JP2013258177A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】電流の局所的な集中を抑制して発光を均一化し、発光効率の低下を抑制すること。
【解決手段】図1のように、III 族窒化物半導体発光素子は、平面視で長方形であって、同一面側にn型層11に接続するn電極16とp型層13に接続するp電極17とを有している。n電極16はn配線状部16bを有し、p電極17も同様にp配線状状部17bを有している。n配線状部16bは、素子の一方の長辺1aに沿って直線状に形成されている。そのn配線状部16bと長辺1aとの距離はbである。また、p配線状部17bは、素子の他方の長辺1bに沿って直線状に形成されている。p配線状部17bと長辺1bとの距離もbである。また、n配線状部16bとp配線状部17bとの距離はaである。また、距離a、bは、1.65≦a/b≦7.00を満たしている。
【選択図】図1
【解決手段】図1のように、III 族窒化物半導体発光素子は、平面視で長方形であって、同一面側にn型層11に接続するn電極16とp型層13に接続するp電極17とを有している。n電極16はn配線状部16bを有し、p電極17も同様にp配線状状部17bを有している。n配線状部16bは、素子の一方の長辺1aに沿って直線状に形成されている。そのn配線状部16bと長辺1aとの距離はbである。また、p配線状部17bは、素子の他方の長辺1bに沿って直線状に形成されている。p配線状部17bと長辺1bとの距離もbである。また、n配線状部16bとp配線状部17bとの距離はaである。また、距離a、bは、1.65≦a/b≦7.00を満たしている。
【選択図】図1
Description
本発明は、同一面側にn電極とp電極とを有した長方形のIII 族窒化物半導体発光素子に関する。特に、n電極、p電極が長辺方向に伸びるn配線状部、p配線状部を有したIII 族窒化物半導体発光素子に関する。
近年、III 族窒化物半導体発光素子は一般照明や液晶のバックライトなどに広く使用されるようになっている。III 族窒化物半導体発光素子には、n電極、p電極を同一面側に設け、そのn電極、p電極形成側の面から光を取り出すフェイスアップ型ないしはフリップチップ型の素子が一般に用いられている。
液晶のバックライト用のIII 族窒化物半導体発光素子を用いた発光装置として、サイドビュー型のLEDパッケージが知られている。サイドビュー型のLEDパッケージは、細長い長方形状のパッケージであり、側面から光を放射する構造である。パッケージが細長い形状であるため、搭載するIII 族窒化物半導体発光素子として長尺な長方形のものを用いると効率的に光出力を高めることができる。また、液晶ディスプレイの薄型化に伴い、サイドビュー型のLEDパッケージもより細長いものが望まれている。そのため、それに用いるIII 族窒化物半導体発光素子も長尺化が進められている。
III 族窒化物半導体発光素子が長尺になると、電流の拡散性が悪化し、一部領域に電流が集中して均一な発光とならず、発光効率が悪化してしまう。そこで電流拡散性を向上させる技術が必要となる。
そのような技術として、n電極、p電極が配線状に延伸するn配線状部、p配線状部を有した構造とし、n配線状部、p配線状部によって電流を効率的に拡散させる方法がある(たとえば特許文献1〜5)。特許文献1では、n配線状部とp配線状部を互いに平行かつ等間隔に離間して配置することが示されている。特許文献2には、ストライプ状、渦巻き状、同心円状など、様々なパターンのn配線状部、p配線状部が示されている。特許文献3には、n配線状部、p配線状部をくし状などのパターンに形成した矩形のIII 族窒化物半導体発光素子が示されている。また、特許文献4には、素子外周の辺に沿う方向に、あるいは素子の対角方向に直線状に伸びるn配線状部とp配線状部とが、交互に配置された構成が示されている。また、特許文献5には、長方形の発光素子において、素子長手方向に直線状に伸びるn配線状部とp配線状部とが示されている。
しかし、長尺なIII 族窒化物半導体発光素子では、上記特許文献に記載の方法にしたがって配線状部を配置したとしても、電流が局所的に集中してしまい、十分に発光を均一化することができず、発光効率の悪化は避けられない。また、上記特許文献のいずれも、配線状部から素子外周までの距離については考察されていない。
そこで本発明の目的は、同一面側にn電極とp電極を有し、n電極、p電極がそれぞれ配線状部を有した長方形のIII 族窒化物半導体発光素子の、局所的電流集中を防止して発光効率の悪化を抑制することである。
