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Claims (16)

  1. 透明基材であるプラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、少なくとも2層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体および金属層がこの順に形成された導電性積層体であって、
    前記透明導電性薄膜積層体を構成する全ての透明導電性薄膜が結晶質膜であり、
    前記透明導電性薄膜積層体において、前記金属層に最近接である第一透明導電性薄膜は、金属酸化物層または主金属と1種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜は、主金属と1種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、
    前記第一透明導電性薄膜における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではない、導電性積層体。
  2. 前記第一透明導電性薄膜における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最小である、請求項1に記載の導電性積層体。
  3. 前記透明導電性薄膜積層体中で最も不純物金属の含有比が大きい透明導電性薄膜における不純物金属の含有比と、前記第一透明導電性薄膜における不純物金属の含有比との差が、0.005〜0.23である、請求項1または2に記載の導電性積層体。
  4. 前記第一透明導電性薄膜における不純物金属の含有比が0.08以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性積層体。
  5. 前記透明導電性薄膜積層体中で最も不純物金属の含有比が高い透明導電性薄膜における不純物金属の含有比が0.04〜0.31である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電性積層体。
  6. 前記第一透明導電性薄膜の厚みが、透明導電性薄膜積層体の全体の厚みに対して6%以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性積層体。
  7. 前記透明導電性薄膜積層体を構成する全ての透明導電性薄膜は、主金属がInである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性積層体。
  8. 前記透明導電性薄膜積層体を構成する全ての透明導電性薄膜は、不純物金属としてSnを含有する、請求項7に記載の導電性積層体。
  9. 前記第一透明導電性薄膜におけるInに対するSnの含有比が、0.08以下であり、第一透明導電性薄膜以外の前記透明導電性薄膜積層体を構成する透明導電性薄膜全体におけるInに対するSnの含有比が、0.08〜0.13である、請求項8に記載の導電性積層体。
  10. 前記透明導電性薄膜積層体が、前記第一透明導電性薄膜および前記第一透明導電性薄膜よりも基材側に形成された1層の透明導電性薄膜の2層からなる、請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電性積層体。
  11. 前記第一透明導電性薄膜と前記金属層とが隣接している、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性積層体。
  12. 透明基材上に、パターン化された複数の透明電極からなる透明電極部およびパターン配線部を有し、パターン配線部が各透明電極部に接続されているパターン配線付き透明導電性積層体であって、
    前記パターン配線部は、透明基材上に少なくとも2層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体および金属層をこの順に有し、
    前記透明電極部は、透明基材上に前記透明導電性薄膜積層体を有し、
    前記透明導電性薄膜積層体において、前記金属層に最近接の第一透明導電性薄膜における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではない、パターン配線付き透明導電性積層体。
  13. 請求項1〜11のいずれか1項に記載の導電性積層体の金属層の面内の一部をエッチングにより除去して、パターン配線部を形成し、
    前記金属層が除去された透明導電性薄膜積層体の露出部において、透明導電性薄膜積層体の面内の一部をエッチングにより除去してパターン化された透明電極を形成することによって得られうるパターン配線付き透明導電性積層体。
  14. 透明基材上に、パターン化された複数の透明電極からなる透明電極部およびパターン配線部を有し、パターン配線部が各透明電極に接続されている、パターン配線付き透明導電性積層体を製造する方法であって、
    請求項1〜11のいずれか1項に記載の導電性積層体を準備する工程、
    前記第金属層の面内の一部をエッチングにより除去して、パターン配線部を形成する工程、および
    前記金属層が除去された透明導電性薄膜積層体の露出部において、透明導電性薄膜積層体の面内の一部をエッチングにより除去してパターン化された透明電極を形成する工程、
    をこの順に有し、
    前記積層体を加熱して透明導電層を結晶化する工程をさらに有する、パターン配線付き透明導電性積層体の製造方法。
  15. 請求項12または13に記載のパターン配線付き透明導電性積層体を備える光学デバイス。
  16. 請求項12または13に記載のパターン配線付き透明導電性積層体を備えるタッチパネル。
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