JP2015504546A5

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Publication number: JP2015504546A5
Application number: JP2014540149A
Authority: JP
Filing date: 2012-11-02
Publication date: 2015-12-17

Description

さらに別の実施形態は、複数の相互接続ナノ構造、および第１の屈折率を有する第１の結合剤を含む、ナノ構造層を基板上に形成するステップと、第１の結合剤を除去するステップと、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する、第２の絶縁媒体を被覆するステップとを含む、光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスを提供する。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
光学スタックであって、
少なくとも１つのナノ構造層と、
前記ナノ構造層に隣接する少なくとも１つの基板であって、前記ナノ構造層は、複数の伝導性ナノ構造を含み、前記光学スタックの入射光と同一側から観察される前記入射光の拡散反射は、前記入射光の６％未満である、基板と
を備える、光学スタック。
（項目２）
前記ナノ構造層はさらに、前記複数の伝導性ナノ構造を組み込む絶縁媒体を備える、項目１に記載の光学スタック。
（項目３）
前記絶縁媒体は、１．５未満の屈折率を有する、項目２に記載の光学スタック。
（項目４）
前記絶縁媒体は、空気である、項目３に記載の光学スタック。
（項目５）
個別のナノ構造は、有機被覆を有していないか、または低屈折率有機被覆を有する、項目１〜４のいずれかに記載の光学スタック。
（項目６）
前記絶縁媒体は、ＨＰＭＣであり、前記複数の伝導性ナノ構造は、銀ナノワイヤであり、ＨＰＭＣおよび前記複数の伝導性ナノ構造の重量比は、約１：１であり、前記ナノ構造層は、１００オーム／スクエア未満のシート抵抗を有する、項目２に記載の光学スタック。
（項目７）
前記複数の伝導性ナノ構造が前記基板よりも前記入射光に近接するように配向される、項目１〜６のいずれかに記載の光学スタック。
（項目８）
前記ナノ構造層の真上に位置するオーバーコートをさらに備え、前記オーバーコートは、１．５未満の屈折率を有する、項目７に記載の光学スタック。
（項目９）
前記オーバーコートは、前記絶縁媒体と同一の材料である、項目８に記載の光学スタック。
（項目１０）
前記オーバーコートは、１．４５以下の屈折率を有する低屈折率ＯＣＡ層である、項目８に記載の光学スタック。
（項目１１）
前記基板と前記ナノ構造層との間に間置されるアンダーコートをさらに備え、前記アンダーコートは、前記ナノ構造層の真下に位置し、前記アンダーコートは、前記絶縁媒体の屈折率および前記基板の屈折率よりも高い屈折率を有する、項目７〜１０のいずれかに記載の光学スタック。
（項目１２）
前記アンダーコートは、少なくとも１．６５の屈折率を有する、項目１１に記載の光学スタック。
（項目１３）
前記アンダーコートは、ＴｉＯ _２、ポリイミド、ＳｉＯ _２、またはＺｎＯ _２を含む、項目１２に記載の光学スタック。
（項目１４）
前記入射光に最も近接し、少なくとも１．７の屈折率を有する最外カバー層をさらに備える、項目７〜１３のいずれかに記載の光学スタック。
（項目１５）
前記最外カバー層は、ＴｉＯ _２層である、項目１４に記載の光学スタック。
（項目１６）
前記ナノ構造層内に伝導性領域と、非伝導性領域とを備え、前記伝導性領域は、第１のシート抵抗を有し、前記非伝導性領域は、第２のシート抵抗を有し、前記第１のシート抵抗は、前記第２のシート抵抗よりも少なくとも１０ ^３大きい、項目７〜１５のいずれかに記載の光学スタック。
（項目１７）
前記基板が前記複数の伝導性ナノ構造よりも前記入射光に近接するように配向される、項目１〜６のいずれかに記載の光学スタック。
（項目１８）
