JP2013258174A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、該複数の発光素子部を接続する接続部と、外部と接続するための一対の第1電極及び第2電極とを備える半導体発光素子であって、前記第1電極は、少なくとも1つの発光素子部において、前記第1半導体層と電気的に接続され、かつ絶縁膜を介して、前記第2半導体層上に配置され、かつ前記複数の発光素子部は、互いに同一の活性層の面積を有していることを特徴とする半導体発光素子。
【選択図】図1A
Description
しかし、外部に接続されるn側の電極が配置される小領域では、その接続部分の周囲のp型半導体層及び活性層を除去することが必要となり、必然的にその小領域のみ、発光面積が縮小するため、発光素子全体としての発光が不均一になる又は負荷が集中するという課題がある。
これに対して、発光領域とは別個に、外部接続のための電極形成領域を設ける方法が提案されている(特許文献1)が、この方法では、外部接続のための電極形成領域では非発光となるため、素子全体の発光面積の低下を招き、発光効率の低下が余儀なくされる。そして、この傾向は、素子の全体の面積に占める外部接続のための電極形成領域の面積が大きいほど顕著となる一方、外部接続のための電極形成領域は、接続に要する最小限の面積の確保が必要となる。そのため、素子の全体の面積が一定以下では、外部接続のための電極形成領域を設けることは困難となる。
(1)第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、
該複数の発光素子部間を接続する接続部と、
外部と接続するための一対の第1電極及び第2電極とを備える半導体発光素子であって、
前記第1電極は、少なくとも1つの発光素子部において、前記第1半導体層と電気的に接続され、かつ絶縁膜を介して、前記第2半導体層上に配置され、かつ
前記複数の発光素子部は、互いに同一の活性層の面積を有していることを特徴とする半導体発光素子。
(2)第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、
該複数の発光素子部を接続する接続部とを備える半導体発光素子であって、
前記複数の発光素子部は、
前記第1半導体層に電気的に接続され、延長する第1配線電極と、
前記第2半導体層に電気的に接続され、延長する第2配線電極とを備えており、かつ、
少なくとも1つの前記接続部は、1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極と、他の1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極とを接続し、前記第1配線電極又は第2配線電極の延長方向に略垂直に延長する部位を備えることを特徴とする半導体発光素子。
(3)第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、
該複数の発光素子部間を接続する接続部とを備える半導体発光素子であって、
前記複数の発光素子部は、
前記第1半導体層に電気的に接続された第1配線電極と、
前記第2半導体層に電気的に接続された第2配線電極とを備えており、かつ、
前記接続部は、1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極と、他の1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極とを接続し、前記第1配線電極及び第2配線電極の幅よりも幅広であることを特徴とする半導体発光素子。
(4)前記接続部は、絶縁膜を介して前記発光素子部の上方に配置されている上述した全ての半導体発光素子。
(5)前記絶縁膜が、透光性の酸化物、窒化物又はフッ化物である上述した全ての半導体発光素子。
(6)前記絶縁膜が、屈折率の異なる2種類以上の透光性の材料からなる多層膜である上述した全ての半導体発光素子。
(7)前記半導体発光素子は、外部と接続するための一対の第1電極及び第2電極を備え、
前記第1電極は、前記第2電極を備える発光素子部とは異なる少なくとも1つの発光素子部において、前記第1配線電極に電気的に接続されて配置されている上述した全ての半導体発光素子。
(8)前記第1配線電極と前記第2配線電極は、平行に対向する部分を有する上述した全ての半導体発光素子。
基板は、半導体層をエピタキシャル成長させることができるものであればよい。このような基板の材料としては、サファイア(Al2O3)、スピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、炭化ケイ素(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、ダイヤモンド、窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板等が挙げられる。これらの基板は、その表面にオフ角を有していてもよいし、凹凸を有していてもよい。基板上には、後述する第1半導体層との間に、発光に関与しない、言い換えると、電気的に分離された、例えば、バッファ層、高抵抗層(例えばノンドープGaN、AlGaN又はAlNによる層)などの中間層が形成されていてもよい。なお、抵抗の高い層は、ショートしない程度の高抵抗層が挙げられる。
発光素子部は、第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順に積層された半導体積層構造によって構成される。この半導体積層構造は、複数の発光素子部として機能する。そのために分割溝が利用される。従って、分割溝で囲まれた部位を、それぞれ「発光素子部」という。
