っている、請求項5または請求項6に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体積層体が、前記第2の主面に隣接する電流拡散層、特に導電性酸化物、を有する、請求項1から請求項7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記積層体の部分層との接続を形成するための第1の接続層および第2の接続層のそれぞれが、前記第2の主面から前記半導体ボディとの電気接続を形成するために適しているコンタクト領域を有する、請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の接続層および前記第2の接続層のそれぞれが、
前記半導体ボディの外側に配置されており、前記半導体ボディの前記面の上のコンタクトに接続されているリード、を形成している部分要素、
を備えている、
請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。 - オプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法であって、
− 成長基板上に半導体積層体をエピタキシャル成長させるステップであって、前記半導体積層体が、電磁放射を発生させるために適している活性層を有し、第1の主面から電磁放射を放出するように構成されている、前記ステップと、
− 少なくとも2つの部分活性層に分割する目的で、少なくとも前記半導体積層体の前記活性層に電気絶縁性の溝を形成するステップと、
− 前記活性層との接続を形成する目的で、前記第1の主面とは反対側である前記半導体積層体の面に、第1の電気接続層を堆積させるステップと、
− 前記第1の主面とは反対側である前記半導体積層体の前記面に、分離層を形成するステップと、
− 前記第1の主面とは反対側である前記半導体積層体の前記面に、第2の電気接続層を堆積させるステップと、
を含んでおり、
− 前記第1の電気接続層と、前記分離層と、前記第2の電気接続層とが、これらが少なくとも部分的に横方向に重なり合うように形成されており、
− 前記接続層が少なくとも2つの部分活性層との接続を形成して直列回路が形成されている、
方法。 - − 前記活性層に穿孔を形成するステップと、
− 前記穿孔の中に前記第2の電気接続層の部分要素を形成するステップであって、前記第2の電気接続層が、前記第1の電気接続層から前記分離層によって電気的に絶縁されている、前記ステップと、
をさらに含んでいる、請求項11に記載の方法。 - 前記第1の電気接続層が反射性として形成されている、請求項11または請求項12に記載の方法。
- 穿孔が前記分離層に形成されており、前記穿孔が、第1の部分活性層との接続を形成している前記第1の接続層を、第2の部分活性層との接続を形成している前記第2の接続層の1つに導電接続している、請求項11から請求項13のいずれかに記載の方法。
- − 前記第1の主面とは反対側の前記面に第1のコンタクトパネルを形成するステップであって、前記第1のコンタクトパネルが、前記第1の接続層との接続を形成することによって前記第1の部分活性層との電気接続を形成している、前記ステップと、
− 前記第1の主面とは反対側の前記面に第2のコンタクトパネルを形成するステップであって、前記第2のコンタクトパネルが、前記第2の接続層との接続を形成することによって前記第2の部分活性層との電気接続を形成している、前記ステップと、
をさらに含んでいる、請求項11から請求項14のいずれかに記載の方法。
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