JP2006073815A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板1上に発光層を形成するように積層された半導体積層部17が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部1が形成され、この複数個の発光部1が、配線膜3によりそれぞれ直並列に接続されている。この複数個の発光部1をそれぞれ電気的に分離する構造が、半導体積層部17に形成される分離溝17aおよびその分離溝17a内に埋め込まれる絶縁膜21により形成され、その分離溝17aは、分離溝17aを挟んだ半導体積層部17の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、その分離溝17a上に絶縁膜21を介して配線膜3が形成されている。
【選択図】 図1
Description
3 配線膜
4 電極パッド
5 ダミー領域
6 蛍光体膜
7 蓄光ガラス膜
8 ヒューズ素子
9 キャパシタ
10 インダクタ
11 基板
13 高温バッファ層
14 n形層
15 活性層
16 p形層
17 半導体積層部
17a 分離溝
18 透光性導電層
19 p側電極(上部電極)
20 n側電極(下部電極)
21 絶縁膜
Claims (11)
- 基板と、該基板上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部が形成され、該半導体積層部が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の導電形層への電気的接続部が設けられる複数個の発光部と、前記複数個の発光部を、それぞれ直列および/または並列に接続するために前記電気的接続部に接続される配線膜とを有し、前記複数個の発光部を形成するための電気的分離が、前記半導体積層部に形成される分離溝および該分離溝内に埋め込まれる絶縁膜により形成され、該分離溝は、該分離溝を挟んだ半導体積層部の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、該分離溝上に前記絶縁膜を介して前記配線膜が形成されてなる半導体発光装置。
- 前記分離溝と該分離溝の一方の発光部との間に発光部に寄与しない半導体積層部からなるダミー領域が形成されてなる請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記各発光部の前記一対の導電形層への電気的接続部が、前記半導体積層部の上層側の第1導電形半導体層に電気的に接続して設けられる上部電極と、前記半導体積層部の一部をエッチング除去して露出する下層の第2導電形半導体層に電気的に接続して設けられる下部電極とからなり、前記分離溝を挟んだ前記半導体積層部の表面が、共に前記上層側の半導体層になるように形成されてなる請求項1または2記載の半導体発光装置。
- 前記各発光部の前記一対の導電形層への電気的接続部が、前記半導体積層部の上層側の第1導電形半導体層に電気的に接続して設けられる上部電極と、前記半導体積層部の一部をエッチング除去して露出する下層の第2導電形半導体層に電気的に接続して設けられる下部電極とからなり、前記分離溝を挟んだ前記半導体積層部の表面が、共に前記下部電極が設けられる下層半導体層になるように形成され、前記下部電極が設けられる第1の発光部と、前記分離溝を介して該下部電極と前記配線膜により接続される上部電極が設けられる第2の発光部との間にダミー領域が設けられ、該ダミー領域に前記下層半導体層から前記上層半導体層に至る傾斜面が形成され、該傾斜面上を経て前記下部電極と上部電極とを接続する前記配線膜が形成されてなる請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記ダミー領域の前記分離溝と反対側で、前記半導体積層部の表面が実質的に同一面となる部分に第2の分離溝が形成され、該第2の分離溝内に絶縁膜が充填されてなる請求項2または4記載の半導体発光装置。
- 前記複数の発光部の光発射面側に残光時間が10ミリ秒から1秒以内の蛍光材料が設けられてなる請求項1ないし5のいずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記複数の発光部の光発射面側に残光時間が1秒以上の蓄光材料が設けられてなる請求項1ないし6のいずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記直列に接続される発光部の群れごとに、ヒューズ素子が直列に接続されてなる請求項1ないし7のいずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記直列および/または並列に接続された複数の発光部の外部電源と接続される電極パッド間にサージを吸収するキャパシタが並列に接続されてなる請求項1ないし8のいずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記直列および/または並列に接続された複数の発光部の外部電源と接続される電極パッド間にサージを吸収するインダクタが直列に接続されてなる請求項1ないし9のいずれか1項記載の半導体発光装置。
- 前記配線膜のうち、少なくとも前記上部電極と接続される導電形の半導体層の表面上に形成される部分は、透光性導電膜により形成されてなる請求項1ないし10のいずれか1項記載の半導体発光装置。
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