CN103996675A - 发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种发光器件。根据本实施方案的发光器件包括：第一发光结构；第二发光结构；第一电极；第二电极；第三电极；第四电极；第一接触部；第二接触部；和第三接触部。
Description
技术领域
实施方案涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。
背景技术
发光二极管（LED）已经广泛用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成光的形式，例如红外光、可见光和紫外光。
随着发光器件的发光效率增加，发光器件已经用在例如显示装置和照明设备的各种领域中。
发明内容
本发明实施方案提供了能够提高光提取效率和产品产率的发光器件、发光器件封装件以及光单元。
根据实施方案的发光器件包括：包括第一导电性第一半导体层、第一导电性第一半导体层之下的第一有源层、以及第一有源层之下的第二导电性第二半导体层的第一发光结构；包括第一导电性第三半导体层、第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、以及第二有源层之下的第二导电性第四半导体层的第二发光结构；电连接到第一导电性第一半导体层并且布置在第一发光结构之下的第一电极；电连接到第二导电性第二半导体层并且布置在第一发光结构之下的第二电极；电连接到第一导电性第三半导体层并且布置在第二发光结构之下的第三电极；电连接到第二导电性第四半导体层并且布置在第二发光结构之下的第四电极；设置为穿过第一发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域以及与第一导电性第一半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部；电连接到第二电极和第三电极的第二接触部；以及设置为穿过第二发光结构并且包括电连接到第三电极的第一区域以及与第一导电性第三半导体层的顶表面接触的第二区域的第三接触部。
根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及光单元可以提高光提取效率和产品产率。
附图说明
图1为示出根据实施方案的发光器件的图。
图2为示出图1中所示的发光器件的第一接触部和第三接触部的布置的图。
图3至图6为示出制造根据实施方案的发光器件的方法的截面图。
图7为示出根据另一实施方案的发光器件的截面图。
图8为示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
图9为示出根据实施方案的显示装置的分解透视图。
图10为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。
图11为示出根据实施方案的照明设备的分解透视图。
具体实施方式
在实施方案的描述中，应当理解，当层（或膜）、区域、图案或结构称作在另一衬底、另一层（或膜）、另一区域、另一焊盘（pad）或者另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层（或膜）、区域、焊盘或者图案之上，或者也可以存在一个或更多个插入层。参照附图来描述层的这样的位置。
在下文中，将参照附图来详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造发光器件的方法。
图1为示出根据实施方案的发光器件的图，图2为示出图1中所示的发光器件的第一接触部和第三接触部的布置的图。
如图1和图2所示，根据实施方案的发光器件可以包括第一发光结构10、第二发光结构20、第一电极81、第二电极82、第三电极83、第四电极84、第一接触部91、第二接触部92和第三接触部93。
第一发光结构10可以包括第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。第一有源层12可以布置在第一导电性第一半导体层11与第二导电性第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电性第一半导体层11之下，并且第二导电性第二半导体层13可以设置在第一有源层12之下。
第一导电性第一半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电性第二半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电性第一半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电性第二半导体层13可以包括N型半导体层。
例如，第一导电性第一半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电性第一半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电性第一半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或者第III-V族化合物半导体来实现。
例如，第一导电性第一半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第一导电性第一半导体层11可以包括选自掺杂有例如Si、Ge、Sn、Se和Te的N型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。
第一有源层12通过穿过第一导电性第一半导体层11注入的电子（或空穴）与穿过第二导电性第二半导体层13注入的空穴（或电子）的复合而发射具有与根据构成第一有源层12的材料的能带隙差对应的波长的光。第一有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构和量子线结构之一，但实施方案不限于此。
第一有源层12可以通过使用化合物半导体来实现。第一有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。当第一有源层12具有MQW结构时，第一有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，第一有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。
例如，第二导电性第二半导体层13可以包括P型半导体层。第二导电性第二半导体层13可以通过使用化合物半导体来实现。例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体、或第III-V族化合物半导体来实现。
例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第二导电性第二半导体层13可以包括选自掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba的P型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。
同时，第一导电性第一半导体层11可以包括P型半导体层，并且第二导电性第二半导体层13可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电性第二半导体层13之下附加地设置包括N型或P型半导体层的半导体层。因此，第一发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构中的至少一种结构。另外，第一导电性第一半导体层11和第二导电性第二半导体层13中可以以均匀或非均匀掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说，第一发光结构10可以具有各种结构，并且实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电性第一半导体层11与第一有源层12之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电性第二半导体层13与第一有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
第二发光结构20可以包括第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。第二有源层22可以布置在第一导电性第三半导体层21与第二导电性第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电性第三半导体层21之下，并且第二导电性第四半导体层23可以设置在第二有源层22之下。
第一导电性第三半导体层21可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电性第四半导体层23可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电性第三半导体层21可以包括P型半导体层，第二导电性第四半导体层23可以包括N型半导体层。
第二发光结构20的结构和材料与第一发光结构10的结构和材料类似，所以将省略其详细描述。
根据实施方案的发光器件可以包括第一反射层17。第一反射层可以电连接到第二导电性第二半导体层13。第一反射层17可以布置在第一发光结构10之下。第一反射层17可以布置在第二导电性第二半导体层13之下。第一反射层17可以反射从第一发光结构10入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。
