JP2014158020A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】光抽出効率を向上させ、歩留まりを向上させる発光素子、発光素子パッケージ、及びライトユニットを提供する。
【解決手段】第１導電型第１半導体層１１、第１活性層１２、第２導電型第２半導体層１３を含む第１発光構造物１０と、第１導電型第３半導体層２１、第２活性層２２、第２導電型第４半導体層２３を含む第２発光構造物２０と、第１半導体層１１に連結された第１電極８１と、第２半導体層１３に連結された第２電極８２と、第３半導体層２１に連結された第３電極８３と、第４半導体層２３に連結された第４電極８４と、第１発光構造物１０を貫通して第１電極８１に連結され、第２領域は第１半導体層１１上部面に第１コンタクト部９１と、第２電極８２と第３電極８３に連結された第２コンタクト部９２と、第２発光構造物２０を貫通して第３電極８３に連結され、第３半導体層２１上部面に第３コンタクト部９３とを含む。
【選択図】図１
【解決手段】第１導電型第１半導体層１１、第１活性層１２、第２導電型第２半導体層１３を含む第１発光構造物１０と、第１導電型第３半導体層２１、第２活性層２２、第２導電型第４半導体層２３を含む第２発光構造物２０と、第１半導体層１１に連結された第１電極８１と、第２半導体層１３に連結された第２電極８２と、第３半導体層２１に連結された第３電極８３と、第４半導体層２３に連結された第４電極８４と、第１発光構造物１０を貫通して第１電極８１に連結され、第２領域は第１半導体層１１上部面に第１コンタクト部９１と、第２電極８２と第３電極８３に連結された第２コンタクト部９２と、第２発光構造物２０を貫通して第３電極８３に連結され、第３半導体層２１上部面に第３コンタクト部９３とを含む。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光素子、発光素子パッケージ、及びライトユニットに関するものである。
発光素子の１つとして発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が多く使われている。発光ダイオードは、化合物半導体の特性を用いて電気信号を赤外線、可視光線、紫外線などの光の形態に変換する。
発光素子の光効率が増加するにつれて、表示装置、照明機器をはじめとする多様な分野に発光素子が適用されている。
本発明の実施形態によって、光抽出効率を向上させ、歩留まりを向上させることができる発光素子、発光素子パッケージ、及びライトユニットを提供する。
本発明の実施形態に従う発光素子は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の下に第１活性層、前記第１活性層の下に第２導電型の第２半導体層を含む第１発光構造物、第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下に第２活性層、前記第２活性層の下に第２導電型の第４半導体層を含む第２発光構造物、前記第１発光構造物の下に配置され、前記第１半導体層に電気的に連結された第１電極、前記第１発光構造物の下に配置され、前記第２半導体層に電気的に連結された第２電極、前記第２発光構造物の下に配置され、前記第３半導体層に電気的に連結された第３電極、前記第２発光構造物の下に配置され、前記第４半導体層に電気的に連結された第４電極、前記第１発光構造物を貫通して配置され、第１領域は前記第１電極に電気的に連結され、第２領域は前記第１半導体層の上部面に接触した第１コンタクト部、前記第２電極と前記第３電極に電気的に連結された第２コンタクト部、前記第２発光構造物を貫通して配置され、第１領域は前記第３電極に電気的に連結され、第２領域は前記第３半導体層の上部面に接触した第３コンタクト部を含む。
本発明の実施形態に従う発光素子、発光素子パッケージ、及びライトユニットは、光抽出効率を向上させ、歩留まりを向上させることができる長所がある。
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上／の上（on）”に、または“下／の下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上／の上（on）”と“下／の下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上／の上または下／の下に対する基準は、図面を基準として説明する。
以下、添付した図面を参照して実施形態に従う発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニット、及び発光素子製造方法について詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態に従う発光素子を示す図であり、図２は図１に図示された発光素子の第１コンタクト部及び第３コンタクト部の配置例を示す図である。
本発明に従う発光素子は、図１及び図２に示すように、第１発光構造物１０、第２発光構造物２０、第１電極８１、第２電極８２、第３電極８３、第４電極８４、第１コンタクト部９１、第２コンタクト部９２、及び第３コンタクト部９３を含むことができる。
前記第１発光構造物１０は、第１導電型の第１半導体層１１、第１活性層１２、及び第２導電型の第２半導体層１３を含むことができる。前記第１活性層１２は、前記第１半導体層１１と前記第２半導体層１３との間に配置できる。前記第１活性層１２は前記第１半導体層１１の下に配置されることができ、前記第２半導体層１３は前記第１活性層１２の下に配置できる。
例として、前記第１半導体層１１が第１導電型ドーパントとしてｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層で形成され、前記第２半導体層１３が第２導電型ドーパントとしてｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層で形成できる。また、前記第１半導体層１１がｐ型半導体層で形成され、前記第２半導体層１３がｎ型半導体層で形成することができる。
前記第１半導体層１１は、例えばｎ型半導体層を含むことができる。前記第１半導体層１１は、化合物半導体で具現できる。前記第１半導体層１１は、例としてII族−VI族化合物半導体、またはIII族−V族化合物半導体で具現できる。
例えば、前記第１半導体層１１は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記第１半導体層１１は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
前記第１活性層１２は、前記第１半導体層１１を通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２半導体層１３を通じて注入される正孔（または、電子）とが互いに合って、前記第１活性層１２の形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差によって光を放出する層である。前記第１活性層１２は、単一井戸構造、多重井戸構造、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか１つで形成できるが、これに限定されるものではない。
前記第１活性層１２は、化合物半導体で具現できる。前記第１活性層１２は、例としてII族−VI族、またはIII族−V族化合物半導体で具現できる。前記第１活性層１２は、例としてＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記第１活性層１２が前記多重井戸構造で具現された場合、前記第１活性層１２は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて具現されることができ、例えばＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期で具現できる。
前記第２半導体層１３は、例えばｐ型半導体層で具現できる。前記第２半導体層１３は、化合物半導体で具現できる。前記第２半導体層１３は、例としてII族−VI族化合物半導体、またはIII族−V族化合物半導体で具現できる。
例えば、前記第２半導体層１３は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記第２半導体層１３は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
一方、前記第１半導体層１１がｐ型半導体層を含み、前記第２半導体層１３がｎ型半導体層を含むこともできる。また、前記第２半導体層１３の下にはｎ型またはｐ型半導体層を含む半導体層がさらに形成されることもできる。これによって、前記第１発光構造物１０は、ｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち、少なくともいずれか１つを有することができる。また、前記第１半導体層１１及び前記第２半導体層１３の内の不純物のドーピング濃度は均一または不均一に形成できる。即ち、前記第１発光構造物１０の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
また、前記第１半導体層１１と前記第１活性層１２との間には第１導電型ＩｎＧａＮ／ＧａＮスーパーラティス構造またはＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮスーパーラティス構造が形成されることもできる。また、前記第２半導体層１３と前記第１活性層１２との間には第２導電型のＡｌＧａＮ層が形成されることもできる。
前記第２発光構造物２０は、第１導電型の第３半導体層２１、第２活性層２２、及び第２導電型の第４半導体層２３を含むことができる。前記第２活性層２２は、前記第３半導体層２１と前記第４半導体層２３との間に配置できる。前記第２活性層２２は前記第３半導体層２１の下に配置されることができ、前記第４半導体層２３は前記第２活性層２２の下に配置できる。
例として、前記第３半導体層２１が第１導電型ドーパントとしてｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層で形成され、前記第４半導体層２３が第２導電型ドーパントとしてｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層で形成できる。また、前記第３半導体層２１がｐ型半導体層で形成され、前記第４半導体層２３がｎ型半導体層で形成されることもできる。
前記第２発光構造物２０は、前記第１発光構造物１０について説明された物質及び構造と類似するように形成されることができ、詳細な説明は省略する。
実施形態に従う発光素子は、第１反射層１７を含むことができる。前記第１反射層１７は、前記第２半導体層１３に電気的に連結できる。前記第１反射層１７は、前記第１発光構造物１０の下に配置できる。前記第１反射層１７は、前記第２半導体層１３の下に配置できる。前記第１反射層１７は、前記第１発光構造物１０から入射される光を反射させて外部に抽出される光量を増加させる機能を遂行することができる。
実施形態による発光素子は、前記第１反射層１７と前記第２半導体層１３との間に配置された第１オーミック接触層１５を含むことができる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第２半導体層１３に接触して配置できる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第１発光構造物１０とオーミック接触するように形成できる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第１発光構造物１０とオーミック接触する領域を含むことができる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第２半導体層１３とオーミック接触する領域を含むことができる。
前記第１オーミック接触層１５は、例えば透明伝導性酸化膜で形成できる。前記第１オーミック接触層１５は、例としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＡＧＺＯ（Aluminum Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium Aluminum Zinc Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium Gallium Zinc Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium Gallium Tin Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯＮ（IZO Nitride）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうちから選択された少なくとも１つの物質で形成できる。
