CN105453280B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件。根据本发明的实施例的发光器件包括：发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在有源层下；沟道层，围绕发光结构的下部布置；第一电极，布置在沟道层上；第二电极，布置在发光结构下；以及连接布线，用于电连接第一电极和第一导电半导体层。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明单元。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛用作发光器件之一。LED通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为光形式，诸如红外光、紫外光和可见光。
随着发光器件的光效率提高，LED已经用于各种领域，诸如显示设备和照明应用。
发明内容
【技术问题】
实施例提供一种发光器件、发光器件封装以及照明单元，能够通过扩大发光面积提高光效率。
【技术方案】
根据实施例的发光器件包括：发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在有源层下；沟道层，围绕发光结构的下部；第一电极，在沟道层上；第二电极，在发光结构下；以及连接布线，用于电连接第一电极和第一导电半导体层。
【有益效果】
根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明单元能够通过扩大发光面积提高光效率。
附图说明
图1为示出根据实施例的发光器件的视图；
图2为图1所示的发光器件的平面图。
图3至图6为示出根据实施例的发光器件的制造方法的视图。
图7至图10为示出根据实施例的发光器件的其它示例的视图。
图11为示出根据实施例的发光器件封装的视图。
图12为示出根据实施例的显示装置的视图。
图13为示出根据实施例的显示装置的另一个示例的视图。
图14为示出根据实施例的照明设备的视图。
具体实施方式
在实施例的说明中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时，其可“直接”或“间接”在另一个衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上方或下方，或者也可以存在一个或更多介于中间的层。已参考附图描述了层的这种位置。
在下文中，将参考附图具体描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、照明单元以及发光器件的制造方法。
图1为示出根据实施例的发光器件的视图，以及图2为图1所示的发光器件的平面图。
如图1和图2所示，根据实施例的发光器件可以包括发光结构10、沟道层30、第一电极81、第二电极82以及连接布线85。
发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以布置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以布置在第一导电半导体层11下且第二导电半导体层13可以布置在有源层12下。
例如，第一导电半导体层11可以制备为掺杂有用作第一导电掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，且第二导电半导体层13可以制备为掺杂有用作第二导电掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以制备为p型半导体层，而第二导电半导体层13可以制备为n型半导体层。
例如，第一导电半导体层11可以包括n型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体制备。例如，第一导电半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体制备。
例如，第一导电半导体层11可以通过使用组分化学式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料实现。例如，第一导电半导体层11可以包括从掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te等n型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP构成的组选择的一个。
通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)和通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)在有源层12中结合，使得有源层12发射与根据构成有源层12的材料的能带隙差异对应的光。有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构之一，但是实施例不限于此。
有源层12可以通过使用化合物半导体实现。有源层12可以通过使用组分化学式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环结构。
第二导电半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以通过使用化合物半导体实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体实现。
例如，第二导电半导体层13可以通过使用组分化学式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料实现。例如，第二导电半导体层13可以包括从掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等p型掺杂剂的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP构成的组选择的一个。
同时，第一导电半导体层11可以包括p型半导体层，而第二导电半导体层13可以包括n型半导体层。另外，包括n型半导体层或p型半导体层的半导体层可以进一步设置在第二导电半导体层13下。因此，发光结构10可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构以及pnp结结构至少之一。另外，杂质可以以均匀或不均匀的掺杂浓度掺杂到第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换句话说，根据实施例的发光结构10可以不同地配置，实施例不限于此。
另外，第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构可以形成在第一导电半导体层11与有源层12之间。另外，第二导电AlGaN层可以形成在第二导电半导体层13与有源层12之间。
