TWI392114B - 發光二極體及其形成方法 - Google Patents

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Description

發光二極體及其形成方法
本發明係關於一種發光二極體及其形成方法，特別是關於將電極設置在絕緣層上方之發光二極體及其形成方法。
發光二極體(Light Emitting Diode；LED)因具有生產成本低、結構簡單、低耗電、體積小以及安裝容易之優勢，而大量運用於照明光源以及顯示器技術中。
圖1顯示一般傳統的發光二極體10，其包含基板11、黏著層12、磊晶結構13及形成在磊晶結構13上方的電極14與15。如此之結構，雖具有較佳的電流分佈效果，但發光二極體之發光向上輸出時，容易被電極14與15所吸收或產生散射，導致光輸出強度降低。由於亮度提升始終是發光二極體技術發展的主要趨勢，因此需要一種新穎的方法來解決習知的問題。
本發明係揭示一種發光二極體，其陰極及陽極係設置在磊晶結構周圍的絕緣層上方，而非設置在磊晶結構上。本發明更利用透明導電層使陰極及陽極電連接磊晶結構之電性半導體層，藉此不但可達成發光之功能，更可避免陰極及陽極正面地阻擋發光層之光線的輸出，以提升發光二極體的亮度。
於一方面，本發明一種發光二極體，包含一磊晶粒，該磊晶粒具有一第一基板、一第一電性半導體層、一發光層及一第二電性半導體層；一第二基板，承載該磊晶粒；一絕緣層位於該第二基板上，該絕緣層具有一第一部分鄰接該磊晶粒的一側，及一第二部分鄰接該磊晶粒的另一側；一第一電極，位於該絕緣層之該第一部分上；及一第二電極，位於該絕緣層之該第二部分上，其中該第一電極電性連接該第一電性半導體層，且該第二電極電性連接該第二電性半導體層。
於另一方面，本發明係提供一發光二極體的形成方法，包含提供至少一磊晶粒，該至少一磊晶粒具有一第一電性半導體層及一第二電性半導體層；將該至少一磊晶粒連接至一第一基板上；形成一絕緣層於該第一基板上，該絕緣層具有一第一部分鄰接該磊晶粒的一側，及一第二部分鄰接該磊晶粒的另一側；及形成一第一電極及一第二電極於該絕緣層上，其中該第一電極電性連接該第一電性半導體層，該第二電極電性連接該第二電性半導體層。
以下將參考所附圖式示範本發明之較佳實施例。所附圖式中相似元件係採用相同的元件符號。應注意為清楚呈現本發明，所附圖式中之各元件並非按照實物之比例繪製，而且為避免模糊本發明之內容，以下說明亦省略習知之零組件、相關材料、及其相關處理技術。
於一實施例，本發明提供一種形成發光二極體之方法。參考圖2A至圖2B，本發明方法包含提供具有一第一電性半導體層及一第二電性半導體層之磊晶結構。如圖2A所示，提供一基板21，基板21包含n型砷化鎵(GaAs)基板。之後，形成一多層磊晶層於基板21上，其中形成多層磊晶層之步驟包含形成一第一電性半導體層22於基板21上，形成一發光層23於第一電性半導體層22上，形成一第二電性半導體層24於發光層23上。第一電性半導體層22包含n型(Alx Ga1－x )0.5 In0.5 P磊晶層，而發光層23包含未經摻雜之(Alx Ga1－x )0.5 In0.5 P磊晶層，且第二電性半導體層24包含p型(Alx Ga1－x )0.5 In0.5 P磊晶層。未經摻雜之(Alx Ga1－x )0.5 In0.5 P磊晶發光層23中，代表Al含量之x約介於0至0.45(x＝0~0.45)，而於第一電性半導體層22或第二電性半導體層24中，代表Al含量之x約介於0.5至1.0(x＝0.5~1.0)。當發光層23之Al含量x＝＝0時，發光層23的組成為Ga0.5 In0.5 P，而其所發出的光波長約為635nm(係屬紅色可見光範圍)。此外，發光層23之結構包含同質結構(homo－structure)、單異質結構(Single Hetero－structure,SH)、雙異質結構(Double Hetero－structure,DH)或多重量子井結構(Multiple Quantum Well,MQW)。應注意，多層磊晶層中除了有上述各層外也可視需要包含其他磊晶層。
然後，透過合適的切割技術，沿著圖1所示之虛線A－A’進行切割以形成數個磊晶粒26，如圖2B所示。切割後磊晶粒26的外型可有多種變化，可為矩形、三角形、橢圓形或圓形，如圖2C至圖2D之各俯視圖所示。
參考圖3，提供另一基板31。基板31可選自玻璃基板、藍寶石基板、SiC基板、GaP基板、GaAsP基板、ZnSe基板、ZnS基板、ZnSSe基板等，但不以此為限。接著，以合適的習知技術依序形成一反射層32及一黏著層33於基板31上。反射層32之材質較佳可選自Sn、Al、Au、Pt、An、Ge、及Ag等。黏著層33較佳則可選自旋塗玻璃、矽樹脂、BCB(B－staged bisbenzo cyclobutene)樹脂、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)、或過氟環丁烷(prefluorocyclobutane,PFCB)等。
參考圖4，以合適的習知技術將磊晶粒26透過黏著層33連接至基板31上。磊晶粒26在基板31上的排放位置可視需要有多種變化，但應注意各磊晶粒26間需至少有一個使彼此相互隔開的間隔41以使後續之絕緣材料填入其中。