根据实施方案的发光器件可以包括布置在第一反射层17与第二导电性第二半导体层13之间的第一欧姆接触层15。第一欧姆接触层15可以与第二导电性第二半导体层13接触。第一欧姆接触层15可以与第一发光结构10欧姆接触。第一欧姆接触层15可以包括与第一发光结构10欧姆接触的区域。第一欧姆接触层15可以包括与第二导电性第二半导体层13欧姆接触的区域。
例如，第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，第一欧姆接触层15可以包括选自以下中的至少一种：ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、AZO（铝锌氧化物）、AGZO（铝镓锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、ATO（锑锡氧化物）、GZO（镓锌氧化物）、IZON（IZO氮化物）、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag和Ti。
第一反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射层17可以包括含有Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种的金属及其合金。另外，第一反射层17可以形成为金属或其合金和透射导电材料的多层，所述透射导电材料为例如ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、AZO（铝锌氧化物）或ATO（锑锡氧化物）。例如，根据实施方案，第一反射层17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金中的至少一种。
例如，第一反射层17可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti层，和Pt层。另外，第一欧姆接触层15可以设置在第一反射层17之下，并且第一欧姆接触层15的至少一部分可以通过第一反射层17与第一发光结构10欧姆接触。
根据实施方案的发光器件可以包括第二反射层27。第二反射层27可以电连接到第二导电性第四半导体层23。第二反射层27可以布置在第二发光结构20之下。第二反射层27可以布置在第二导电性第四半导体层23之下。第二反射层27可以反射从第二发光结构20入射到其上的光来增加提取到外界的光的量。
根据实施方案的发光器件可以包括布置在第二反射层27与第二导电性第四半导体层23之间的第二欧姆接触层25。第二欧姆接触层25可以与第二导电性第四半导体层23接触。第二欧姆接触层25可以与第二发光结构20欧姆接触。第二欧姆接触层25可以包括与第二发光结构20欧姆接触的区域。第二欧姆接触层25可以包括与第二导电性第四半导体层23欧姆接触的区域。
例如，第二欧姆接触层25可以包括与第一欧姆接触层15的材料和结构类似的材料和结构。另外，第二反射层27可以包括与第一反射层17的材料和结构类似的材料和结构。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一反射层17之下的第一金属层35。第一金属层35可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第二反射层27之下的第二金属层45。第二金属层45可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
第一金属层35和第二金属层45可以通过使用相同材料或相互不同的材料来形成。
根据实施方案，第二电极82可以包括第一反射层17、第一欧姆接触层15和第一金属层35中的至少一种。例如，第二电极82可以包括第一反射层17、第一金属层35和第一欧姆接触层15的全部，或者可以包括选自第一反射层17、第一金属层35和第一欧姆接触层15中的一种或两种。
根据实施方案的第二电极82可以布置在第一发光结构10之下。第二电极82可以电连接到第二导电性第二半导体层13。
根据实施方案，第四电极84可以包括第二反射层27、第二欧姆接触层25和第二金属层45中的至少一种。例如，第四电极84可以包括第二反射层27、第二金属层45和第二欧姆接触层25的全部，或者可以包括选自第二反射层27、第二金属层45和第二欧姆接触层25中的一种或两种。
根据实施方案的第四电极84可以布置在第二发光结构20之下。第四电极84可以电连接到第二导电性第四半导体层23。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一发光结构10的下部周围的沟道层30。沟道层30可以设置在第二发光结构20的下部周围。沟道层30的第一区域可以设置在第二导电性第二半导体层13之下。
沟道层30的第一区域可以与第二导电性第二半导体层13的底表面接触。沟道层30的第二区域可以布置在第二导电性第四半导体层23之下。沟道层30的第二区域可以与第二导电性第四半导体层23的底表面接触。
沟道层30的第一区域可以布置在第二导电性第二半导体层13与第一反射层17之间。沟道层30的第二区域可以布置在第二导电性第四半导体层23与第二反射层27之间。沟道层30的第一区域可以布置在第二导电性第二半导体层13与第一欧姆接触层15之间。沟道层30的第二区域可以布置在第二导电性第四半导体层23与第二欧姆接触层25之间。
沟道层30可以在第一发光结构10的下部外周部分处露出。沟道层30可以从第一发光结构10的侧壁向外延伸。沟道层30的一侧可以与第二电极82的一侧接触。沟道层30的该侧可以与第一欧姆接触层15的一侧接触。沟道层30的一些区域可以布置在第二电极82的顶表面上。沟道层30的一些区域可以与第一金属层35的顶表面接触。
沟道层30可以在第二发光结构20的下部外周部分处露出。沟道层30可以从第二发光结构20的侧壁向外延伸。沟道层30的一侧可以与第四电极84的一侧接触。沟道层30的该侧可以与第二欧姆接触层25的一侧接触。沟道层30的一些区域可以布置在第四电极84的顶表面上。沟道层30的一些区域可以与第二金属层45的顶表面接触。
沟道层30的第三区域可以布置在第一发光结构10与第二发光结构20之间。沟道层30的第三区域可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间露出。
沟道层30可以称作隔离层。沟道层30可以在稍后进行关于第一发光结构10和第二发光结构20的隔离工艺时用作蚀刻阻挡物。另外，沟道层30可以防止由隔离工艺引起的发光器件的电特性劣化。
沟道层30可以包括绝缘材料。例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来实现。例如，沟道层30可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部91。第一接触部91可以设置为穿过第一发光结构10。第一接触部91可以设置为穿过第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。
例如，如图2所示，根据实施方案可以在第一发光结构10中形成多个第一接触部91。第一接触部91可以沿第一发光结构10的第一通孔55布置。第一接触部91的第一区域可以电连接到第一电极81并且第一接触部91的第二区域可以与第一导电性第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一接触部91的第一区域可以与第三金属层50接触。具体地，第一接触部91的第一区域可以与第三金属层50的顶表面接触。例如，当第一发光结构10生长为GaN半导体层时，第一接触部91可以与第一导电性第一半导体层11的n面接触。
尽管在图1所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部91，但是根据实施方案的第一发光结构10可以形成有如图2所示的多个第一通孔55，并且第一接触部91可以形成在每个第一通孔55中。
第一接触部91可以在第一导电性第一半导体层11的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部91分布在第一发光结构10上，所以可以使施加到第一导电性第一半导体层11的电流分散。因而，可以防止第一导电性第一半导体层11的劣化并且可以提高第一有源层12中的电子和空穴的复合效率。
根据实施方案，第一接触部91可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第一接触部91可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第三接触部93。第三接触部93可以设置为穿过第二发光结构20。第三接触部93可以设置为穿过第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。
例如，如图2所示，可以在根据实施方案的第二发光结构20中形成多个第三接触部93。第三接触部93可以沿第二发光结构20的第二通孔65布置。第三接触部93的第一区域可以电连接到第三电极83，第三接触部93的第二区域可以与第一导电性第三半导体层21的顶表面接触。例如，第三接触部93的第一区域可以与第三电极83接触。具体地，第三接触部93的第一区域可以与第三电极83的顶表面接触。例如，当第二发光结构20生长为GaN半导体层时，第三接触部93可以与第一导电性第三半导体层21的n面接触。
尽管在图1所示的发光器件中示出了仅一个第三接触部93，但是根据实施方案的第二发光结构20可以形成有如图2所示的多个第二通孔65，并且第三接触部93可以形成在每个第二通孔65中。