分割溝とは、通常、発光素子部を互いに電気的に分離するためのものであり、その深さは、特に限定されるものではなく、例えば、第1半導体層の全てが除去されていてもよいし、基板と第1半導体層の間に上述した中間層が形成されている場合には、中間層を露出するか又は中間層内に達するように除去されていてもよいし、基板表面が露出するか、基板内に達するように除去されていてもよい。つまり、分離溝は、必ずしも、第1半導体層、活性層及び第2半導体層の全膜厚を除去した溝でなくてもよく、例えば、第1半導体層における高抵抗層が残存した状態であってもよい。言い換えると、これら複数の発光素子部は、通常、実質的に電気的に分離されている。ここで、実質的に電気的に分離されているとは、上述したように、高抵抗層を残して第1半導体層が繋がっている状態を排除するものではなく、抵抗が高いために電流が流れない又はショートが起こらない層が共有されていてもよいことを意味する。
本願明細書においては、「幅」とは、上面視における延伸方向に垂直な方向の長さを意味する。
本発明の半導体発光素子では、このような発光素子部は、フェースダウン及びフェースアップのいずれの実装形態であってもよい。
発光素子部の数は、特に限定されるものではなく、要求される駆動電圧等に応じて、適宜調整することができる。
発光素子部の形状は特に限定されるものではなく、半導体発光素子の形状に応じて適宜設定することができる。通常、半導体発光素子は、四角形及びこれに近似する形状であることから、各発光素子部の形状は、四角形(正方形、長方形等)に近似する形状とすることが好ましい。各発光素子部は、1つの半導体発光素子内において、全て同じ形状及び/又は同じ大きさであることが好ましいが、2種以上の異なる大きさ及び/又は形状であってもよい。ここで、同じ形状とは、発光層として機能する活性層の形状が同じ及び/又は面積が同じであることを意味する。
ただし、一般的なパッド電極のようにワイヤボンディングするための大きさを確保する必要はなく、第1又は第2透光性電極あるいは第1半導体層に電流を拡散/供給することができる幅及び長さを有していればよい。
例えば、第1配線電極及び第2配線電極は、通常、電流の拡散/供給を容易にするために、一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状、つまり、一方向に延長した形状をしていることが好ましいが、発光素子部の形状等に応じて、L、U字状等の形状であってもよい。第1配線電極及び第2配線電極の延長方向は、異なっていてもよいが、同じであることが好ましく、つまり、互いに平行な部位を有していることが好ましい。
本願明細書においては、第1配線電極及び第2配線電極は、第1透光性電極又は第2透光性電極あるいは第1半導体層と電気的に接続した部位、より詳細には、第1透光性電極又は第2透光性電極あるいは第1半導体層と接触している部位を指す。
第1透光性電極及び第2透光性電極は、一般に、各発光素子部における第1半導体層及び第2半導体層の全面又はそれらの外周よりも若干小さい大きさで配置されることが好ましい。これにより、配線電極から供給される電流を、半導体層の面内全体に均一に流すことができる。
接続部は、複数の発光素子部を直列又は並列に接続するものであり、主として、発光素子部間に配置される。ただし、接続部は、1つの発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極と、他の1つ発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極とに接続されるために、発光素子部間(例えば、上述した分離溝内)に配置されるのみならず、発光素子部の上方に渡って配置されることもある。この場合、絶縁膜を介して発光素子部の上方に配置されることが好ましい。
接続部が第1配線電極又は第2配線電極と接続される場合、その接続形態は、上面、下面又は側面等の接触であってもよいし、これらの配線電極と一体的に形成されることにより接続されていてもよい。
また、別の実施形態においては、接続部は、第1配線電極又は第2配線電極よりも幅広であることが好ましく、特に、第1配線電極又は第2配線電極に対して、2倍程度以上の幅を有していることが好ましい。このように幅広とすることにより、接続部のステップカバレッジに起因する断線を避けることができる。
接続部は、後述する第1及び第2電極と同様の材料により形成することができる。
接続部の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm以上であることが好ましい。この範囲の厚みとすることにより、断線に対する余裕度を増大させることができる。
また、接続部が、第1又は第2電極と接続される場合、その接続形態は、上面、下面又は側面等の接触であってもよいし、これら電極と一体的に形成されることにより接続されていてもよい。
さらに別の実施形態においては、接続部は、屈曲部を有していることが好ましい。
第1電極及び第2電極は、外部との接続をとるため、言い換えると、外部から半導体層に対して電流を供給するための電極であり、1つの半導体発光素子において、少なくとも1対あればよいが、一方のみ2つ以上又はそれぞれ2つ以上設けられていてもよい。一対とすることにより、個々の発光素子にそれぞれ第1電極及び第2電極を設ける場合に比較して、発光強度の低減を最小限に止めることができる。
第1電極及び第2電極は、いわゆるパッド電極のように、外部との接続、例えば、ワイヤボンディング等に必要な面積を確保するために、第1及び第2配線電極よりも幅広に形成されていることが好ましい。