參考圖5，以合適的習知技術施加一絕緣層51毯覆式地覆蓋各磊晶粒26並充填基板31上之各間隔41。施作完成後，絕緣層51將具有一第一部分51a鄰接磊晶粒26的第一側26a，及一第二部分51b鄰接磊晶粒26的第二側26b。應注意，較佳而言，間隔41係可環繞各磊晶粒26，故絕緣層51亦可環繞每一磊晶粒26。圖5所示之虛線B－B’為切割線，本發明完成後續各步驟後將沿B－B’進行切割。絕緣層51之材質與黏著層33類似，即可為旋塗玻璃、矽樹脂、苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)、或過氟環丁烷(prefluorocyclobutane,PFCB)等。
接著，參考圖6，以合適的習知技術研磨絕緣層51以露出磊晶粒26之上表面24a(即為第二電性半導體層24之上表面)。較佳而言，經過研磨後，絕緣層51之頂表面51c與第二電性半導體層之上表面24a共平面。
參考圖7,在研磨步驟完成之後，以合適的微影蝕刻技術於磊晶粒26中形成一溝渠71，以暴露出第一電性半導體層22。較佳而言，溝渠71更暴露出絕緣層51之第一部分51a的垂直側壁51d。
接著，參考圖8，以合適的沉積、印刷或濺鍍技術，分別於絕緣層51之第一部分51a的上方及絕緣層51之第二部分51b的上方形成一第一透明導電層81a及一第二透明導電層81b。應注意，較佳而言，第一透明導電層81a係向下延伸覆蓋絕緣層51之垂直側壁51d以實質地接觸第一電性半導體層22；而第二透明導電層81b則向外延伸以實質地接觸第二電性半導體層24。第一透明導電層81a及第二透明導電層81b可同步形成，其可用之材質包含氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、或氧化鋅錫等等。
參考圖9，以合適的沉積、印刷或濺鍍技術，分別於絕緣層51之第一部分51a及絕緣層51之第二部分51b上方形成一第一電極91a及第二電極91b。電極的材料通常是導電性佳的金屬，例如金(Au)或鎳(Ni)等。由圖所示應可瞭解，第一電極91a可透過第一透明導電層81a電連接第一電性半導體層22；而第二電極91b則可透過第一透明導電層81b電連接第二電性半導體層24。換言之，第一電極91a或第二電極91b係由絕緣層51所支撐，而非堆疊在磊晶粒26正上方。所以，較佳而言，本發明之第一電極91a或第二電極91b可實質上未覆蓋第一電性半導體層24或第二電性半導體層22。
完成第一電極91a及第二電極91b之後，可沿圖9所示之切割線B－B’切割基板31以形成複數個發光二極體元件100，如圖10所示。發光二極體元件100為一向上發光型二極體元件，包含具有基板21、第一電性半導體層22、發光層23及第二電性半導體層24的磊晶粒26。磊晶粒26設置在另一基板31上。基板31除承載磊晶粒26外，還有絕緣層51鄰接磊晶粒26。詳言之，絕緣層51具有第一部分51a鄰接磊晶粒26的第一側26a，及一第二部分51b鄰接磊晶粒26的另一側26b。發光二極體元件100的第一電極91a及第二電極91b即分別設在絕緣層51之第一部分51a及第二部分51b上。透過第一透明導電層81a及第二透明導電層81b，第一電極91a及第二電極91b分別電性連接第一電性半導體層24及第二電性半導體層22。第一電極91a及第二電極91b位在發光層23之同側。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。
10．．．發光二極體
11．．．基板
12．．．黏著層
13．．．磊晶結構
14．．．電極
15．．．電極
21．．．基板
22．．．第一電性半導體層
23．．．發光層
24．．．第二電性半導體層
24a．．．上表面
26．．．磊晶粒
26a．．．第一側
26b．．．第二側
31．．．基板
32．．．反射層
33．．．黏著層
41．．．間隔
51．．．絕緣層
51a．．．第一部分
51b．．．第二部分
71．．．溝渠
81a．．．第一透明導電層
81b．．．第二透明導電層
91a．．．第一電極
91b．．．第二電極
圖1顯示習知發光二極體的剖面圖。
圖2A、2B及圖3至圖10係依據實施例顯示本發明之發光二極體製作過程的結構剖面圖。
21．．．基板
22．．．第一電性半導體層
23．．．發光層
24．．．第二電性半導體層
24a．．．上表面
26．．．磊晶粒
31．．．基板
26a．．．第一側
26b．．．第二側
32．．．反射層
33．．．黏著層
51．．．絕緣層
51a．．．第一部分
51b．．．第二部分
81a．．．第一透明導電層
81b．．．第二透明導電層
91a．．．第一電極
91b．．．第二電極

Claims (25)

  1. 一種發光二極體，包含：一磊晶粒，該磊晶粒具有一第一基板、一第一電性半導體層、一發光層及一第二電性半導體層；一第二基板，承載該磊晶粒；一絕緣層位於該第二基板上，該絕緣層具有一第一部分鄰接該磊晶粒的一側，及一第二部分鄰接該磊晶粒的另一側；一第一電極，位於該絕緣層之該第一部分上；及一第二電極，位於該絕緣層之該第二部分上，其中該第一電極電性連接該第一電性半導體層，且該第二電極電性連接該第二電性半導體層，該第一電極及該第二電極皆未覆蓋該第一電性半導體層或該第二電性半導體層。
  2. 如請求項1所述之發光二極體，其中該第一電極與該第二電極係位在該發光層的同一側。
  3. 如請求項1所述之發光二極體，其中該絕緣層具有一頂表面與該第二導電型半導體之上表面共平面。
  4. 如請求項1所述之發光二極體，其中該絕緣層之材質為旋塗玻璃、矽樹脂、苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)、或過氟環丁烷(prefluorocyclobutane,PFCB)。