根据实施例的发光器件可以包括围绕发光结构10的下部布置的沟道层30。例如，沟道层30的顶面可以在相同的平面上与发光结构10的底面对齐。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13下。沟道层30的一端可以与第二导电半导体层13的底面接触。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与第二电极82之间。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与欧姆接触层15之间。
例如，沟道层30可以由氧化物或氮化物形成。例如，沟道层30可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN构成的组选择的至少之一。沟道层30可以称为隔离层。沟道层30可以在稍后针对发光结构10执行隔离工艺时用作蚀刻终止层并且可以防止发光器件的电特性由于隔离工艺而退化。
第一电极81可以布置在沟道层30上。第一电极81可以与沟道层30的顶面直接接触。第一电极81可以围绕发光结构10的下部布置。第一电极81可以包围发光结构10。第一电极81具有的宽度可以小于沟道层30的宽度。例如，沟道层30具有的宽度可以处于5微米至70微米的范围，而第一电极81具有的宽度可以处于5微米至30微米的范围。
第一电极81可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。连接布线85可以将第一电极81与第一导电半导体层11电连接。
连接布线85可以布置在第一导电半导体层11上。连接布线85可以布置在第一电极81上。连接布线85可以布置在发光结构10的横向侧部。可以设置多个连接布线85。可以设置至少两个连接布线85。可以恰当地选择连接布线85的数量使得从第一电极81施加的电力能够分布在第一导电半导体层11上。例如，考虑到工作电压可以选择性地设置1到64个连接布线85。例如，第一电极81和连接布线85可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件，第一电极81可以不布置在发光结构10上。连接布线85的电连接至第一电极81的一部分可以布置在发光结构10上。根据实施例，使布置在第一导电半导体层11上的金属层的面积最小化，使得在发光结构10的向上方向上的发光面积能够扩大。因此，根据实施例的发光器件能够提高光效率。
根据实施例的发光器件可以包括电连接至第一电极81的接合焊盘90。接合焊盘90可以布置在发光结构10上。接合焊盘90可以布置在连接布线85上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部的边缘区域。接合焊盘90可以沿第一导电半导体层11的对角线方向布置。例如，接合焊盘90可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au或Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件可以包括布置在连接布线85与发光结构10之间的绝缘层40。绝缘层40可以布置在连接布线85与有源层12之间。绝缘层40可以布置在连接布线85与第二导电半导体层13之间。
例如，绝缘层40可以由氧化物或氮化物形成。例如，绝缘层40可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN构成的组选择的至少之一。
根据实施例的发光器件可以包括布置在发光结构10下的反射层17。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。反射层17可以布置在第二导电半导体层13下。
根据实施例的发光器件可以包括布置在反射层17与第二导电半导体层13之间的欧姆接触层15。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。
欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。欧姆接触层15可以包括与发光结构10进行欧姆接触的区域。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。反射层17可以具有通过反射从发光结构10入射到此的光来增加向外部的提取光量的功能。
例如，欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，欧姆接触层15可以包括从ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、AZO(氧化铝锌)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag或Ti构成的组选择的至少之一。
反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射层17可以包括金属，包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au或Hf或其合金至少之一。另外，反射层17可以通过使用金属或其合金和透光导电材料制备为复合层，该透光导电材料例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(氧化铝锌)或ATO(氧化锑锡)。例如，根据实施例，反射层17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或Ag-Cu合金至少之一。
例如，反射层17可以包括交替对齐的Ag层和Ni层，并且可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。另外，欧姆接触层15可以形成在反射层17上，并且欧姆接触层15的至少一部分可以通过反射层17与发光结构10欧姆接触。
根据实施例的发光器件可以包括布置在反射层17下的金属层50。金属层50可以包括Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo的至少之一。
根据实施例，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的至少之一。例如，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的全部或者可以选择性地包括一个或两个层。
金属层50可以用作扩散阻挡层。接合层60和导电支撑元件70可以布置在金属层50下。
金属层50可以在设置接合层60的工艺中防止接合层60中包含的材料扩散到反射层17。金属层50可以防止接合层60中包含的材料(诸如Sn)影响反射层17。
接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta的至少之一。导电支撑元件70可以支撑根据实施例的发光结构10同时执行散热功能。接合层60可以实现为籽晶层。
导电支撑元件70可以包括注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底(例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底以及SiGe衬底)的至少之一。