前記第１反射層１７は高反射率を有する物質で形成できる。例えば、前記第１反射層１７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち、少なくとも１つを含む金属または合金で形成できる。また、前記第１反射層１７は、前記金属または合金とＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium-Zinc-Tin-Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium-Aluminum-Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium-Gallium-Tin-Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-Zinc-Oxide）、ＡＴＯ（Antimony-Tin-Oxide）などの透光性伝導性物質を用いて多層に形成できる。例えば、実施形態において前記第１反射層１７は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、またはＡｇ−Ｃｕ合金のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
例えば、前記第１反射層１７はＡｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ層、Ｐｔ層を含むことができる。また、前記第１オーミック接触層１５は前記第１反射層１７の下に形成され、少なくとも一部が前記第１反射層１７を通過して前記第１発光構造物１０とオーミック接触されることもできる。
実施形態に従う発光素子は、第２反射層２７を含むことができる。前記第２反射層２７は、前記第４半導体層２３に電気的に連結できる。前記第２反射層２７は、前記第２発光構造物２０の下に配置できる。前記第２反射層２７は、前記第４半導体層２３の下に配置できる。前記第２反射層２７は、前記第２発光構造物２０から入射される光を反射させて外部に抽出される光量を増加させる機能を遂行することができる。
実施形態による発光素子は、前記第２反射層２７と前記第４半導体層２３との間に配置された第２オーミック接触層２５を含むことができる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第４半導体層２３に接触して配置できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２発光構造物２０とオーミック接触するように形成できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２発光構造物２０とオーミック接触する領域を含むことができる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第４半導体層２３とオーミック接触する領域を含むことができる。
例として、前記第２オーミック接触層２５は、前記第１オーミック接触層１５と類似の物質であって、類似の構造で形成できる。また、前記第２反射層２７は、例えば前記第１反射層１７と類似の物質及び類似の構造で形成できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１反射層１７の下に配置された第１金属層３５を含むことができる。前記第１金属層３５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２反射層２７の下に配置された第２金属層４５を含むことができる。前記第２金属層４５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
前記第１金属層３５と前記第２金属層４５とは同一な物質で形成できる。また、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５とは互いに異なる物質で形成されることもできる。
実施形態によれば、前記第２電極８２は、前記第１反射層１７、前記第１オーミック接触層１５、前記第１金属層３５のうち、少なくとも１つを含むことができる。例として、前記第２電極８２は、前記第１反射層１７、前記第１金属層３５、前記第１オーミック接触層１５を全て含むこともでき、選択された１つの層または選択された２つの層を含むこともできる。
実施形態に従う前記第２電極８２は、前記第１発光構造物１０の下に配置できる。前記第２電極８２は、前記第２半導体層１３に電気的に連結できる。
実施形態によれば、前記第４電極８４は、前記第２反射層２７、前記第２オーミック接触層２５、前記第２金属層４５のうち、少なくとも１つを含むことができる。例として、前記第４電極８４は、前記第２反射層２７、前記第２金属層４５、前記第２オーミック接触層２５を全て含むこともでき、選択された１つの層または選択された２つの層を含むこともできる。
実施形態に従う前記第４電極８４は、前記第２発光構造物２０の下に配置できる。前記第４電極８４は、前記第４半導体層２３に電気的に連結できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の下部周りに配置されたチャンネル層３０を含むことができる。前記チャンネル層３０は、前記第２発光構造物２０の下部周りに配置できる。前記チャンネル層３０の第１領域は、前記第２半導体層１３の下に配置できる。
前記チャンネル層３０の第１領域は、前記第２半導体層１３の下部面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の第２領域は、前記第４半導体層２３の下に配置できる。前記チャンネル層３０の第２領域は、前記第４半導体層２３の下部面に接触して配置できる。
前記チャンネル層３０の第１領域は、前記第２半導体層１３と前記第１反射層１７との間に配置できる。前記チャンネル層３０の第２領域は、前記第４半導体層２３と前記第２反射層２７との間に配置できる。前記チャンネル層３０の第１領域は、前記第２半導体層１３と前記第１オーミック接触層１５との間に配置できる。前記チャンネル層３０の第２領域は、前記第４半導体層２３と前記第２オーミック接触層２５との間に配置できる。
前記チャンネル層３０は、前記第１発光構造物１０の下部周りに露出して配置できる。前記チャンネル層３０は、前記第１発光構造物１０の側壁から外郭方向に延びて配置できる。前記チャンネル層３０の側面は、前記第２電極８２の側面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の側面は、前記第１オーミック接触層１５の側面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の一部領域は、前記第２電極８２の上部面の上に配置できる。前記チャンネル層３０の一部領域は、前記第１金属層３５の上部面に接触して配置できる。
前記チャンネル層３０は、前記第２発光構造物２０の下部周りに露出して配置できる。前記チャンネル層３０は、前記第２発光構造物２０の側壁から外郭方向に延びて配置できる。前記チャンネル層３０の側面は、前記第４電極８４の側面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の側面は、前記第２オーミック接触層２５の側面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の一部領域は、前記第４電極８４の上部面の上に配置できる。前記チャンネル層３０の一部領域は、前記第２金属層４５の上部面に接触して配置できる。
前記チャンネル層３０の第３領域は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物３０との間に配置できる。前記チャンネル層３０の第３領域は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に露出して配置できる。
前記チャンネル層３０は、アイソレーション層と称されることもできる。前記チャンネル層３０は、今後、前記第１発光構造物１０及び前記第２発光構造物２０に対するアイソレーション工程時、エッチングストッパーの機能を遂行することができ、またアイソレーション工程による発光素子の電気的な特性の低下を防止することができる。
前記チャンネル層３０は、絶縁物質で具現できる。例えば、前記チャンネル層３０は酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記チャンネル層３０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１コンタクト部９１を含むことができる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０を貫通して配置できる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１、前記第１活性層１２、前記第２半導体層１３を貫通して配置できる。
例として、実施形態に従う前記第１発光構造物１０には、図２に示すように、複数の第１コンタクト部９１が形成できる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０の前記第１貫通ホール５５に沿って配置できる。前記第１コンタクト部９１の第１領域は前記第１電極８１に電気的に連結され、前記第１コンタクト部９１の第２領域は前記第１半導体層１１の上部面に接触できる。例えば、前記第１コンタクト部９１の第１領域は、第３金属層５０に接触できる。前記第１コンタクト部９１の第１領域は、前記第３金属層５０の上部面に接触できる。例えば、前記第１発光構造物１０がＧａＮ基盤の半導体層に成長される場合、前記第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１のｎ面（n face）に接触できる。
図１に図示された発光素子には前記第１コンタクト部９１が１つのみ図示されたが、図２に示すように、実施形態に従う前記第１発光構造物１０には複数の第１コンタクト部９１が形成されることができ、各第１貫通ホール５５に各々の第１コンタクト部９１が形成できる。
前記複数の第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１の上部面に互いに離隔して配置できる。前記複数の第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０に分散配置されることによって、前記第１半導体層１１に印加される電流を拡散させることができる。これによって、前記第１半導体層１１の劣化を防止し、前記第１活性層１２で電子と正孔との結合効率を向上させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第１コンタクト部９１は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１コンタクト部９１は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第３コンタクト部９３を含むことができる。前記第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０を貫通して配置できる。前記第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１、前記第２活性層２２、前記第４半導体層２３を貫通して配置できる。
例として、実施形態に従う前記第２発光構造物１０には、図２に示すように、複数の第３コンタクト部９３が形成できる。前記第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０の前記第２貫通ホール６５に沿って配置できる。前記第３コンタクト部９３の第１領域は前記第３電極８３に電気的に連結され、前記第３コンタクト部９３の第２領域は前記第３半導体層２１の上部面に接触できる。例えば、前記第３コンタクト部９３の第１領域は、第３電極８３に接触できる。前記第３コンタクト部９３の第１領域は、前記第３電極８３の上部面に接触できる。例えば、前記第２発光構造物２０がＧａＮ基盤の半導体層に成長される場合、前記第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１のｎ面（n face）に接触できる。
図１に図示された発光素子には前記第３コンタクト部９３が１つのみ図示されたが、図２に示すように、実施形態に従う前記第２発光構造物２０には、複数の第３コンタクト部９３が形成されることができ、各第２貫通ホール６５に各々の第３コンタクト部９３が形成できる。
