TW201446981A - 觸控面板，其製備方法及用於觸控面板之銀－鈀－釹（ａｇ－ｐｄ－ｎｄ）合金 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種觸控面板，其包含：透明基板、安置於該透明基板上之透明導電材料及安置於該透明導電材料上之銀-鈀-釹(Ag-Pd-Nd)合金層。亦提供一種製備該觸控面板之方法及一種包含該觸控面板之顯示器。亦提供一種用於觸控面板之Ag-Pd-Nd合金，其包含：97.9重量%至99.2重量%之Ag、0.7重量%至1.8重量%之Pd及0.1重量%至0.3重量%之Nd，以100重量%之該合金計。

Description

觸控面板，其製備方法及用於觸控面板之銀-鈀-釹(AG-PD-ND)合金
本發明係關於一種觸控面板、其製備方法、包括觸控面板之顯示器及用於該觸控面板之合金。
觸控螢幕面板(TSP)為具有嵌入其中之感測器之面板，當使用者在不使用諸如鍵盤及鼠標之輸入裝置的情況下用一或多個手指按壓或觸摸螢幕時，其識別觸控點之座標值且偵測位置以進行特定功能。觸控面板為連同控制器IC、驅動軟體(SW)及其類似物一起組成觸控螢幕面板(TSP)之主要組件，其包含上層板(膜)及下層板(膜或玻璃)。在上層板上沈積透明電極或透明導電膜(ITO)。觸控面板用於根據接觸或電容變化偵測信號產生位置，進而將偵測到之位置傳輸至控制器IC。
最近，對於觸控面板之需求已隨著完全觸控行動電話之發展增加。對於用於具有較大面積之筆記型電腦及平板PC之觸控面板的需求已增加。
根據所應用之技術將觸控面板歸類成電阻式觸控面板、電容式觸控面板、超音波式(SAW；表面聲波)觸控面板及紅外式(IR)觸控面板。其中，已經主要使用電阻式觸控面板及電容式觸控面板。
在電阻式觸控面板中，當使用者用手指或筆觸摸基板時，在以預定距離安置之上層及下層基板上之透明電極彼此接觸且由此產生電信號。因此，可偵測到位置。電阻式觸控面板在低成本、高準確度及小型化方面具有優勢，且因此已主要用於個人數位助理(PDA)、攜帶型媒體播放器(PMP)、導航、手機及其類似物。
另一方面，在電容式觸控面板中，當使用者用諸如一或多個手指之導體觸摸基板上之透明電極時，信號經由在絕緣層上形成之恆定電容層傳送且可偵測到位置，該信號例如藉由當用一或多個手指觸摸電極時在人體中流動之恆定電流形成。電容式觸控面板具有較強耐久性、較短反應時間及優良光透射率。與電阻式觸控面板相比，電容式觸控面板在其多點觸控能力方面更優良，且因此最近已廣泛用於行動裝置。就電容式觸控面板而言，可在最上層上應用強化玻璃或塑膠基板。
圖1展示一般觸控面板模塊之結構。PET層10a、兩個透明導電膜20及玻璃10b依次層壓在LCD面板50上且各層藉由光學透明黏著劑40黏合。
在透明導電材料上形成金屬電路佈線之一般方法為印刷銀漿料。然而，對於具有50μm或更小之厚度之電路而言銀漿料印刷方法難以實施，且因此最近已使用金屬沈積方法。至於金屬，主要使用銅或銀。甚至就金屬沈積方法而言，所沈積金屬之厚度為0.3μm或更小，其遠遠薄於在銀印刷方法中之厚度，且因此銅或銀可能在空氣中氧化。因此，為解決該問題，已嘗試使用合金或塗佈製程。
日本專利特許公開申請案第2004-2929號揭示一種包括銀作為主要組分及諸如Ti、Zr、Pd及其類似物之元素的銀合金。所揭示之銀合金用於濺鍍靶標且可用於製備反射式LCD反射器或反射式佈線電極。然而，該文獻並未揭示銀合金用於觸控面板之用途。此外，該合金並 不包括Nd。