根据实施例，电力可以通过第二电极82和第一电极81施加到发光结构10。根据实施例，第一电极81可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括从Cr、V、W、Ti以及Zn构成的组选择的材料以实现欧姆接触。中间层可以通过使用从Ni、Cu以及Al构成的组选择的材料实现。例如，上层可以包括Au。第一电极81可以包括从Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo构成的组选择的至少之一。
粗糙度(例如，粗糙结构)可以形成在第一导电半导体层11的顶面上。因此，在向上方向上提取的光量可以在形成粗糙度的区域增加。
另外，根据实施例，第一电极81不布置在发光结构10的上部，从而发光面积能够扩大。即，根据实施例，通过发光结构10的顶面提取的光可以不在第一电极81中被吸收，使得光效率能够提高。
在下文中，将参考图3至图6来描述根据实施例的发光器件的制造方法。
根据实施例的发光器件的制造方法，如图3所示，第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13可以形成在衬底5上。第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13可以定义为发光结构10。
例如，衬底5可以包括蓝宝石衬底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP或Ge的至少之一，但实施例不限于此。缓冲层可以置于第一导电半导体层11与衬底5之间。
例如，第一导电半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，而第二导电半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包括p型半导体层，而第二导电半导体层13可以包括n型半导体层。
例如，第一导电半导体层11可以包括n型半导体层。第一导电半导体层11可以由组分化学式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料形成。例如，第一导电半导体层11可以包括从掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te等n型掺杂剂的InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN构成的组选择的一个。
通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)和通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)在有源层12中结合，使得有源层12发射与根据构成有源层12的材料的能带隙差异对应的光。有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构之一，但是实施例不限于此。
有源层12可以通过使用化合物半导体实现。有源层12可以通过使用组分化学式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的循环结构。
例如，第二导电半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以通过使用组分化学式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料实现。例如，第二导电半导体层13可以包括从掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba等p型掺杂剂的InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN构成的组选择的一个。
同时，第一导电半导体层11可以包括p型半导体层，而第二导电半导体层13可以包括n型半导体层。另外，包括n型半导体层或p型半导体层的半导体层可以进一步设置在第二导电半导体层13上。因此，发光结构10可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构以及pnp结结构至少之一。另外，杂质可以以均匀或不均匀的掺杂浓度掺杂到第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换句话说，根据实施例的发光结构10可以不同地配置，实施例不限于此。
另外，第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构可以形成在第一导电半导体层11与有源层12之间。另外，第二导电AlGaN层可以形成在第二导电半导体层13与有源层12之间。
接下来，如图4所示，沟道层30可以形成在发光结构10上。沟道层30可以由绝缘材料形成。沟道层30可以由氧化物或氮化物形成。例如，沟道层30可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。
然后，如图4所示，欧姆接触层15和反射层17可以形成在发光结构10上。
欧姆接触层15可以布置在反射层17与第二导电半导体层13之间。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。
欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。欧姆接触层15可以包括与发光结构10进行欧姆接触的区域。
例如，欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，欧姆接触层15可以包括从ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、AZO(氧化铝锌)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag或Ti构成的组选择的至少之一。
反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射层17可以包括金属，包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf或其合金至少之一。另外，反射层17可以通过使用金属或其合金和透光导电材料制备为复合层，该透光导电材料例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(氧化铝锌)或ATO(氧化锑锡)。例如，根据实施例，反射层17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金至少之一。
例如，反射层17可以包括交替对齐的Ag层和Ni层，并且可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。另外，欧姆接触层15可以形成在反射层17上，并且欧姆接触层15的至少一部分可以通过反射层17与发光结构10欧姆接触。
然后，如图5所示，金属层50、接合层60以及导电支撑元件70可以设置在反射层17上。