第三接触部93可以在第一导电性第三半导体层21的顶表面上彼此间隔开。因为第三接触部93分布在第二发光结构20上，所以可以使施加到第一导电性第三半导体层21的电流分散。因而，可以防止第一导电性第三半导体层21的劣化并且可以提高第二有源层22中的电子和空穴的复合效率。
根据实施方案，第三接触部93可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第三接触部93可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部92。第二接触部92可以电连接到第二电极82和第三电极83。第二接触部92可以布置在第一发光结构10与第二发光结构20之间。第二接触部92可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间露出。
第二接触部92的一端可以与第二电极82的顶表面接触并且第二接触部92的另一端可以与第三电极83的顶表面接触。第二接触部92可以在沟道层30的第三区域上露出。第二接触部92可以与第一发光结构10的侧面间隔开。第二接触部92可以与第二发光结构20的侧面间隔开。
根据实施方案，第二接触部92可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第二接触部92可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
同时，根据实施方案，可以提供多个第二接触部92和多个第四接触部94。
根据实施方案的发光器件可以包括第三绝缘层33。例如，第三绝缘层33可以由氧化物或氮化物形成。例如，第三绝缘层33可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。
第三绝缘层33可以布置在第一发光结构10中。第三绝缘层33可以布置在第一接触部91周围。第三绝缘层33可以包围第一接触部91的侧面。第三绝缘层33可以设置为穿过第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。第三绝缘层33的一部分可以从第二导电性第二半导体层13向下延伸。
第一绝缘层31可以布置在第一接触部91周围。第一绝缘部分31可以布置在第一接触部91的侧面周围。第一绝缘部分31可以布置在第三绝缘层33周围。第一绝缘层31可以包围第三绝缘层33。第一绝缘层31可以布置在第一发光结构10之下。第一绝缘层31可以布置在第二导电性第二半导体层13之下。第一绝缘层31可以与第二导电性第二半导体层13的底表面接触。
例如，第一绝缘层31可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。第一绝缘层31和第三绝缘层33可以由相同的材料或相互不同的材料形成。
根据实施方案的发光器件可以包括第四绝缘层43。例如，第四绝缘层43可以由氧化物或氮化物形成。例如，第四绝缘层43可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。
第四绝缘层43可以布置在第二发光结构20中。第四绝缘层43可以布置在第三接触部93周围。第四绝缘层43可以包围第三接触部93的侧面。第四绝缘层43可以设置为穿过第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。第四绝缘层43的一部分可以从第二导电性第四半导体层23向下延伸。
第二绝缘层41可以布置在第三接触部93周围。第二绝缘部分41可以布置在第三接触部93的侧面周围。第二绝缘部分41可以布置在第四绝缘层43周围。第二绝缘层41可以包围第四绝缘层43。第二绝缘层41可以布置在第二发光结构20之下。第二绝缘层41可以布置在第二导电性第四半导体层23之下。第二绝缘层41可以与第二导电性第四半导体层23的底表面接触。
例如，第二绝缘层41可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。第二绝缘层41和第四绝缘层43可以由相同的材料或相互不同的材料形成。
第五绝缘层40可以布置在第一金属层35与第一接触部91之间。第五绝缘层40可以由氧化物和氮化物形成。例如，第五绝缘层40可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。第五绝缘层40可以布置在第一金属层35之下。第五绝缘层40可以布置在第三绝缘层33之下。第五绝缘层40可以布置在沟道层30之下。第五绝缘层40可以布置在第一绝缘层31之下。
第五绝缘层40可以布置在第二金属层45与第三接触部93之间。第五绝缘层40可以布置在第二金属层45之下。第五绝缘层40可以布置在第四绝缘层43之下。第五绝缘层40可以布置在第二绝缘层41之下。
第五绝缘层40可以布置在第一接触部91周围。第五绝缘层40可以布置在第二接触部92周围。第五绝缘层40可以布置在第三接触部93周围。第五绝缘层40可以布置在第一金属层35与第二金属层45之间。
第三金属层50可以布置在第一接触部91之下。第三金属层50可以电连接到第一接触部91。第三金属层50的顶表面可以与第一接触部91的底表面接触。第三金属层50可以布置在第五绝缘层40之下。
第三金属层50可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。第三金属层50可以用作扩散阻挡层。在第三金属层50之下可以设置接合层60和导电支承构件70。
第三金属层50可以在设置接合层60的过程中防止包含在接合层60中的材料扩散到第一反射层17和第二反射层27。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料（例如Sn）对第一反射层17和第二反射层27施加影响。
接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的第一发光结构10和第二发光结构20。接合层60可以以籽层的形式实现。
导电支承构件70可以包括被注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底（例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底和SiGe衬底）中的至少一种。
根据实施方案，第一电极81可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的至少一种。第一电极81可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70的全部。另外，第一电极81可以选择性地包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的一种或两种。
第一电极81可以布置在第一发光结构10之下。第一电极81可以电连接到第一导电性第一半导体层11。第一电极81的底表面可以布置成低于第二电极82的底表面。第一电极81的顶表面可以布置成低于第二电极82的底表面。第一接触部91的底表面可以布置成底于第二电极82的底表面。第一接触部91的底表面可以与第一电极81的顶表面布置在同一平面上。
第三电极83可以布置在第三接触部93之下。第三电极83可以布置在第五绝缘层40之下。第三电极83可以布置在第五绝缘层40与第三金属层50之间。第三电极83可以连接到第二接触部92。第三电极83可以布置在第二发光结构20之下。第三电极83可以电连接到第一导电性第三半导体层21。第三电极83可以通过第三接触部93电连接到第一导电性第三半导体层21。第一电极81的顶表面可以与第三电极83的顶表面布置在同一平面上。
例如，第三电极83可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
另外，根据实施方案的发光器件可以包括布置在第三电极83与第一电极81之间的第六绝缘层48。第六绝缘层48可以由氧化物或氮化物形成。
另外，根据实施方案的发光器件可以包括第四接触部94。第四接触部94可以与第二发光结构20间隔开。第四接触部94可以电连接到第四电极84。第四接触部94可以通过沟道层30电连接到第四电极84。第四接触部94可以电连接到第二电极82。第四接触部94可以与第二电极82的顶表面接触。第四接触部94可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。第四接触部94和第三接触部93可以由相同的材料或相互不同的材料形成。
可以在第一导电性第一半导体层11的顶表面上形成粗糙结构。可以在第一导电性第三半导体层21的顶表面上形成粗糙结构。由此，可以增加在形成粗糙结构的区域处向上提取的光的量。
根据实施方案，可以通过第一电极81和第四电极84将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。例如，在根据实施方案的发光器件中，可以通过第一电极81的导电支承构件70和第四接触部94将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。
因此，可以通过将导电支承构件70附接到接合焊盘（bonding pad）的方案来将功率供应到第一导电性第一半导体层11。根据实施方案，第四接触部94可以电连接到第四电极84。因此，通过引线接合方案将第四接触部94连接到电源焊盘，由此将功率供应到第二导电性第四半导体层23。
如上所述，根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第四接触部94将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。因而，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。另外，因为提供了多个发光结构，所以可以实现高电压发光器件。