韓國專利第908,101號揭示一種包括Cu或Al作為金屬塗層之觸控面板及其製備方法。此外，觸控面板之襯墊使用Cu、Ag及Al用於形成圖案及Ni/Cr、Ni/Cu及Mo用於保護其免受水分及鹽。然而，已在先前技術中使用之合金(諸如Cu及Ni/Cr、Ag及Mo及其類似物)由高溫及高濕度環境或藉由組成汗水之組分(諸如鹽)氧化或染色，使得電特徵退化。
本發明之至少一個實施例之一目標為藉由解決先前技術之問題來提供一種具有優良氧化穩定性之新型觸控面板、其製備方法及包括其之顯示器。
本發明之至少一個實施例之另一目標為提供一種用於觸控面板之銀-鈀-釹(Ag-Pd-Nd)合金。
為解決至少一個以上目標，本發明之例示性實施例提供一種觸控面板，其包含：透明基板、安置在基板上之透明導電材料及安置在透明導電材料上之Ag-Pd-Nd合金層。
在至少一個實施例中，Ag-Pd-Nd合金層可包括97.9重量%至99.2重量%之Ag、0.7重量%至1.8重量%之Pd及0.1重量%至0.3重量%之Nd，以總共100重量%之合金計；或在至少一個實施例中，98.45重量%至99.05重量%之Ag、0.8重量%至1.3重量%之Pd及0.15重量%至0.25重量%之Nd，以總共100重量%之合金計。
透明基板可選自由以下組成之群：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚碳酸酯及玻璃。在至少一個實施 例中，透明基板可為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
透明導電材料可選自由以下組成之群：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化鎘錫(CTO)、PEDOT(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩))、碳奈米管(CNT)及銀奈米線。在至少一個實施例中，透明導電材料可為氧化銦錫(ITO)。
在至少一個實施例中，Ag-Pd-Nd合金層可藉由沈積或濺鍍而形成在透明導電材料上。
本發明之另一例示性實施例提供一種觸控面板之製備方法，其包含：提供由透明膜或玻璃形成之透明基板之步驟，在透明基板上層壓透明導電材料之步驟及藉由濺鍍而在透明導電材料上形成Ag-Pd-Nd合金層之步驟。
本發明之又一例示性實施例提供一種包括觸控面板之顯示器。
本發明之再一例示性實施例提供一種用於觸控面板之Ag-Pd-Nd合金，其包含：97.9重量%至99.2重量%之Ag、0.7重量%至1.8重量%之Pd及0.1重量%至0.3重量%之Nd，以100重量%之合金計。
根據本發明之例示性實施例，觸控面板及包括其之顯示器可因形成於導電透明電極上之Ag-Pd-Nd合金層而具有優良表面特徵及氧化穩定性，進而延長壽命。
10‧‧‧透明基板
10a‧‧‧PET層
10b‧‧‧玻璃
20‧‧‧透明導電材料
30‧‧‧銀-鈀-釹(Ag-Pd-Nd)合金層
40‧‧‧光學透明黏著劑
50‧‧‧LCD面板
圖1展示一般觸控面板模塊之結構。
圖2展示根據本發明之一例示性實施例之觸控面板的結構。
圖3展示製備一個根據本發明之例示性實施例之觸控面板的製程。
圖4A展示實例1之樣品中之一者的初始相片(左側)及在溫度濕度測試之後之相片(右側)。圖4B展示比較實例1之樣品中之一者(由於溫 度濕度測試而在其中產生氧化點之樣品)的初始相片(左側)及在溫度濕度測試之後的相片(右側)。
圖5A展示在鹽噴霧測試之後經受剝離測試之樣品的外觀，該樣品包含含有99.3%之Ag、0.5%之Pd及0.2%之Nd的合金。