金属层50可以包括Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo的至少之一。根据实施例，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的至少之一。例如，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的全部或者可以选择性地包括一个或两个层。
金属层50可以用作扩散阻挡层。接合层60和导电支撑元件70可以布置在金属层50上。
金属层50可以在设置接合层60的工艺中防止接合层60中包含的材料扩散到反射层17。金属层50可以防止接合层60中包含的材料(诸如Sn)影响反射层17。
接合层60可以包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta的至少之一。导电支撑元件70可以支撑根据实施例的发光结构10同时执行散热功能。接合层60可以实现为籽晶层。
导电支撑元件70可以包括注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底(例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底以及SiGe衬底)的至少之一。
接下来，从第一导电半导体层11去除衬底5。根据一个示例，可以通过激光剥离(LLO)工艺去除衬底5。LLO工艺是一种通过向衬底5的底面照射激光来使衬底5从第一导电半导体层11脱层的工艺。
然后，如图6所示，通过隔离蚀刻工艺蚀刻发光结构10的横向侧部以暴露沟道层30的一部分。可以通过诸如电感耦合等离子体(ICP)工艺等干蚀刻工艺执行隔离蚀刻工艺，但是实施例不限于此。
粗糙度可以形成在发光结构10的顶面上。光提取图案可以形成在发光结构10的顶面上。凹凸图案可以形成在发光结构10的顶面上。例如，光提取图案可以通过PEC(photoelectro chemical，光电化学)蚀刻工艺形成在发光结构10上。因此，根据实施例，能够提高向外部的光提取效率。
然后，如图6所示，可以形成绝缘层40、第一电极81、连接布线85以及接合焊盘90。
绝缘层40可以围绕发光结构10形成。绝缘层40可以由氧化物或氮化物形成。例如，绝缘层40可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。
第一电极81可以布置在沟道层30上。第一电极81可以布置在绝缘层40的横向侧部。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。然后，接合焊盘90可以电连接至连接布线85。
第一电极85可以形成在沟道层30上。第一电极85可以与沟道层30的顶面直接接触。第一电极81可以围绕发光结构10的下部布置。第一电极81可以包围发光结构10。第一电极81具有的宽度可以小于沟道层30的宽度。例如，沟道层30具有的宽度可以处于5微米至70微米的范围，而第一电极81具有的宽度可以处于5微米至30微米的范围。
第一电极81可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。连接布线85可以将第一电极81与第一导电半导体层11电连接。
连接布线85可以布置在第一导电半导体层11上。连接布线85可以布置在第一电极81上。连接布线85可以布置在发光结构10的横向侧部。可以设置多个连接布线85。可以设置至少两个连接布线85。可以恰当地选择连接布线85的数量使得从第一电极81施加的电力能够分布在第一导电半导体层11上。例如，可以选择性地设置1到64个连接布线85。例如，第一电极81和连接布线85可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件，第一电极81可以不布置在发光结构10上。连接布线85的电连接至第一电极81的一部分可以布置在发光结构10上。根据实施例，使布置在第一导电半导体层11上的金属层的面积最小化，使得在发光结构10的向上方向上的发光面积能够扩大。因此，根据实施例的发光器件能够提高光效率。
根据实施例的发光器件可以包括电连接至第一电极81的接合焊盘90。接合焊盘90可以布置在发光结构10上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部的边缘区域。接合焊盘90可以沿第一导电半导体层11的对角线方向布置。例如，接合焊盘90可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的至少之一。例如，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的全部或者可以选择性地包括一个或两个层。
根据实施例，电力可以通过第二电极82和第一电极81施加到发光结构10。根据实施例，第一电极81可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括从Cr、V、W、Ti以及Zn构成的组选择的材料以实现欧姆接触。中间层可以通过使用从Ni、Cu以及Al构成的组选择的材料实现。例如，上层可以包括Au。第一电极81可以包括从Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo构成的组选择的至少之一。
另外，根据实施例，第一电极81不布置在发光结构10的上部，从而发光面积能够扩大。即，根据实施例，通过发光结构10的顶面提取的光可以不在第一电极81中被吸收，使得光效率能够提高。
上文描述的制造工艺作为示例提供，且制造工艺可以根据设计或目的不同地变型。
图7和图8为示出根据实施例的发光器件的另一个示例的视图。在关于图7和图8所示的发光器件的以下说明中，将简要描述或省略与参考图1至图6描述的那些相同的部件和结构以避免冗余。
如图7和图8所示，根据实施例的发光器件可以包括发光结构10、沟道层30、第一电极81、第二电极82以及连接布线85。
根据实施例的发光器件可以包括围绕发光结构10的下部布置的沟道层30。例如，沟道层30的顶面可以在相同的平面上与发光结构10的底面对齐。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13下。沟道层30的一端可以与第二导电半导体层13的底面接触。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与第二电极82之间。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与欧姆接触层15之间。
例如，沟道层30可以由氧化物或氮化物形成。例如，沟道层30可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。沟道层30可以称为隔离层。沟道层30可以在稍后针对发光结构10执行隔离工艺时用作蚀刻终止层并且可以防止发光器件的电特性由于隔离工艺而退化。
第一电极81可以布置在沟道层30上。第一电极81可以与沟道层30的顶面直接接触。第一电极81可以围绕发光结构10的下部布置。第一电极81可以包围发光结构10。第一电极81具有的宽度可以小于沟道层30的宽度。例如，沟道层30具有的宽度可以处于5微米至70微米的范围，而第一电极81具有的宽度可以处于5微米至30微米的范围。