同时，尽管实施方案示出了第一发光结构10和第二发光结构20，但是发光结构的数目可以不限于此。例如，可以提供三个或更多个发光结构。在该情况下，发光结构可以串联地或连续地彼此电连接。
在根据实施方案的发光器件中，第一通孔55从第一发光结构10的顶表面形成。另外，第二通孔65从第二发光结构20的顶表面形成。因而，可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外，根据实施方案的发光器件，可以减小布置在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上的电极的面积，使得可以从第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面和侧面省略保护层。因此，可以提高从第一发光结构10和第二发光结构20发射到外界的光的提取效率。
在下文中，将参照图3至图6描述制造根据实施方案的发光器件的方法。
根据制造实施方案的发光器件的方法，如图3所示，可以在衬底5上形成第一导电半导体层11a、有源层12a和第二导电半导体层13a。可以将第一导电半导体层11a、有源层12a和第二导电半导体层13a定义为发光结构10a。
例如，衬底5可以包括蓝宝石衬底（Al2O3）、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一种，但实施方案不限于此。可以在第一导电半导体层11a与衬底5之间布置缓冲层。
第一导电半导体层11a可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，并且第二导电半导体层13a可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11a可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13a可以包括N型半导体层。
例如，第一导电半导体层11a可以包括N型半导体。第一导电半导体层11a可以包括具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料。例如，第一导电半导体层11a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN和InN中的一种，并且可以掺杂有例如Si、Ge、Sn、Se和Te的N型掺杂剂。
有源层12a通过穿过第一导电半导体层11a注入的电子（或空穴）与穿过第二导电半导体层13a注入的空穴（或电子）的复合而发射具有与根据构成有源层12a的材料的能带隙差对应的波长的光。有源层12a可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构和量子线结构中之一，但是实施方案不限于此。
有源层12a可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。当有源层12a具有MQW结构时，有源层12a可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，有源层12a可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环。
例如，第二导电半导体层13a可以通过使用P型半导体来实现。第二导电半导体层13a可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来实现。例如，第二导电半导体层13a可以包含选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN和InN中的一种，并且可以掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba的P型掺杂剂。
同时，第一导电半导体层11a可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层13a可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电半导体层13a上附加地设置包括N型半导体层或P型半导体层的半导体层。因此，发光结构10a可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构或者PNP结结构中的至少一种结构。另外，第一导电半导体层11a和第二导电半导体层13a中可以以均匀或非均匀掺杂浓度掺杂有杂质。换句话说，发光结构10a可以具有各种结构，并且实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电半导体层11a与有源层12a之间形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13a与有源层12a之间形成第二导电AlGaN层。
接下来，如图4所示，可以在发光结构10a上形成沟道层30、第一绝缘层31和第二绝缘层41。沟道层30、第一绝缘层31和第二绝缘层41可以通过使用相同的材料或相互不同的材料来形成。例如，沟道层30、第一绝缘层31和第二绝缘层41可以由氧化物或氮化物形成。沟道层30、第一绝缘层31和第二绝缘层41可以通过使用选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3和TiO2中的至少一种来形成。
然后，如图4所示，可以在发光结构10a上设置第一欧姆接触层15、第二欧姆接触层25、第一反射层17和第二反射层27。
第一欧姆接触层15可以布置在第一反射层17与第二导电半导体层13a之间。第一欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13a接触。第二欧姆接触层25可以布置在第二反射层27与第二导电半导体层13a之间。第二欧姆接触层25可以与第二导电半导体层13a接触。
第一欧姆接触层15可以与发光结构10a欧姆接触。第一反射层17可以电连接到第二导电半导体层13a。第一欧姆接触层15可以包括与发光结构10a欧姆接触的欧姆接触区域。第二欧姆接触层25可以与发光结构10a欧姆接触。第二反射层27可以电连接到第二导电半导体层13a。第二欧姆接触层25可以包括与发光结构10a欧姆接触的欧姆接触区域。
例如，第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25可以包括透明导电氧化物层。例如，第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25可以包括选自以下中的至少一种：ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、AZO（铝锌氧化物）、AGZO（铝镓锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、ATO（锑锡氧化物）、GZO（镓锌氧化物）、IZON（IZO氮化物）、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag和Ti。
第一反射层17和第二反射层27可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射层17和第二反射层27可以包括含有Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种的金属及其合金。
另外，第一反射层17和第二反射层27可以通过使用金属或其合金和透射导电材料形成为多层结构，所述透射导电材料为例如ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、AZO（铝锌氧化物）或ATO（锑锡氧化物）。例如，根据实施方案，第一反射层17和第二反射层27可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金中至少一种。
例如，第一反射层17和第二反射层27可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti层，和Pt层。另外，第一欧姆接触层15可以设置在第一反射层17上，并且第一欧姆接触层15的至少一部分可以通过第一反射层17与发光结构10a欧姆接触。此外，第二欧姆接触层25可以设置在第二反射层27上，并且第二欧姆接触层25的至少一部分可以通过第二反射层27与发光结构10a欧姆接触。
此后，如图5所示，可以在第一反射层17上形成第一金属层35，并且在第二反射层27上形成第二金属层45。另外，在第一金属层35和第二金属层45上形成第五绝缘层40、第三电极83、第六绝缘层48、第三金属层50、接合层60和导电支承构件70。
第一金属层35和第二金属层45可以包含选自Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。根据实施方案，第二电极82可以包括第一反射层17、第一欧姆接触层15和第一金属层35中的至少之一。例如，第二电极82可以包括第一反射层17、第一欧姆接触层15和第一金属层35的全部，或者可以选择性地包括第一反射层17、第一欧姆接触层15和第一金属层35中的一种或两种。第四电极84可以包括第二反射层27、第二欧姆接触层25和第二金属层45中的至少之一。例如，第四电极84可以包括第二反射层27、第二欧姆接触层25和第二金属层45的全部，或者可以选择性地包括第二反射层27、第二欧姆接触层25和第二金属层45中的一种或两种。
第五绝缘层40可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第五绝缘层40可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。