前記複数の第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１の上部面に互いに離隔して配置できる。前記複数の第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０に分散配置されることによって、前記第３半導体層２１に印加される電流を拡散させることができる。これによって、前記第３半導体層２１の劣化を防止し、前記第２活性層２２で電子と正孔との結合効率を向上させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第３コンタクト部９３は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３コンタクト部９３は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２コンタクト部９２を含むことができる。前記第２コンタクト部９２は、前記第２電極８２と前記第３電極８３に電気的に連結できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に露出して配置できる。
前記第２コンタクト部９２の一端は前記第２電極８２の上部面に接触されることができ、前記第２コンタクト部９２の他端は前記第３電極８３の上部面に接触できる。前記第２コンタクト部９２は、前記チャンネル層３０の第３領域の上に露出して配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０の側面から離隔して配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第２発光構造物２０の側面から離隔して配置できる。
実施形態によれば、前記第２コンタクト部９２は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第２コンタクト部９２は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
一方、実施形態によれば、前記第２コンタクト部９２と前記第４コンタクト部９４も複数形成できる。
実施形態に従う発光素子は、第３絶縁層３３を含むことができる。前記第３絶縁層３３は、例えば酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記第３絶縁層３３は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
前記第３絶縁層３３は、前記第１発光構造物１０の内部に配置できる。前記第３絶縁層３３は、前記第１コンタクト部９１の周りに配置できる。前記第３絶縁層３３は、前記第１コンタクト部９１の側面を覆いかぶせるように配置できる。前記第３絶縁層３３は、前記第１半導体層１１、前記第１活性層１２、前記第２半導体層１３を貫通して配置できる。前記第３絶縁層３３の一部領域は、前記第２半導体層１３に下に延びて配置できる。
前記第１コンタクト部９１の周りに第１絶縁層３１が配置できる。前記第１絶縁層３１は、前記第１コンタクト部９１の側面周りに配置できる。前記第１絶縁層３１は、前記第３絶縁層３３の周りに配置できる。前記第１絶縁層３１は、前記第２絶縁層３３の側面を覆いかぶせるように配置できる。前記第１絶縁層３１は、前記第１発光構造物１０の下に配置できる。前記第１絶縁層３１は、前記第２半導体層１３の下に配置できる。前記第１絶縁層３１は、前記第２半導体層１３の下部面に接触して配置できる。
例えば、前記第１絶縁層３１は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。前記第１絶縁層３１は、前記第３絶縁層３３と同一な物質で形成できる。また、前記第１絶縁層３１は前記第３絶縁層３３と互いに異なる物質で形成されることもできる。
実施形態に従う発光素子は、第４絶縁層４３を含むことができる。前記第４絶縁層４３は、例えば酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記第４絶縁層４３は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
前記第４絶縁層４３は、前記第２発光構造物２０の内部に配置できる。前記第４絶縁層４３は、前記第３コンタクト部９３の周りに配置できる。前記第４絶縁層４３は、前記第３コンタクト部９３の側面を覆いかぶせるように配置できる。前記第４絶縁層４３は、前記第３半導体層２１、前記第２活性層２２、前記第４半導体層２３を貫通して配置できる。前記第４絶縁層４３の一部領域は、前記第４半導体層２３の下に延びて配置できる。
前記第３コンタクト部９３の周りに第２絶縁層４１が配置できる。前記第２絶縁層４１は、前記第３コンタクト部９３の側面周りに配置できる。前記第２絶縁層４１は、前記第４絶縁層４３の周りに配置できる。前記第２絶縁層４１は、前記第４絶縁層４３の側面を覆いかぶせるように配置できる。前記第２絶縁層４１は、前記第２発光構造物２０の下に配置できる。前記第２絶縁層４１は、前記第４半導体層２３の下に配置できる。前記第２絶縁層４１は、前記第４半導体層２３の下部面に接触して配置できる。
例えば、前記第２絶縁層４１は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。前記第２絶縁層４１は、前記第４絶縁層４３と同一な物質で形成できる。また、前記第２絶縁層４１は前記第４絶縁層４３と互いに異なる物質で形成されることもできる。
前記第１金属層３５と前記第１コンタクト部９１との間に第５絶縁層４０が配置できる。前記第５絶縁層４０は、酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記第５絶縁層４０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。前記第５絶縁層４０は、前記第１金属層３５の下に配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第３絶縁層３３の下に配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記チャンネル層３０の下に配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第１絶縁層３１の下に配置できる。
前記第５絶縁層４０は、前記第２金属層４５と前記第３コンタクト部９３との間に配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第２金属層４５の下に配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第４絶縁層４３の下に配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第２絶縁層４１の下に配置できる。
前記第５絶縁層４０は、前記第１コンタクト部９１の周りに配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第２コンタクト部９２の周りに配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第３コンタクト部９３の周りに配置できる。前記第５絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５との間に配置できる。
前記第１コンタクト部９１の下に前記第３金属層５０が配置できる。前記第３金属層５０は、前記第１コンタクト部９１に電気的に連結できる。前記第３金属層５０の上部面は、前記第１コンタクト部９１の下部面に接触できる。前記第３金属層５０は、前記第５絶縁層４０の下に配置できる。
前記第３金属層５０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第３金属層５０は、拡散障壁層の機能を遂行することもできる。前記第３金属層５０の下にボンディング層６０、伝導性支持部材７０が配置できる。
前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０が提供される工程で前記ボンディング層６０に含まれた物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７方向への拡散を防止する機能を遂行することができる。前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０に含まれたすず（Ｓｎ）などの物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７に影響を及ぼすことを防止することができる。
前記ボンディング層６０は、バリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、またはＴａのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記伝導性支持部材７０は、実施形態に従う前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０を支持し、放熱機能を遂行することができる。前記ボンディング層６０は、シード層で具現できる。
前記伝導性支持部材７０は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ、または不純物が注入された半導体基板（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）のうち、少なくともいずれか１つで形成できる。
実施形態によれば、前記第１電極８１は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第１電極８１は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０全てを含むこともできる。また、前記第１電極８１は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０のうち、１つまたは２つを選択的に含むこともできる。
前記第１電極８１は、前記第１発光構造物１０の下に配置できる。前記第１電極８１は、前記第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第１電極８１の下部面は前記第２電極８２の下部面に比べてより低く配置できる。前記第１電極８１の上部面は前記第２電極８２の下部面に比べてより低く配置できる。前記第１コンタクト部９１の下部面は前記第２電極８２の下部面に比べてより低く配置できる。前記第１コンタクト部９１の下部面と前記第１電極８１の上部面とは同一平面に配置できる。
前記第３コンタクト部９３の下に前記第３電極８３が配置できる。前記第３電極８３は、前記第５絶縁層４０の下に配置できる。前記第３電極８３は、前記第５絶縁層４０と前記第３金属層５０との間に配置できる。前記第３電極８３は、前記第２コンタクト部９２に連結できる。前記第３電極８３は、前記第２発光構造物２０の下に配置できる。前記第３電極８３は、前記第３半導体層２１に電気的に連結できる。前記第３電極８３は、前記第３コンタクト部９３を通じて前記第３半導体層２１に電気的に連結できる。前記第１電極８１の上部面と前記第３電極８３の上部面とは同一平面に配置できる。
例として、前記第３電極８３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
また、実施形態に従う発光素子は、前記第３電極８３と前記第１電極８１との間に配置された第６絶縁層４８を含むことができる。例として、前記第６絶縁層４８は酸化物または窒化物で形成できる。
また、実施形態に従う発光素子は、第４コンタクト部９４を含むことができる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２発光構造物２０と離隔して配置できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第４電極８４に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第４電極８４に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２金属層４５の上部面に接触できる。前記第４コンタクト部９４は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第４コンタクト部９４は、前記第３コンタクト部９３と同一な物質で形成されることもできる。また、前記第４コンタクト部９４と前記第３コンタクト部９３とは互いに異なる物質で具現されることもできる。