圖5B展示在鹽噴霧測試之後經受剝離測試之樣品的外觀，該樣品包含含有99.1%之Ag、0.7%之Pd及0.2%之Nd的合金。
圖5C展示在鹽噴霧測試之後經受剝離測試之樣品的外觀，該樣品包含含有98.8%之Ag、1.0%之Pd及0.2%之Nd的合金。
圖6A展示作為蝕刻測試之結果的優良直度且圖6B展示在蝕刻時之粗糙圖案。
圖7展示在產生剝落之部分中剝離強度之等級。
參考圖式，將在下文中詳細說明本發明。
圖2展示根據本發明之例示性實施例之觸控面板的結構。如圖2中所示，本發明之例示性實施例提供一種觸控面板，其包括透明基板10、安置於基板10上之透明導電材料20及安置於透明導電材料20上之Ag-Pd-Nd合金層30。
在觸控面板中，Ag-Pd-Nd合金層30包括Ag、Pd及Nd且可僅由其形成。Pd在空氣中耐氧化、潮濕及熱從而改良耐久性。Nd使合金層之晶體粒度小型化且對於熱穩定性有效。此外，Nd改良表面特徵。Ag-Pd-Nd合金層30可包括97.9重量%至99.2重量%之Ag、0.7重量%至1.8重量%之Pd及0.1重量%至0.3重量%之Nd，以總共100重量%之合金計；或在至少一個實施例中可包括98.45重量%至99.05重量%之Ag、0.8重量%至1.3重量%之Pd、0.15重量%至0.25重量%之Nd，以總共100重量%計。
在觸控面板中，透明基板10由透明膜或玻璃形成且具有安置於 其上之透明導電材料20。透明基板10可由選自由以下組成之群的材料形成：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚碳酸酯及玻璃。在至少一個實施例中，透明基板10可由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)形成。詳言之，就電阻式觸控面板而言，可使用玻璃或PET膜，而就電容式觸控面板而言，可使用PET膜。
在觸控面板中，透明導電材料20係安置於透明基板10上，且Ag-Pd-Nd合金層30係安置於透明導電材料20上。透明導電材料20可選自由以下組成之群：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化鎘錫(CTO)、PEDOT(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩))、碳奈米管(CNT)及銀奈米線。在至少一個實施例中，透明導電材料可為氧化銦錫(ITO)。
氧化銦錫(ITO)膜可藉由在基底膜上薄膜沈積數十奈米之氧化銦(In2O5)+氧化錫(SnO2)複合物而形成，其具有光學透明性、導電性及電極可加工性。因此，ITO膜已被用於觸控螢幕、電致發光(EL)背光、電磁波防護膜、太陽能電池及其類似物。
透明導電材料及Ag-Pd-Nd合金層可能具有優良黏著或可能不具有優良黏著。舉例而言，當Ag-Pd-Nd合金層存在於非結晶透明導電材料上時，其間的黏著為優良的。但當Ag-Pd-Nd合金層存在於結晶透明導電材料上時，根據結晶程度，黏著可能不優良。
在此情況下，為提高在透明導電材料與Ag-Pd-Nd合金層之間的黏著，可在透明導電材料與Ag-Pd-Nd合金層之間進一步形成由一或多種選自由Mo、Ag、Ni、Cu、Ti及Cr組成之群之金屬所形成的金屬層。在至少一個實施例中，金屬層係由Mo、Mo-Ag合金、Ni-Cu-Ti合金或Ni-Cr合金形成。Mo-Ag合金層可含有50重量%至70重量%之Mo及30重量%至50重量%之Ag。Ni-Cr合金層可含有92重量%至95重量% 之Ni及5重量%至8重量%之Cr。