可以在第五绝缘层40上形成第三电极83。第三电极83可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中至少之一。第三电极83可以用作扩散阻挡层。
可以在第三电极83上形成第六绝缘层48。例如，第六绝缘层48可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN的至少一种。
可以在第六绝缘层48上布置第三金属层50。第三金属层50可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中至少之一。第三金属层50可以用作扩散阻挡层。在第三金属层50上可以设置接合层60和导电支承构件70。
第三金属层50可以防止在设置接合层60的过程中包含在接合层60中的材料扩散到第一反射层17和第二反射层27。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料（例如Sn）对第一反射层17和第二反射层27施加影响。
接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的发光结构10a。接合层60可以以籽层的形式来实现。
导电支承构件70可以包括注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底（例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底和SiGe衬底）中的至少一种。
根据实施方案，第一电极81可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的至少之一。第一电极81可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70的全部。另外，第一电极81可以选择性地包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的两种或三种。
接下来，将衬底5从第一导电半导体层11a移除。根据一个实施例，可以通过激光剥离（LLO）工艺移除衬底5。LLO工艺为通过向衬底5的底表面辐照激光来使衬底5从第一导电半导体层11a剥离的工艺。
另外，如图6所示，通过隔离蚀刻工艺对发光结构10a的侧面进行蚀刻以使沟道层30的一部分露出。可以通过干法蚀刻工艺例如电感耦合等离子体（ICP）来进行隔离蚀刻工艺，但实施方案不限于此。第一发光结构10和第二发光结构20可以通过隔离蚀刻工艺设置。
第一发光结构10可以包括第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。第二发光结构20可以包括第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电第四半体层23。
可以在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上形成粗糙结构。因此，可以在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上设置光提取图案。可以在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上设置凸凹图案。例如，可以通过PEC（光电化学）蚀刻工艺来提供设置在第一发光结构10和第二发光结构20上的光提取图案。因此，根据实施方案，可以增加外部光提取效果。
接下来，如图6所示，可以形成第三绝缘层33、第四绝缘层43、第一接触部91、第二接触部92、第三接触部93和第四接触部94。
第三绝缘层33可以设置为穿过第一发光结构10。第三绝缘层33可以通过穿过第一发光结构10与第五绝缘层40接触。第三绝缘层33可以通过穿过第一发光结构10与第一绝缘层31的侧面接触。例如，第三绝缘层33可以由氧化物或氮化物形成。
第四绝缘层43可以设置为穿过第二发光结构20。第四绝缘层43可以通过穿过第二发光结构20与第五绝缘层40接触。第四绝缘层43可以通过穿过第二发光结构20与第二绝缘层41的侧面接触。例如，第四绝缘层43可以由氧化物或氮化物形成。
根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部91。第一接触部91可以设置为穿过第一发光结构10。第一接触部91可以设置为穿过第一导电性第一半导体层11，第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。
例如，如图2所示，可以在根据实施方案的第一发光结构10中形成多个第一接触部91。第一接触部91可以沿第一发光结构10的第一通孔55布置。第一接触部91的第一区域可以电连接到第一电极81并且第一接触部91的第二区域可以与第一导电性第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一接触部91的第一区域可以与第三金属层50接触。具体地，第一接触部91的第一区域可以与第三金属层50的顶表面接触。例如，当第一发光结构10生长为GaN半导体层时，第一接触部91可以与第一导电性第一半导体层11的n面接触。
尽管在图6所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部91，但是根据实施方案的第一发光结构10可以形成为具有如图2所示的多个第一通孔55，并且可以在每个第一通孔55中形成第一接触部91。
第一接触部91可以在第一导电性第一半导体层11的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部91分布在第一发光结构10上，所以可以使施加到第一导电性第一半导体层11的电流分散。因而，可以防止第一导电性第一半导体层11的劣化并且可以提高第一有源层12中的电子和空穴的复合效率。
根据实施方案，第一接触部91可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第一接触部91可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第三接触部93。第三接触部93可以设置为穿过第二发光结构20。第三接触部93可以设置为穿过第一导电性第三半导体层21，第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。
例如，如图2所示，可以在根据实施方案的第二发光结构20中形成多个第三接触部93。第三接触部93可以沿第二发光结构20的第二通孔65布置。第三接触部93的第一区域可以电连接到第三电极83并且第三接触部93的第二区域可以与第一导电性第三半导体层21的顶表面接触。例如，第三接触部93的第一区域可以与第三电极83接触。具体地，第三接触部93的第一区域可以与第三电极83的顶表面接触。例如，当第二发光结构20生长为GaN半导体层时，第三接触部93可以与第一导电性第三半导体层21的n面接触。
尽管在图6所示的发光器件中示出了仅一个第三接触部93，但是根据实施方案的第二发光结构20可以形成为具有如图2所示的多个第二通孔65，并且可以在每个第二通孔65中形成第三接触部93。
第三接触部93可以在第一导电性第三半导体层21的顶表面上彼此间隔开。因为第三接触部93分布在第二发光结构20上，所以可以使施加到第一导电性第三半导体层21的电流分散。因而，可以防止第一导电性第三半导体层21的劣化并且可以提高第二有源层22中的电子和空穴的复合效率。
根据实施方案，第三接触部93可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第三接触部93可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部92。第二接触部92可以电连接到第二电极82和第三电极83。第二接触部92可以布置在第一发光结构10与第二发光结构20之间。第二接触部92可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间露出。
第二接触部92的一端可以与第二电极82的顶表面接触并且第二接触部92的另一端可以与第三电极83的顶表面接触。第二接触部92可以在沟道层30上露出。第二接触部92可以与第一发光结构10的侧面间隔开。第二接触部92可以与第二发光结构20的侧面间隔开。
根据实施方案，第二接触部92可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第二接触部92可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
另外，根据实施方案的发光器件可以包括第四接触部94。第四接触部94可以与第二发光结构20间隔开。第四接触部94可以电连接到第四电极84。第四接触部94可以通过沟道层30电连接到第四电极84。第四接触部94可以电连接到第二电极82。第四接触部94可以与第二电极82的顶表面接触。第四接触部94可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。第四接触部94和第三接触部93可以由相同的材料或相互不同的材料形成。
同时，根据实施方案，可以提供多个第二接触部92和第四接触部94。另外，以上所述的制造工艺仅为示例目的且可以作各种修改。
根据实施方案，可以通过第一电极81和第四电极84将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。例如，在根据实施方案的发光器件中，可以通过第一电极81的导电支承构件70和第四接触部94将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。