第1の発明は、平面視で長方形であって同一面側に、n型層に接続するn電極と、p型層に接続するp電極とを有したIII 族窒化物半導体発光素子において、n電極およびp電極は、長方形の長辺方向に伸びる配線状のn配線状部およびp配線状部をそれぞれ有し、n配線状部とp配線状部との距離をaとし、素子外周の長辺からn配線状部とp配線状部のうち近い方までの距離をbとして、距離aと距離bが、1.65≦a/b≦7.00を満たすようn配線状部およびp配線状部が配置されている、ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子である。
n配線状部およびp配線状部の平面視におけるパターンは、III 族窒化物半導体発光素子の平面視での外形である長方形の長辺方向に伸びる配線状であれば任意である。ここで配線状とは、直線状に限らず、1.65≦a/b≦7.00を満たす範囲で曲線状、ジグザグ状、波線状などに湾曲した線状を含む。また、直線状の場合、厳密に長辺に平行に伸びている必要はなく、長辺に対して−20〜20°の範囲で角度を成す方向に伸びていてもよい。
n配線状部およびp配線状部は、その一部分に長辺方向とは異なる方向に伸びる部分、たとえば短辺方向に伸びる部分を有していてもよい。ただし、その部分は配線状部全体の50%以下であることが望ましい。効率的に電流を拡散させるためである。
n配線状部、p配線状部は1本の線状である必要はなく、複数本であってもよい。また、n配線状部、p配線状部のパターンは線対称、回転対称などの対称性を有したパターンとするのがよい。発光の均一性が高まるためである。
距離aは、n配線状部16bとp配線状部17bとの最短距離であり、距離bは、素子外周の長辺からn配線状部、p配線状部の長辺方向に伸びる配線状の部分までの距離のうち近い方までの最短距離である。
距離bは、素子外周の短辺の長さに対して0.1倍以上の距離とすることが望ましい。発光の均一性をより高めることができる。
本発明は、絶縁体からなる保護膜上にn電極、p電極が設けられ、ビアを介してn配線状部とn型層、p配線状部とp型層とが接続された構造のIII 族窒化物半導体発光素子に適用することができる。
第2の発明は、第1の発明において、距離aと距離bが、さらにa/b≦3.85を満たすようn配線状部およびp配線状部が配置されている、ことを特徴とする。
第3の発明は、第1の発明または第2の発明において、n型層とn電極との間、および、p型層とp電極との間に絶縁体からなる保護膜を有し、保護膜に設けられたビアを介して、n電極のn配線状部とn型層とが接続され、p電極のp配線状部とp型層とが接続されている、ことを特徴とする。
第4の発明は、第1の発明から第3の発明において、n配線状部およびp配線状部は、長方形の長辺に平行な直線状である、ことを特徴とする。
第5の発明は、第1の発明から第4の発明において、短辺に対する長辺の比が2以上の長方形であることを特徴とする。
本発明のようにしてn電極の配線状部およびp電極の配線状部を配置すれば、長尺な長方形のIII 族窒化物半導体発光素子であっても、電流の局所的な集中を緩和して発光を均一にすることができ、発光効率の低下を抑制することができる。
また、第2の発明によれば、発光効率低下の抑制だけでなく、耐圧性能の向上も図ることができる。
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
図1は、実施例1の発光素子を上方からみた平面図である。実施例1の発光素子は、平面視で長方形であって、p型層13側を光取り出し面側とするフェイスアップ型の素子であり、その光取り出し面側にn電極16およびp電極17が設けられている。また、図2は、図1におけるA−Aでの断面図である。
実施例1の発光素子は、図2のように、基板10と、基板10上にAlNからなるバッファ層(図示しない)を介して順に積層されたIII 族窒化物半導体からなるn型層11、発光層12、p型層13と、を有している。p型層13表面側の一部領域からn型層11に達する溝19が形成され、溝19の底面にn型層11が露出している。p型層13上には透明電極14が形成されている。透明電極14上から溝19の底面にわたってSiO2 からなる絶縁体である保護膜15が形成されている。
保護膜15上にはn電極16、p電極17が形成されている。図1に示すように、n電極16は、nパッド部16aを有し、nパッド部16aに接続するn配線状部16bを有する。同様に、p電極17は、pパッド部17aを有し、pパッド部17aに接続するp配線状部17bを有する。nパッド部16a、pパッド部17aは、ボンディングワイヤと接続する部分であり、n配線状部16b、p配線状部17bは電流を面内に拡散させて発光の均一性を高める部分である。また、図1、2に示すように、n電極16、p電極17は同一面側に形成されている。また、n電極16、p電極16は、nパッド部16a、pパッド部17aを除いて保護膜20に覆われている。