前記第１半導体層１１の上部面にラフネス（roughness）が形成できる。前記第３半導体層２１の上部面にラフネス（roughness）が形成できる。これによって、前記ラフネスが形成された領域で上方に抽出される光の光量を増加させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第１電極８１及び前記第４電極８４を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。例として、実施形態に従う発光素子は、前記第１電極８１の伝導性支持部材７０と前記第４コンタクト部９４に電源を印加することによって、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第４コンタクト部９４は前記第４電極８４に電気的に連結できる。これによって、前記第４コンタクト部９４をワイヤーボンディングなどを通じて電源パッドに連結させることによって、前記第４半導体層２３に電源が提供できるようになる。
このように、実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第４コンタクト部９４を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば、電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。また、複数の発光構造物を配置することによって、高電圧発光素子を具現することができるようになる。
一方、実施形態では前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０が形成された場合に基づいて説明したが、発光構造物の個数は２つに限定されず、３個またはその以上の個数に配置されることもできる。この際、各発光構造物は直列または並列に相互電気的に連結できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の上部面方向から前記第１貫通ホール５５を形成することができる。また、前記第２発光構造物２０の上部面方向から前記第２貫通ホール６５を形成することができる。これによって、製造工程をより単純化させることができ、歩留まりを向上させることができる。また、実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面に配置された電極面積を縮めることができるようになり、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面または側面に保護層が配置されないことがある。これによって、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０から外部に抽出される光抽出効率を向上させることができるようになる。
すると、図３から図６を参照して実施形態に従う発光素子製造方法を説明する。
実施形態に従う発光素子製造方法によれば、図３に示すように、基板５の上に第１導電型半導体層１１ａ、活性層１２ａ、第２導電型半導体層１３ａを形成することができる。前記第１導電型半導体層１１ａ、前記活性層１２ａ、前記第２導電型半導体層１３ａは、発光構造物１０ａと定義できる。
前記基板５は、例えば、サファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅのうち、少なくとも１つで形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記第１導電型半導体層１１ａと前記基板５との間にはバッファ層がさらに形成できる。
例として、前記第１導電型半導体層１１ａが第１導電型ドーパントとしてｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層で形成され、前記第２導電型半導体層１３ａが第２導電型ドーパントとしてｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層で形成できる。また、前記第１導電型半導体層１１ａがｐ型半導体層で形成され、前記第２導電型半導体層１３ａがｎ型半導体層で形成されることもできる。
前記第１導電型半導体層１１ａは、例えばｎ型半導体層を含むことができる。前記第１導電型半導体層１１ａは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記第１導電型半導体層１１ａは、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
前記活性層１２ａは、前記第１導電型半導体層１１ａを通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２導電型半導体層１３ａを通じて注入される正孔（または、電子）とが互いに合って、前記活性層１２ａの形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差によって光を放出する層である。前記活性層１２ａは、単一井戸構造、多重井戸構造、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか１つで形成できるが、これに限定されるものではない。
前記活性層１２ａは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記活性層１２ａが前記多重井戸構造で形成された場合、前記活性層１２ａは複数の井戸層と複数の障壁層が積層して形成されることができ、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期で形成できる。
前記第２導電型半導体層１３ａは、例えばｐ型半導体層で具現できる。前記第２導電型半導体層１３ａは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記第２導電型半導体層１３ａは、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
一方、前記第１導電型半導体層１１ａがｐ型半導体層を含み、前記第２導電型半導体層１３ａがｎ型半導体層を含むこともできる。また、前記第２導電型半導体層１３ａの上にはｎ型またはｐ型半導体層を含む半導体層がさらに形成されることができ、これによって、前記発光構造物１０ａはｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち、少なくともいずれか１つを有することができる。また、前記第１導電型半導体層１１ａ及び前記第２導電型半導体層１３ａの内の不純物のドーピング濃度は均一または不均一に形成できる。即ち、前記発光構造物１０ａの構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
また、前記第１導電型半導体層１１ａと前記活性層１２ａとの間には第１導電型ＩｎＧａＮ／ＧａＮスーパーラティス構造またはＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮスーパーラティス構造が形成されることもできる。また、前記第２導電型半導体層１３ａと前記活性層１２ａとの間には第２導電型のＡｌＧａＮ層が形成されることもできる。
次に、図４に示すように、前記発光構造物１０の上にチャンネル層３０、第１絶縁層３１、第２絶縁層４１が形成できる。前記チャンネル層３０、前記第１絶縁層３１、前記第２絶縁層４１は同一な物質で形成されることもでき、また互いに異なる物質で形成されることもできる。例えば、前記チャンネル層３０、前記第１絶縁層３１、前記第２絶縁層４１は、酸化物または窒化物で形成できる。前記チャンネル層３０、前記第１絶縁層３１、前記第２絶縁層４１は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
次に、図４に示すように、前記発光構造物１０ａに第１オーミック接触層１５、第２オーミック接触層２５、第１反射層１７、及び第２反射層２７が形成できる。
前記第１反射層１７と前記第２導電型半導体層１３ａとの間に前記第１オーミック接触層１５が配置できる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第２導電型半導体層１３ａに接触して配置できる。前記第２反射層２７と前記第２導電型半導体層１３ａとの間に前記第２オーミック接触層２５が配置できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２導電型半導体層１３ａに接触して配置できる。
前記第１オーミック接触層１５は、前記発光構造物１０ａとオーミック接触するように形成できる。前記第１反射層１７は、前記第２導電型半導体層１３ａに電気的に連結できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記発光構造物１０ａとオーミック接触する領域を含むことができる。前記第２オーミック接触層２５は、前記発光構造物１０ａとオーミック接触するように形成できる。前記第２反射層２７は、前記第２導電型半導体層１３ａに電気的に連結できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記発光構造物１０ａとオーミック接触する領域を含むことができる。
前記第１オーミック接触層１５と前記第２オーミック接触層２５は、例えば透明伝導性酸化膜で形成できる。前記第１オーミック接触層１５と前記第２オーミック接触層２５は、例として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＡＧＺＯ（Aluminum Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium Aluminum Zinc Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium Gallium Zinc Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium Gallium Tin Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯＮ（IZO Nitride）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうちから選択された少なくとも１つの物質で形成できる。
前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、高反射率を有する物質で形成できる。例えば、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち、少なくとも１つを含む金属または合金で形成できる。
また、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、前記金属または合金とＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium-Zinc-Tin-Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium-Aluminum-Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium-Gallium-Tin-Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-Zinc-Oxide）、ＡＴＯ（Antimony-Tin-Oxide）などの透光性伝導性物質を用いて多層に形成できる。例えば、実施形態において、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、またはＡｇ−Ｃｕ合金のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
例えば、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、Ａｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ層、Ｐｔ層を含むことができる。また、前記第１オーミック接触層１５は前記第１反射層１７の上に形成され、少なくとも一部が前記第１反射層１７を通過して前記発光構造物１０ａとオーミック接触されることもできる。また、前記第２オーミック接触層２５は前記第２反射層２７の上に形成され、少なくとも一部が前記第２反射層２７を通過して前記発光構造物１０ａとオーミック接触されることもできる。
次に、図５に示すように、前記第１反射層１７の上に第１金属層３５が形成され、前記第２反射層２７の上に第２金属層４５が形成できる。そして、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５の上に第５絶縁層４０、第３電極８３、第６絶縁層４８、第３金属層５０、ボンディング層６０、及び伝導性支持部材７０が形成できる。