因此，可以通过将导电支承构件70附接到接合焊盘的方案来将功率供应到第一导电性第一半导体层11。根据实施方案，第四接触部94可以电连接到第四电极84。因此，通过引线接合方案将第四接触部94连接到电源焊盘，由此将功率供应到第二导电性第四半导体层23。
如上所述，根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第四接触部94将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。因而，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。另外，因为提供了多个发光结构，所以可以实现高电压发光器件。
同时，尽管实施方案示出了第一发光结构10和第二发光结构20，发光结构的数目可以不限于此。例如，可以提供三个或更多个发光结构。在该情况下，发光结构可以串联地或连续地彼此电连接。
在根据实施方案的发光器件中，第一通孔55从第一发光结构10的顶表面形成。另外，第二通孔65从第二发光结构20的顶表面形成。因而，可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外，根据实施方案的发光器件，可以减小布置在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上的电极的面积，使得可以从第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面和侧面省略保护层。因此，可以提高从第一发光结构10和第二发光结构20发射到外界的光的提取效率。
图7为示出根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。在关于图7中所示的发光器件的以下描述中，为了避免赘述将不再描述那些与参照图1和图2所描述的相同的部件和结构。
根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10之下设置第一欧姆反射层19。可以实现第一欧姆反射层19，使得第一欧姆反射层19既用作第一反射层17又用作第一欧姆接触层15。因此，第一欧姆反射层19可以与第二导电性第二半导体层13欧姆接触并且反射从第一发光结构10入射到第一欧姆反射层19的光。
在该情况下，第一欧姆反射层19可以包括多个层。例如，第一欧姆反射层19可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的发光器件，设置在第一欧姆反射层19之下的导电支承构件70可以电连接到设置在第一欧姆反射层19上的第一导电性第一半导体层11。
根据实施方案的第二电极82可以包括第一欧姆反射层19和第一金属层35中的至少一种。在根据实施方案的发光器件中，设置在第二电极82之下的导电支承构件70可以通过第一接触部91电连接到设置在第二电极82上的第一导电性第一半导体层11。
根据实施方案的发光器件，可以在第二发光结构20之下设置第二欧姆反射层29。可以实现第二欧姆反射层29，使得第二欧姆反射层29既用作第二反射层27又用作第二欧姆接触层25。因此，第二欧姆反射层29可以与第二导电性第四半导体层23欧姆接触并且反射从第二发光结构20入射到第二欧姆反射层29的光。
在该情况下，第二欧姆反射层29可以包括多个层。例如，第二欧姆反射层29可以具有Ag层和Ni层交替形成的结构，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的第四电极84可以包括第二欧姆反射层29和第二金属层45中的至少一种。第四电极84可以通过第三接触部93电连接到第一导电性第三半导体层21。
根据实施方案的发光器件可以包括第一接触部91。第一接触部91可以设置为穿过第一发光结构10。第一接触部91可以设置为穿过第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。
例如，如图2所示，可以在根据实施方案的第一发光结构10中形成多个第一接触部91。第一接触部91可以沿第一发光结构10的第一通孔55布置。第一接触部91的第一区域可以电连接到第一电极81并且第一接触部91的第二区域可以与第一导电性第一半导体层11的顶表面接触。例如，第一接触部91的第一区域可以与第三金属层50接触。具体地，第一接触部91的第一区域可以与第三金属层50的顶表面接触。例如，当第一发光结构10生长为GaN半导体层时，第一接触部91可以与第一导电性第一半导体层11的n面接触。
尽管在图7所示的发光器件中示出了仅一个第一接触部91，但是根据实施方案的第一发光结构10可以形成有如图2所示的多个第一通孔55，并且第一接触部91可以形成在每个第一通孔55中。
第一接触部91可以在第一导电性第一半导体层11的顶表面上彼此间隔开。因为第一接触部91分布在第一发光结构10上，所以可以使施加到第一导电性第一半导体层11的电流分散。因而，可以防止第一导电性第一半导体层11的劣化并且可以提高第一有源层12中的电子和空穴的复合效率。
根据实施方案，第一接触部91可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第一接触部91可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第三接触部93。第三接触部93可以设置为穿过第二发光结构20。第三接触部93可以设置为穿过第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。
例如，如图2所示，可以在根据实施方案的第二发光结构20中形成多个第三接触部93。第三接触部93可以沿第二发光结构20的第二通孔65布置。第三接触部93的第一区域可以电连接到第三电极83并且第三接触部93的第二区域可以与第一导电性第三半导体层21的顶表面接触。例如，第三接触部93的第一区域可以与第三电极83接触。具体地，第三接触部93的第一区域可以与第三电极83的顶表面接触。例如，当第二发光结构20生长为GaN半导体层时，第三接触部93可以与第一导电性第三半导体层21的n面接触。
尽管在图7所示的发光器件中示出了仅一个第三接触部93，但是根据实施方案的第二发光结构20可以形成有如图2所示的多个第二通孔65，并且第三接触部93可以形成在每个第二通孔65中。
第三接触部93可以在第一导电性第三半导体层21的顶表面上彼此间隔开。因为第三接触部93分布在第二发光结构20上，所以可以使施加到第一导电性第三半导体层21的电流分散。因而，可以防止第一导电性第三半导体层21的劣化并且可以提高第二有源层22中的电子和空穴的复合效率。
根据实施方案，第三接触部93可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第三接触部93可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第二接触部92。第二接触部92可以电连接到第二电极82和第三电极83。第二接触部92可以布置在第一发光结构10与第二发光结构20之间。第二接触部92可以在第一发光结构10与第二发光结构20之间露出。
第二接触部92的一端可以与第二电极82的顶表面接触并且第二接触部92的另一端可以与第三电极83的顶表面接触。第二接触部92可以在沟道层30的第三区域上露出。第二接触部92可以与第一发光结构10的侧面间隔开。第二接触部92可以与第二发光结构20的侧面间隔开。
根据实施方案，第二接触部92可以包括欧姆层、中间层和上部层。欧姆层可以包括选自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以产生欧姆接触。中间层可以通过使用选自Ni、Cu和Al的材料来实现。例如，上部层可以包含Au。第二接触部92可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。
另外，根据实施方案的发光器件可以包括第四接触部94。第四接触部94可以与第二发光结构20间隔开。第四接触部94可以电连接到第四电极84。第四接触部94可以通过沟道层30电连接到第四电极84。第四接触部94可以电连接到第二电极82。第四接触部94可以与第二电极82的顶表面接触。第四接触部94可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au和Mo中的至少一种。第四接触部94和第三接触部93可以由相同的材料或相互不同的材料形成。
同时，根据实施方案，可以设置多个第二接触部92和第四接触部94。
根据实施方案，可以通过第一电极81和第四电极84将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。例如，在根据实施方案的发光器件中，可以通过第一电极81的导电支承构件70和第四接触部94将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。
因此，可以通过将导电支承构件70附接到接合焊盘的方案来将功率供应到第一导电性第一半导体层11。根据实施方案，第四接触部94可以电连接到第四电极84。因此，通过引线接合方案将第四接触部94连接到电源焊盘，由此将功率供应到第二导电性第四半导体层23。
如上所述，根据实施方案的发光器件，可以通过导电支承构件70和第四接触部94将功率施加到第一发光结构10和第二发光结构20。因而，根据实施方案，可以防止电流集中，并且可以提高电可靠性。另外，因为提供了多个发光结构，所以可以实现高电压发光器件。