  5. 如請求項1所述之發光二極體，更包含：一第一透明導電層位於該絕緣層之該第一部分的上方，該第 一透明導電層連接該第一電極與該第一電性半導體層；及一第二透明導電層位於該絕緣層之該第二部分的上方，該第二透明導電層連接該第二電極與該第二電性半導體層。
  6. 如請求項5所述之發光二極體，其中該絕緣層之該第一部分具有一垂直側壁，該第一透明導電層覆蓋該垂直側壁。
  7. 如請求項5所述之發光二極體，其中該第一透明導電層及該第二透明導電層之材質係為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、或氧化鋅錫。
  8. 如請求項1所述之發光二極體，其中該絕緣層環繞該磊晶粒。
  9. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一黏接層位於該第一基板與該第二基板之間。
  10. 如請求項1所述之發光二極體，其中該黏接層之材質為旋塗玻璃、矽樹脂、苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)、或過氟環丁烷(prefluorocyclobutane,PFCB)。
  11. 如請求項1所述之發光二極體，更包含一反射層位於該第一基板與該第二基板之間。
  12. 如請求項11所述之發光二極體，其中該反射層之材質為係選自Sn、Al、Au、Pt、An、Ge、及Ag所組成之群組。
  13. 一種發光二極體的形成方法，包含：提供至少一磊晶粒，該至少一磊晶粒具有一第一電性半導體層及一第二電性半導體層；將該至少一磊晶粒連接至一第一基板上；形成一絕緣層於該第一基板上，該絕緣層具有一第一部分鄰接該磊晶粒的一側，及一第二部分鄰接該磊晶粒的另一側；及形成一第一電極及一第二電極於該絕緣層上，其中該第一電極電性連接該第一電性半導體層，該第二電極電性連接該第二電性半導體層，以使該第一電極及該第二電極皆無覆蓋該第一電性半導體層或該第二電性半導體層。
  14. 如請求項13所述之發光二極體的形成方法，其中提供該至少一磊晶粒之步驟係包含：依序形成該第一電性半導體層及該第二電性半導體層於一第二基板上；及切割該第二基板，以形成該至少一磊晶粒。
  15. 如請求項14所述之發光二極體的形成方法，其中切割該第二基板更包含使該至少一磊晶粒呈現矩形、三角形、橢圓形或圓形。
  16. 如請求項13所述之發光二極體的形成方法，其中在將該至少一磊晶粒連接至該第一基板上之前，更包含形成一反射層於該第一基板上。
  17. 如請求項16所述之發光二極體的形成方法，其中該反射層之 材質為係選自Sn、Al、Au、Pt、An、Ge、及Ag所組成之群組。
  18. 如請求項13所述之發光二極體的形成方法，其中將該至少一磊晶粒連接至該第一基板上之步驟包含形成一黏接層於該第一基板上，該黏接層連接該磊晶粒與該第一基板。
  19. 如請求項18所述之發光二極體，其中該黏接層之材質為旋塗玻璃、矽樹脂、苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)、或過氟環丁烷(prefluorocyclobutane,PFCB)。
  20. 如請求項13所述之發光二極體，其中形成該絕緣層於該第一基板上係包含：使該絕緣層覆蓋該第一基板及該磊晶結構；及研磨該絕緣層以露出該磊晶結構。
  21. 如請求項13所述之發光二極體，其中該絕緣層之材質為旋塗玻璃、矽樹脂、苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)、或過氟環丁烷(prefluorocyclobutane,PFCB)。
  22. 如請求項13所述之發光二極體的形成方法，其中在形成該第一電極及該第二電極之前更包含：形成一第一透明導電層該絕緣層上方，該第一透明導電層連接該第一電性半導體層；形成一第二透明導電層於該絕緣層上方，該第二透明導電層 連接該第二電性半導體層。
  23. 如請求項22所述之發光二極體的形成方法，其中在形成該第一電極及該第二電極之前更包含：形成一溝渠於該至少一磊晶粒中，以使該絕緣層之一垂直側壁暴露於該溝渠中；及使該第一透明導電層覆蓋該垂直側壁。
  24. 如請求項22所述之發光二極體的形成方法，其中該第一透明導電層及該第二透明導電層之材質係為氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、或氧化鋅錫。
  25. 如請求項13所述之發光二極體的形成方法，其中在形成該第一電極及該第二電極之後，更包含切割該第一基板以形成複數個發光二極體。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI400788B (zh) * 2010-03-05 2013-07-01 Epistar Corp 發光元件
TWI395352B (zh) * 2010-02-09 2013-05-01 Epistar Corp 光電元件及其製造方法
KR20110123118A (ko) * 2010-05-06 2011-11-14 삼성전자주식회사 패터닝된 발광부를 구비한 수직형 발광소자
TWI493756B (zh) * 2010-11-15 2015-07-21 Epistar Corp 發光元件