當金屬層為Mo層或Ni-Cr合金層時，其厚度可為1nm至30nm。在至少一個實施例中，厚度可為3nm至10nm。當金屬層為Mo-Ag合金層或Ni-Cu-Ti合金層時，其厚度可為10nm至50nm。
可在透明導電材料與Ag-Pd-Nd合金層之間進一步形成金屬層及層壓於金屬層上之金屬合金層。在本文中可藉由諸如濺鍍之常見方法進行層壓。在本文中金屬層係由選自由Mo、Ag、Ni、Cu、Ti及Cr組成之群的金屬形成，而金屬合金層係由兩種或兩種以上選自由Mo、Ag、Ni、Cu、Ti及Cr組成之群的金屬形成。在至少一個實施例中，可使用鉬作為金屬層，且可使用Mo-Ag合金或Ni-Cu-Ti合金作為金屬合金層。Mo-Ag合金層可含有50重量%至70重量%之Mo及30重量%至50重量%之Ag。當金屬層為Mo層或金屬合金層為Ni-Cr合金層時，其厚度可為1nm至30nm。在至少一個實施例中，其厚度可為3nm至10nm。當金屬合金層為Mo-Ag合金層或Ni-Cu-Ti合金層時，其厚度可為10nm至50nm。
在觸控面板中，Ag-Pd-Nd合金層30可例如藉由沈積或濺鍍而形成於透明導電材料20上。針對Ag-Pd-Nd合金層30之形成，可使用熟習此項技術者已知之多種方法。然而，針對薄塗佈，可使用沈積或濺鍍。圖3展示在根據本發明之例示性實施例之觸控面板中藉由濺鍍而於透明導電材料20上形成Ag-Pd-Nd合金層30的製程。
在觸控面板中，當透明膜用作透明基板層10時，其厚度可為10μm至1,000μm，且當玻璃用作透明基板層10時，其厚度可為100μm至300μm，以便使得蝕刻製程更容易且使在蝕刻階段高度上之差異降至最小。當透明基板10之厚度在該範圍內時，可確保耐久性。
透明導電材料塗層20可以0.005μm至0.1μm形成，以便觸控面板在蝕刻階段具有較低電阻及良好透明性且無問題。
合金層30可以0.01μm至1μm形成，以便觸控面板具有較低電阻及在製造中獲得良好生產率。當合金層30及透明導電材料塗層20之厚度在如上範圍內時，可易於進行蝕刻製程，且因此可縮短製程時間。
本發明之一個例示性實施例提供一種製備觸控面板之方法，其包括提供由透明膜或玻璃形成之透明基板10、於透明基板10上層壓透明導電材料20及藉由濺鍍而於透明導電材料20上形成Ag-Pd-Nd合金層30。
藉由製備下層面板且隨後將下層面板與其他經層壓之層耦接來製造習知的使用銀漿料之觸控面板。製備下層面板之方法如下：
-於透明基板上層壓透明導電材料，且隨後熱處理透明導電材料，-光微影製程，其包括PR塗佈、曝光、顯影、蝕刻及剝離來形成透明導電材料層之圖案，-機械加工導引件之製程，該導引件用於為在形成透明導電材料圖案之上表面上形成銀漿料圖案而設置參考物。
-基於機械加工之導引件印刷銀漿料之製程，及-用於固化銀漿料之高溫固化製程。
在觸控面板中，當已經於透明導電材料層20上形成金屬塗層30時，不需要導引件機械加工及固化製程。
圖3展示製造根據本發明之例示性實施例之觸控面板的製程。首先，於透明基板10上層壓作為透明導電材料之ITO層20。藉由濺鍍而於ITO層20上形成Ag-Pd-Nd合金層30，且隨後圖案化ITO層20及合金層30。藉由以相同方式於透明基板10上形成並圖案化ITO層20及Ag-Pd-Nd合金層30來形成另一層壓結構。當使用光學透明黏著劑40黏合兩種層壓結構時，形成觸控面板總成(形成有圖案)。
可使用熟習此項技術者已知之一般方法(諸如光微影法)作為形成 圖案之方法。