前記基板と前記ナノ構造層との間に間置されるオーバーコートをさらに備え、前記オーバーコートは、１．５以下の屈折率を有する、項目１７に記載の光学スタック。
（項目１９）
前記オーバーコートは、前記絶縁媒体と同一の材料である、項目１８に記載の光学スタック。
（項目２０）
前記オーバーコートは、１．４５以下の屈折率を有する、項目１８に記載の光学スタック。
（項目２１）
前記ナノ構造層の真下に位置するアンダーコートをさらに備え、前記アンダーコートは、前記絶縁媒体の屈折率よりも高い屈折率を有する、項目１７〜２０のいずれかに記載の光学スタック。
（項目２２）
前記アンダーコートは、少なくとも１．６５の屈折率を有する、項目２１に記載の光学スタック。
（項目２３）
前記アンダーコートは、ＴｉＯ _２、ポリイミド、ＳｉＯ _２、またはＺｎＯ _２を備える、項目２２に記載の光学スタック。
（項目２４）
前記入射光に最も近接し、少なくとも１．７の屈折率を有する最外カバー層をさらに備える、項目１７〜２３のいずれかに記載の光学スタック。
（項目２５）
前記最外カバー層は、ＴｉＯ _２層である、項目２４に記載の光学スタック。
（項目２６）
前記ナノ構造層内に伝導性領域と、非伝導性領域とを備え、前記伝導性領域は、第１のシート抵抗を有し、前記非伝導性領域は、第２のシート抵抗を有し、前記第１のシート抵抗は、前記第２のシート抵抗よりも少なくとも１０ ^３大きい、項目１７〜２５のいずれかに記載の光学スタック。
（項目２７）
項目１〜２６のいずれかに記載の光学スタックと、ＬＣＤモジュールとを備えるディスプレイであって、前記光学スタックおよび前記ＬＣＤモジュールは、空間を画定し、前記空間は、１よりも大きい屈折率を有する屈折流体または透明な光学的接着材料で充填される、ディスプレイである。
（項目２８）
それぞれ、基板と、複数の伝導性ナノ構造を有するナノ構造層とを有する第１および第２の基本光学スタックを提供することと、
１．４５以下の屈折率を有する低屈折率ＯＣＡ層によって、前記第１の基本光学スタックを前記第２の基本光学スタックに積層することと
を含む、プロセス。
（項目２９）
前記第１の基本光学スタックを提供することは、（ａ）前記第１の基本光学スタックの上に位置する保護オーバーコートを有する第１の標準透明導体を提供することであって、個別の伝導性ナノ構造は、有機被覆で被覆される、ことと、（ｂ）前記保護オーバーコートおよび前記伝導性ナノ構造の前記有機被覆を除去するように、前記第１の標準透明導体をプラズマ処理することとを含む、項目２８に記載のプロセス。
（項目３０）
前記第１の基本光学スタックは、第１の複数の実質的に平行な導電線を有し、前記第２の基本光学スタックは、第２の複数の実質的に平行な導電線を有し、積層することは、前記第１の複数の実質的に平行な導電線が、前記第２の複数の実質的に平行な導電線と実質的に垂直であるように、前記第１の基本光学スタックを前記第２の基本光学スタックに接着することを含む、項目２８または項目２９に記載のプロセス。
（項目３１）
積層する前に、前記第１および第２の基本光学スタック上に金属トレースおよび接点を形成することをさらに含む、項目３０に記載のプロセス。
（項目３２）
光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスであって、
複数の相互接続ナノ構造および結合剤を含むナノ構造層を基板上に形成することであって、個別のナノ構造は、有機被覆を有する、ことと、
前記ナノ構造層をプラズマ処理することと
を含む、プロセス。
（項目３３）
プラズマ処理することは、前記ナノ構造上の前記結合剤および前記有機被覆を除去する、項目３２に記載のプロセス。
（項目３４）
光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスであって、
複数の相互接続ナノ構造および結合剤を含むナノ構造層を基板上に形成することであって、個別のナノ構造は、第１の屈折率を有する第１の有機被覆を有する、ことと、
前記第１の有機被覆を、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の有機被覆と変位させることと