第1電極及び第2電極の材料としては、Ni、Ti、Cr、Al及びこれらの化合物等の単層又は積層構造などが好ましい。特に、第1透光性電極及び/又第2透光性電極、第1半導体層及び/又は第2半導体層に対して密着性とオーミック性を確保できる材料を、これらの接触する部位又は層に配置することが好ましい。なかでも、透光性電極又は半導体層側から、Ti/Rh/Auに積層した多層膜を用いることが好ましい。
第2電極を備える発光素子部では、第2電極は、第2配線電極と電気的に接続されるものであれば、その接続形態は、特に限定されず、(i) 第2配線電極の上に第2電極が配置されて接続されたものでもよいし、(ii)両者が第2透光性電極上に並列して、その側面で接続されたもの又は両者が一体的に形成されたものでもよい。
絶縁膜は、絶縁性を確保することができる限り、どのような材料を用いても、どのような膜厚でもよい。例えば、酸化物、窒化物又はフッ化物が挙げられ、透光性を有するものが好ましい。具体的には、Si、Al、Nb、Zr、Tiなどの酸化物、窒化物又はフッ化物の単層膜又は多層膜が挙げられる。
単層の場合には、特に、一般的な材料としてSiO2を用いることが好ましい。膜厚は、反射率を確保するために、3λ/(4n)以上(青色発光のInGaN系の発光素子の場合、約230nm以上)であることが好ましい。ここで、λは半導体発光素子の発光波長、nは各層の屈折率を表す。
屈折率の異なる2種類以上の材料からなる多層膜の場合には、各層の厚みが、それぞれ、0.3λ/(4n)〜λ/nを満たすものが好ましい。
本発明の半導体発光素子は、外部との接続領域以外の全表面を保護膜によって被覆していることが好ましい。保護膜としては、上述した絶縁膜と同様のものが挙げられる。厚みは特に限定されるものではなく、数nm〜数100μm程度の範囲で適宜調整することができる。また、この保護膜は、例えば、ALD(原子層堆積法)による膜であってもよい。
実施形態1
実施形態1の半導体発光素子を図1A及び図1Bに示す。
この半導体発光素子では、略長方形形状の2つの発光素子部10a、10bを備え、短辺が隣接するように配置されている。発光素子部10a、10bは、基板10上に第1半導体層(例えば、n型半導体層)20、活性層21及び第2半導体層(例えば、p型半導体層)22がこの順に形成されている。これら発光素子部10a、10bの間は、第1半導体層20が完全に除去され、基板10表面に及ぶ分離溝10cによって、互いに電気的に分離されている。
露出したn型半導体層20上及びp型半導体層22上には、第1透光性電極(例えば、n側透光性電極)31及び第2透光性電極(例えば、p側透光性電極)30が、それぞれ、各層の略全面を覆う大きさ及び形状で、オーミック接続するように配置されている。
n側透光性電極31及びp側透光性電極30上には、第1配線電極(例えば、n側配線電極)61及び第2配線電極(例えば、p側配線電極)51がそれぞれ形成され、電気的に接続されている。n側配線電極61及びp側配線電極51は、それぞれ、発光素子部の長辺及び短辺に略平行に延長するように形成されている。特に、n側配線電極61は、露出したn型半導体層20に沿ってL字形状に配置されており、屈曲部を有し、n側配線電極61又はp側配線電極51の延長方向にほぼ垂直に延長する部位を備えている。
なお、n側配線電極61は、露出したn型半導体層20に沿って配置することにより、後述する接続部を、同一の発光素子部上の極性の異なる層の上を経由せずに配置することができるため、短絡の危険を回避することができる。
このように、n側電極60を、n型半導体層20上ではなく、p型半導体層22上に引き回して配置することにより、n型半導体層20の露出面積を最小限とすることができ、その結果、発光素子部10bの活性層52による発光面積を最大限に確保することができる。
さらに、このようなn側電極60の配置によって、発光素子部10a、10b以外に、外部との接続を図るための電極形成領域を別途設ける必要がないために、より小さな占有面積で発光効率を向上させることができる。
接続部70の幅は、第2配線電極51の幅よりも幅広(約2倍の幅)の形状を有している。このように、接続部70の幅を幅広とすることにより、分離溝10cを跨ぐ接続部の断線を確実に防止することができる。
この半導体発光素子は、n側電極60、p側電極50上における外部との接続のため領域を除いて、その全表面が保護膜80によって被覆されている。この保護膜80は、例えば、SiO2(膜厚:500nm)によって形成することができる。
実施形態2の半導体発光素子を図2A及び図2Bに示す。
この実施形態の半導体発光素子は、n型半導体層20が露出した領域が略長方形形状の発光素子部の一辺にのみ沿い、発光素子部11aの1つの角部に隣接してI字状に配置されており、n側透光性電極131が、この領域の略全面を覆う大きさ及び形状で配置され、n側配線電極161がI字状に配置され、接続部71が、n型半導体層20上でn側配線電極161と接続され、絶縁膜40を介して、発光素子部11aのp側半導体22上のp側透光性電極30に達し、分割溝10cを跨ぎ、発光素子部11bのp型半導体層22上のp側透光性電極30に達する以外は、実質的に実施形態1の半導体発光素子と同様の構成を有する。
このように、接続部71を屈曲させて配置することにより、n型半導体層20が露出した領域をより小さくすることができるために、より発光面積を増大させることができる。
実施形態3の半導体発光素子を図3A〜図3Dに示す。
この実施形態の半導体発光素子では、p側配線電極251は、分岐を有しているように、その形状及び位置が異なり、n側配線電極261が発光素子部の内側に位置し、絶縁膜40のn側配線電極261の端部形状が若干異なる以外は、実質的に実施形態1の半導体発光素子と同様の構成を有する。