第一电极81可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。连接布线85可以将第一电极81与第一导电半导体层11电连接。
连接布线85可以布置在第一导电半导体层11上。连接布线85可以布置在第一电极81上。连接布线85可以布置在发光结构10的横向侧部。可以设置多个连接布线85。可以设置至少两个连接布线85。可以恰当地选择连接布线85的数量使得从第一电极81施加的电力能够分布在第一导电半导体层11上。例如，可以选择性地设置1到64个连接布线85。例如，第一电极81和连接布线85可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
另外，根据实施例的发光器件可以包括中央连接布线87。中央连接布线87可以布置在发光结构10的顶面上。中央连接布线87可以电连接至第一电极81以使电力有效扩散在第一导电半导体层11上。
根据实施例的发光器件，第一电极81可以不布置在发光结构10上。连接布线85的电连接至第一电极81的一部分可以布置在发光结构10上。根据实施例，使布置在第一导电半导体层11上的金属层的面积最小化，使得在发光结构10的向上方向上的发光面积能够扩大。因此，根据实施例的发光器件能够提高光效率。
根据实施例的发光器件可以包括电连接至第一电极81的接合焊盘90。接合焊盘90可以布置在第一电极81上。接合焊盘90可以布置在沟道层30上。接合焊盘90可以围绕发光结构10布置。接合焊盘90可以围绕发光结构10的下部布置。接合焊盘90可以布置在发光结构10的横向侧部。例如，接合焊盘90可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件可以包括布置在连接布线85与发光结构10之间的绝缘层40。绝缘层40可以布置在连接布线85与有源层12之间。绝缘层40可以布置在连接布线85与第二导电半导体层13之间。
例如，绝缘层40可以由氧化物或氮化物形成。例如，绝缘层40可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。
根据实施例，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的至少之一。例如，第二电极82可以包括全部的反射层17、欧姆接触层15以及金属层50或者可以选择性地包括一个或两个层。
根据实施例，电力可以通过第二电极82和第一电极81施加到发光结构10。根据实施例，第一电极81可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括从Cr、V、W、Ti以及Zn构成的组选择的材料以实现欧姆接触。中间层可以通过使用从Ni、Cu以及Al构成的组选择的材料实现。例如，上层可以包括Au。第一电极81可以包括从Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo构成的组选择的至少之一。
另外，根据实施例，第一电极81和接合焊盘90不布置在发光结构10的上部，使得发光面积能够扩大。即，根据实施例，通过发光结构10的顶面提取的光可以不在第一电极81和接合焊盘90中被吸收，使得光效率能够提高。
图9为示出根据实施例的发光器件的另一个示例的视图。在关于图9所示的发光器件的以下说明中，将简要描述或省略与参考图1至图6描述的那些相同的部件和结构以避免冗余。
如图9所示，根据实施例的发光器件可以包括发光结构10、沟道层30、第一电极81、第二电极82以及连接布线85。
根据实施例的发光器件可以包括围绕发光结构10的下部布置的沟道层30。例如，沟道层30的顶面可以在与发光结构10的底面相同的平面上对齐。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13下。沟道层30的一端可以与第二导电半导体层13的底面接触。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与第二电极82之间。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与欧姆接触层15之间。
例如，沟道层30可以由氧化物或氮化物形成。例如，沟道层30可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。沟道层30可以称为隔离层。沟道层30可以在稍后针对发光结构10执行隔离工艺时用作蚀刻终止层并且可以防止发光器件的电特性由于隔离工艺而退化。
第一电极81可以布置在沟道层30上。第一电极81可以与沟道层30的顶面直接接触。第一电极81可以围绕发光结构10的下部布置。第一电极81可以包围发光结构10。第一电极81具有的宽度可以小于沟道层30的宽度。例如，沟道层30具有的宽度可以处于5微米至70微米的范围，而第一电极81具有的宽度可以处于5微米至30微米的范围。
第一电极81可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。连接布线85可以将第一电极81与第一导电半导体层11电连接。
连接布线85可以布置在第一导电半导体层11上。连接布线85可以布置在第一电极81上。连接布线85可以布置在发光结构10的横向侧部。连接布线85可以与发光结构10的横向侧部接触。连接布线85可以与第一导电半导体层11的横向侧部接触。
可以设置多个连接布线85。可以设置至少两个连接布线85。可以恰当地选择连接布线85的数量使得从第一电极81施加的电力能够分布在第一导电半导体层11上。例如，可以选择性地设置1到64个连接布线85。例如，第一电极81和连接布线85可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件，第一电极81可以不布置在发光结构10上。连接布线85的电连接至第一电极81的一部分可以布置在发光结构10上。根据实施例，使布置在第一导电半导体层11上的金属层的面积最小化，使得在发光结构10的向上方向上的发光面积能够扩大。因此，根据实施例的发光器件能够提高光效率。
根据实施例的发光器件可以包括电连接至第一电极81的接合焊盘90。接合焊盘90可以布置在发光结构10上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部的边缘区域。接合焊盘90可以沿第一导电半导体层11的对角线方向布置。例如，接合焊盘90可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件可以包括布置在连接布线85与发光结构10之间的绝缘层40。绝缘层40可以布置在连接布线85与有源层12之间。绝缘层40可以布置在连接布线85与第二导电半导体层13之间。
例如，绝缘层40可以由氧化物或氮化物形成。例如，绝缘层40可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。
根据实施例，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的至少之一。例如，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的全部或者可以选择性地包括一个或两个层。