前記第１金属層３５と前記第２金属層４５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。実施形態によれば、第２電極８２は、前記第１反射層１７、前記第１オーミック接触層１５、前記第１金属層３５のうち、少なくとも１つを含むことができる。例として、前記第２電極８２は、前記第１反射層１７、前記第１金属層３５、前記第１オーミック接触層１５を全て含むこともでき、選択された１つの層または選択された２つの層を含むこともできる。第４電極８４は、前記第２反射層２７、前記第２オーミック接触層２５、前記第２金属層４５のうち、少なくとも１つを含むことができる。例として、前記第４電極８４は、前記第２反射層２７、前記第２金属層４５、前記第２オーミック接触層２５を全て含むこともでき、選択された１つの層または選択された２つの層を含むこともできる。
前記第５絶縁層４０は、酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記第５絶縁層４０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
前記第５絶縁層４０の上に前記第３電極８３が形成できる。前記第３電極８３は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第３電極８３は、拡散障壁層の機能を遂行することもできる。
前記第３電極８３の上に前記第６絶縁層４８が形成できる。例えば、前記第６絶縁層４０は、 ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮ などからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
そして、前記第６絶縁層４８の上に前記第３金属層５０が形成できる。前記第３金属層５０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第３金属層５０は、拡散障壁層の機能を遂行することもできる。前記第３金属層５０の上に前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０が形成できる。
前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０が提供される工程で前記ボンディング層６０に含まれた物質の前記第１反射層１７と前記第２反射層２７方向への拡散を防止する機能を遂行することができる。前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０に含まれたすず（Ｓｎ）などの物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７に影響を及ぼすことを防止することができる。
前記ボンディング層６０はバリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、またはＴａのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記伝導性支持部材７０は、実施形態に従う発光構造物１０を支持し、放熱機能を遂行することができる。前記ボンディング層６０はシード層で具現されることもできる。
前記伝導性支持部材７０は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ、または不純物が注入された半導体基板（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）のうち、少なくともいずれか１つで形成できる。
実施形態によれば、第１電極８１は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第１電極８１は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０全てを含むこともできる。また、前記第１電極８１は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０、前記伝導性支持部材７０のうち、１つまたは２つを選択的に含むこともできる。
次に、前記第１導電型半導体層１１ａから前記基板５を除去する。一例として、前記基板５はレーザーリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）工程により除去できる。レーザーリフトオフ工程（ＬＬＯ）は、前記基板５の下面にレーザーを照射して、前記基板５と前記第１導電型半導体層１１ａとを互いに剥離させる工程である。
そして、図６に示すように、アイソレーションエッチングを遂行して前記発光構造物１０ａの側面をエッチングし、前記チャンネル層３０の一部領域が露出できるようになる。前記アイソレーションエッチングは、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のようなドライエッチングにより実施できるが、これに対して限定するものではない。前記アイソレーションエッチングにより、第１発光構造物１０と第２発光構造物２０が形成できる。
前記第１発光構造物１０は、第１導電型の第１半導体層１１、第１活性層１２、第２導電型の第２半導体層１３を含むことができる。前記第２発光構造物２０は、第１導電型の第３半導体層２１、第２活性層２２、第２導電型の第４半導体層２４を含むことができる。
前記第１発光構造物１０の上部面と前記第２発光構造物２０の上部面にラフネス（roughness）が形成できる。前記第１発光構造物１０の上部面と前記第２発光構造物２０の上部面に光抽出パターンが提供できる。前記第１発光構造物１０の上部面と前記第２発光構造物２０の上部面に凹凸パターンが提供できる。前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に提供される光抽出パターンは、一例としてＰＥＣ（Photo Electro Chemical）エッチング工程により形成できる。これによって、実施形態によれば、外部光抽出効果を上昇させることができるようになる。
次に、図６に示すように、第３絶縁層３３、第４絶縁層４３、第１コンタクト部９１、第２コンタクト部９２、第３コンタクト部９３、及び第４コンタクト部９４が形成できる。
前記第３絶縁層３３は、前記第１発光構造物１０を貫通して形成できる。前記第３絶縁層３３は、前記第１発光構造物１０を貫通して前記第５絶縁層４０と接触できる。前記第３絶縁層３３は、前記第１発光構造物１０を貫通して前記第１絶縁層３１の側面と接触できる。例えば、前記第３絶縁層３３は、酸化物または窒化物で形成できる。
前記第４絶縁層４３は、前記第２発光構造物２０を貫通して形成できる。前記第４絶縁層４３は、前記第２発光構造物２０を貫通して前記第５絶縁層４０と接触できる。前記第４絶縁層４３は、前記第２発光構造物２０を貫通して前記第２絶縁層４１の側面と接触できる。例えば、前記第４絶縁層４３は酸化物または窒化物で形成できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１コンタクト部９１を含むことができる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０を貫通して形成できる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１、前記第１活性層１２、前記第２半導体層１３を貫通して形成できる。
例として、実施形態に従う前記第１発光構造物１０には、図２に示すように、複数の第１コンタクト部９１が形成できる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０の前記第１貫通ホール５５に沿って形成できる。前記第１コンタクト部９１の第１領域は前記第１電極８１に電気的に連結され、前記第１コンタクト部９１の第２領域は前記第１半導体層１１の上部面に接触できる。例えば、前記第１コンタクト部９１の第１領域は、第３金属層５０に接触できる。前記第１コンタクト部９１の第１領域は、前記第３金属層５０の上部面に接触できる。例えば、前記第１発光構造物１０がＧａＮ基盤の半導体層に成長される場合、前記第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１のｎ面（n face）に接触できる。
図６に図示された発光素子には前記第１コンタクト部９１が１つのみ図示されたが、図２に示すように、実施形態に従う前記第１発光構造物１０には複数の第１コンタクト部９１が形成されることができ、各第１貫通ホール５５に各々の第１コンタクト部９１が形成できる。
前記複数の第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１の上部面に互いに離隔して形成できる。前記複数の第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０に分散形成されることによって、前記第１半導体層１１に印加される電流を拡散させることができる。これによって、前記第１半導体層１１の劣化を防止し、前記第１活性層１２で電子と正孔との結合効率を向上させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第１コンタクト部９１は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１コンタクト部９１は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第３コンタクト部９３を含むことができる。前記第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０を貫通して形成できる。前記第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１、前記第２活性層２２、前記第４半導体層２３を貫通して形成できる。
例として、実施形態に従う前記第２発光構造物１０には、図２に示すように、複数の第３コンタクト部９３が形成できる。前記第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０の前記第２貫通ホール６５に沿って形成できる。前記第３コンタクト部９３の第１領域は前記第３電極８３に電気的に連結され、前記第３コンタクト部９３の第２領域は前記第３半導体層２１の上部面に接触できる。例えば、前記第３コンタクト部９３の第１領域は、第３電極８３に接触できる。前記第３コンタクト部９３の第１領域は、前記第３電極８３の上部面に接触できる。例えば、前記第２発光構造物２０がＧａＮ基盤の半導体層に成長される場合、前記第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１のｎ面（n face）に接触できる。
図６に図示された発光素子には前記第３コンタクト部９３が１つのみ図示されたが、図２に示すように、実施形態に従う前記第２発光構造物２０には複数の第３コンタクト部９３が形成されることができ、各第２貫通ホール６５に各々の第３コンタクト部９３が形成できる。
前記複数の第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１の上部面に互いに離隔して形成できる。前記複数の第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０に分散形成されることによって、前記第３半導体層２１に印加される電流を拡散させることができる。これによって、前記第３半導体層２１の劣化を防止し、前記第２活性層２２で電子と正孔との結合効率を向上させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第３コンタクト部９３は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３コンタクト部９３は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２コンタクト部９２を含むことができる。前記第２コンタクト部９２は、前記第２電極８２と前記第３電極８３に電気的に連結できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に形成できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に露出して配置できる。
前記第２コンタクト部９２の一端は前記第２電極８２の上部面に接触されることができ、前記第２コンタクト部９２の他端は前記第３電極８３の上部面に接触できる。前記第２コンタクト部９２は、前記チャンネル層３０の上に露出して配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０の側面から離隔して形成できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第２発光構造物２０の側面から離隔して形成できる。