保護膜15には複数のビア18が設けられ、このビア18を介して、溝19の底面に露出したn型層11とn配線状部16b、および、p型層13上の透明電極14と配線状部17bが接続している。
次に、実施例1の発光素子の各構成について、その具体例な構成例などをより詳細に説明する。
基板10は、c面サファイア基板であり、その表面にIII 族窒化物半導体を成長させる成長基板である。基板10の材料には、サファイア以外にも、SiC、Si、ZnO、スピネル、などを用いることができる。
n型層11、発光層12、p型層13は、従来より知られている任意の構造を採用することができる。たとえば、n型層11として、基板側から順にnコンタクト層、ESD層、nクラッド層が積層された構造を用いることができる。nコンタクト層にはn−GaN、ESD層にはGaN/n−GaN、nクラッド層にはInGaN/GaN/n−GaNを繰り返し積層させた超格子構造を用いることができる。ここで「/」は積層であることを意味し、A/BはA層を成膜した後B層を成膜することを意味する。以下、材料の説明において同様である。発光層12としては、たとえば、AlGaN/InGaN/GaNを繰り返し積層させたMQW構造を用いることができる。p型層13としては、たとえば、発光層12側から順にpクラッド層、pコンタクト層が積層された構造を用いることができる。pクラッド層にはInGaN/p−AlGaNを繰り返し積層させた超格子構造、pコンタクト層にはp−GaNを用いることができる。n型層11、発光層12、p型層13の形成には、MOCVD法やMBE法などを用いることができる。
透明電極14は、ITOからなり、p型層13表面(発光層12側とは反対側の面)のほぼ全面に形成されている。透明電極14は、蒸着やスパッタなどの方法によって形成することができる。透明電極14には、透光性(実施例1の発光素子の発光波長に対する透過性)と導電性とを有した材料であればよく、ITO以外にも、ICO(セリウムドープの酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープの酸化インジウム)、ZnO、TiO2 、NbTiO2 、TaTiO2 、グラフェンなどを用いることができる。
保護膜15、20は、SiO2 からなる。保護膜15、20はスパッタやCVD法などによって形成することができる。SiO2 以外にも透光性と絶縁性を有した任意の材料を用いることができ、材料の異なる複数の層で構成されていてもよい。たとえば、SiNx 、Al2 O3 、HfO2 、ZrO2 、AlN、Al2 O3 /SiO2 、SiO2 /ZrO2 、SiO2 /Al2 O3 、SiO2 /HfO2 、SiN/SiO2 、Al2 O3 /ZrO2 、SiN/SiO2 /ZrO2 、SiO2 /Al2 O3 /HfO2 、などを用いることができる。また、保護膜15と保護膜20は材料が異なっていてもよい。また、保護膜15内部であって平面視においてn電極16、p電極17に重なる位置に反射膜を設け、発光層12から放射される光を反射膜によって反射させることによって、n電極16、p電極17による光の吸収を抑制して光取り出し効率を向上させるようにしてもよい。
n電極16は、たとえばV/Ni、Ti/Al、V/Au、Ti/Au、Ni/Auなど、p電極17は、たとえばNi/Au、Pd/Auなどからなる。また、n電極16は、nパッド部16aとn配線状部16bとで材料や厚さを変えてもよい。それにより、nパッド部16aのボンディングワイヤとの接続性と、n配線状部16bの電流拡散性、保護膜15との密着性をそれぞれ最適化することが可能である。p電極17についても同様である。また、n電極16とp電極17を同一材料とすることで、n電極16とp電極17とを同時に形成できるようにしてもよい。n電極16、p電極17は蒸着やスパッタなどによって形成する。また、n電極16を形成する際、nパッド部16aとn配線状部16bとは別々に形成してもよいし、同時に形成してもよい。p電極17についても同様である。ただし、工程数削減の点等から同時に形成することが好ましい。