を含む、プロセス。
（項目３５）
前記第１の有機被覆は、ポリビニルピロリドンであり、前記第２の有機被覆は、アニオン性フルオロ界面活性剤である、項目３４に記載のプロセス。
（項目３６）
光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスであって、
複数の相互接続ナノ構造と、第１の屈折率を有する第１の結合剤とを含むナノ構造層を基板上に形成することと、
前記第１の結合剤を除去することと、
前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の絶縁媒体を被覆することと
を含む、プロセス。
（項目３７）
前記絶縁媒体は、１．４５以下の屈折率を有する、項目３６に記載のプロセス。

Claims

光学スタックであって、
少なくとも１つのナノ構造層と、
前記ナノ構造層に隣接する少なくとも１つの基板であって、前記ナノ構造層は、複数の伝導性ナノ構造を含み、前記光学スタックの入射光と同一側から観察される前記入射光の拡散反射は、前記入射光の６％未満である、基板と
を備える、光学スタック。
前記ナノ構造層はさらに、前記複数の伝導性ナノ構造を組み込む絶縁媒体を備える、請求項１に記載の光学スタック。
前記絶縁媒体は、１．５未満の屈折率を有する、請求項２に記載の光学スタック。
前記絶縁媒体は、空気である、請求項３に記載の光学スタック。
個別のナノ構造は、有機被覆を有していないか、または低屈折率有機被覆を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の光学スタック。
前記絶縁媒体は、ＨＰＭＣであり、前記複数の伝導性ナノ構造は、銀ナノワイヤであり、ＨＰＭＣおよび前記複数の伝導性ナノ構造の重量比は、約１：１であり、前記ナノ構造層は、１００オーム／スクエア未満のシート抵抗を有する、請求項２に記載の光学スタック。
前記複数の伝導性ナノ構造が前記基板よりも前記入射光に近接するように配向される、請求項１〜６のいずれかに記載の光学スタック。
前記ナノ構造層の真上に位置するオーバーコートをさらに備え、前記オーバーコートは、１．５未満の屈折率を有する、請求項７に記載の光学スタック。
前記オーバーコートは、前記絶縁媒体と同一の材料である、請求項８に記載の光学スタック。
前記オーバーコートは、１．４５以下の屈折率を有する低屈折率ＯＣＡ層である、請求項８に記載の光学スタック。
前記基板と前記ナノ構造層との間に間置されるアンダーコートをさらに備え、前記アンダーコートは、前記ナノ構造層の真下に位置し、前記アンダーコートは、前記絶縁媒体の屈折率および前記基板の屈折率よりも高い屈折率を有する、請求項７〜１０のいずれかに記載の光学スタック。
前記アンダーコートは、少なくとも１．６５の屈折率を有する、請求項１１に記載の光学スタック。
前記アンダーコートは、ＴｉＯ_２、ポリイミド、ＳｉＯ_２、またはＺｎＯ_２を含む、請求項１２に記載の光学スタック。
前記入射光に最も近接し、少なくとも１．７の屈折率を有する最外カバー層をさらに備える、請求項７〜１３のいずれかに記載の光学スタック。
前記最外カバー層は、ＴｉＯ_２層である、請求項１４に記載の光学スタック。
前記ナノ構造層内に伝導性領域と、非伝導性領域とを備え、前記伝導性領域は、第１のシート抵抗を有し、前記非伝導性領域は、第２のシート抵抗を有し、前記第２のシート抵抗は、前記第１のシート抵抗よりも少なくとも１０^３大きい、請求項７〜１５のいずれかに記載の光学スタック。
前記基板が前記複数の伝導性ナノ構造よりも前記入射光に近接するように配向される、請求項１〜６のいずれかに記載の光学スタック。
前記基板と前記ナノ構造層との間に間置されるオーバーコートをさらに備え、前記オーバーコートは、１．５以下の屈折率を有する、請求項１７に記載の光学スタック。
前記オーバーコートは、前記絶縁媒体と同一の材料である、請求項１８に記載の光学スタック。
前記オーバーコートは、１．４５以下の屈折率を有する、請求項１８に記載の光学スタック。
前記ナノ構造層の真下に位置するアンダーコートをさらに備え、前記アンダーコートは、前記絶縁媒体の屈折率よりも高い屈折率を有する、請求項１７〜２０のいずれかに記載の光学スタック。