実施形態によれば、前記第２コンタクト部９２は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第２コンタクト部９２は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
また、実施形態に従う発光素子は、第４コンタクト部９４を含むことができる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２発光構造物２０と離隔して形成できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第４電極８４に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第４電極８４に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２金属層４５の上部面に接触できる。前記第４コンタクト部９４は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第４コンタクト部９４は、前記第３コンタクト部９３と同一な物質で形成されることもできる。また、前記第４コンタクト部９４と前記第３コンタクト部９３とは互いに異なる物質で具現されることもできる。
一方、実施形態によれば、前記第２コンタクト部９２と前記第４コンタクト部９４も複数形成できる。また、以上で説明された製造工程は例として説明されたものであって、設計によって製造工程は多様に変形できる。
実施形態によれば、前記第１電極８１及び前記第４電極８４を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。例として、実施形態に従う発光素子は、前記第１電極８１の伝導性支持部材７０と前記第４コンタクト部９４に電源を印加することによって、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第４コンタクト部９４は前記第４電極８４に電気的に連結できる。これによって、前記第４コンタクト部９４をワイヤーボンディングなどを通じて電源パッドに連結させることによって、前記第４半導体層２３に電源が提供できるようになる。
このように、実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第４コンタクト部９４を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば、電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。また、複数の発光構造物を配置することによって、高電圧発光素子を具現することができるようになる。
一方、実施形態では前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０が形成された場合に基づいて説明したが、発光構造物の個数は２つに限定されず、３個またはその以上の個数に配置されることもできる。この際、各発光構造物は直列または並列に相互電気的に連結できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の上部面方向から前記第１貫通ホール５５を形成することができる。また、前記第２発光構造物２０の上部面方向から前記第２貫通ホール６５を形成することができる。これによって、製造工程をより単純化させることができ、歩留まりを向上させることができる。また、実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面に配置された電極面積を縮めることができるようになり、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面または側面に保護層が配置されないことがある。これによって、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０から外部に抽出される光抽出効率を向上させることができるようになる。
図７は、本発明の実施形態に従う発光素子の他の例を示す図である。図７に図示された発光素子を説明するに当たって、図１及び図２を参照して説明された部分と重複する事項に対しては説明を省略する。
実施形態に従う発光素子によれば、第１発光構造物１０の下に第１オーミック反射層１９が配置できる。前記第１オーミック反射層１９は、第１反射層１７と第１オーミック接触層１５の機能を全て遂行するように具現できる。これによって、前記第１オーミック反射層１９は、第２半導体層１３にオーミック接触し、前記第１発光構造物１０から入射される光を反射させる機能を遂行することができる。
ここで、前記第１オーミック反射層１９は多層に形成できる。例えば、Ａｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ、Ｐｔ層を含むこともできる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１オーミック反射層１９の下部に配置された伝導性支持部材７０を通じて前記第１オーミック反射層１９の上部に配置された前記第１半導体層１１に電気的に連結できる。
実施形態に従う第２電極８２は、前記第１オーミック反射層１９と第１金属層３５のうち、少なくとも１つを含むことができる。実施形態に従う発光素子は、前記第２電極８２の下部に配置された前記伝導性支持部材７０を通じて前記第２電極８２の上部に配置された前記第１半導体層１１に第１コンタクト部９１を通じて電気的に連結できる。
実施形態に従う発光素子によれば、前記第２発光構造物２０の下に第２オーミック反射層２９が配置できる。前記第２オーミック反射層２９は、第２反射層２７と第２オーミック接触層２５の機能を全て遂行するように具現できる。これによって、前記第２オーミック反射層２９は、前記第４半導体層２３にオーミック接触し、前記第２発光構造物２０から入射される光を反射させる機能を遂行することができる。
ここで、前記第２オーミック反射層２９は、多層に形成できる。例えば、Ａｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ、Ｐｔ層を含むこともできる。
実施形態に従う第４電極８４は、前記第２オーミック反射層２９と第２金属層４５のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第４電極８４は、第３コンタクト部９１を通じて前記第３半導体層２１に電気的に連結できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１コンタクト部９１を含むことができる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０を貫通して配置できる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１、前記第１活性層１２、前記第２半導体層１３を貫通して配置できる。
例として、実施形態に従う前記第１発光構造物１０には、図２に示すように、複数の第１コンタクト部９１が形成できる。前記第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０の前記第１貫通ホール５５に沿って配置できる。前記第１コンタクト部９１の第１領域は前記第１電極８１に電気的に連結され、前記第１コンタクト部９１の第２領域は前記第１半導体層１１の上部面に接触できる。例えば、前記第１コンタクト部９１の第１領域は、第３金属層５０に接触できる。前記第１コンタクト部９１の第１領域は、前記第３金属層５０の上部面に接触できる。例えば、前記第１発光構造物１０がＧａＮ基盤の半導体層に成長される場合、前記第１コンタクト部９１は前記第１半導体層１１のｎ面（n face）に接触できる。
図７に図示された発光素子には前記第１コンタクト部９１が１つのみ図示されたが、図２に示すように、実施形態に従う前記第１発光構造物１０には複数の第１コンタクト部９１が形成されることができ、各第１貫通ホール５５に各々の第１コンタクト部９１が形成できる。
前記複数の第１コンタクト部９１は、前記第１半導体層１１の上部面に互いに離隔して配置できる。前記複数の第１コンタクト部９１は、前記第１発光構造物１０に分散配置されることによって、前記第１半導体層１１に印加される電流を拡散させることができる。これによって、前記第１半導体層１１の劣化を防止し、前記第１活性層１２で電子と正孔との結合効率を向上させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第１コンタクト部９１は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１コンタクト部９１は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第３コンタクト部９３を含むことができる。前記第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０を貫通して配置できる。前記第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１、前記第２活性層２２、前記第４半導体層２３を貫通して配置できる。
例として、実施形態に従う前記第２発光構造物１０には、図２に示すように、複数の第３コンタクト部９３が形成できる。前記第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０の前記第２貫通ホール６５に沿って配置できる。前記第３コンタクト部９３の第１領域は前記第３電極８３に電気的に連結され、前記第３コンタクト部９３の第２領域は前記第３半導体層２１の上部面に接触できる。例えば、前記第３コンタクト部９３の第１領域は、第３電極８３に接触できる。前記第３コンタクト部９３の第１領域は、前記第３電極８３の上部面に接触できる。例えば、前記第２発光構造物２０がＧａＮ基盤の半導体層に成長される場合、前記第３コンタクト部９３は前記第３半導体層２１のｎ面（n face）に接触できる。
図７に図示された発光素子には前記第３コンタクト部９３が１つのみ図示されたが、図２に示すように、実施形態に従う前記第２発光構造物２０には複数の第３コンタクト部９３が形成されることができ、各第２貫通ホール６５に各々の第３コンタクト部９３が形成できる。
前記複数の第３コンタクト部９３は、前記第３半導体層２１の上部面に互いに離隔して配置できる。前記複数の第３コンタクト部９３は、前記第２発光構造物２０に分散配置されることによって、前記第３半導体層２１に印加される電流を拡散させることができる。これによって、前記第３半導体層２１の劣化を防止し、前記第２活性層２２で電子と正孔との結合効率を向上させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第３コンタクト部９３は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３コンタクト部９３は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２コンタクト部９２を含むことができる。前記第２コンタクト部９２は、前記第２電極８２と前記第３電極８３に電気的に連結できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０との間に露出して配置できる。
前記第２コンタクト部９２の一端は前記第２電極８２の上部面に接触されることができ、前記第２コンタクト部９２の他端は前記第３電極８３の上部面に接触できる。前記第２コンタクト部９２は、前記チャンネル層３０の第３領域の上に露出して配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第１発光構造物１０の側面から離隔して配置できる。前記第２コンタクト部９２は、前記第２発光構造物２０の側面から離隔して配置できる。
実施形態によれば、前記第２コンタクト部９２は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第２コンタクト部９２は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
