JP2012069515A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 厚み２０〜１８８μｍの透明基材の少なくとも片面上に［Ａ］厚みが１０〜５００ｎｍである含ケイ素無機層、［Ｂ］厚みが１〜５０ｎｍであるカーボンナノチューブ層、［Ｃ］厚みが１０〜１２０ｎｍである透明保護層が透明基材側からこの順に設けられ、［Ａ］層の層内に、硫化亜鉛と二酸化ケイ素の合計に対する硫化亜鉛のモル分率が０．７〜０．９である硫化亜鉛−二酸化ケイ素共存相からなる、厚みが［Ａ］層の全厚みの４０〜１００％である層状の領域を有することを特徴とする透明導電積層体。
2. 前記［Ａ］層と［Ｂ］層との間に以下の層を有する請求項１に記載の透明導電積層体。
   ［Ｄ］厚みが１０〜１００ｎｍである金属酸化物層。
3. 前記［Ｃ］層の波長５５０ｎｍの屈折率と前記［Ｂ］層の波長５５０ｎｍの屈折率との差が０．３以上で、かつ［Ｂ］層の波長５５０ｎｍの屈折率が［Ｃ］層の波長５５０ｎｍの屈折率より高く、かつ［Ｂ］層の波長５５０ｎｍの屈折率が１．６〜１．９の範囲にある請求項１または２に記載の透明導電積層体。
4. 前記［Ｃ］層側の表面抵抗値が１×１０^０Ω／□以上１×１０^８Ω／□以下である請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電積層体。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電積層体を用いた電子ペーパー。
6. 厚み２０〜１８８μｍの透明基材の少なくとも片面上に［Ａ］厚みが１０〜５００ｎｍである含ケイ素無機層、［Ｂ］厚みが１〜５０ｎｍであるカーボンナノチューブ層、［Ｃ］厚みが１０〜１２０ｎｍである透明保護層が透明基材側からこの順に設けられ、［Ａ］層の層内に、硫化亜鉛と二酸化ケイ素の合計に対する硫化亜鉛のモル分率が０．７〜０．９である硫化亜鉛−二酸化ケイ素共存相からなる、厚みが［Ａ］層の全厚みの４０〜１００％である層状の領域を有する透明導電積層体の製造方法であって、前記［Ｂ］層を前記［Ａ］層の上に非接触式塗工法によって設けることを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
7. 前記［Ｃ］層を前記［Ｂ］層の上に非接触式塗工法によって設ける請求項6に記載の透明導電積層体の製造方法。