根据实施例，电力可以通过第二电极82和第一电极81施加到发光结构10。根据实施例，第一电极81可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括从Cr、V、W、Ti以及Zn构成的组选择的材料以实现欧姆接触。中间层可以通过使用从Ni、Cu以及Al构成的组选择的材料实现。例如，上层可以包括Au。第一电极81可以包括从Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo构成的组选择的至少之一。
另外，根据实施例，第一电极81不布置在发光结构10的上部，使得发光面积能够扩大。即，根据实施例，通过发光结构10的顶面提取的光不会在第一电极81中被吸收，使得光效率能够提高。
图10为示出根据实施例的发光器件的另一个示例的视图。在关于图10所示的发光器件的以下说明中，将简要描述或省略与参考图1至图6描述的那些相同的部件和结构以避免冗余。
如图10所示，根据实施例的发光器件可以包括发光结构10、沟道层30、第一电极81、第二电极82以及连接布线85。
根据实施例的发光器件可以包括围绕发光结构10的下部布置的沟道层30。例如，沟道层30的顶面可以被排列为高于有源层12的顶面。沟道层30可以围绕有源层12布置。沟道层30可以围绕第二导电半导体层13布置。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13下。沟道层30的一端可以与第二导电半导体层13的底面接触。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与第二电极82之间。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与欧姆接触层15之间。
例如，沟道层30可以由氧化物或氮化物形成。例如，沟道层30可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。沟道层30可以称为隔离层。沟道层30可以在稍后针对发光结构10执行隔离工艺时用作蚀刻终止层并且可以防止发光器件的电特性由于隔离工艺而退化。
第一电极81可以布置在沟道层30上。第一电极81可以与沟道层30的顶面直接接触。第一电极81可以围绕发光结构10布置。第一电极81可以包围发光结构10。第一电极81具有的宽度可以小于沟道层30的宽度。例如，沟道层30具有的宽度可以处于5微米至70微米的范围，而第一电极81具有的宽度可以处于5微米至30微米的范围。
第一电极81可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。连接布线85可以将第一电极81与第一导电半导体层11电连接。
连接布线85可以布置在第一导电半导体层11上。连接布线85可以布置在第一电极81上。连接布线85可以布置在发光结构10的横向侧部。连接布线85可以与发光结构10的横向侧部接触。连接布线85可以与第一导电半导体层11的横向侧部接触。例如，连接布线85可以与第一导电半导体层11的横向侧部接触而不布置在第一导电半导体层11的顶面上。
可以设置多个连接布线85。可以设置至少两个连接布线85。可以恰当地选择连接布线85的数量使得从第一电极81施加的电力能够分布在第一导电半导体层11上。例如，可以选择性地设置1到64个连接布线85。例如，第一电极81和连接布线85可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件，第一电极81可以不布置在发光结构10上。连接布线85的电连接至第一电极81的一部分可以布置在发光结构10上。根据实施例，使布置在第一导电半导体层11上的金属层的面积最小化，使得在发光结构10的向上方向上的发光面积能够扩大。因此，根据实施例的发光器件能够提高光效率。
根据实施例的发光器件可以包括电连接至第一电极81的接合焊盘90。接合焊盘90可以布置在第一电极81上。接合焊盘90可以布置在沟道层30上。接合焊盘90可以围绕发光结构10布置。接合焊盘90可以布置在发光结构10的横向侧部。例如，接合焊盘90可以包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
根据实施例的发光器件可以包括布置在连接布线85与发光结构10之间的绝缘层40。绝缘层40可以布置在连接布线85与有源层12之间。绝缘层40可以布置在连接布线85与第二导电半导体层13之间。
例如，绝缘层40可以由氧化物或氮化物形成。例如，绝缘层40可以包括从SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN构成的组选择的至少之一。
根据实施例，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的至少之一。例如，第二电极82可以包括反射层17、欧姆接触层15以及金属层50的全部或者可以选择性地包括一个或两个层。
根据实施例，电力可以通过第二电极82和第一电极81施加到发光结构10。根据实施例，第一电极81可以包括欧姆层、中间层以及上层。欧姆层可以包括从Cr、V、W、Ti以及Zn构成的组选择的材料以实现欧姆接触。中间层可以通过使用从Ni、Cu以及Al构成的组选择的材料实现。例如，上层可以包括Au。第一电极81可以包括从Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au以及Mo构成的组选择的至少之一。
另外，根据实施例，第一电极81和接合焊盘90不布置在发光结构10的上部，从而发光面积能够扩大。即，根据实施例，通过发光结构10的顶面提取的光可以不在第一电极81和接合焊盘90中被吸收，使得光效率能够提高。
图11为示出应用有根据实施例的发光器件的发光器件封装的视图。
参照图11，根据实施例的发光器件封装可以包括：主体120；第一引线电极131和第二引线电极132，形成在主体120上；发光器件100，设置在主体120上且电连接至第一引线电极131和第二引线电极132；以及模塑元件140，其包围发光器件100。
主体120可以包括硅、合成树脂或金属材料，且倾斜表面可以形成在发光器件100附近。
第一引线电极131和第二引线电极132彼此电隔离以向发光器件100供应电力。第一引线电极131和第二引线电极132能够通过反射从发光器件100发出的光来提高光效率。另外，第一引线电极131和第二引线电极132可以将从发光器件100产生的热量消散到外部。
发光器件100可以安装在主体120上或第一引线电极131或第二引线电极132上。
发光器件100可以通过导线方案、倒装芯片方案以及裸片接合方案之一电连接至第一引线电极131和第二引线电极132。
模塑元件140可以包围发光器件100以保护发光器件100。另外，模塑元件140可以包括磷光体以改变从发光器件100发出的光的波长。
