JP6331906B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
第1実施形態に係る発光素子100について、図1及び図2を参考にしながら説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る発光素子100を示す概略平面図である(図1では図2の半導体部10から下の構成は省略)。また、図2は、本発明の第1実施形態に係る発光素子において、図1のX−Y断面を示す概略断面図である。図5は、実施例1に係る発光素子(a)と比較例1に係る発光素子(b)の光取出し面内における輝度分布を色彩輝度計により作成した図である。
半導体部10は、発光素子100における発光機能を果たす部材である。半導体部10は、図2に示すように、正負が一対となった電極である上部電極20と下部電極30とを有し、上部電極20と下部電極30とが半導体部10を挟んで対向する。また、半導体部10の光取出し面は、上面側から見て矩形状に形成されており、本実施形態では一辺が約2mmの略正方形である。半導体部10は、下から第2半導体層13、発光層12、第1半導体層11が順に積層された構造を有する。
上部電極20は、半導体部10に対して電流を供給するための電極である。ここでは、上部電極20は、正負が一対となった電極のうち、負極であるn側電極として機能する。上部電極20は、図2に示すように半導体部10の上面に形成され、半導体部10を介して下部電極30と対向している。上部電極20は、図1に示すように、外部接続部21(21A及び21B)と、それぞれの外部接続部21から延伸する内側延伸部22(22a〜22d)及び外側延伸部23(23a〜23d)とを備えている。
外部接続部21は、上部電極20において、外部の電源と電気的に接続された導電性のワイヤ等と接続するための部分である。図1に示すように、外部接続部21は、半導体部10の上面において、第1直線L1上に並ぶ複数の第1外部接続部21Aと、第1直線L1に平行な第2直線L2上に並ぶ複数の第2外部接続部21Bとを有している。また、本実施形態においては、上部電極20および半導体部10が後述する第1保護層60に被覆されている。このため、外部接続部21の上部は、第1保護膜60から円形状に開口しており、外部接続部21の上面の大部分が外部に露出するように構成されている。そして、このように外部に露出された外部接続部21に導電性のワイヤ等がボンディングされ、外部の電源と電気的に接続される。また、このとき、第1直線L1及び第2直線L2は共に、発光素子100の周縁部の共通する一辺と平行であることが好ましい。
内側延伸部22は、上部電極20において、外部接続部21に供給された電流を発光素子100の光取出し面における第1外部接続部21A及び第2外部接続部21Bに挟まれた領域、つまり中央領域に拡散させるための部分である。図1に示すように、内側延伸部22は、第1外部接続部21Aのそれぞれから、第3直線L3を超えて延伸する第1内側延伸部22aと、第2外部接続部21Bのそれぞれから、第3直線L3を超えて延伸する第2内側延伸部22bとを有している。つまり、発光素子100の中央領域において、第1内側延伸部22a及び第2内側延伸部22bの先端側が第3直線L3方向において互いに対向するように配置され、電極が密に配置されることになる。その結果、それぞれの外部接続部21から内側延伸部22を介して、外部接続部21から距離が離れており電流が拡散されづらい領域を互いに補助し合える電極配置とすることができるため、中央領域に効率良く電流を拡散することができる。また、このとき、第3直線L3は、発光素子100の周縁部の一辺と平行であって、光取出し面の面積を略半分にする線、つまり中心線であることが好ましい。
外側延伸部23は、上部電極20において、外部接続部21に供給された電流を発光素子100の光取出し面における外部接続部21よりも外側の領域に拡散させるための部分である。図1に示すように、上部電極20は、第1外部接続部21Aのそれぞれから第2外部接続部21Bが設けられた側と反対の側に延伸し、隣り合う2つの第1外部接続部21Aを連結する第1外側延伸部23aと、第2外部接続部21Bのそれぞれから第1外部接続部21Aが設けられた側と反対の側に延伸し、隣り合う2つの第2外部接続部21Bを連結する第2外側延伸部23bとを有している。つまり、1つの外部接続部21から外側に延伸しただけでは十分に電流を拡散させづらい外側の領域、特に隣り合う2つの外部接続部21間の外側の領域を、それぞれの外部接続部21から電流を補助し合う第2外側延伸部23bが囲むように配置することができる。その結果、前記した内側延伸部22と同様に光取出し面における電流密度を高めることができる。