図1に示すように、n電極16とp電極17は点対称に配置されている。n配線状部16bは、素子の一方の長辺1aに沿って直線状に形成されている。そのn配線状部16bと長辺1aとの距離はbである。また、p配線状部17bは、素子の他方の長辺1bに沿って直線状に形成されている。p配線状部17bと長辺1bとの距離もbである。また、n配線状部16bとp配線状部17bとの距離はaである。また、距離a、bは、1.65≦a/b≦7.00を満たしている。ここでの「/」は材料の説明における「/」ではなく、除算の意味である点に留意する。n配線状部16bとp配線状部17bの幅Lは、1〜50μmとすることが望ましい。1μmよりも狭いと、電流拡散性が悪化してしまい望ましくなく、50μmより広いとn配線状部16b、p配線状部17b自身による光の遮光によって光取り出し効率が悪化してしまうので望ましくない。
なお、n配線状部16b、p配線状部17bのパターンは図1に示したものに限るものではなく、長辺方向に伸びる配線状であれば任意のパターンでよい。配線状とは、直線状である場合だけでなく、全部あるいは一部が1.65≦a/b≦7.00を満たす範囲で曲線状、ジグザグ状、波線状などに湾曲している線状を含む。また、直線状である場合には、長辺に対して−20〜20°の角度を成していてもよい。また、n配線状部16b、p配線状部17bのすべての部分が、長辺方向に伸びる配線状である必要はなく、一部分、たとえばnパッド部16a、pパッド部17aの近傍は、長辺方向とは異なる方向(たとえば短辺方向)に伸びる配線状であってもよい。ただし、n配線状部16b、p配線状部17bのうち、長辺方向とは異なる方向に伸びる部分は、全体の50%以下であることが望ましい。効率的に電流を拡散させるためである。また、n配線状部16b、p配線状部17bは1本の線状である必要はなく、複数本であってもよい。複数本とする場合、n配線状部16bとp配線状部17bとを短辺方向に交互に並べて配置してもよい。また、n配線状部16b、p配線状部17bのパターンは、均一に発光させるために、線対称、回転対称などの対称性を有したパターンとするのがよい。
なお、以上に述べたn配線状部16b、p配線状部17bのパターンにおいて、距離a、bは次のように定義する。距離aは、n配線状部16b、p配線状部17bの長辺方向に伸びる配線状の部分における、n配線状部16bとp配線状部17bとの距離であり、その配線状の部分が湾曲してたり、互いに平行でない場合には、n配線状部16bとp配線状部17bとの最短距離とする。また、距離bは、素子外周の長辺からn配線状部16b、p配線状部17bの長辺方向に伸びる配線状の部分までの距離のうち近い方までの距離であり、その配線状の部分が湾曲してたり、長辺に平行でない場合には最短距離とする。距離bは、長方形である素子外周の短辺の長さに対して0.1倍以上の距離とすることが望ましい。電流の局所的な集中を抑制し、発光の均一性をより高めるためである。
図6は、他のn電極26、p電極27のパターンの一例を示した図である。n電極26、p電極27は線対称に配置されている。n電極26は、nパッド部26aとn配線状部26bからなり、p電極27は、pパッド部27aとp配線状部27bからなる。nパッド部26aは一方の短辺近傍に位置し、pパッド部27aは他方の短辺近傍に位置している。n配線状部26bは、素子中央に長辺1a、1bに沿って伸びる一本の直線状のパターンである。p配線状部27bは、素子の長辺1a、1bに沿って伸びる2本の直線状のパターンであり、2本のうち一方は長辺1aとn配線状部26bとの間、他方は長辺1bとn配線状部26bとの間に位置している。長辺1aとp配線状部27bとの距離、および長辺1bとはp配線状部27bとの距離はbであり、n配線状部26bとp配線状部27bとの距離はaであり、1.65≦a/b≦7.00を満たしている。
ビア18は、保護膜15に開けられて、厚さ方向(基板10主面に垂直な方向)にその保護膜15を貫通する孔である。ビア18の形状は任意であり、たとえば円柱状、角柱状とすることができる。ビア18は、溝19の底面に露出したn型層11とn配線状部16bとを接続する位置、および透明電極14とp配線状部17bとを接続する位置に設けられている。ビア18にn電極16、p電極17を直接埋め込むことによって、n型層11とn配線状部16b、および透明電極14とp配線状部17bとの導通をとるようにしてもよいし、n配線状部16b、p配線状部17bとは異なる材料によって埋め込むことで導通をとるようにしてもよい。また、ビア18が形成される位置のn型層11上、透明電極14上にドット状電極を設け、そのドット状電極とn配線状部16b、p配線状部17bとをビア18を介して接続するようにしてもよい。そのようにすれば、半導体層に対するオーミック性をドット状電極によって、電流拡散性をn配線状部16b、p配線状部17bによって、それぞれ独立に制御することができる。