US8558254B1 (en) * 2012-11-29 2013-10-15 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited High reliability high voltage vertical LED arrays
TWI685096B (zh) * 2018-11-21 2020-02-11 瑩耀科技股份有限公司 多層堆疊補隙發光半導體結構及其製作方法
US11322645B1 (en) * 2019-05-24 2022-05-03 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200534195A (en) * 2004-04-13 2005-10-16 Epistar Corp Light-emitting device array having bonding layer
TW200705721A (en) * 2006-06-16 2007-02-01 Uni Light Technology Inc Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices
US20070278502A1 (en) * 2004-09-13 2007-12-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0011418A1 (en) * 1978-11-20 1980-05-28 THE GENERAL ELECTRIC COMPANY, p.l.c. Manufacture of electroluminescent display devices
GB2231226B (en) * 1989-04-27 1993-09-22 Sony Corp Motion dependent video signal processing
US5093721A (en) * 1990-07-10 1992-03-03 Zenith Electronics Corporation Line interpolator with preservation of diagonal resolution
DE4031290C2 (de) * 1990-10-04 1994-09-08 Telefunken Microelectron Halbleiteranordnung, insbesondere Infrarotdiode und Verfahren zum Herstellen
US5428397A (en) * 1993-05-07 1995-06-27 Goldstar Co., Ltd. Video format conversion apparatus for converting interlaced video format into progressive video format using motion-compensation
KR100371039B1 (ko) * 1994-04-05 2003-05-12 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 비월-순차주사변환
US5519451A (en) * 1994-04-14 1996-05-21 Texas Instruments Incorporated Motion adaptive scan-rate conversion using directional edge interpolation
DE69830661T2 (de) * 1997-10-06 2006-05-04 Silicon Image, Inc., Sunnyvale Digitales videosystem und verfahren zur verfuegungstellung desselben
US6515706B1 (en) * 1998-09-15 2003-02-04 Dvdo, Inc. Method and apparatus for detecting and smoothing diagonal features video images

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200534195A (en) * 2004-04-13 2005-10-16 Epistar Corp Light-emitting device array having bonding layer
US20070278502A1 (en) * 2004-09-13 2007-12-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Device
TW200705721A (en) * 2006-06-16 2007-02-01 Uni Light Technology Inc Method for manufacturing gallium nitride light emitting diode devices

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US8008679B2 (en) 2011-08-30
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