可使用電容式觸控面板及電阻式觸控面板兩者。在此情況下，可於形成有圖案之襯墊之上表面上執行將黏接層與由絕緣體形成之介電層耦接之製程。或進行將待耦接於形成有圖案之襯墊之上表面上的另一形成有圖案之襯墊翻轉以使彼此垂直隔開之製程。
詳言之，就電容式觸控面板而言，可藉由將黏接層與絕緣體之絕緣層耦接而於形成有圖案之襯墊之上表面上形成面板。電容型觸控面板可經組態成除包括具有由透明膜或玻璃形成之透明基板10的襯墊、於基板10上之透明導電材料20及於透明導電材料20上之Ag-Pd-Nd合金層30之外，還包括黏合於襯墊之上表面上之黏接層；及由絕緣體形成且耦接於黏接層之上表面上之介電層。
可藉由進行將待耦接於形成有圖案之襯墊之上表面上的另一形成有圖案之襯墊翻轉以使彼此垂直隔開之製程來製造電阻式觸控面板。可藉由在邊緣處安置分隔膜層且可藉由在預定區間處之分隔空間中安置間隔件來形成兩個形成有對向圖案之襯墊之間隔。電阻式觸控面板可經組態成除包括具有由透明膜或玻璃形成之透明基板10的下襯墊、於基板10上之透明導電材料塗層20及形成於透明導電材料塗層20上之Ag-Pd-Nd合金層30之外，還包括待黏合於下襯墊之上表面上之間隔件或待黏合於上表面之邊緣處之分隔膜層；及黏結至間隔件或分隔膜層之上層之上襯墊，且該上襯墊包含透明基板10、於透明基板10之下表面上之透明導電材料塗層20及形成於透明導電材料塗層20之下表面上之Ag-Pd-Nd合金層30。
本發明之例示性實施例亦提供一種包括觸控面板之顯示器。如圖1中所示，顯示器可藉由於觸控面板之下半部分上包括顯示裝置(諸如LCD面板50)來用作20觸控面板型顯示器。
本發明之例示性實施例亦提供用於觸控面板之Ag-Pd-Nd合金， 其含有：97.9重量%至99.2重量%之Ag、0.7重量%至1.8重量%之Pd及0.1重量%至0.3重量%之Nd，以總共100重量%之合金計。更特定言之，Ag-Pd-Nd合金含有98.45重量%至99.05重量%之Ag、0.8重量%至1.3重量%之Pd及0.15重量%至0.25重量%之Nd，以總共100重量%之合金計。
在下文中，將詳細描述本發明之實例。然而，此等實例將詳細描述本發明且本發明之範疇不限於此等實例。
實例1
藉由於結晶ITO膜(基於PET之ITO膜)上濺鍍具有0.15μm之厚度的Ag-Pd-Nd合金來製備具有100×100mm之尺寸的樣品1。以相同方式製備具有與樣品1相同尺寸之樣品2至4。除了Ag-Pd-Nd合金之厚度為0.1μm之外以相同方式製備具有相同尺寸之樣品5。以與樣品5相同之方式製備具有相同尺寸之樣品6至8。在所用的合金中，Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
比較實例1
藉由於具有5μm之厚度的PET上形成10nm之Ni/Cr，於Ni/Cr上形成8μm之Cu及於Cu上形成30nm之Ni/Cr來製備具有100×100mm之尺寸的六個比較樣品(比較樣品1至6)，如下表2中所示。在本文中，由於銅相對於PET之黏著不優良，所以於PET上之Ni/Cr係用於加強黏著。於Cu上之Ni/Cr係用於保護其免受外部環境。
表2
對樣品1及比較樣品1至6進行諸如溫度濕度測試及鹽噴霧測試之應力測試。
實驗1-溫度濕度測試
如下文所描述，使用ESPEC及PR-2SP對樣品1至4及比較樣品1至6進行溫度濕度測試。所用測試方法及體系分別為IEC749，半導體裝置機械及氣候測試方法(Semiconductor Device mechanical and Climatic Test Method)及JIS C 7021，分立半導體裝置之類型命名方法(Type Designation System for Discrete Semiconductor Device)。