また、nパッド部16a、pパッド部17aは、n配線状部16b、p配線状部17bと同一面内に設けずともよい。すなわち、n配線状部16b、p配線状部17b上にさらに保護膜を設け、その保護膜上にビアを介して接続するnパッド部16a、pパッド部17aを設けた構成としてもよい。
また、n型層11とn配線状部16b、および透明電極14とp配線状部17bは、単数のビア18を介して接続してもよいし、複数のビア18を介して接続するようにしてもよい。
また、実施例1の発光素子では、nパッド部16a、pパッド部17aをそれぞれ1つ設けているが、nパッド部16a、pパッド部17aのいずれか、もしくは両方を複数設けてもよい。nパッド部16a、pパッド部17aの平面視における位置は、ボンディングワイヤの取り付けの容易さや、電流拡散性を考慮して、nパッド部16aを素子の一方の短辺2a近傍、pパッド部17aを他方の短辺2b近傍に設けるのがよい。また、実施例1ではnパッド部16a、pパッド部17aの平面視における形状を円形としているが、他の任意の形状としてよく、nパッド部16aとpパッド部17aとで異なる形状としてもよい。
また、実施例1の発光素子は、上記のように、保護膜15上にn電極16とp電極17を設け、保護膜15に開けたビア18を介して導通をとる構成としているが、保護膜15を設けずに、n型層11上、透明電極14上に直接n電極16、p電極17を設ける構成としてもよい。
以上に説明した実施例1の発光素子は、距離aをn配線状部16bとp配線状部17bとの距離とし、距離bを平面視で長方形である素子の長辺1aとn配線状部16bとの距離、および長辺1bとp配線状部17bとの距離として、1.65≦a/b≦7.00を満たすようにn配線状部16b、p配線状部17bを配置しているため、電流が均一に拡散して局所的な集中が防止され、発光効率の悪化を抑制することができる。
実施例1の発光素子は、短辺に対する長辺の比が2以上の長方形の形状である場合に好適である。そのようなアスペクト比の大きい長尺な発光素子は、従来は均一に電流を拡散させることができず、局所的な電流の集中が生じて発光効率が悪化していた。しかし、実施例1の発光素子によれば、そのような長尺な形状であっても、均一に電流を拡散させることができ、発光効率の悪化を抑制することができる。また、そのような長尺な発光素子は、液晶ディスプレイなどのバックライト光源として用いられているサイドビュー型LEDパッケージに搭載する発光素子として有用である。
[実験例]
距離a、距離bを変えた複数の発光素子(距離a、距離b以外の構成は実施例1の発光素子と同様の構成)を作製し、光出力、耐圧を測定して、発光素子の光出力および耐圧のa/b依存性について検証した。また、発光素子は、平面視で600μm×240μmの長方形の素子である。
距離a、距離bを変えた複数の発光素子(距離a、距離b以外の構成は実施例1の発光素子と同様の構成)を作製し、光出力、耐圧を測定して、発光素子の光出力および耐圧のa/b依存性について検証した。また、発光素子は、平面視で600μm×240μmの長方形の素子である。
図3は、発光素子の光出力とa/bとの関係を示したグラフである。図3のように、光出力はa/b=1.65を境にして大きく変化しており、a/b≧1.65で急激に光出力が上昇していることがわかる。これは、a/b≧1.65を満たすようにn配線状部16b、p配線状部17bが配置されたことによって電流が均一に拡散して電流の局所的集中が緩和され、発光効率が改善されるためと考えられる。また、a/bが1.65を越えて増大すると、a/b=2.5付近までは光出力が急峻に増大するが、これを越えると光出力は徐々に低下していくことがわかる。従来の素子よりも高い光出力であるためには、a/b≦7.00である必要がある。つまり、1.65≦a/b≦7.00とすることが望ましい。
図4は、発光素子の耐圧とa/bとの関係を示したグラフである。耐圧は、HBM法(人体モデル)によって測定した値である。図4のように、a/bが増加するにしたがって発光素子の耐圧は減少している。特に、a/b=3.85まではa/bが増大するにしたがって耐圧が大きく減少するが、a/b=3.85を越えると耐圧の減少は非常にゆるやかとなる。このように、a/bを小さくすると耐圧が向上する理由は、III 族窒化物半導体結晶中を流れる電流の距離が短くなることで、結晶欠陥に流れる電流が少なくなるためであると考えられる。また、a/b=3.85における耐圧はおよそ4000Vである。従来の発光素子は耐圧が4000Vであるため、実施例1の発光素子の耐圧がこれよりも大きくなるよう、a/b≦3.85であることが望ましい。以上、図3、4のグラフから、最も望ましいのは、1.65≦a/b≦3.85である。