また、実施形態に従う発光素子は、第４コンタクト部９４を含むことができる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２発光構造物２０と離隔して配置できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第４電極８４に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第４電極８４に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第４コンタクト部９４は、前記第２金属層４５の上部面に接触できる。前記第４コンタクト部９４は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第４コンタクト部９４は、前記第３コンタクト部９３と同一な物質で形成されることもできる。また、前記第４コンタクト部９４と前記第３コンタクト部９３とは互いに異なる物質で具現されることもできる。
一方、実施形態によれば、前記第２コンタクト部９２と前記第４コンタクト部９４も複数形成できる。
実施形態によれば、前記第１電極８１及び前記第４電極８４を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。例として、実施形態に従う発光素子は、前記第１電極８１の伝導性支持部材７０と前記第４コンタクト部９４に電源を印加することによって、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第４コンタクト部９４が前記第４電極８４に電気的に連結できる。これによって、前記第４コンタクト部９４をワイヤーボンディングなどを通じて電源パッドに連結させることによって、前記第４半導体層２３に電源が提供できるようになる。
このように、実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第４コンタクト部９４を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば、電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。また、複数の発光構造物を配置することによって、高電圧発光素子を具現することができるようになる。
一方、実施形態では前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０が形成された場合に基づいて説明したが、発光構造物の個数は２つに限定されず、３個またはその以上の個数に配置されることもできる。この際、各発光構造物は直列または並列に相互電気的に連結できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の上部面方向から前記第１貫通ホール５５を形成することができる。また、前記第２発光構造物２０の上部面方向から前記第２貫通ホール６５を形成することができる。これによって、製造工程をより単純化させることができ、歩留まりを向上させることができる。また、実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面に配置された電極面積を縮めることができるようになり、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面または側面に保護層が配置されないことがある。これによって、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０から外部に抽出される光抽出効率を向上させることができるようになる。
図８は、本発明の実施形態に従う発光素子が適用された発光素子パッケージを示す図である。
図８を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、胴体１２０と、前記胴体１２０に配置された第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２と、前記胴体１２０に提供されて、前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２と電気的に連結される実施形態に従う発光素子１００と、前記発光素子１００を囲むモールディング部材１４０とを含むことができる。
前記胴体１２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、前記発光素子１００の周囲に傾斜面が形成できる。
前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２は互いに電気的に分離され、前記発光素子１００に電源を提供する。また、前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２は、前記発光素子１００で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、前記発光素子１００で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。
前記発光素子１００は、前記胴体１２０の上に配置されたり、前記第１リード電極１３１または第２リード電極１３２の上に配置されたりすることができる。
前記発光素子１００は、前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２とワイヤー方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうち、いずれか１つにより電気的に連結されることもできる。
前記モールディング部材１４０は、前記発光素子１００を囲んで前記発光素子１００を保護することができる。また、前記モールディング部材１４０には蛍光体が含まれて前記発光素子１００から放出された光の波長を変化させることができる。
実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、複数個が基板の上にアレイされることができ、前記発光素子パッケージの光経路の上に光学部材であるレンズ、導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材はライトユニットとして機能することができる。前記ライトユニットは、トップビューまたはサイドビュータイプで具現されて、携帯端末機及びノートブックコンピュータなどの表示装置に提供されるか、照明装置及び指示装置などに多様に適用できる。更に他の実施形態は、前述した実施形態に記載された発光素子または発光素子パッケージを含む照明装置で具現できる。例えば、照明装置は、ランプ、街灯、電光板、前照灯を含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、ライトユニットに適用できる。前記ライトユニットは複数の発光素子がアレイされた構造を含み、図９及び図１０に図示された表示装置、図１１に図示された照明装置を含むことができる。
図９を参照すると、実施形態に従う表示装置１０００は、導光板１０４１と、前記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記ボトムカバー１０１１、反射部材１０２２、導光板１０４１、及び光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０と定義できる。
前記導光板１０４１は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうちの１つを含むことができる。
前記発光モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。
前記発光モジュール１０３１は、少なくとも１つが提供されていることができ、前記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール１０３１は、基板１０３３と前述した実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージ２００を含むことができる。前記発光素子パッケージ２００は、前記基板１０３３の上に所定間隔でアレイできる。
前記基板１０３３は回路パターンを含む印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）でありうる。但し、前記基板１０３３は一般ＰＣＢだけでなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ：Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ：Flexibl PCB）などを含むこともでき、これに対して限定するものではない。前記発光素子パッケージ２００は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に提供される場合、前記基板１０３３は除去できる。ここで、前記放熱プレートの一部は前記ボトムカバー１０１１の上面に接触できる。
そして、前記多数の発光素子パッケージ２００は光が放出される出射面が前記導光板１０４１と所定距離離隔するように搭載されることができ、これに対して限定するものではない。前記発光素子パッケージ２００は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。
前記導光板１０４１の下には前記反射部材１０２２が配置できる。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、前記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成できるが、これに対して限定するものではない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面であることがあり、これに対して限定するものではない。
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー１０１１は上面が開口されたボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられることができ、これに対して限定するものではない。前記ボトムカバー１０１１はトップカバーと結合されることができ、これに対して限定するものではない。
前記ボトムカバー１０１１は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するものではない。
前記表示パネル１０６１は、例えばＬＣＤパネルであって、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介された液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビジョンなどに適用できる。
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平または／及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１の上には保護シートが配置されることができ、これに対して限定するものではない。
ここで、前記発光モジュール１０３１の光経路上には光学部材として、前記導光板１０４１及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定するものではない。
図１０は、本発明の実施形態に従う表示装置の他の例を示す図である。
図１０を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、前記に開示された発光素子１００がアレイされた基板１０２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。前記基板１０２０と前記発光素子パッケージ２００は発光モジュール１０６０と定義できる。前記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を備えることができ、これに対して限定するものではない。
ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどから少なくとも１つを含むことができる。前記導光板は、ＰＣ材質またはＰＭＭＡ（Poly methy methacrylate）材質からなることができ、このような導光板は除去できる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
前記光学部材１１５４は、前記発光モジュール１０６０の上に配置され、前記発光モジュール１０６０から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを遂行するようになる。
図１１は、本発明の実施形態に従う照明装置を示す図である。
図１１を参照すると、実施形態に従う照明装置は、カバー２１００、光源モジュール２２００、放熱体２４００、電源提供部２６００、内部ケース２７００、及びソケット２８００を含むことができる。また、実施形態に従う照明装置は、部材２３００とホルダー２５００のうち、いずれか１つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュール２２００は実施形態に従う発光素子パッケージを含むことができる。