このように、p側配線電極251及びn側配線電極261のデザインを任意に変更することにより、半導体発光素子の設計の自由度を向上させることができる。
p側配線電極251の下部には、p側配線電極251とp側透光性電極30との接する面積が小さくなるように、その延長方向において同様に延長する絶縁膜40が設けられている。p側電極配線251を流れる電気は、外部電源と接続されるp側電極50に近いところで拡散する傾向があるが、p側配線電極251とp側透光性電極30との接する面積を小さくすることによりp側電極50付近で拡散する電流量を少なくすることができ、p側電極50からより遠い位置まで電流が行き届く。そのため電流密度が均一になり、発光が均一になる。
実施形態4の半導体発光素子を図4A〜図4Cに示す。
この実施形態の半導体発光素子は、略長方形形状の発光素子部12a、12bが、長辺が隣接するように配置されており、接続部72が、長辺が隣接する発光素子部12a、12bのn側配線電極61及びp側配線電極51同士を接続するように配置している以外実質的に実施形態2の半導体発光素子と同様の構成を有する。
この半導体発光素子では、接続部72は、n側配線電極61及びp側配線電極51の延長方向に略垂直に延長する部位を備える。このように、n側配線電極61及びp側配線電極51に対して、接続部72が、略垂直に延長する部位を備えることにより、素子間を最短距離で結ぶことが可能であり配線抵抗による駆動電圧の上昇を抑えることができる。
実施形態5の半導体発光素子を図5A〜図5Cに示す。
この実施形態の半導体発光素子は、略長方形形状の発光素子部13a、13bを並列接続するために、n側配線電極161、n側の接続部73b、p側配線電極51、p側の接続部73aの形状及び/又は配置を変更した以外実質的に実施形態1の半導体発光素子と同様の構成を有する。
この半導体発光素子では、p側の接続部73aは、p側電極50から、p側配線電極51の延長方向に略垂直に延長している。
発光素子部の数が4つ以上の場合は、例えば、図5Cに示すように、発光素子部13cを2つ以上増やして並列接続させることができる。
実施形態6の半導体発光素子を図6に示す。
この実施形態の半導体発光素子は、発光素子部14a〜14f間の接続を、直列及び並列混在接続としたものであり、基本的には、実施形態2と実施形態5のn側配線電極161、p側配線電極51、p側の接続部73a、n側の接続部73b等を組み合わせた形状及び/又は配置とすることができる。
実施形態7の半導体発光素子を図7A及び図7Bに示す。
この半導体発光素子では、略正方形形状の4つの発光素子部15a〜15cを備えており、そのp側配線電極351、n側配線電極361、接続部74a、74bの形状及び/又は配置が変更されている以外実質的に実施形態1の半導体発光素子と同様の構成を有する。
この半導体発光素子は、n型半導体層20が露出した領域は略正方形形状の発光素子部の一辺に沿った中央部に配置されており、n側透光性電極331が、この領域の略全面を覆う大きさ及び形状で配置され、その上に、n側配線電極361がI字状に配置されている。
接続部74aは、n型半導体層20上でn側配線電極361と接続され、絶縁膜40を介して、分割溝10cを跨ぎ、隣接する発光素子部15cのp側透光性電極30上にI字状に配置されたp側配線電極351に、発光素子部15cの上方で略垂直に屈曲することにより、接続されている。n側配線電極361に接続された接続部74aが略垂直に屈曲してp側配線電極351に接続されることで、発光素子部15cにおけるn側配線電極361とp側配線電極351は互いに平行な部分を有することになる。すなわち、第n配線電極361と第p配線電極351は、平行に対向する部分を有する。これにより、n側配線電極361とp側配線電極351の間の電流を発光素子部15c内でより均一に拡散させることができ、発光分布が均一になる。さらに、接続部74aとp側配線電極351とを、矩形状の発光素子部15cの外周の形状に沿って配置させることができ、発光素子部15c上部での接続部74aとp側配線電極351による遮光を最小限にすることができる。
発光素子部15bは、n側電極60のp型半導体層22での配置により、接続部74bは、直線形状を採用している。
実施形態8の半導体発光素子を図8に示す。
この半導体発光素子では、各電極の形状(例えば、接続部72、S字状の接続部75a、U字状の接続部75b等)及びレイアウト、発光素子部の数が異なる以外、実質的に実施形態1と同様の半導体発光素子と同様の構成を有する。
このように、各電極のレイアウトを変更する、つまり、形状及び配置を上述した実施形態で採用したものを利用して組み合わせるのみで、発光素子部の数を任意に変更することができる。
実施形態の半導体発光素子を図9A及び図9Bに示す。
この半導体発光素子では、各電極のレイアウト等が異なる以外、実質的に実施形態1の半導体発光素子と同様の構成を有する。
このように、各電極のレイアウト等を変更することによって、直列接続の任意の配置を実現することができる。
実施形態の半導体発光素子を図10A〜図10Cに示す。
この半導体発光素子では、n側電極160を2つ(160a、160b)設けている。平面図において右下の発光素子部は、略U字状のn型半導体層20上に略L字状の活性層21とp型半導体層22を有し、p型半導体層22上の左側に略長方形状のp側透光性電極30を有する。言い換えると、右下の発光素子部は、n型半導体層20の約4分の1が露出している。
図10Bは図10AのA−A’における断面図である。n側電極160aはp型半導体層22の上方に絶縁膜40を介して設けられており、n側電極160aと接続されるn側配線電極61が、隣接する発光素子部のn型半導体層20と電気的に接続される。したがって、p側電極50とn側電極160aに外部電源を接続した場合、n側電極160aを備える発光素子部は発光せず、その他の計16個の発光素子部が発光する。