同时，尽管实施方案示出了第一发光结构10和第二发光结构20，发光结构的数目可以不限于此。例如，可以提供三个或更多个发光结构。在该情况下，发光结构可以串联地或连续地彼此电连接。
在根据实施方案的发光器件中，第一通孔55从第一发光结构10的顶表面形成。另外，第二通孔65从第二发光结构20的顶表面形成。因而，可以简化制造工艺并且可以提高产品产率。另外，根据实施方案的发光器件，可以减小布置在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上的电极的面积，使得可以从第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面和侧面省略保护层。因此，可以提高从第一发光结构10和第二发光结构20发射到外界的光的提取效率。
图8为示出应用根据实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图。
参照图8，根据实施方案的发光器件封装件可以包括本体120、形成在本体120上的第一引线电极131和第二引线电极132、设置在本体120上并且电连接到第一引线电极131和第二引线电极132的发光器件100和包围发光器件100的模制构件140。
本体120可以包括硅、合成树脂或金属材料，并且在发光器件100附近可以形成倾斜表面。
第一引线电极131和第二引线电极132可以彼此电绝缘以将功率供应到发光器件100。第一引线电极131和第二引线电极132可以通过反射从发光器件100发射的光来提高发光效率。此外，第一引线电极131和第二引线电极132可以使从发光器件100生成的热消散到外界。
可以将发光器件100安装在本体120或者第一引线电极131或第二引线电极132上。
可以通过引线方案、倒装芯片方案和芯片接合方案中的一种方案将发光器件100电连接到第一引线电极131和第二引线电极132。
模制构件140可以包围发光器件100以保护发光器件100。另外，模制构件140可以包括磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。
可以将根据实施方案的多个发光器件或多个发光器件封装件排布在板上，并且可以将包括透镜、导光板、棱镜片、或扩散片的光学构件设置在从发光器件封装件发射的光的光路上。发光器件封装件、板和光学构件可以用作光单元。光单元以顶视型或侧视型实现并且不同地设置在便携终端和膝上型计算机的显示装置或者照明设备和指示设备中。另外，根据其他实施方案的照明设备可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。例如，照明设备可以包括灯、信号灯、电子显示板和车辆的前灯。
可以将根据实施方案的发光器件应用到光单元。光单元具有排布有多个发光器件的结构。光单元可以包括如图9和图10中所示的显示装置和如图11中所示的照明设备。
参照图9，根据实施方案的显示装置1000包括导光板1041、用于将光供应到导光板1041的发光模块1031、设置在导光板1041下方的反射构件1022、设置在导光板1041上方的光学片1051、设置在光学片1051上方的显示面板1061以及用于容纳导光板1041、发光模块1031和反射构件1022的底盖1011。然而，实施方案不限于以上结构。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051可以构成光单元1050。
导光板1041使光扩散以提供面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酰基树脂，例如PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）树脂、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）树脂、PC（聚碳酸酯）树脂、COC（环烯烃共聚物）树脂和PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）树脂中之一。
发光模块1031将光供应到导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示装置的光源。
至少一个发光模块1031设置为从导光板1041的一侧直接或间接地供应光。发光模块1031可以包括板1033和以上所述的根据实施方案的发光器件100或发光器件封装件200。发光器件封装件200可以排布在板1033上，同时以预定间隔彼此间隔开。
板1033可以为包括电路图案的印刷电路板（PCB）。另外，板1033也可以包括金属芯PCB（MCPCB）或柔性PCB（FPCB）和PCB，但实施方案不限于此。如果发光器件封装件200安装在底盖1011的侧面上或散热板上，则可以省略板1033。散热板可以与底盖1011的顶表面部分地接触。
另外，安装发光器件封装件200，使得发光器件封装件200的光出射面以预定距离与导光板1041间隔开，但实施方案不限于此。发光器件封装件200可以将光直接或间接地供应到作为导光板1041的一侧的光入射部，但实施方案不限于此。
反射构件1022可以布置在导光板1041下方。反射构件1022将穿过导光板1041的底表面向下传播的光向上反射，由此提高光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET树脂、PC树脂或PVC树脂，但实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但实施方案不限于此。
底盖1011可以在其中容纳有导光板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此，底盖1011具有容纳部分1012，该容纳部分1012为具有开口顶表面的盒形状，但实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖（未示出）耦接，但实施方案不限于此。
底盖1011可以通过使用金属材料或树脂材料经由冲压工艺或挤出工艺来制造。另外，底盖1011可以包括具有极好热导率的金属或非金属材料，但实施方案不限于此。
显示面板1061例如为包括彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底和布置在第一衬底与第二衬底之间的液晶层的LCD面板。可以将极化板附接到显示面板1061的至少一个表面，但实施方案不限于此。显示面板1061通过利用穿透光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可以应用于各种便携式终端，笔记本计算机和膝上型计算机的屏幕和电视机。
光学片1051布置在显示面板1061与导光板1041之间并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括扩散片、水平和竖直棱镜片和亮度增强片中至少之一。扩散片使入射光扩散，水平和/或竖直棱镜片将入射光会聚到显示区域上，并且亮度增强片通过重新利用损失的光来提高亮度。另外，可以在显示面板1061上设置保护片，但实施方案不限于此。
导光板1041和光学片1051可以设置在发光模块1031的光路上作为光学构件，但实施方案不限于此。
图10为示出根据实施方案的显示装置的另一实施例的截面图。
参照图10，显示装置1100包括底盖1152、在其上排布有发光器件100的板1020、光学构件1154和显示面板1155。板1020和发光器件封装件200可以构成发光模块1060。另外，底盖1152、至少一个发光模块1060和光学构件1154可以构成光单元。可以在底盖1152中设置容纳部分1153，但实施方案不限于此。
在该情况下，光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和竖直棱镜片以及亮度增强片中的至少之一。导光板可以包括PC或PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）。导光板可以省略。扩散片使入射光扩散，水平和竖直棱镜片将入射光会聚到显示区域中，并且亮度增强片通过重新利用损失的光来提高亮度。
光学构件1154布置在发光模块1060上，以便于将从发光模块1060发射的光转换为面光。另外，光学构件1154可以使光扩散或者聚集。
图11为示出根据实施方案的照明设备的透视图。
参照图11，根据实施方案的照明设备可以包括盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部分2600、内壳2700和插座2800。根据实施方案的照明设备还可以包括构件2300和保持器2500之一。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件封装件。
例如，盖2100可以具有灯泡状或半球形形状。盖2100可以具有部分打开的中空结构。盖2100可以与光源模块2200光学耦合。例如，盖2100可以对从光源2200提供的光进行扩散、散射或激发。盖2100可以为光学构件。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可以包括与散热器2400耦接的耦接部分。
盖2100可以包括涂覆有奶白色颜料的内表面。奶白色颜料可以包括扩散材料以使光扩散。盖2100的内表面的粗糙度可以大于盖2100的外表面的粗糙度。设置表面粗糙度以便使来自光源模块2200的光充分散射和扩散。
盖2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）或聚碳酸酯（PC）。在以上材料中，聚碳酸酯（PC）具有优良的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以为透明的，使得使用者可以从外界观察光源模块2200，或者可以为不透明的。盖2100可以通过吹塑方案来提供。