根据实施例的多个发光器件或发光器件封装可以排列在衬底上，并且包括透镜、导光板、棱镜片或扩散片的光学元件可以设置在从发光器件封装发出的光的光学路径上。发光器件封装、衬底以及光学元件可以用作照明单元。照明单元实现为俯视图类型或侧视图类型且不同地设置在便携式终端和手提电脑的显示装置或照明设备和指示器设备中。另外，根据另一个实施例的照明设备可以包括根据实施例的发光器件或发光器件封装。例如，照明设备可以包括电灯、街灯、电子告示牌以及车辆的前灯。
根据实施例的发光器件可以应用于照明单元。照明单元具有排列多个发光器件的结构。照明单元可以包括图12和图13所示的显示装置和图14所示的照明设备。
参照图12，根据实施例的显示装置1000包括：导光板1041；发光模块1031，用于将光供应到导光板1041；反射元件1022，设置在导光板1041下方；光学片1051，设置在导光板1041上方；显示面板1061，设置在光学片1051上方；以及底罩1011，用于容纳导光板1041、发光模块1031以及反射元件1022。然而，实施例不限于上述结构。
底罩1011、反射元件1022、导光板1041以及光学片1051可以构成照明单元1050。
导光板1041扩散光以提供面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酸基树脂(诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚物))和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂的一个。
发光模块1031将光供应到导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示装置的光源。
至少一个发光模块1031设置为直接或间接从导光板1041的一侧供应光。发光模块1031可以包括衬底1033和根据上文描述的实施例的发光器件100或发光器件封装200。发光封装200可以排列在衬底1033上，同时彼此间隔开预定间隔。
衬底1033可以是包括电路图案的印刷电路板(PCB)。另外，衬底1033还可以包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及PCB，但是实施例不限于此。如果发光器件封装200安装在底罩1011的横向侧部或安装在散热板上，则可以省略衬底1033。散热板可以与底罩1011的顶面部分接触。
另外，发光器件封装200安装为使得发光器件封装200的光出射表面与导光板1041间隔开预定距离，但是实施例不限于此。发光器件封装200可以直接或间接将光供应到光入射部件(其为导光板1041的一侧)，但实施例不限于此。
反射元件1022可以布置在导光板1041下方。反射元件1022将穿过导光板1041的底面向下行进的光向上反射，从而提高照明单元1050的亮度。例如，反射元件1022可以包括PET树脂、PC树脂或PVC树脂，但实施例不限于此。反射元件1022可以用作底罩1011的顶面，但实施例不限于此。
底罩1011可以于其中容纳导光板1041、发光模块1031以及反射元件1022。为此，底罩1011具有容纳区1012，该容纳区具有带有开放顶面的箱形，但实施例不限于此。底罩1011能够与顶罩(未示出)耦合，但实施例不限于此。
底罩1011能够使用金属材料或树脂材料通过按压工艺或挤压工艺制造而成。另外，底罩1011可以包括具有优良热传导的金属材料或非金属材料，但实施例不限于此。
显示面板1061例如是包括彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底以及置于第一衬底与第二衬底之间的液晶层的LCD面板。偏光板能够附接至显示面板1061的至少一个表面，但实施例不限于此。显示面板1061通过使用穿过光学片1051的光显示信息。显示装置1000能够应用于各种便携式终端、笔记本电脑和手提电脑的显示器以及电视。
光学片1051布置在显示面板1061与导光板1041之间，并包括至少一个透光片。例如，光学片1051包括扩散片、水平棱镜片和竖直棱镜片以及亮度增强片的至少之一。扩散片扩散入射光，水平和/或竖直棱镜片将入射光聚集到显示区域上，并且亮度增强片通过再利用将要损失的光来提高亮度。另外，保护片能够设置在显示面板1061上，但实施例不限于此。
导光板1041和光学片1051能够作为光学元件设置在发光模块1031的光学路径上，但实施例不限于此。
图13为示出根据实施例的显示装置的另一个示例的视图。
参照图13，显示装置1100包括底罩1152、其上排列有发光器件100的衬底1020、光学元件1154以及显示面板1155。
衬底1020和发光器件封装200可以构成发光模块1060。
底罩1152能够于其中设置有容纳区1153，但实施例不限于此。
在这种情况下，光学元件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和竖直棱镜片以及亮度增强片的至少之一。导光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。能够省略导光板。扩散片扩散入射光，水平和竖直棱镜片将入射光聚集到显示区域上，并且亮度增强片通过再利用将要损失的光来提高亮度。
光学元件1154布置在发光模块1060上方，以将从发光模块1060发出的光转换成面光。另外，光学元件1154可以扩散或收集光。
图14为示出根据实施例的照明设备的视图。
参照图14，根据实施例的照明设备可以包括罩2100、光源模块2200、散热器2400、电源部件2600、内壳2700以及插座2800。根据实施例的照明设备还可以包括元件2300和基座2500的至少之一。光源模块2200可以包括根据实施例的发光器件封装。
例如，罩2100可以具有灯泡形状或半球形状。罩2100可以具有部分打开的空心结构。罩2100可以与光源模块2200光学耦合。例如，罩2100可以扩散、散射或激发从光源模块2200提供的光。罩2100可以是光学元件。罩2100可以与散热器2400耦合。罩2100可以包括与散热器2400耦合的耦合部件。
罩2100可以包括涂布有乳白色涂料的内表面。该乳白色涂料可以包括用于扩散光的扩散材料。罩2100的内表面的粗糙度可以大于罩2100的外表面的粗糙度。提供表面粗糙度的目的是将来自光源模块2200的光充分散射和扩散。
罩2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。上述材料中的聚碳酸酯(PC)具有优良的耐光性、耐热性和强度。罩2100可以是透明的使得用户可以从外部看到光源模块2200，或者也可以是不透明的。罩2100可以通过吹塑方案形成。
光源模块2200可以布置在散热器2400的一个表面。因此，来自光源模块2200的热量传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接器2250。
元件2300布置在散热器2400的顶面，并包括其中插入有多个光源2210和连接器2250的导槽2310。导槽2310与光源2210的衬底和连接器2250对应。
元件2300的表面可以涂布有光反射材料。例如，元件2300的表面可以涂布有白色涂料。元件2300将罩2100的内表面反射的且返回到光源模块2200方向的光向罩2100的方向再次反射。因此，可以提高根据实施例的照明设备的光效率。