図10cは図10AのA−B’における断面図である。n側電極160bがn型半導体層20の上面に絶縁膜40を介して設けられており、n側電極160bと接続されるn側配線電極61が、n側電極160bを備える発光素子部と電気的に接続される。したがって、p側電極50とn側電極160bに外部電源を接続した場合、n側電極160bを備える発光素子部(詳細には活性層21)が発光し、計17個の発光素子部が発光する。
上記以外は、実質的に実施形態1の半導体発光素子と同様の構成を有する。
これにより、任意の数の任意の配列が可能となり、半導体発光素子の設計の自由度を確保することができる。
10a、10b、11a、11b、12a〜12e、13a〜13c、14a〜14c、15a〜15c 発光素子部
10c 分離溝
20 第1半導体層(n型半導体層)
21 活性層
22 第2半導体層(p型半導体層)
30 第2透光性電極(p側透光性電極)
31、131、331 第1透光性電極(n側透光性電極)
40 絶縁膜
50 第2電極(p側電極)
51、251、351 第2配線電極(p側配線電極)
60、160、160a、160b 第1電極(n側電極)
61、161、261、361 第1配線電極(n側配線電極)
70、71、72、73a、73b、74a、74b、75a、75b 接続部
80 保護膜
201 ノンドープ層
Claims (8)
- 第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、
該複数の発光素子部間を接続する接続部と、
外部と接続するための一対の第1電極及び第2電極とを備える半導体発光素子であって、
前記第1電極は、少なくとも1つの発光素子部において、前記第1半導体層と電気的に接続され、かつ絶縁膜を介して、前記第2半導体層上に配置され、かつ
前記複数の発光素子部は、互いに同一の活性層の面積を有していることを特徴とする半導体発光素子。 - 第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、
該複数の発光素子部を接続する接続部とを備える半導体発光素子であって、
前記複数の発光素子部は、
前記第1半導体層に電気的に接続され、延長する第1配線電極と、
前記第2半導体層に電気的に接続され、延長する第2配線電極とを備えており、かつ、
少なくとも1つの前記接続部は、1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極と、他の1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極とを接続し、前記第1配線電極又は第2配線電極の延長方向に略垂直に延長する部位を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 第1半導体層、活性層及び第2半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と、
該複数の発光素子部間を接続する接続部とを備える半導体発光素子であって、
前記複数の発光素子部は、
前記第1半導体層に電気的に接続された第1配線電極と、
前記第2半導体層に電気的に接続された第2配線電極とを備えており、かつ、
前記接続部は、1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極と、他の1つの前記発光素子部の第1配線電極又は第2配線電極とを接続し、前記第1配線電極及び第2配線電極の幅よりも幅広であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記接続部は、絶縁膜を介して前記発光素子部の上方に配置されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁膜が、透光性の酸化物、窒化物又はフッ化物である請求項1又は4に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁膜が、屈折率の異なる2種類以上の透光性の材料からなる多層膜である請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子は、外部と接続するための一対の第1電極及び第2電極を備え、
前記第1電極は、前記第2電極を備える発光素子部とは異なる少なくとも1つの発光素子部において、前記第1配線電極に電気的に接続されて配置されている請求項2又は3に記載の半導体発光素子。 - 前記第1配線電極と前記第2配線電極は、平行に対向する部分を有する請求項2、4〜6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016025341A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
US9343617B2 (en) | 2014-06-13 | 2016-05-17 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element |
JP2017195370A (ja) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 高効率発光ダイオード |
KR20180034017A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2018139291A (ja) * | 2016-04-18 | 2018-09-06 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 高効率発光ダイオード |