下部電極30は、半導体部10に対して電流を供給するための電極である。ここでは、下部電極30は、発光素子100が備える正負が一対となった電極のうち、正極であるp側電極として機能する。下部電極30は、図2に示すように、半導体部10の下面に形成され、半導体部10を介して上部電極20と対向している。
(支持基板40)
接合層50は、支持基板40に、下部電極30および第2保護膜70を、接合するとともに支持基板40を介して下部電極30と後記する裏面メタライズ80層とを電気的に接続するための導電性の層である。接合層50は、図2に示すように、支持基板40の上部に形成されている。
第1保護膜60は、上部電極20および半導体部10を、電流のショートや埃・塵の付着等による物理的ダメージから保護するための層である。第1保護膜60は、図2に示すように、上部電極20および半導体部10の上部に全面的に形成されている。但し、第1保護膜60は、図2に示すように、第1外部接続部21Aおよび第2外部接続部21Bの開口部の上部において円形状に開口されており、第1外部接続部21Aおよび第2外部接続部21Bの大部分が外部に露出されるように構成される。
第2保護膜70は、下部電極30および半導体部10を、電流のショート等による物理的ダメージから保護するための層である。第2保護膜70は、図2に示すように、接合層50における下部電極30の隣接する領域に形成されている。
裏面メタライズ層80は、発光素子100において、オーミック電極として機能する層である。裏面メタライズ層80は、図2に示すように、支持基板40において接合層50が形成されている面の反対側に形成されている。
以下、本発明の第1実施形態に係る発光素子100の製造方法について、簡単に説明する。発光素子100の製造方法は、半導体部形成工程と、下部電極形成工程と、第2保護膜形成工程と、接合層形成工程と、貼り合わせ工程と、上部電極形成工程と、第1保護膜形成工程と、を含む。以下、各工程について説明する。なお、発光素子100の構成については前記説明した通りであるため、説明を省略する。
半導体部形成工程は、異種基板上に第1半導体層11、発光層12、及び第2半導体層13からなる半導体部10を形成する工程である。半導体部形成工程では、サファイア等からなる異種基板上の表面に、所定の半導体材料、ドーパント等を含むガスを供給して、第1半導体層11、発光層12及び第2半導体層13の順に形成させる。
下部電極形成工程は、半導体部10上に下部電極30を形成する工程である。下部電極形成工程では、半導体部10の第2半導体層13上の表面に、レジストを用いて下部電極30に対応したマスクを形成し、スパッタリング等で電極材料を積層することによって、下部電極30を形成する。
第2保護膜形成工程は、半導体部10上に第2保護膜70を形成する工程である。第2保護膜形成工程では、半導体部10の第2導電型半導体層上の表面に、レジストを用いて第2保護膜70に対応したマスクを形成し、スパッタリング等で絶縁膜材料を積層することによって、第2保護膜70を形成する。
接合層形成工程は、半導体部10、上部電極20及び第2保護膜70上に接合層50を形成する工程である。接合層形成工程では、半導体部10、上部電極20及び第2保護膜70上に、スパッタリング等で導電膜材料を積層することによって、接合層50を形成する。
貼り合わせ工程は、半導体部10を備える異種基板と支持基板40とを貼り合わせる工程である。貼り合わせ工程では、前記した接合層50が形成された支持基板40を用意し、支持基板40の接合層と異種基板の接合層とを貼り合わせ、互いに接合する。そして、異種基板を除去する。なお、貼り合わせ工程後、支持基板40の厚みを薄くすることで発光素子を小型化することもできる。