例如，元件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热器2400可以电连接至连接板2230。元件2300可以由绝缘材料形成，从而防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400从光源模块2200和电源部件2600接收热量并消散该热量。
基座2500罩住内壳2700的绝缘部件2710的容纳槽2719。因此，密封容纳在内壳2700的绝缘部件2710中的电源部件2600。基座2500包括引导突起2510。引导突起2510具有孔，并且电源部件2600的突起穿过该孔延伸。
电源部件2600处理或转换从外部接收的电信号并将处理或转换的电信号提供到光源模块2200。电源部件2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中，并通过基座2500密封在内壳2700内部。
电源部件2600可以包括突起2610、引导部件2630、基底2650以及延伸部件2670。
引导部件2630具有从基底2650的一侧向外部突起的形状。引导部件2630可以插入到基座2500中。多个部件可以布置在基底2650的一个表面上。例如，这些部件可以包括：DC转换器，用于将从外部电源提供的交流电转换成直流电；驱动芯片，用于控制光源模块2200的驱动；以及静电放电(ESD)保护器件，用于保护光源模块2200，但实施例不限于此。
延伸部件2670具有从基底2650的相反侧向外部突起的形状。延伸部件2670插入到内壳2700的连接部件2750的内部，并从外部接收电信号。例如，延伸部件2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部件2750的宽度。“+电线”和“-电线”的第一端子电连接至延伸部件2670，且“+电线”和“-电线”的第二端子可以电连接至插座2800。
内壳2700可以将模塑部件与电源部件2600一起包括在其中。模塑部件通过使模塑液体固化来制备，并且电源部件2600可以通过模塑部件固定在内壳2700内部。
本说明书中任何提及的“一个实施例”，“一实施例”，“示例性实施例”等等是指结合实施例所描述的具体特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。本说明书中多处出现的这些词语并不一定全部涉及相同的实施例。另外，当结合任何实施例来描述具体特征、结构或特性时，应当认为其落入本领域技术人员能使这种特征、结构或特性与实施例的其它特征、结构或特性结合使用的范围内。
虽然已经参考其许多示例性实施例描述了多个实施例，然而应理解，本领域技术人员能够设计出落入本公开内容的原理的精神和范围内的很多其它变型和实施例。更具体地，在本公开内容、附图以及所附权利要求的范围内，可以在零部件和/或布置上进行各种变化和变型。除了零部件和/或布置的多种变化和变型以外，多种用途对于本领域技术人员而言将是明显的。
【工业适用性】
实施例能够提供一种发光器件、发光器件封装以及照明单元，能够通过扩大发光面积提高光效率。

Claims (17)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；
沟道层，围绕所述发光结构的下部；
第一电极，在所述沟道层上；
第二电极，在所述发光结构下；以及
连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层，
其中所述第一电极在竖直方向上不与所述发光结构重叠，并且
其中所述沟道层的顶面被排列为高于所述有源层的顶面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极围绕所述发光结构的所述下部布置。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述连接布线布置在所述第一导电半导体层上。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述连接布线与所述第一导电半导体层的横向侧部接触。
5.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：接合焊盘，电连接至所述第一电极。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述接合焊盘布置在所述第一导电半导体层上。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述接合焊盘布置在所述沟道层上。
8.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述接合焊盘围绕所述发光结构的所述下部布置。
9.根据权利要求1至8的任一项所述的发光器件，其中设置至少两个连接布线。
10.根据权利要求1至8的任一项所述的发光器件，其中所述第二电极包括欧姆接触层、反射层以及金属层的至少之一。
11.根据权利要求1至8的任一项所述的发光器件，其中所述连接布线包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au或Mo的至少之一。
12.一种发光器件，包括：
发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；
沟道层，围绕所述发光结构的下部；
第一电极，在所述沟道层上；
第二电极，在所述发光结构下；以及
连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层，
其中所述第一电极具有的宽度小于所述沟道层的宽度，
所述第一电极布置在所述发光结构的横向侧部，并且
其中所述沟道层的顶面被排列为高于所述有源层的顶面。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第一电极具有的所述宽度处于5μm至30μm的范围。
14.根据权利要求12或权利要求13所述的发光器件，其中所述沟道层具有的宽度处于5μm至70μm的范围。
15.一种发光器件，包括：
发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；
沟道层，围绕所述发光结构的下部；
第一电极，在所述沟道层上；
第二电极，在所述发光结构下；
连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层；以及
接合焊盘，电连接至所述第一电极，
其中所述接合焊盘布置在所述连接布线的上部，
其中所述发光结构在其顶面上形成有光提取图案，
与所述光提取图案对应的凹凸图案形成在所述接合焊盘下的所述连接布线的底面处，并且
其中所述沟道层的顶面被排列为高于所述有源层的顶面。
16.根据权利要求15所述的发光器件，还包括：中央连接布线，布置在所述发光结构的顶面。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述中央连接布线电连接至所述第一电极，
其中所述连接布线与所述第一导电半导体层的横向侧部直接接触，并且
其中所述连接布线的最底部被排列为高于所述有源层的顶面。
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