對樣品1至4進行兩次溫度濕度測試。
首先，維持樣品1至4在85℃及85%之相對濕度下120小時，且保持在室溫下24小時。隨後觀察是否發生腐蝕。
然後，除了維持樣品在85℃及85%之相對濕度下192小時之外，對樣品1至4進行相同測試。隨後觀察是否發生腐蝕。
維持比較樣品1至6在85℃及85%之相對濕度下144小時，且保持在室溫下24小時。隨後觀察是否發生其腐蝕。
結果顯示於下表3中。
如上文所描述，經過第一次及第二次實驗樣品1至4未顯示氧化 點。因此未出現腐蝕。比較樣品2顯示氧化點，且因此出現其腐蝕。
圖4A展示樣品1之初始相片(左側)及在溫度濕度測試之後的相片(右側)。圖4B展示比較樣品2之初始相片(左側)及在溫度濕度測試之後的相片(右側)。由於溫度濕度測試而在此樣品中產生了氧化點。
參考圖4A及4B，在測試之前樣品1及比較樣品2均顯示於無疵情形下。在溫度濕度測試之後，可理解樣品1具有微小光點，但維持相對無疵形態(圖4A之右側)，而比較樣品2具有氧化點(圖4B之右側)。
實驗2-表面電阻測試
藉由使用4探針測試儀在10mm之區間處在橫向方向(TD)中在六個點處針對表面電阻量測樣品1至4及比較樣品1至6。初始量測表面電阻值及在溫度濕度測試之後量測表面電阻值。結果之平均值顯示於下表4中。
如上文所描述，觀察到甚至在預定時間推移之後實例1之樣品具有稍微減小之電阻值，而比較實例1之比較樣品之電阻值大大增加。
實驗3-鹽噴霧測試
(1)藉由KS D9502方法對樣品5及6進行鹽噴霧測試。測試經歷鹽噴霧時間之多個間隔，諸如24小時、48小時及72小時。
用於測試之鹽水之NaCl濃度為5±1%且溫度為35±2℃。使用鹽水噴霧各樣品24小時、48小時及72小時，在室溫水中使用軟毛刷清洗7分鐘，且乾燥下一個1小時。隨後，觀察是否發生腐蝕。
(2)藉由相同方法對比較樣品1至6進行鹽噴霧測試。隨後，觀察是否發生腐蝕。
(3)此外，除了跳過使用軟毛刷清洗之外以與(1)中相同之方式對樣品7及8進行鹽噴霧測試。隨後，觀察是否發生腐蝕。
(1)、(2)及(3)之測試結果顯示於下表5中。
如在表5中可見，在樣品5至8中，當進行鹽噴霧測試24小時、48小時及72小時時，與清洗方法無關未出現腐蝕。然而，在比較實例1之比較樣品中，當進行測試24小時及48小時時，在所有情況下觀察到其腐蝕。
實驗4-剝離測試
對具有與樣品1相同結構(除了合金具有下表6中之含量之外)之樣品9及10進行鹽噴霧測試，且隨後根據使用3M 600(丙烯酸)條帶之IPC-TM-650 2.4.1.6柵格測試方法進行剝離測試。
測試結果顯示於圖5A至5C中。如圖5C中可見，樣品1未充分剝離，且因此顯示為具有最優良黏著性。然後，樣品10顯示為具有優良黏著性，且隨後樣品9顯示為具有良好黏著性。
實例2
在藉由於結晶ITO膜上濺鍍Mo來形成金屬層之後，藉由於金屬層上濺鍍Ag-Pd-Nd合金來製造樣品11。在樣品中，Mo金屬層之厚度為10nm。Ag-Pd-Nd合金層之厚度為100nm，且Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
實例3
在藉由於結晶ITO膜上濺鍍Mo-Ag合金來形成金屬層之後，藉由於金屬層上濺鍍Ag-Pd-Nd合金來製造樣品12。Mo-Ag合金層之厚度為30nm，且Mo及Ag之含量分別為60重量%及40重量%。Ag-Pd-Nd合金層之厚度為100nm，且Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