光源模块2200可以布置在散热器2400的一个表面处。因此，来自光源模块2200的热被传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230和连接器2250。
构件2300布置在散热器2400的顶表面，并且包括使多个光源2210和连接器2250插入的引导槽2310。引导槽2310对应于光源2210和连接器2250的板。
构件2300的表面可以涂覆有光反射材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色颜料。构件2300将由盖2100的内表面反射并且返回到光源模块2200的方向的光再次反射到盖2100的方向。因此，可以提高根据实施方案的照明设备的光效率。
例如，构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热器2400可以电连接到连接板2230。构件2300可以通过绝缘材料形成，由此防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源部分2600的热并且将热消散。
保持器2500覆盖内壳2700的绝缘部分2710的容纳槽2719。因此，将容纳在内壳2700的绝缘部分2710中的电源部分2600密封。保持器2500包括引导凸起2510。引导凸起2510具有孔并且电源部分2600的凸起通过穿过该孔而延伸。
电源部分2600对从外界接收的电信号进行处理或转换并且将经处理或转换的电信号提供到光源模块2200。电源部分2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中，并且通过保持器2500被密封在内壳2700的内部。电源部分2600可以包括凸起2610、引导部分2630、基底2650和延伸部分2670。
引导部分2630具有从基底2650的一侧向外侧凸出的形状。可以将引导部分2630插入到保持器2500中。在基底2650的一个表面上可以布置多个部件。例如，该部件可以包括：将从外部电源提供的AC电力转化为DC电力的DC转化器；控制光源模块2200的驱动的驱动芯片；和保护光源模块2200的静电放电（ESD）保护装置，但实施方案不限于此。
延伸部分2670具有从基底2650的相反侧向外突出的形状。延伸部分2670插入到内壳2700的连接部分2750的内部，并且接收来自外界的电信号。例如，延伸部分2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部分2750的宽度。将“+电线”和“-电线”的第一端子电连接到延伸部分2670并且可以将“+电线”和“-电线”的第二端子电连接到插座2800。
内壳2700可以包括在其中的模制部分和电源部分2600。模制部分通过使模制液体硬化来制备，并且可以通过模制部分将电源部分2600固定在内壳2700的内部。
在该说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任意参考是指结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性被包括在本发明中的至少一个实施方案中。在说明书中的各个位置中的这样的短语的出现未必都指代相同的实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为结合实施方案中的其他实施方案实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的视野范围之内。
尽管已经参照大量说明性实施方案对实施方案进行了描述，应该理解的是，本领域技术人员可以作出落在本公开内容的原则的精神和范围之内的大量其他修改和实施方案。更具体地，可以在公开内容、附图和所附的权利要求的范围之内对主题组合布置的部件部分和/或布置方面进行各种变型和修改。除部件部分和/或布置方面的变型和修改之外，替代性用途对本领域技术人员也是明显的。
Claims (23)
1.一种发光器件，包括：
第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电性第一半导体层、在所述第一导电性第一半导体层之下的第一有源层、和在所述第一有源层之下的第二导电性第二半导体层；
第二发光结构，所述第二发光结构包括第一导电性第三半导体层、在所述第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、和在所述第二有源层之下的第二导电性第四半导体层；
第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电性第一半导体层并且布置在所述第一发光结构之下；
第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电性第二半导体层并且布置在所述第一发光结构之下；
第三电极，所述第三电极电连接到所述第一导电性第三半导体层并且布置在所述第二发光结构之下；
第四电极，所述第四电极电连接到所述第二导电性第四半导体层并且布置在所述第二发光结构之下；
第一接触部，所述第一接触部设置为穿过所述第一发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和与所述第一导电性第一半导体层的顶表面接触的第二区域；
第二接触部，所述第二接触部电连接到所述第二电极和所述第三电极；和
第三接触部，所述第三接触部设置为穿过所述第二发光结构并且包括电连接到所述第三电极的第一区域和与所述第一导电性第三半导体层的顶表面接触的第二区域。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一发光结构和所述第二发光结构的下部外周部分处露出的沟道层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述沟道层的第一区域布置在所述第二导电性第二半导体层之下。
4.根据权利要求1所述的发光器件，还包括与所述第二发光结构间隔开并且电连接到所述第四电极的第四接触部。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部设置为穿过所述第一导电性第一半导体层、所述第一有源层和所述第二导电性第二半导体层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部的底表面布置为低于所述第二电极的底表面。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极的顶表面布置为低于所述第二电极的底表面。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极包括欧姆接触层和反射层。
9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括布置在所述第一接触部周围在所述第一发光结构中的第一绝缘层。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一绝缘层设置为穿过所述第一导电性第一半导体层、所述第一有源层和所述第二导电性第二半导体层。
11.根据权利要求9所述的发光器件，还包括布置在所述第一绝缘层周围在所述第二导电性第二半导体层之下的第二绝缘层。
12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一电极与所述第二电极之间的第三绝缘层。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部包括多个第一接触部。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述多个第一接触部在所述第一导电性第一半导体层的所述顶表面上彼此间隔开。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括金属层和在所述金属层之下导电支承构件。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接触部的底表面与所述第一电极的顶表面布置在同一平面上。
17.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极的顶表面与所述第三电极的顶表面布置在同一平面上。
18.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二接触部与所述第二电极的顶表面和所述第三电极的顶表面接触。
19.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二接触部布置在所述第一发光结构与所述第二发光结构之间。
20.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二接触部的一端与所述第二电极的顶表面接触并且所述第二接触部的相反端与所述第三电极的顶表面接触。
21.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二接触部与所述第一发光结构的侧面间隔开。
22.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二接触部包括多个第二接触部。
23.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述第一导电性第一半导体层的顶表面上的粗糙结构。
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