例えば、前記カバー２１００はバルブ（bulb）または半球の形状を有し、中空のものであり、一部分が開口された形状に提供できる。前記カバー２１００は、前記光源モジュール２２００と光学的に結合できる。例えば、前記カバー２１００は、前記光源モジュール２２００から提供される光を拡散、散乱、または励起させることができる。前記カバー２１００は一種の光学部材でありうる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合できる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合する結合部を有することができる。
前記カバー２１００の内面には乳白色塗料がコーティングできる。乳白色の塗料は光を拡散させる拡散材を含むことができる。前記カバー２１００の内面の表面粗さは前記カバー２１００の外面の表面粗さより大きく形成できる。これは、前記光源モジュール２２００からの光が十分に散乱及び拡散されて外部に放出させるためである。
前記カバー２１００の材質は、ガラス（glass）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などでありうる。ここで、ポリカーボネートは耐光性、耐熱性、強度に優れる。前記カバー２１００は外部から前記光源モジュール２２００が見えるように透明であるか、または不透明であることがある。前記カバー２１００は、ブロー（blow）成形により形成できる。
前記光源モジュール２２００は、前記放熱体２４００の一面に配置できる。したがって、前記光源モジュール２２００からの熱は前記放熱体２４００に伝導される。前記光源モジュール２２００は、光源部２２１０、連結プレート２２３０、及びコネクタ２２５０を含むことができる。
前記部材２３００は前記放熱体２４００の上面の上に配置され、複数の光源部２２１０とコネクタ２２５０が挿入されるガイド溝２３１０を有する。前記ガイド溝２３１０は、前記光源部２２１０の基板及びコネクタ２２５０と対応する。
前記部材２３００の表面は光反射物質で塗布またはコーティングされたものであることがある。例えば、前記部材２３００の表面は白色の塗料で塗布またはコーティングされたものであることがある。このような前記部材２３００は、前記カバー２１００の内面に反射されて前記光源モジュール２２００側方向に戻る光をまた前記カバー２１００方向に反射する。したがって、実施形態に従う照明装置の光効率を向上させることができる。
前記部材２３００は、例として絶縁物質からなることができる。前記光源モジュール２２００の連結プレート２２３０は、電気伝導性の物質を含むことができる。したがって、前記放熱体２４００と前記連結プレート２２３０との間に電気的な接触がなされることができる。前記部材２３００は、絶縁物質で構成されて前記連結プレート２２３０と前記放熱体２４００との電気的短絡を遮断することができる。前記放熱体２４００は、前記光源モジュール２２００からの熱と前記電源提供部２６００からの熱の伝達を受けて放熱する。
前記ホルダー２５００は、内部ケース２７００の絶縁部２７１０の収納溝２７１９を遮ぐ。したがって、前記内部ケース２７００の前記絶縁部２７１０に収納される前記電源提供部２６００は密閉される。前記ホルダー２５００は、ガイド突出部２５１０を有する。前記ガイド突出部２５１０は、前記電源提供部２６００の突出部２６１０が貫通するホールを有する。
前記電源提供部２６００は、外部から提供された電気的信号を処理または変換して前記光源モジュール２２００に提供する。前記電源提供部２６００は、前記内部ケース２７００の収納溝２７１９に収納され、前記ホルダー２５００により前記内部ケース２７００の内部に密閉される。前記電源提供部２６００は、突出部２６１０、ガイド部２６３０、ベース２６５０、及び延長部２６７０を含むことができる。
前記ガイド部２６３０は、前記ベース２６５０の一側から外部に突出した形状を有する。前記ガイド部２６３０は、前記ホルダー２５００に挿入できる。前記ベース２６５０の一面の上に多数の部品が配置できる。多数の部品は、例えば、外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、前記光源モジュール２２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール２２００を保護するためのＥＳＤ（Electro Static discharge）保護素子などを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
前記延長部２６７０は、前記ベース２６５０の他側から外部に突出した形状を有する。前記延長部２６７０は、前記内部ケース２７００の連結部２７５０の内部に挿入され、外部からの電気的信号の提供を受ける。例えば、前記延長部２６７０は前記内部ケース２７００の連結部２７５０の幅と等しいか小さく提供できる。前記延長部２６７０には“＋電線”と“−電線”の各一端が電気的に連結され、“＋電線”と“−電線”の他端はソケット２８００に電気的に連結できる。
前記内部ケース２７００は、内部に前記電源提供部２６００と共にモールディング部を含むことができる。モールディング部はモールディング液体が固まった部分であって、前記電源提供部２６００が前記内部ケース２７００の内部に固定できるようにする。
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、本発明が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない多様な変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
１０ 第１発光構造物
１１ 第１半導体層
１２ 第１活性層
１３ 第２半導体層
１５ 第１オーミック接触層
１７ 第１反射層
２０ 第２発光構造物
２１ 第３半導体層
２２ 第２活性層
２３ 第４半導体層
２５ 第２オーミック接触層
２７ 第２反射層
３０ チャンネル層
３１ 第１絶縁層
３３ 第３絶縁層
３５ 第１金属層
４０ 第５絶縁層
４１ 第２絶縁層
４３ 第４絶縁層
４５ 第２金属層
５０ 第３金属層
５５ 第１貫通ホール
６０ ボンディング層
６５ 第２貫通ホール
７０ 伝導性支持部材
８１ 第１電極
８２ 第２電極
８３ 第３電極
８４ 第４電極
９１ 第１コンタクト部
９２ 第２コンタクト部
９３ 第３コンタクト部
９４ 第４コンタクト部
１１ 第１半導体層
１２ 第１活性層
１３ 第２半導体層
１５ 第１オーミック接触層
１７ 第１反射層
２０ 第２発光構造物
２１ 第３半導体層
２２ 第２活性層
２３ 第４半導体層
２５ 第２オーミック接触層
２７ 第２反射層
３０ チャンネル層
３１ 第１絶縁層
３３ 第３絶縁層
３５ 第１金属層
４０ 第５絶縁層
４１ 第２絶縁層
４３ 第４絶縁層
４５ 第２金属層
５０ 第３金属層
５５ 第１貫通ホール
６０ ボンディング層
６５ 第２貫通ホール
７０ 伝導性支持部材
８１ 第１電極
８２ 第２電極
８３ 第３電極
８４ 第４電極
９１ 第１コンタクト部
９２ 第２コンタクト部
９３ 第３コンタクト部
９４ 第４コンタクト部
Claims (22)
- 第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の下に第１活性層、前記第１活性層の下に第２導電型の第２半導体層を含む第１発光構造物と、
第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下に第２活性層、前記第２活性層の下に第２導電型の第４半導体層を含む第２発光構造物と、
前記第１発光構造物の下に配置され、前記第１半導体層に電気的に連結された第１電極と、
前記第１発光構造物の下に配置され、前記第２半導体層に電気的に連結された第２電極と、
前記第２発光構造物の下に配置され、前記第３半導体層に電気的に連結された第３電極と、
前記第２発光構造物の下に配置され、前記第４半導体層に電気的に連結された第４電極と、
前記第１発光構造物を貫通して配置され、第１領域は前記第１電極に電気的に連結され、第２領域は前記第１半導体層の上部面に接触した第１コンタクト部と、
前記第２電極と前記第３電極に電気的に連結された第２コンタクト部と、
前記第２発光構造物を貫通して配置され、第１領域は前記第３電極に電気的に連結され、第２領域は前記第３半導体層の上部面に接触した第３コンタクト部と、
を含むことを特徴とする、発光素子。 - 前記第２発光構造物と離隔して配置され、前記第４電極に電気的に連結された第４コンタクト部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
- 前記第１コンタクト部は、前記第１半導体層、前記第１活性層、前記第２半導体層を貫通して配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
- 前記第１コンタクト部の下部面が前記第２電極の下部面に比べてより低く配置されたことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１電極の上部面が前記第２電極の下部面に比べてより低く配置されたことを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１コンタクト部は複数形成されたことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記複数の第１コンタクト部は、前記第１半導体層の上部面に互いに離隔して配置されたことを特徴とする、請求項６に記載の発光素子。
- 前記第１コンタクト部の下部面と前記第１電極の上部面が同一平面に配置されたことを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１電極の上部面と前記第３電極の上部面が同一平面に配置されたことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２コンタクト部は、前記第２電極の上部面及び前記第３電極の上部面に接触したことを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２コンタクト部は、前記第１発光構造物と前記第２発光構造物との間に配置されたことを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２コンタクト部の一端は前記第２電極の上部面に接触して配置され、前記第２コンタクト部の他端は前記第３電極の上部面に接触して配置されたことを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２コンタクト部は、前記第１発光構造物の側面から離隔して配置されたことを特徴とする、請求項１から１２のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２コンタクト部は複数提供されたことを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第２電極はオーミック接触層と反射層を含むことを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１発光構造物の内部に配置され、前記第１コンタクト部の周りに配置された第１絶縁層を含むことを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１絶縁層は、前記第１半導体層、前記第１活性層、前記第２半導体層を貫通して配置されたことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
- 前記第２半導体層の下に配置され、前記第１絶縁層の周りに配置された第２絶縁層を含むことを特徴とする、請求項１６または１７に記載の発光素子。
- 前記第１電極と前記第２電極との間に配置された第３絶縁層を含むことを特徴とする、請求項１から１８のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１電極は金属層と前記金属層の下に配置された伝導性支持部材を含むことを特徴とする、請求項１から１９のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第１発光構造物の下部周りと前記第２発光構造物の下部周りに露出して配置されたチャンネル層を含むことを特徴とする、請求項１から２０のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層の第１領域は前記第２半導体層の下に配置されたことを特徴とする、請求項２１に記載の発光素子。
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