図5は、実施例1の発光素子のビア18の数を変化させた場合に、光出力とa/bとの関係がどのように変化するかを示したグラフである。試料1は、n配線状部16bとn型層11を接続するビア18の個数を1つ、p配線状部17bと透明電極14とを接続するビア18の個数を2つとした。また、試料2は、n配線状部16bとn型層11を接続するビア18の個数を2つ、p配線状部17bと透明電極14とを接続するビア18の個数を3つとした。
図5のように、a/bの値が小さいと、試料1の方が試料2よりも光出力が若干大きい傾向があるが、a/bが2.5以上の範囲でa/bの増大に伴い光出力が徐々に低下していく傾向は、試料1、2のいずれの場合においても同様であることがわかる。この図3と図5の結果から、ビア18の個数が異なっていたとしても、1.65≦a/b≦7.00を満たすようにn配線状部16b、p配線状部17bが配置されていれば、電流の局所的な集中を緩和して発光効率の悪化を抑制することが可能であることが推察できる。また、ビア18の個数が異なっていても光出力とa/bとの関係について大きな傾向の違いが見られないことから、保護膜15を介さずに単にp型層13上あるいは透明電極14上に直接p電極17を形成した場合や、n型層11上に直接n電極16を形成した場合であっても、1.65≦a/b≦7.00であれば電流の局所的な集中を緩和して発光効率の悪化を抑制することが可能であると推察できる。
上記実験例から、1.65≦a/b≦7.00を満たすようn配線状部16b、p配線状部17bを配置すれば、電流を効率的に拡散させることができ、電流の局所的な集中を緩和することができるので、発光効率の悪化を抑制することができるということがわかった。また、上記実験例から、1.65≦a/b≦3.85を満たすようにすればさらに望ましいことがわかった。
本発明のIII 族窒化物半導体発光素子は、照明装置や表示装置などに利用することができる。特に、液晶のバックライト光源として用いるサイドビュー型のLEDパッケージに搭載する発光素子として、本発明のIII 族窒化物半導体発光素子は好適である。
10:基板
11:n型層
12:発光層
13:p型層
14:透明電極
15、20:保護膜
16:n電極
16a:nパッド部
16b:n配線状部
17:p電極
17a:pパッド部
17b:p配線状部
18:ビア
11:n型層
12:発光層
13:p型層
14:透明電極
15、20:保護膜
16:n電極
16a:nパッド部
16b:n配線状部
17:p電極
17a:pパッド部
17b:p配線状部
18:ビア
Claims (5)
- 平面視で長方形であって、同一面側にn型層に接続するn電極とp型層に接続するp電極とを有したIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記n電極および前記p電極は、前記長方形の長辺方向に伸びる配線状のn配線状部およびp配線状状部をそれぞれ有し、
前記n配線状部と前記p配線状部との距離をaとし、
素子外周の長辺から前記n配線状部と前記p配線状部のうち近い方までの距離をbとして、
距離aと距離bが、1.65≦a/b≦7.00を満たすよう前記n配線状部および前記p配線状部が配置されている、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 距離aと距離bが、さらにa/b≦3.85を満たすよう前記n配線状部および前記p配線状部が配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記n型層と前記n電極との間、および、前記p型層と前記p電極との間に絶縁体からなる保護膜を有し、
前記保護膜に設けられたビアを介して、前記n電極の前記n配線状部と前記n型層とが接続され、前記p電極の前記p配線状部と前記p型層とが接続されている、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前期n配線状部および前記p配線状部は、それぞれ、前記長方形の長辺に平行な単数または複数の直線状である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 短辺に対する長辺の比が2以上の長方形であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
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