實例4
在藉由於結晶ITO膜上濺鍍Mo來形成金屬層且於金屬層上形成Mo-Ag合金層之後，藉由於合金層上濺鍍Ag-Pd-Nd合金來製造樣品13。Mo金屬層之厚度為10nm。Mo-Ag合金層之厚度為30nm，且Mo及Ag之含量分別為60重量%及40重量%。Ag-Pd-Nd合金層之厚度為100nm，且Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
實例5
在藉由於結晶ITO膜上濺鍍Mo來形成金屬層且於金屬層上形成Ni-Cu-Ti合金層之後，藉由於合金層上濺鍍Ag-Pd-Nd合金來製造樣品14。Mo金屬層之厚度為10nm。Ni-Cu-Ti合金層之厚度為30nm，且Ni、Cu及Ti之含量分別為60重量%、39.7重量%及0.3重量%。Ag-Pd- Nd合金之厚度為100nm，且Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
實例6
在藉由於結晶ITO膜上濺鍍Ni-Cu-Ti合金來形成合金層之後，藉由於合金層上濺鍍Ag-Pd-Nd合金來製造樣品15。Ni-Cu-Ti合金之厚度為30nm，且Ni、Cu及Ti之含量分別為60重量%、39.7重量%及0.3重量%。Ag-Pd-Nd合金之厚度為100nm，且Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
實例7
在藉由於結晶ITO膜上濺鍍Ni-Cr合金來形成合金層之後，藉由於合金層上濺鍍Ag-Pd-Nd合金來製造樣品16。Ni-Cr合金之厚度為10nm，且Ni及Cr各自之含量為95重量%及5重量%。Ag-Pd-Nd合金之厚度為100nm，且Ag、Pd及Nd之含量分別為98.8重量%、1.0重量%及0.2重量%。
下表7顯示描述於實例1至7中之樣品之組態。
實驗5
執行蝕刻測試及剝離測試。特定測試方法及評價方法如下：
蝕刻測試
(1)首先，製備具有65%之基質之HNO3腐蝕溶液，且隨後將基 板切割成10×100mm之小片，且隨後浸漬在腐蝕溶液中90秒。
(2)自腐蝕溶液取出樣品，且即刻使用去離子水洗滌1分鐘。
(3)用肉眼確認APD或中間層殘餘物質是否存在於樣品之表面上。
(4)使用4探針薄層電阻儀錶量測樣品之薄層電阻。
(5)如在蝕刻之後的量測結果，其顯示僅ITO層存在於基板上。此方法可在不損害ITO層的情況下蝕刻APD合金及任何中間金屬(或金屬合金)層，以使得在HNO3溶液中成功地保持ITO層之腐蝕預防效能。
(6)一般而言，基板可成功地通過HNO3蝕刻測試。
在蝕刻時，當如圖6A中所示邊緣之直度為優良時，其表示為『優良』，而當如圖6B中所示存在具有鼠咬嚙形狀之突起或粗糙部分時，其表示為『粗糙』。
剝離測試
根據IPC-TM-650 2.4.1.6柵格測試方法藉由使用3M 600(丙烯酸酯)條帶執行剝離測試。剝離強度之參考如下。
等級5：直線圖案之拐角為實質上乾淨的。未發現網格之方形。
等級4：金屬層(濺鍍層)在網格之相交點處稍微剝掉-少於網格之5%。
等級3：金屬層(濺鍍層)沿網格之拐角及在相交點處稍微剝掉-網格之5%至15%。
等級2：金屬層(濺鍍層)在方形之部分及沿拐角處剝掉-網格之15%至35%。
等級1：塗層以長條帶形式沿直線圖案之拐角剝掉-網格之35%至65%。
等級0：發現網格形狀超過65%。
根據各等級發生剝落之部分展示於圖7中。
在下表8中，顯示具有10×100mm之尺寸的實例1至4之樣品之蝕刻及蝕刻後殘餘物的研究結果。