JP2019149474A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021082837A (ja) * | 2021-02-24 | 2021-05-27 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 光電部品 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114595A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Matsushita Electronics Industry Corp | GaN系化合物半導体発光素子 |
JP2003110148A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
JP2009296011A (ja) * | 2002-04-12 | 2009-12-17 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光装置 |
JP2010056195A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2011139037A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
-
2012
- 2012-06-11 JP JP2012131673A patent/JP2013258174A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114595A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Matsushita Electronics Industry Corp | GaN系化合物半導体発光素子 |
JP2003110148A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
JP2009296011A (ja) * | 2002-04-12 | 2009-12-17 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光装置 |
JP2010056195A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2011139037A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9343617B2 (en) | 2014-06-13 | 2016-05-17 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element |
JP2016025341A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2017195370A (ja) * | 2016-04-18 | 2017-10-26 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 高効率発光ダイオード |
JP2018139291A (ja) * | 2016-04-18 | 2018-09-06 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 高効率発光ダイオード |
JP2021177579A (ja) * | 2016-04-18 | 2021-11-11 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co., Ltd. | 発光ダイオード |
US11239387B2 (en) | 2016-04-18 | 2022-02-01 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode with high efficiency |
JP7203164B2 (ja) | 2016-04-18 | 2023-01-12 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | 発光ダイオード |
KR20180034017A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
KR102647673B1 (ko) * | 2016-09-27 | 2024-03-14 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
JP2019149474A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP2021082837A (ja) * | 2021-02-24 | 2021-05-27 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 光電部品 |
JP7223046B2 (ja) | 2021-02-24 | 2023-02-15 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 光電部品 |
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