前記アンダーコートは、少なくとも１．６５の屈折率を有する、請求項２１に記載の光学スタック。
前記アンダーコートは、ＴｉＯ_２、ポリイミド、ＳｉＯ_２、またはＺｎＯ_２を備える、請求項２２に記載の光学スタック。
前記入射光に最も近接し、少なくとも１．７の屈折率を有する最外カバー層をさらに備える、請求項１７〜２３のいずれかに記載の光学スタック。
前記最外カバー層は、ＴｉＯ_２層である、請求項２４に記載の光学スタック。
前記ナノ構造層内に伝導性領域と、非伝導性領域とを備え、前記伝導性領域は、第１のシート抵抗を有し、前記非伝導性領域は、第２のシート抵抗を有し、前記第２のシート抵抗は、前記第１のシート抵抗よりも少なくとも１０^３大きい、請求項１７〜２５のいずれかに記載の光学スタック。
請求項１〜２６のいずれかに記載の光学スタックと、ＬＣＤモジュールとを備えるディスプレイであって、前記光学スタックおよび前記ＬＣＤモジュールは、空間を画定し、前記空間は、１よりも大きい屈折率を有する屈折流体または透明な光学的接着材料で充填される、ディスプレイである。
プロセスであって、
それぞれ、基板と、複数の伝導性ナノ構造を有するナノ構造層とを有する第１および第２の基本光学スタックを提供することと、
１．４５以下の屈折率を有する低屈折率ＯＣＡ層によって、前記第１の基本光学スタックを前記第２の基本光学スタックに積層することと
を含む、プロセス。
前記第１の基本光学スタックを提供することは、（ａ）前記第１の基本光学スタックの上に位置する保護オーバーコートを有する第１の標準透明導体を提供することであって、個別の伝導性ナノ構造は、有機被覆で被覆される、ことと、（ｂ）前記保護オーバーコートおよび前記伝導性ナノ構造の前記有機被覆を除去するように、前記第１の標準透明導体をプラズマ処理することとを含む、請求項２８に記載のプロセス。
前記第１の基本光学スタックは、第１の複数の実質的に平行な導電線を有し、前記第２の基本光学スタックは、第２の複数の実質的に平行な導電線を有し、積層することは、前記第１の複数の実質的に平行な導電線が、前記第２の複数の実質的に平行な導電線と実質的に垂直であるように、前記第１の基本光学スタックを前記第２の基本光学スタックに接着することを含む、請求項２８または請求項２９に記載のプロセス。
積層する前に、前記第１および第２の基本光学スタック上に金属トレースおよび接点を形成することをさらに含む、請求項３０に記載のプロセス。
光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスであって、
複数の相互接続ナノ構造および結合剤を含むナノ構造層を基板上に形成することであって、個別のナノ構造は、有機被覆を有する、ことと、
前記ナノ構造層をプラズマ処理することと
を含む、プロセス。
プラズマ処理することは、前記ナノ構造上の前記結合剤および前記有機被覆を除去する、請求項３２に記載のプロセス。
光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスであって、
複数の相互接続ナノ構造および結合剤を含むナノ構造層を基板上に形成することであって、個別のナノ構造は、第１の屈折率を有する第１の有機被覆を有する、ことと、
前記第１の有機被覆を、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の有機被覆と変位させることと
を含む、プロセス。
前記第１の有機被覆は、ポリビニルピロリドンであり、前記第２の有機被覆は、アニオン性フルオロ界面活性剤である、請求項３４に記載のプロセス。
光学スタックにおける拡散反射を低減させるためのプロセスであって、
複数の相互接続ナノ構造と、第１の屈折率を有する第１の結合剤とを含むナノ構造層を基板上に形成することと、
前記第１の結合剤を除去することと、
前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の絶縁媒体を被覆することと
を含む、プロセス。
前記絶縁媒体は、１．４５以下の屈折率を有する、請求項３６に記載のプロセス。