在下表9中，顯示實例5至7之樣品之剝離強度及蝕刻後殘餘物的研究結果。
自前文中應瞭解為達成說明之目的，本發明之各種實施例已描述於本文中，且在不背離本發明之範疇及精神的情況下可進行各種修改。相應地，本文所揭示之各種實施例並不意欲限制藉由以下申請專利範圍指定之真實範疇及精神。
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧透明導電材料
30‧‧‧銀-鈀-釹(Ag-Pd-Nd)合金層

Claims (14)

  1. 一種觸控面板，其包含：透明基板；安置於該基板上之透明導電材料；及安置於該透明導電材料上之銀-鈀-釹(Ag-Pd-Nd)合金層。
  2. 如請求項1之觸控面板，其進一步包含：由至少一種選自由Mo、Ag、Ni、Cu、Ti及Cr組成之群的金屬形成之金屬層，且其安置在該透明導電材料與該Ag-Pd-Nd合金層之間。
  3. 如請求項2之觸控面板，其中該金屬層係由Mo、Mo-Ag合金、Ni-Cu-Ti合金或Ni-Cr合金形成。
  4. 如請求項1之觸控面板，其在該透明導電材料與該Ag-Pd-Nd合金層之間進一步包含：由選自由Mo、Ag、Ni、Cu、Ti及Cr組成之群的金屬形成之金屬層，及於該金屬層上由兩種或兩種以上選自由Mo、Ag、Ni、Cu、Ti及Cr組成之群的金屬形成之金屬合金層。
  5. 如請求項1之觸控面板，其中以100重量%之該合金計，該Ag-Pd-Nd合金層包含：97.9重量%至99.2重量%之Ag，0.7重量%至1.8重量%之Pd，及0.1重量%至0.3重量%之Nd。
  6. 如請求項5之觸控面板，其中以100重量%之該合金計，該Ag-Pd-Nd合金層包含：98.45重量%至99.05重量%之Ag， 0.8重量%至1.3重量%之Pd，及0.15重量%至0.25重量%之Nd
  7. 如請求項1之觸控面板，其中該透明基板係選自由以下組成之群：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚碳酸酯及玻璃。
  8. 如請求項7之觸控面板，其中該透明基板為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
  9. 如請求項1之觸控面板，其中該透明導電材料係選自由以下組成之群：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化鎘錫(CTO)、PEDOT(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩))、碳奈米管(CNT)及銀奈米線。
  10. 如請求項1之觸控面板，其中該透明導電材料為氧化銦錫(ITO)。
  11. 如請求項1之觸控面板，其中該Ag-Pd-Nd合金層係藉由蒸發或濺鍍於該透明導電材料上形成。
  12. 一種如請求項1之觸控面板之製備方法，其包含：提供由透明膜或玻璃形成之透明基板之步驟；於該透明基板上層壓該透明導電材料之步驟，及藉由濺鍍於該透明導電材料上形成Ag-Pd-Nd合金層之步驟。
  13. 一種顯示器，其包含如請求項1之觸控面板。
  14. 一種用於觸控面板之Ag-Pd-Nd合金，以100重量%之該合金計，其包含：97.9重量%至99.2重量%之Ag，0.7重量%至1.8重量%之Pd，及0.1重量%至0.3重量%之Nd。
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