JP7292977B2 - 配線基板、電子装置及び電子モジュール - Google Patents
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主面を有するSiC基板と、
前記主面の一部の範囲にオーミック接合されたNiSi層と、
前記NiSi層上から前記主面上にかけて位置する導体膜と、
を備え、
縦断面において、前記主面と前記NiSi層との接合部と前記主面と前記導体膜との接合部とが交互に連続しており、前記主面と前記NiSi層との複数の接合部には、第1の幅を有する接合部と、前記第1の幅より小さい第2の幅を有する接合部とが含まれ、
前記NiSi層は、多孔質構造を有し、かつ、前記NiSi層内の他の部位よりも空孔が多く分布する特定層を有し、
前記主面に近い前記特定層に含まれる空孔の径の平均値が、前記主面から遠い前記特定層に含まれる空孔の径の平均値よりも大きい。
本開示に係るもう一態様の配線基板は、
主面を有するSiC基板と、
前記主面の一部の範囲にオーミック接合されたNiSi層と、
前記NiSi層上から前記主面上にかけて位置する導体膜と、
を備え、
縦断面において、前記主面と前記NiSi層との接合部と前記主面と前記導体膜との接合部とが交互に連続しており、前記主面と前記NiSi層との複数の接合部には、第1の幅を有する接合部と、前記第1の幅より小さい第2の幅を有する接合部とが含まれ、
前記第1の幅を有する接合部は、前記主面に垂直な方向から透視したときに、電子部品が搭載される接合導体と重なるように配置されている。
上記の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備える。
上記の電子装置と、
前記電子装置が搭載されたモジュール用基板と、
を備える。
図1は、本開示の実施形態1に係る配線基板を示す縦断面図である。実施形態1の配線基板1は、電子部品をパッケージ又はモジュール用基板に搭載するために、電子部品とパッケージとの間、あるいは、電子部品とモジュール用基板との間に介在するように使用される。配線基板1は、電子部品からパッケージ又はモジュール用基板までを導通させる機能、並びに、電子部品からパッケージ又はモジュール用基板へ熱を放出させる機能を有していてもよい。配線基板1は、サブマウントと呼んでもよい。
実施形態2の配線基板は、NiSi層11Aの詳細な成分分布又はNiSi層11Aの内部構造が実施形態1と異なり、その他の構成要素は、実施形態1と同様である。
図3は、本開示の実施形態3に係る配線基板を示す縦断面図である。実施形態3に係る配線基板1Aは、縦断面において、NiSi層11Aと第1主面S1との接合部C1a~C1eと、導体膜20A(密着層21A)と第1主面S1との接合部C2a~C2fとが交互に連続している。導体膜20Aは、縦断面において複数に細分化されたNiSi層11Aa~11Aeの上面及び側面に接合されていてもよい。その他の構成要素は、実施形態1又は実施形態2の配線基板1と同様である。は
図4は、本開示の実施形態3に係る配線基板を示す縦断面図である。実施形態4に係る配線基板1Bは、縦断面において、NiSi層11Aと第1主面S1との接合部C1f~C1hと、導体膜20A(密着層21A)と第1主面S1との接合部C2g~C2jとが交互に連続している。さらに、接合部C1f~C1hには、幅(縦断面上で第1主面S1に沿った方向の幅)の大きな接合部C1gと、接合部C1gよりも幅の小さな接合部C1f、C1hとが含まれる。導体膜20Aは、縦断面において複数に細分化されたNiSi層11Af~11Ahの上面及び側面に接合されていてもよい。その他の構成要素は、実施形態1又は実施形態2の配線基板1と同様である。
と、幅の小さな接合部C1f、C1hとが含まれる。したがって、幅の大きな接合部C1fが存在する範囲では、NiSi層11Aの細分化による電気抵抗の上昇を抑えることができ。かつ、幅の小さな接合部C1f、C1hが存在する範囲では、NiSi層11Aの細分化により、導体膜20A、NiSi層11A及びSiC基板10の層間剥離をより抑制できる。よって、配線基板1の電子部品が搭載される側の面を、層間剥離のより高い抑制作用が得られる部分と、電気抵抗の上昇が抑えられる部分とに区分けることができる。したがって、例えば、電子部品の直下に、幅の大きな接合部C1gを配置して、電子部品の直下の電気抵抗の上昇を抑えるといった設計が可能となる。さらに、剥離を誘発する応力が生じやすい縁に近い部分に、幅の小さな接合部C1f、C1hを配置して、層間剥離の抑制作用を向上するといった設計が可能となる。