上部電極形成工程は、半導体部10上に上部電極20を形成する工程である。上部電極形成工程では、半導体部10の第1半導体層11上の表面に、レジストを用いて電極に対応したマスクを形成し、スパッタリング等で電極材料を積層することによって、上部電極20を形成する。そして、レジストを除去することによって、上部電極20が形成されていない領域を形成する。なお、図示は省略するが、上部電極20を形成する前に、半導体部10の上面に凹凸(ディンプル加工)部を形成することもできる。
第1保護膜形成工程は、半導体部10上に第1保護膜60を形成する工程である。第1保護膜形成工程では、半導体部10上の表面に、スパッタリング等で絶縁膜材料を積層することによって、第1保護膜60を形成する。そして、第1保護膜60のうち上部電極20の外部接続部21に相当する領域を除去し、外部接続部21を露出させる。
[第2実施形態]
[第3実施形態]
そして、図3,4に記載の発光装置200,300では、第1外部接続部21A、第2外部接続部21B、第1内側延伸部22a、第2内側延伸部22b、第1外側延伸部23a、第2外側延伸部23bの構成を備えていれば、第3外側延伸部23c、第4外側延伸部23dが形成されていない状態であっても構わない。
[実施例1]
[比較例1]
10・・・半導体部
11・・・第1半導体層
12・・・発光層
13・・・第2半導体層
20・・・上部電極
21・・・外部接続部
21A・・・第1外部接続部
21B・・・第2外部接続部
22・・・内側延伸部
22a・・・第1内側延伸部
22b・・・第2内側延伸部
22c・・・第3内側延伸部
22d・・・第4内側延伸部
23・・・外側延伸部
23a・・・第1外側延伸部
23b・・・第2外側延伸部
23c・・・第3外側延伸部
23d・・・第4外側延伸部
30・・・下部電極
40・・・支持基板
50・・・接合層
60・・・第1保護膜
70・・・第2保護膜
80・・・裏面メタライズ層
L1・・・第1直線
L2・・・第2直線
L3・・・第3直線
Claims (4)
- 半導体部と、光取出し側となる前記半導体部の上面に設けられた上部電極と、前記半導体部の下面に設けられた下部電極と、を備える発光素子であって、
前記上部電極は、前記半導体部の上方から見て、
第1直線上に並ぶ複数の第1外部接続部と、
前記第1直線と平行な第2直線上に並ぶ複数の第2外部接続部と、
前記第1外部接続部のそれぞれから、前記第1直線及び前記第2直線と平行であって前記第1直線と前記第2直線に挟まれた領域を2等分する第3直線を超えて延伸する第1内側延伸部と、
前記第2外部接続部のそれぞれから、前記第3直線を超えて延伸する第2内側延伸部と、
前記第1外部接続部のそれぞれから前記第2外部接続部が設けられた側と反対の側に延伸し、隣り合う2つの第1外部接続部を連結する第1外側延伸部と、
前記第2外部接続部のそれぞれから前記第1外部接続部が設けられた側と反対の側に延伸し、隣り合う2つの第2外部接続部を連結する第2外側延伸部と、
を有することを特徴とする発光素子。 - 前記第1外部接続部のそれぞれから、前記第3直線に向かって前記第3直線を超えないように延伸する第3内側延伸部と、
前記第2外部接続部のそれぞれから、前記第3直線に向かって前記第3直線を超えないように延伸する第4内側延伸部と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記複数の第1外部接続部のうち両端に設けられた第1外部接続部のそれぞれから、前記両端に設けられた第1外部接続部の外側であって前記第2外部接続部が設けられた側と反対の側において延伸する第3外側延伸部と、
前記複数の第2外部接続部のうち両端に設けられた第2外部接続部のそれぞれから、前記両端に設けられた第2外部接続部の外側であって前記第1外部接続部が設けられた側と反対の側において延伸する第4外側延伸部と、を有する、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光素子。 - 前記第1内側延伸部及び前記第3内側延伸部は、前記第1外部接続部から前記第1直線に対して傾斜する方向に延伸した後、前記第1直線に対して垂直方向に延伸し、
前記第2内側延伸部及び前記第4内側延伸部は、前記第2外部接続部から前記第2直線に対して傾斜する方向に延伸した後、前記第2直線に対して垂直方向に延伸することを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
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