図5及び図6は、実施形態3の配線基板の製造方法の一例を説明する図である。
図7は、本開示の実施形態に係る電子装置及び電子モジュールを示す断面図である。
10 SiC基板
S1 第1主面
S2 第2主面
11A、11Aa~11Ah、11B NiSi層
C1a~C1h NiSi層と第1主面との接合部
C2a~C2j 導体膜と第1主面との接合部
20A、20B 導体膜
21A、21B 密着層
22A、22B バリア層
23A、23B 導体層
25 接合導体
Ly1 第1層
Ly2 第2層
Ly3 第3層
Ly4 カーボン低濃度層
D 空孔
50 電子部品
60 電子装置
100 電子モジュール
110 モジュール用基板
Claims (8)
- 主面を有するSiC基板と、
前記主面の一部の範囲にオーミック接合されたNiSi層と、
前記NiSi層上から前記主面上にかけて位置する導体膜と、
を備え、
縦断面において、前記主面と前記NiSi層との接合部と前記主面と前記導体膜との接合部とが交互に連続しており、前記主面と前記NiSi層との複数の接合部には、第1の幅を有する接合部と、前記第1の幅より小さい第2の幅を有する接合部とが含まれ、
前記NiSi層は、多孔質構造を有し、かつ、前記NiSi層内の他の部位よりも空孔が多く分布する特定層を有し、
前記主面に近い前記特定層に含まれる空孔の径の平均値が、前記主面から遠い前記特定層に含まれる空孔の径の平均値よりも大きい、
配線基板。 - 主面を有するSiC基板と、
前記主面の一部の範囲にオーミック接合されたNiSi層と、
前記NiSi層上から前記主面上にかけて位置する導体膜と、
を備え、
縦断面において、前記主面と前記NiSi層との接合部と前記主面と前記導体膜との接合部とが交互に連続しており、前記主面と前記NiSi層との複数の接合部には、第1の幅を有する接合部と、前記第1の幅より小さい第2の幅を有する接合部とが含まれ、
前記第1の幅を有する接合部は、前記主面に垂直な方向から透視したときに、電子部品が搭載される接合導体と重なるように配置されている、
配線基板。 - 前記NiSi層は、多孔質構造を有し、かつ、前記NiSi層内の他の部位よりも空孔が多く分布する特定層を有する、
請求項2記載の配線基板。 - 前記主面に近い前記特定層に含まれる空孔の径の平均値が、前記主面から遠い前記特定層に含まれる空孔の径の平均値よりも大きい、
請求項3記載の配線基板。 - 縦断面において、前記第1の幅を有する接合部の両側に、前記第2の幅を有する接合部が配置されている、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記NiSi層の前記主面とは反対側における界面のカーボンの分布量が、前記NiSi層の厚み方向における中央のカーボンの分布量よりも少ない、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の配線基板。 - 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備える電子装置。 - 請求項7記載の電子装置と、
前記電子装置が搭載されたモジュール用基板と、
を備える電子モジュール。
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---|---|---|---|---|
JP2011054698A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2017063145A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2018182323A (ja) | 2017-04-12 | 2018-11-15 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | メタライゼーション構造を備える半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2020161754A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置及び電子モジュール |
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